1)

Objetivos Comprobar las principales caractersticas de los diodos y probarlo en diferentes configuraciones bsicas.

2) Marco terico Algunos tipos de Diodos semiconductores Estos dependen del aspecto que posea, las impurezas y adems del uso deseado y pueden ser: Diodo Avalancha: Estos conducen en la direccin contraria la corriente cuando el voltaje en inverso supera el voltaje mximo que posea el diodo, estos tipos de diodos presentan comportamientos similares a los Zener pero su mecanismo de funcionamiento es diferente. Diodo Zener: El comportamiento normal se da cuando se da una polarizacin inversa que sucede cuando se le aplica la corriente del ctodo al nodo; por lo tanto el diodo dejar pasar un voltaje constante; al contrario se comportar como un diodo bsico el cul solo dejar pasar la corriente en un solo sentido. Diodo de Silicio: Corresponde a un semiconductor de tipo p en contacto con un semiconductor de tipo n, como se muestra en la siguiente figura se puede observar el lado p para el nodo y el lado p para el ctodo

Figura 2.1: Representacin de un diodo con sus partes n y p y sus respectivos lados de nodo y ctodo.

Comportamientos de un diodo Diodo semiconductor Poseen dos zonas la n que contiene electrones libres y un hueco en su orbital de valencia, tambin se puede decir que es un tomo trivalente con un
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hueco en su orbital, y la zona p que contiene protones y con un electrn en su orbital. A la hora de unir ambas zonas se da una difusin de electrones del n al p tambin llamada regin de agotamiento, que al progresar este comportamiento se expande, lo que en algn momento crear una fuerza de desplazamiento en donde los iones de la zona p actuarn sobre electrones libres aponiendo la corriente y creando una diferencia de potencial en una zona llamada zona de carga.

Figura 2.2: Representacin de un diodo con sus partes n y p y la respectiva zona de empobrecimiento.

Tipos de polarizacin de un diodo Polarizacin directa Se produce cuando se da una disminucin en la diferencia de potencial de la zona de carga, dando lugar al paso de corriente por la unin np.

Figura 2.3: Representacin de la polarizacin de un diodo en la unin np.

Figura 2.4: Grfica de la polarizacin del diodo.

Polarizacin inversa En este casi la zona de carga espacial aumenta y por consiguiente la tensin en la zona hasta igualar la tensin de la batera.

Figura 2.5: Representacin de la polarizacin inversa en un diodo con unin np.

Figura 2.6: Representacin grfica de la polarizacin inversa en un diodo con unin np.

Curva caracterstica del diodo 1

Tensin umbral La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo, esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Figura 2.7: Representacin grfica de la curva caracterstica de un diodo.

Texto extrado de http://www.ecured.cu/index.php/Diodo

Mtodos matemticos para diodos. Para el clculo de la corriente y la tensin se utiliza la frmula:

(1)

I es la intensidad de la corriente por el diodo es la tensin del diodo es la corriente de saturacin es el voltaje trmico, ste suele ser de aproximadamente 25mV en 300K

tambin puede ser definido por:

siendo k una constante de

Capacitor
Un capacitor o condensador es un dispositivo diseado para almacenar carga elctrica y se utilizan en una variedad muy amplia de circuitos elctricos. Por ejemplo, para sintonizar la frecuencia de receptores de radio, como filtros en suministro de energa elctrica, para eliminar chispas en los sistemas de encendido de automviles y como dispositivos de almacenamiento de energa en unidades de destellos electrnicos. La capacitancia C de un capacitor est dada por la razn entre la magnitud de la carga y la diferencia de potencial Q entre ellos ( C ) y es una medida de la capacidad para almacenar carga y V C energa potencial elctrica. Su unidad en el SI es conocido como farad V (F), F (10-6 F) y picoF (10-12 F).

3) Materiales a Utilizar Resistencias de 1k, 2k, 5k y 470k Diodos Diodo Zener Capacitor de 100F

4) Equipo a Utilizar Multmetro Osciloscopio Generador de Frecuencia Protoboard Cable Telefnico 24 AWG Cortadora Alicate de Puntas

5) Procedimiento 5.1 Para un diodo normal conectado en serie a una resistencia de 1K como carga y con seales diversas de entrada:

a) Calcule la corriente y el voltaje tericos para un diodo ideal en variaciones de 100 mv hasta llegar a que el diodo conduzca. Compruebe experimentalmente. Debe realizar una grfica de voltaje contra corriente para este dispositivo (emplee un voltmetro en paralelo con el diodo y un ampermetro en serie con el mismo).

b) Compruebe la regin inversa sin llegar a rompimiento.

c) Conecte una seal triangular, una cuadrada simtrica y una sinusoidal de entrada y compruebe la seal de salida en la carga. Explique detalladamente la forma de onda de salida.

d) Conecte el diodo al revs y compruebe la salida. Explique el efecto obtenido.

5.2 El siguiente circuito es un limitador de voltaje. Aumente lentamente el voltaje alterno de entrada (senoidal) colocando el osciloscopio en la resistencia de 1K en paralelo con el Zener de 5.1 voltios. Explique el resultado.

1k

1k

Figura 5.1: Circuito de medicin 1, correspondiente a una fuente alterna, con dos resistencias de 1 k y un diodo zener de 5.1 voltios.

5.3 El circuito que se muestra a continuacin es una aplicacin tpica de un diodo como detector de pico a pico:

470K

Figura 5.2: Circuito de medicin 2 como representacin de un diodo como detector de pico a pico con 2 diodos, 1 fuente alterna, 2 capacitores y una resistencia de 470 k.

a) Con C=100 uf, R1=470K y con una entrada de tipo sinusoidal (emplee un voltaje senoidal alterno superior a 2 Voltios pico), explique la seal de salida en la resistencia de 470K vista en el osciloscopio y comprubela experimentalmente. Comente su utilidad.

5.4 Para el siguiente circuito:

1K V1 Vo

+ 15 V 1K 2K

Figura 5.3: Circuito de medicin 3, con 1 resistencia de 2 k, 2 de 1 k, un diodo y fuente de 15 V.

a) Grafique y compruebe experimentalmente el voltaje de salida contra el tiempo si la entrada es una onda senoidal de valor pico de 10V. Puede emplear un voltaje de polarizacin directa para el diodo de 0,7 V.

5.5 Para el siguiente circuito:

+ 5v

5k 1k +2 V 1k +4V V1

Vo

1k

Figura 5.4: Circuito de medicin 4, con 1 resistencia de 5 k, 3 de 1 k, u4diodo y fuentes de 5, 2 y 4 voltios.

a) Encuentre V1 y V2 para las condiciones dadas, suponga Vf = 0,7 V.

6) Tablas
Tabla 6.1: Corriente y Voltaje de diodo (5.1-a)

Voltaje Fuente

Voltaje diodo teo

Voltaje diodo exp

Corriente diodo teo

Corriente diodo exp

Margen de error

7) Grficos Grfico 7.1 Corriente vs Voltaje de diodo (5.1-a)

Grfico 7.2 Voltaje vs Tiempo de diodo (5.4-a)

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