PROBLEMAS DE ELECTRONICA
Problemas: Temas-1 y 2
1. LaleydeOhmrelacionaV,IyRparaunresistor.Encadaunadelassiguientessituacionesencuentre elelementoquefalta: a. R=lk,V=10V b. V=10V,I=lmA c. R=10k,I=10mA d. R=100,V=10V 2. LaleydeOhmylaleydelapotenciaparaunresistorrelacionanV,I,RyP,haciendoslodos variablesindependientes.Enelcasodecadaunodelossiguientesparesidentificados,encuentrelos otrosdos: a. R=1k,I=l0mA b. V=10V,I=1mA c. V=10V,P=lW d. I=10mA,P=0.1W e. R=1k,P=1W 3. Contresresistorescuyosvaloresson10k,20ky40k.Cuntasresistenciasdiferentespodra crearusandocombinacionesenserieyparalelodeestostres? Elaboreunalistaordenadaporvalordelmsbajoalmsalto. Seaexhaustivoyorganizado. 4. Sitenemosunaresistenciade10k,culeselvalordelaresistenciaenparalelonecesariopara reducirelvalorcombinadoen1,5,10y50%?Culeselresultadodeponerenparalelouna resistenciade10kconunode1M?,conunode100k?,conunode10k? 5. ObtenerdelcircuitodelafiguraaelcircuitoequivalentedeThveninrepresentadoenlafigurab. CalcularV0yRo.
2 PROBLEMASELECTRNICA
6. Undivisordevoltajededosresistenciasqueempleaunaresistenciade3.3kyotrade6.8kest conectadoaunafuentedealimentacinconreferenciaatierrade9Vparaproporcionarunvoltaje relativamentebajo. a.Dibujeelcircuito. b.Suponiendoresistenciasdevalorexacto,quvoltajedesalida(medidoatierra)yresistenciade salidaequivalentesseobtendransilasresistenciasusadosnosonidealesperotienenuna toleranciadefabricacinde5%? c.Culessonlosvaloresextremosqueseobtendrandevoltajesyresistencias? 7. Dadastresresistenciasigualesde10kyunabaterade9Vcuyoterminalnegativoestconectadaa tierra, si un divisor de voltaje usa una o todas las resistencias, cuntas fuentes de voltaje positivo de magnitud menor de 9 V puede disear? Ordnelas de la ms pequea a la mayor. Cul es la resistenciadesalida(esdecir,laresistenciadeThvenin)decadauno? 8. Los divisores de corriente desempean un papel importante en el diseo de los circuitos. Por tanto, es importante desarrollar cierta facilidad para tratar con los divisores de corriente en el anlisis de circuitos. En la figura se muestra un divisor de corriente de dos resistencias alimentado por una fuente ideal I. DemuestrequeI1yI2vienendadasporlasecuaciones(1)yencuentreelvoltajeVquesedesarrollaen eldivisordecorriente.
(1)
9. Diseeundivisordecorrientesimplequereduzcalacorrienteproporcionadaaunacargade1kal 20%delacorrientedisponibleapartirdelacarga. 10. Para el circuito de la figura P.10, encuentre el equivalente a Thvenin entre las terminales a) 1 y 2, b) 2y3,yc)1y3.
P.10
11. Mediante la aplicacin repetida del teorema de Thvenin, encuentre el equivalente a Thvenin del circuitodelafiguraP.11entreelnodo4ytierray,portanto,encuentrelacorrientequefluyeatravs deunaresistenciadecargade1.5k,conectadaentreelnodo4ytierra.
3 PROBLEMASELECTRNICA
P11
Problemas: Tema-3
18. El circuito de la figura se utiliza en un sistema de sealizacin empleando un alambre adems de un retorno a tierra comn. En un momento cualquiera, la entrada tiene uno de tres valores: +3 V,0V,3 V.Culeselestadodelaslmparasparacadavalordeentrada?(Ntesedequelaslmparaspueden estarseparadasyquetalvezhayadiferentestiposdeconexin,todosenunsoloalambre)
19. Para los circuitos que se muestran en la figura empleando diodos ideales, encuentre los valores de voltajeycorrienteindicados.RepitalosresultadossilosdiodostienenunatensindeVT=0,7v
20. En el caso de los circuitos mostrados en la figura empleando diodos ideales, encuentre los valores de losvoltajesycorrientesindicados.RepitalosresultadosParadiodosdeV=0,7V
6 PROBLEMASELECTRNICA
21. Suponiendo que los diodos de los circuitos de la figura son ideales encuentre los valores de los voltajesylascorrientes.RepitalosresultadosParadiodosdeVt=0,7V
22. Suponiendo que los diodos de los circuitos de la figuras son ideales, utilice el teorema de Thvenin parasimplificarloscircuitosyconello,encuentrelosvaloresdelascorrientesyvoltajesrotulados.
23. Obtenerlascorrientesylastensionesenlosdiodosdelcircuitodelafiguraparalastensionesentradavi=6vy
vi=6v,si: 7 PROBLEMASELECTRNICA
y Rr
Fig.1
5ms
PROBLEMASELECTRNICA
28. Unaondacuadradadeamplitud6VdepicoapicoypromedioceroseaplicaauncircuitocomoeldelaFig
empleandounresistorde100.Culeselvoltajepicodesalida?Culeslacorrientepicopromedio?Cules elmximovoltajeinversoatravsdeldiodo?
9 PROBLEMASELECTRNICA
10 PROBLEMASELECTRNICA
30. Diseeuncircuitocargadordebateras,comoeldelaFig.1empleandoundiodoidealenelquelacorriente
fluyealabaterade12Vel20%deltiempoytieneunvalorpromediode100mAQuvoltajedeondasenoidal depicoapicoserequiere?Quresistenciaesneceara?Culeslacorrientepicodediodo?Quvoltajepico inversoresisteeldiodo?Sisepuedenespecificarresistoresdeunsolodgitosignificativoyunvoltajedepicoa picoslohastaelvoltmscercano,Qudiseoescogeraparagarantizarlacorrientedecargarequerida?En quefraccindelciclofluyelacorrientedeldiodo?Culeslacorrientepicodeldiodo?Culvoltajepicoinverso resisteeldiodo? 11 PROBLEMASELECTRNICA
Fig.1
12 PROBLEMASELECTRNICA
35. Repitaelproblemaanteriorparaelcircuitorectificadorenpuente
Fig.P36
38. Undiododesilicioatemperaturaambiente(300K)conduce1mAa0,7V.
a) Calcularlacorrienteeneldiodosilatensinsubea0,8V.Tmese=2yVT=0,0258V. b) Calcularlacorrientedesaturacininversa. c) Repetirelapartado(a)con=1. 13 PROBLEMASELECTRNICA
39. A qu voltaje en direccin directa un diodo para el que n= 2 conduce una corriente igual a 1 000 Is? EntrminosdeIs,qucorrientefluyeenelmismodiodocuandosuvoltajedirectoes0.7V? 40. Calcule el valor del voltaje trmico, V T, a 40C, 0C,+40C y + 150C. A qu temperatura est V T exactamentea25mV? 41. Laresistenciadeterminalaterminaldeunabarradeconexinde10mdelargo,3mdeanchoy 1mdeespesorhechadevariosmateriales. a) Siliciointrnseco b) SilicioconimpurezastiponconND=1016/cm3 c) SilicioconimpurezastiponconND=1018/cm3 d) SilicioconimpurezastipopconNA=1010/cm3 e) Aluminioconresistividadde2,8.cm
Encuentrelaresistenciaencadacaso.Paraelsiliciointrnseco,utilicelosdatosni=p=n=1,5.1010cm3n=1380 cm2/Vsp=480cm2/Vs.Paraelsilicioconimpurezas,supongan=25p=1200cm2/V.s(RecuerdequeR=L/A
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vi
vo _ Fig.1
vi
v0
Fig 1
Fig 3 0,6 v (V)
PROBLEMASELECTRNICA
15
48. EnelcircuitodelaFig.1seusandiodosconlassiguientescaractersticas: V =0,6V.;Rf=40;Rr;Is=0 Determinarparacadaunodelosestadosdelosdiodos,v0=f(I),indicandoentrequeintervalosdeIse encuentra.(Ipuedetomarvalorespositivosynegativos)
49. Enelcircuitodelafigura214,losdiodostienenV=0,6v.,Rf0yRr
a)Calcularvoparalosdiferentesestadosdelosdiodos,cuandovivarasegnlaFig.2 b)Representarlatensindesalidav0(t)para0t5ms.
50. Polarizandoendirectaundiododeuninpnenellaboratorio,sehanobtenidodospuntos significativosdesucurvaIV:A(10mA,600mV),B(20mA,700mV).Sehaverificadotambinqueen inversaVZ>20VyrZ. Sepide: a) Encontrar los parmetros V y Rf (tensin de codo y resistencia en directa) del modelo lineal por tramosqueseajustaalosdospuntosmedidos CondosdiodosigualesqueelanteriorseconstruyeuncircuitolimitadordeVcomoeldela figura1. b) EscribirlasecuacionesdelafuncindetransferenciavO=f(vI)deestecircuitoyrepresentarlas grficamente c) Dibujarlaformadelatensindesalidaenfuncindeltiempo,calculandolosvaloresdeamplitud DATOS:
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51. Considereelcircuitoreguladordelafigura.LatensininversaderupturadelznervaleVZ=9Vyla resistenciaincrementalendisrupcinrZ=30.SetrabajaconunafuentedetensinnoreguladaVnr= 15V(10%).EldiseodelreguladorsehaceparalosvaloresnominalesRL=1k,IZ=10mA(corriente inversaporeldiodo). a) CalculeelvalordeR,lacorrienteporellayelvalornominal tensindesalidaregulada. b) Paralavariacinespecificadadelatensindeentrada,qu variacintendremosalasalida?Cuntovaleelfactorde regulacindelnea? c) Silacorrientedecargasereduceenun50%(debidoauna variacinenelvalordelacarga),cuntovaleelvoltajede Culeslamximacorrientedecargaparalaquelasalida regulada?Quvoltajedesalidasetendrenesecaso? elvalordelfactorderegulacindecarga? dela
52. LacaractersticaIVaproximadadeldiodoZenerdelcircuitodelafigura1semuestraenlafigura2.En esta figura se indica que existe una cierta corriente (Imax) que, en caso de hacerse ms negativa, provocara la destruccin del Zener. Sabiendo que se puede modificar la resistencia RS (resistencia variable),sepide: a) Calcular el valor de la resistencia RS que hace que el Zener se encuentre en el punto 1 de la curva delafigura2. b)CuleslatensinmsnegativaquepuedeexistirenbornasdelZenersinquesedestruya? c) La resistencia RS vara hasta que el Zener alcanza el punto 2 de la curva de la figura 2. Sin obtener esevalordeRS,calcularelvalordeIL.. d)CalcularahoraelvalordeRSquehaceposiblequeelZeneralcanceelpunto2delafigura2. e) El valor de RS calculado en el apartado d), es mximo o mnimo para que el Zener funcione sin peligrodedeterioro?Porqu?(Razoneen23lneassurespuesta) DATOS:VP=15V;RL=2k;VB=10V;V=0,6V;RD=1;RZ=2;Imax=0,1A
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Caso 1 2 3 4 5 6 7 8 E 0 0 0,7 0,7 0,7 2,7 0 0,10 B 0,7 0,8 0 0 0,7 2,0 0 5,0 C 0,7 0,1 0,7 0,6 0 0 5,0 5,0
54. Dos transistores, fabricados con la misma tecnologa pero que tienen diferentes reas de unin, cuando operan a un voltaje base emisor de 0,72 V tienen corrientes de colector de 0.2 mA y 12 mA. DetermineISparacadadispositivo.Culessonlasreasdeuninrelativas? 55. EnunBJTparticularlacorrientedelabaseesde7.5Aylacorrientedelcolectoresde400A. Determineyparaestedispositivo.
57. A continuacin se tabulan las mediciones de VBE y dos corrientes de terminal tomadas en varios transistores npn. Para cada uno calcule el valor de la corriente faltante as como , e Is como se indicaenlatabla.
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59. ConsidereuntransistornpnparaelcualF=100,R=0.1eIs=1015A. a)SieltransistoroperaenelmodoactivodirectoconIB=10pAyVCB=1V,calculeVBE,ICeIE. b)Ahora,opereeltransistorenelmodoactivoinversoconunvoltajedepolarizacindirectaVBC igualalvalordeVBEencontradoena)yconVEB=1V.DetermineIC,IBeIE.
61. Considere el modelo a gran seal pnp de la Fig.1. aplicado a un transistor que tiene ls = 1013 A y = 40. Si el emisor est conectado a tierra, la base est conectada a una fuente de corriente que llega a 20 A de la terminal de la base y el colector est conectado a una tensin negativo de10 V va un resistorde10k,determineelvoltajedelcolector,lacorrientedelemisoryelvoltajedelabase.
Fig.1
62. UntransistorpnptieneVEB=0.8Vaunacorrientedecolectorde1A.CulesperaqueseaVEBa ic=10mA?Aic=5A? 63. Un transistor pnp modelado con el circuito de la Fig.1 est conectado con su base a tierra,el colector a1.5 V y una corriente de 10mA inyectada en su emisor. Si se dice que tiene=10, cules son sus corrientesenlabaseyelcolector?Enqudireccinfluyen?Sils=1016A,quvoltajeresultaenel emisor?Culserlacorrientedelcolectorsiseutilizauntransistor=1000?(Nota:elhechodeque la corriente del colector cambie en menos de 10.%para un cambio grande de ilustra que es una buenaformadeestablecerunacorrientedecolectorespecfica)
Fig.1
19 PROBLEMASELECTRNICA
64. Untransistordepotenciapnpoperaconunvoltajeemisorcolectorde5V,unacorrientedeemisorde 10AyVEB=0,85V.Para=15,culcorrientedebaseserequiere?Culesls,paraestetransistor? 65. En la configuracin indicada en la Fig. a el transistor trabaja con VCE = 4 V. Las curvas de salida para dichotransistorseindicanenlaFig.b SabiendoquelascorrientesICOeIEO,tienenlosvalores2,1Ay1,5Arespectivamente;q=1,61019C ;K=1,381023J/KyquelatemperaturaT=300KCalcular: a)ElvalordelascorrientesIE,IBeIC. b)Losvaloresde,FyR. c)LastensionesVBEyVBC. d)Lazonadefuncionamientodeltransistor.
VCC =
I C (mA)
I B = 50 A 5 40 A 4 30 A
VBB
3 20 A 2 1 10 A
Fig a
4 Fig b
10
VC E (V)
67. Paraloscircuitosdelafigura,supongaquelostransistorestienenunamuygrande.Sehanrealizado algunasmedicionesenestoscircuitosconlosresultadosindicadosenlafigura.Determinelosvaloresde losotrosvoltajesycorrientesindicados.
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PROBLEMASELECTRNICA
TRANSISTORESMOST
73. La tecnologa MOS se emplea para fabricar un condensador que utiliza la metalizacin de la compuerta y el sustrato como electrodos del condensador. Encuentre el rea requerida por una capacitancia de 1 pF para un espesor de xido que va de 5 a 40 nm. En el caso de un condensador de placacuadradade10pF,culessonlasdimensionesmximasnecesarias? 74. Con el conocimiento de que p =0.4n, cul debe ser el ancho relativo de los dispositivos MOS de canalnycanalp,sitienencorrientesdedrenajeigualescuandooperanenelmododesaturacincon voltajesdesobrecargadelamismamagnitud? 75. Un dispositivo MOS de enriquecimiento de canal n tiene kn= 50 A/V2, Vt = 0.8 V y W/ L = 20. El dispositivo habr de operar como interruptor para un VDS pequeo empleando un voltaje de control VGS en el intervalo de 0a 5 V. Encuentre la resistencia de cierre del interruptor, rDS y el voltaje de cierre, VDS obtenidos cuando VGS = 5 Ve iD =1 mA. Recordando quep= 0.4n cul debe ser W / L para un dispositivo de canal p que proporciona el mismo desempeo que el dispositivo de canal n en estaaplicacin? 76. ConsidereunprocesoCMOSparaelcualLmn=0.8m,tox=15nm,n=550cm2/V.syVt=0.7V. a)EncuentreCoxykn b) Para el transistor NMOS con W/L = 16 m/8 m, calcule los valores de Vov, VGS y VDSmn necesariosparaoperareltransistorenlaregindesaturacinconunacorrientedede ID=100A. c) Para el dispositivo en b), encuentre los valores de Vov y VGS requeridos para que el dispositivo operecomoresistorde1000paraunVDSmuypequeo. 77. ConsidereunMOSFETdecanalNcontox=20nm,n=650cm2/V.s,Vt=0.8VyW/L=10.Encuentrela corrientedeldrenajeenlossiguientescasos: a)vGS=5VyVDS=1V b)vGS=2VyVDS=1,2V c)vGS=5VyVDS=0,2V 78. EnelcasodeunMOSFETqueoperaenlaregindesaturacinaVGSconstante,seencuentraqueiD esde2mAparaVDS=4Vy2,2mAparaVDS=8V.Culesvaloresder0VAy? 79. UnMOSFETtieneVA=50V.Paralaoperacina0.1mAy1mACulessonlasresistenciasdesalida esperadas?Encadacaso,parauncambiodeVDSde1V,Qucambiodeporcentajedecorrientede drenajeesperara? 80. UntransistorNMOScon=0.01V1operaaunacorrientededcID=1mA.Siseduplicalalongituddel canal,encuentrelosnuevosvaloresde,VA,IDyroparacadaunodelosdoscasossiguientes: a)VGSyVDSsonfijos. b)IDYVDSsonfijos 81. Todoslostransistoresdeloscircuitosmostradosenlafiguratienenlosmismosvaloresde|Vt|,k', W/Ly.Msan,esdespreciable.TodosoperanensaturacinaID=1y|VGS|=|VDS|=3V. EncuentrelosvoltajesV1,V2,V3YV4.Si|Vt|=1VeI=2mA,culeselvalorquedebetenerun resistorquepuedeinsertarseenserieconcadaconexindedrenajemientrassemantieneen saturacin?Culeselresistormsgrandequepuedecolocarseenserieconcadacompuerta?Sila
23 PROBLEMASELECTRNICA
85. Considereelcircuitodepolarizacinmostradoenlafiguraqueempleaunafuentedealimentacinde 15 V. Para el MOSFET por |Vt|= 1,2 V, kn = 80A/V2,=0 y W=240m y L=6m Haga arreglos para que la corriente del drenaje sea 2mA con casi un tercio de la corriente del voltaje de alimentacin a travsdeRsyRD.Use22MparalamayordeRGIyRG2.CulessonlosvaloresdeRGl,RG2,RSyRDque ha elegido? Especifquelos hasta dos cifras significativas. Para su diseo, qu tan lejos est el voltaje dedrenajedelextremodesaturacin?
b)VT=2VyknW/L=1,25mA/V2
VGS = 6,0
300 250 5,5 5,0 4,5 4,0 3,5 3,0 1 2 3 Fig 2 4 5 VGS = 2 V.
Q2
200 150
+ v0 _
Q1 + vi -
100 50
0
Fig 1
6 V DS (V)
a)QutiposdeMOSFETson?.Sivi>VT,enquestadosestnQ1yQ2? b)Completarlatabla.
vi 2V. 3V. 3,5V. 5V. v0 VDS2 ID1 ID2
K1=k/2=50A/V2VT1=1V.W1/L1=1 K2=k/2=30A/V2VT2=2,5VW2/L2=1
a)ExpresarlasdistintasregionesdefuncionamientodelosMosfets.
iD1 + + vi _ Q1 v0 -
Fig 4-14
Completarlatablasiguiente
Q3 V0
V1 0
V2 0 VDD 0 VDD
V0
ID3
V1
Q1
Q2
V2
0
Fig 1
VDD VDD
91. El amplificador de la figura1 tiene dos MOSFET de empobrecimiento de las mismas caractersticas: K=k/2= 0,1 mA/V2 ; W/L = 1 ; VT = 6V. Calcular el punto de polarizacin: ID, VDS, VGS para cada unodelosMosfets.VDD=20V.RS1=RS2=2,5K
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|K|=|k/2|=0,1mA/V2W/L=1|VT|=2V.
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