ndice

TEMA 6: Polarizacin del diodo

6.1. INTRODUCCIN 6.2. UNIN P-N BAJO POLARIZACIN 6.3. ANLISIS DE LA ZONA DIPOLAR 6.4. ANLISIS DE LAS ZONAS NEUTRAS. DEDUCCIN DE LA CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO 6.5. MODELOS DE GRAN SEAL: MODELO CIRCUITAL IDEAL Y OTRAS APROXIMACIONES 6.6. RESOLUCIN GRFICA DE CIRCUITOS. RECTA DE CARGA ESTTICA

6.1
6.1 6.2 6.2 6.6

6.16 6.21

6.i

Tema 6
Polarizacin del diodo

6.1.- INTRODUCCIN
El objetivo de este tema es obtener la curva caracterstica I-V del dispositivo. Para ello, analizaremos la unin pn bajo polarizacin segn el siguiente procedimiento: 1.- Observaremos la variacin de la z.c.e. con la tensin aplicada. 2.- Analizaremos las zonas neutras en los casos particulares de zona larga y zona corta, deduciendo la concentracin de portadores en funcin de la tensin aplicada. 3.- Obtendremos la caracterstica I-V sin ms que expresar la corriente, I, en funcin de la concentracin de portadores.

6.1

6.2.- UNIN P-N BAJO POLARIZACIN

Vamos a ver qu modificaciones se producen en el razonamiento hecho para describir una unin pn cuando sta se encuentra sometida a un potencial externo aplicado, V. En este caso, se dice que la unin est polarizada. Si la diferencia de potencial aplicado, V, hace el lado p ms positivo que el lado n, se dice que la polarizacin es DIRECTA. En caso contrario, la polarizacin ser INVERSA. En la Figura 6.1 aparecen indicadas las polarizaciones, as como el convenio de signos para la tensin exterior aplicada, V.

(a)

V>0

(b)

V<0

Figura 6.1.- (a) Polarizacin Directa; (b) Polarizacin Inversa.

6.3.- ANLISIS DE LA ZONA DIPOLAR

Para estudiar el efecto de una tensin de polarizacin sobre la unin pn, vamos a tener en cuenta las siguientes consideraciones de partida: 1. Suponemos que los contactos metlicos, que son los que facilitan la conexin del dispositivo con el exterior, son hmicos. Es decir, no ofrecen resistencia al paso de corriente en uno u otro sentido o, dicho de otra forma, presentan unos potenciales de contacto que son de valor fijo dependiendo nicamente del material que se utilice para fabricar el contacto metal-semiconductor.

6.2

Anlisis de las zonas neutras. Deduccin de la curva caracterstica del diodo.

2. Vamos a suponer que las regiones p y n estn lo suficientemente dopadas contienen un nmero suficiente de h+ y e- de manera que, en un amplio rango de corrientes, la cada hmica de tensin en ellas es nula o muy pequea. Pues bien, bajo estas premisas, resulta que toda la tensin externa aplicada, V, aparece en la unin, aparece en la zona dipolar. Por lo tanto, para el anlisis bajo polarizacin de la zona dipolar, basta con sustituir V>0 Polarizacin Directa Polarizacin Inversa

T T V
V<0

Es decir, la POLARIZACIN DIRECTA (ver Figura 6.2) reduce la barrera de r potencial existente entre las regiones p y n, reduce el valor del en la zona dipolar, as como la anchura de dicha regin. Bajo POLARIZACIN INVERSA (Figura 6.3) sucede todo lo contrario. Adems, V ha de ser siempre inferior a T (la nica forma de eliminar esta restriccin es admitir cadas de tensin en las regiones p y n, lo que ocurre en el rango de altas corrientes). Es decir, la POLARIZACIN DIRECTA presenta lmite en cuanto al valor mximo de V aplicado, no as la POLARIZACIN INVERSA (en tal caso V < 0 y T siempre es positivo).

6.3

z.c.e. en equilibrio

-xp

xj V>0 Nueva z.c.e.

xn

(a) (x)
qND -xp

+ xn

-qNA

(b) (x)
-xp xn

(c) (x)
Vbi - V -xp xn Vbi

(d)

Figura 6.2.- Efecto de una tensin de polarizacin directa, V > 0, sobre el perfil de la carga, campo elctrico y potencial de la zona de carga de espacio.

6.4

Anlisis de las zonas neutras. Deduccin de la curva caracterstica del diodo.

z.c.e. en equilibrio

-xp

xj V<0 Nueva z.c.e.

xn

(a) (x)
-xp qND

+ xn

-qNA

(b) (x)
-xp xn

(c) (x)
Vbi - V -xp xn Vbi

(d)
Figura 6.3.- Efecto de una tensin de polarizacin inversa, V < 0, sobre el perfil de la carga, campo elctrico y potencial de la zona de carga de espacio.

6.5

6.4.- ANLISIS

DE LAS ZONAS NEUTRAS.

DEDUCCIN

DE LA CURVA

CARACTERSTICA DEL DIODO.

Antes de empezar a deducir las ecuaciones que nos conducen a la caracterstica I-V del dispositivo, vamos a ver su funcionamiento de forma cualitativa. ANLISIS CUALITATIVO Hemos visto que una polarizacin directa (V > 0), reduce la barrera de potencial existente entre las regiones p y n produciendo, por lo tanto, una descompensacin entre las corrientes de arrastre y difusin existentes en el equilibro. Esta descompensacin (Figura 6.4) provoca una inyeccin de portadores minoritarios en las regiones neutras como consecuencia de la disminucin de la Ja. Esto es, aparece un flujo por difusin de e- desde n p y de h+ desde p n. Por lo tanto, como consecuencia de la POLARIZACIN DIRECTA, aparece en los bordes de la z.c.e. un exceso de minoritarios sobre los que existan en equilibrio termodinmico. Dichos portadores minoritarios avanzan, principalmente, por difusin en cada una de las regiones neutras, desapareciendo por recombinacin con los mayoritarios. El resultado neto es, por lo tanto, una gran corriente externa que atraviesa el dispositivo de p n, es decir, de nodo ctodo. Por el contrario (Figura 6.5) una polarizacin inversa (V < 0), aumenta la barrera de potencial existente entre las regiones p y n produciendo una descompensacin entre las corrientes de arrastre y difusin existentes en el equilibro (ahora domina Ja). Por lo tanto, el nico flujo posible es el de los portadores minoritarios hacia aqullas regiones en las que son mayoritarios. Ahora bien, cuntos minoritarios tenemos?, slo los generados trmicamente. Esto es, el resultado neto de una polarizacin inversa es una pequea corriente que atraviesa el dispositivo de n p, es decir, de ctodo nodo. Esta corriente est alimentada por la dbil, pero continuada generacin trmica de pares e- - h+, en las proximidades de los bordes de la z.c.e. Es independiente, por lo tanto, de la tensin V aplicada. Se denomina corriente inversa de saturacin.

6.6

Anlisis de las zonas neutras. Deduccin de la curva caracterstica del diodo.

I V
uuu r J an ( Arrastre )

uuu r J dn ( Difusin )

q(Vbi V)

Equilibrio V>0
q(Vbi V)
uuu r J dp ( Difusin )

qV

BC
uuu r J ap ( Arrastre )

qV

BV
Zona p z.c.e. Zona n

Ln

Lp

Figura 6.4.- (a) Diagrama de bandas de energa para una polarizacin directa (-------) y para el equilibrio termodinmico ( ); (b) flujo de portadores bajo polarizacin directa, V > 0.

6.7

I V
uuu r J an ( Arrastre ) uuu r J dn ( Difusin )

Equilibrio

V<0
qV

BC

q(Vbi V)

q(Vbi V)

BV
qV
uuu r J dp ( Difusin )

uuu r J ap ( Arrastre )

Zona p

z.c.e.

Zona n

Ln

Lp

Figura 6.5.- (a) Diagrama de bandas de energa para una polarizacin inversa y para el equilibrio termodinmico (b) flujo de portadores bajo polarizacin inversa, V < 0.

6.8

Anlisis de las zonas neutras. Deduccin de la curva caracterstica del diodo.

El smbolo de circuito de un diodo pn es por lo tanto,

I (Ide nodo a ctodo) nodo P Ctodo N V (Vnodo - V ctodo)

(a) (b)

Figura 6.6.- Smbolo de circuito del diodo (a) y curva caracterstica (b)

donde la flecha indica el sentido en el que fluye la corriente bajo polarizacin directa. Por lo tanto, el diodo de unin pn es un dispositivo semiconductor de dos terminales cuya aplicacin inmediata es la de actuar como RECTIFICADOR (slo permite el paso de corriente en un sentido). ANLISIS CUANTITATIVO Para obtener la curva caracterstica I-V del diodo de unin pn, habr que resolver las ecuaciones de estado en cada una de las zonas neutras: ecuaciones de continuidad, ecuaciones de transporte de corriente y ecuacin de Poisson. Adems de las consideraciones hechas en el apartado 6.3, tendremos en cuenta las siguientes hiptesis: 1. Consecuencia de la H.D.T., que mantendremos en la z.c.e. bajo polarizacin, consideraremos despreciables los procesos de generacin / recombinacin en dicha regin. Esto es, todo flujo entrante debe salir, o lo que es lo mismo, todas las componentes de corrientes permanecen constantes al atravesar la z.c.e. 2. Baja Inyeccin en las zonas neutras. 3. Los minoritarios fluyen, en las regiones neutras, principalmente por difusin. Estas hiptesis de partida, permiten que las ecuaciones de estado en cada una de las regiones neutras sean de fcil solucin. Eligiendo el sentido positivo de las x en el 6.9

sentido que fluye la corriente, esto es, desde el nodo hacia el ctodo (con el origen de coordenadas en el borde de la z.c.e. por el lado del ctodo, de manera que todo el nodo cae dentro de las x negativas), tenemos que: wc x w x w x exp c sh c Lp Lp Lp (0) = pn w w w exp c exp c sh c Lp Lp Lp

exp ( x) = p n (0) pn

(6.1)

exp n p ( x) = n p (0)

wa + x w +x w +x exp a sh a Ln Ln Ln = n p (0) w w w exp a exp a sh a Ln Ln Ln

(6.2)

siendo wc y wa, las anchuras de las regiones de ctodo y nodo respectivamente. Su representacin grfica se ha sealado en la Figura 6.7.
1.4 W = Lp 1.2 W = 10 x Lp (larga) W = 0.1 x Lp (corta)

(p'(x)/p'(0))

0.8

0.6

0.4

0.2

0 0 20 40 60 80 100

D istancia(100 micras)

Figura 6.7.- Perfil de minoritarios en el ctodo dependiendo de la anchura del mismo respecto de Lp.

6.10

Anlisis de las zonas neutras. Deduccin de la curva caracterstica del diodo.

A partir de ahora, nos quedaremos con uno de los comportamientos asintticos, concretamente con el correspondiente a regiones largas (ver Figura 6.8), por lo que, ( x) = p n (0) exp pn x n p ( x) = n p (0) exp Ln x Lp

(6.3)

(Recordar que nuestro sistema de referencia no es el indicado en la Figura ya que, para nosotros, todo el nodo cae dentro de las x negativas). Las ecuaciones (6.3) nos indican, por lo tanto, que el perfil de minoritarios excedentarios en las zonas neutras decrece de manera exponencial a medida que dichos portadores desparecen por recombinacin con los portadores mayoritarios. No hay que olvidar que los mayoritarios de cada regin han sufrido la misma variacin al objeto de que se verifique la condicin de cuasi-neutralidad de carga, pero su variacin relativa ha sido menor. El siguiente paso es el clculo de las corrientes asociadas a dichos perfiles, esto es, las corrientes de difusin de minoritarios:

r r pn = qD p p n (0) exp x i J p J dp = qD p i x Lp Lp r r n p n (0) x = qDn p exp i i J n J dn = qDn x Ln Ln

(6.4)

Las ecuaciones (6.4) nos indican que las corrientes asociadas a los minoritarios van en el mismo sentido, de nodo a ctodo, y que decrecen tambin de manera exponencial.
r r r Por otra parte, sabemos que J T = cte = J n + J p , y puesto que la z.c.e. es de baja

recombinacin, lo que implica que todas las componentes de corriente permanecen constantes al atravesarla, resulta que el punto ptimo de todo el dispositivo para realizar la suma anterior es el borde de la z.c.e., ya que conocer la corriente de difusin de los

6.11

minoritarios en uno de los extremos, es equivalente a conocer la corriente total de dicho portador al otro lado de la zona dipolar, Figura 6.8. Esto es,
Dp D (0) + n n p (0) J T = J n (0) + J p (0) = J dn (0) + J dp (0) = q pn L Ln p

np(x)

pn(x)
p'n(x) para V > 0

n'p(x) para V > 0

np0

pn0
n'p(x) para V < 0 -xp 0 xn 0 x ) y para VA < 0 ( ), p'n(x) para V < 0

Figura 6.8.- Perfiles de minoritarios en las regiones neutras para VA > 0 ( considerando que NA > ND.

JT (total)
Jp(0)

Jn(x)
Jn(0)

Jp(x)

pn0

z.c.e. -x 0 0 x

Figura 6.9.- Densidad de corriente para el caso de polarizacin directa con NA > ND.

6.12

Anlisis de las zonas neutras. Deduccin de la curva caracterstica del diodo.

Falta, entonces, por deducir la expresin del exceso de minoritarios en el borde de la z.c.e. en funcin de la tensin aplicada V. Pues bien, puede deducirse que el exceso de minoritarios crece exponencialmente con la tensin aplicada, de manera que en situaciones de Baja Inyeccin,

V m (0) = mo exp V 1 T
por lo que la expresin para la corriente resulta ser:
Dp D V exp 1 J T = q p no + n n po L Ln VT p

ecuacin que puede escribirse de la forma,

V exp 1 J T = J sat V T Dp D p p Lp D D L J sat = q p no + n n po = q p no + n n n po = q p no + n n po L L Ln Ln n n p p p p

(6.5)

La ecuacin (6.5) es la Corriente en el Diodo Ideal - Ecuacin de Shockley, que nos dice:
1. Bajo polarizacin directa, V > 0, y si V > VT, enseguida empieza a circular

una gran corriente por el dispositivo de nodo ctodo (para un diodo con Isat = 11.2 pA),

VD(V) ID

0 0

0.05 71pA

0.2 33.3nA

0.3 1.8A

0.4 99.6A

0.5 5.4mA

0.6 0.3A

0.7 16A

0.8 884A

6.13

2. Bajo polarizacin inversa, V < 0, y si V > VT, la exponencial enseguida cae

a cero J = -Jsat, es decir, bajo polarizacin inversa circula una corriente (-) para el dispositivo (de ctodo nodo) que, adems, es prcticamente independiente de la tensin inversa aplicada, de ah que se le denomine
Corriente Inversa de Saturacin, (para un diodo con Isat = 11.2pA),

VD(V) ID

0 0

-0.05 -9.7pA

-0.1 -11pA

-0.5 -11.2pA

-1 -11.2pA

-5 -11.2pA

-10 -11.2pA

-50 -11.2pA

-100 -11.2pA

3. De (1) y (2) se deduce, por tanto, que el diodo de unin pn se comporta casi

como un cortocircuito, bajo polarizacin directa, y como un circuito abierto, bajo polarizacin inversa. Esto es, slo permite el paso de corriente en el sentido nodo ctodo. Su curva caracterstica aparece dibujada en la Figura 6.10.

100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 -10 -0.55 -0.45 -0.35 -0.25 -0.15 -0.05 0.05 0.15 0.25 0.35 0.45 0.55 0.65

J (mA/cm2)

Tensin aplicada (V)

Figura 6.10.- Curva caracterstica (Shockley) resultante para un diodo de unin pn con una corriente de saturacin Isat = 11.2 pA

6.14

Anlisis de las zonas neutras. Deduccin de la curva caracterstica del diodo.

SIGNIFICADO DE JSAT Si analizamos la expresin de la Jsat en la ecuacin (6.5), podemos observar que
su valor depende de las caractersticas, de las peculiaridades propias de las regiones de nodo y ctodo (regiones p y n respectivamente). Para buscar su significado fsico,

basta con recordar que la polarizacin inversa extrae minoritarios hacia aqullas regiones en las que son mayoritarios (e- de p n y h+ de n p). Ahora bien, los nicos minoritarios que tenemos en las regiones p y n son los generados trmicamente. Es decir, el 1er trmino de Jsat representa la corriente de h+ generada trmicamente en una regin de anchura Lp inmediata al borde de la z.c.e. y, otro tanto puede decirse del 2 trmino. Por lo tanto, se puede interpretar la Jsat del diodo de unin pn como el
resultado de la generacin trmica de portadores minoritarios en las regiones neutras dentro de una longitud de difusin contada a partir del borde de la z.c.e.

De la expresin de Jsat puede observarse, adems, que el trmino dominante es el de la regin menos dopada. Esto es, en un diodo asimtrico, por ejemplo p+n (NA >> ND), toda la corriente es transportada, fundamentalmente, por los portadores de la regin ms dopada. Es decir,
Lp J sat = q p no p

(6.6)

Si adems de ser el diodo asimtrico, el ctodo es corto, entonces

x p n ( x ) = p n ( o ) 1 wc
pn x Dp wc

con lo que

J T J p = J dp (0) = qD p

=q
x=0

( 0) pn

y, por lo tanto,

J sat = q

Dp wc

p no

(6.7)

6.15

Si comparamos las ecuaciones (6.6) y (6.7), resulta que la Jsat de un ctodo corto es Lp wc veces mayor que en el caso de un ctodo largo, situacin relativamente

desfavorable si se quiere obtener una baja corriente de saturacin. Finalmente, sealar que en dispositivos se trabaja con la Jsat en lugar de con la Isat. La razn es que Isat = Jsat A, siendo A el rea del diodo, parmetro que puede ser controlado fcilmente durante el proceso de fabricacin. Esto es, podemos fabricar diodos exactamente iguales pero con mayores o menores valores de corriente para un mismo voltaje aplicado, sin ms que variar el parmetro A. Adems, sealar, que puesto que J sat ni2 (T ) , la corriente de saturacin depende fuertemente de la temperatura.

6.5.- MODELOS

DE GRAN SEAL.

MODELO

CIRCUITAL IDEAL Y OTRAS

APROXIMACIONES.

Se trata de ver ahora las aplicaciones de circuito de los diodos, o lo que es lo mismo, cmo podemos manejar, desde el punto de vista de circuitos, su curva caracterstica. Para ello es interesante considerar que las curvas caractersticas de un diodo que sigue la ecuacin de Shockley (exponencial, Figura 6.11a) pueden aproximarse por dos tramos rectos de corriente nula (para tensin negativa) y tensin nula (para corriente positiva). Esta aproximacin corresponde a lo que se denomina diodo ideal desde el punto de vista del circuito (Figuras 6.11b y 6.11c). Tambin es conveniente considerar (como razonaremos en el siguiente tema) que la curva I-V de un diodo real tendr ciertas diferencias respecto a la ecuacin de Shockley (Figura 6.12). Podemos observar, que el diodo ideal (Figuras 6.11b y 6.11c) es un dispositivo binario en el sentido de que existe en slo uno de dos posibles estados: ON / OFF. Cuando el diodo est en ON, VD 0 e ID puede tener cualquier valor positivo resistencia del diodo es cero y el diodo se comporta como un cortocircuito. Por el contrario, cuando ID = 0, VD puede tener cualquier valor negativo el diodo se comporta ahora como una resistencia infinita o circuito abierto.

6.16

Modelos de gran seal Modelo circuital ideal y otras aproximaciones.

100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 -10 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5

J (mA/cm2)

J (mA/cm2)

100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 -10 -20

-15

-10

-5

10

15

20

(a)

V (b) (c)

Figura 6.11.- (a) Curva caracterstica (Shockley) del diodo a diferentes escalas; (b) aproximacin ideal de la curva; (c) representacin circuital -estados ON/OFF- del diodo ideal.

ID Ge Si
Polarizacin directa Tensin de ruptura 0,2 0,6

VD

Polarizacin inversa

Figura 6.12.- Curva caracterstica del diodo real

6.17

En la Figura 6.12, por el contrario, se observa que es necesaria una tensin mnima, V, para obtener una corriente significativa. Para tensiones superiores a V, la corriente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva caracterstica es grande, pero no infinita como en el caso del diodo ideal. La tensin V recibe el nombre de Tensin
de codo, Tensin de puesta en conduccin, y Tensin umbral, entre otros,

siendo su valor aproximadamente de 0,7 V para diodos de Si. Para tensiones aplicadas < V, el diodo estar en OFF, inversamente polarizado. Podemos obtener modelos de circuito ms exactos sin ms que linealizar la curva caracterstica del diodo. Por ejemplo, tal y como se observa en la Figura 6.13a, los dos segmentos lineales se aproximan a la caracterstica directa del diodo. Esto es, cuando el diodo est en ON puede representarse por un circuito formado por una fuente de tensin, V, en serie con una resistencia Rf ( 5 50 para diodos de silicio) tal y como se observa en la Figura 6.13b. Esta linealizacin es vlida porque para tensiones inferiores a V, la corriente directa que circula por el diodo es tan pequea que puede despreciarse. Adems, la cada de tensin en el diodo es pequea frente a la tensin externa aplicada al circuito, de forma que la diferencia entre la caracterstica lineal y la real supone un error despreciable. En resumen, el estado de conduccin ON puede considerarse como un diodo ideal en serie con una batera V y una resistencia ID

ID =

VD V Rf
VD

ID

Rf.

VD

V (a) (b)

Figura 6.13.- (a) Caracterstica directa linealizada del diodo; (b) modelo del diodo para polarizacin directa.

En el estado de corte, OFF, la caracterstica del diodo se aproxima a una recta que 6.18

Modelos de gran seal Modelo circuital ideal y otras aproximaciones.

pasa por el origen, Figura 6.14a, siendo su pendiente igual a 1/Rr. Esta representacin da pie a los circuitos de la Figura 6.14b. Puesto que Rr > varios centenares de ohmios, muchas veces se puede considerar que es infinita y tratar al diodo bajo polarizacin inversa como un circuito abierto. Cuando se requiera ms precisin, se puede utilizar un circuito formado por Rr y el generador de corriente, Isat, que se emplea para indicar la corriente inversa de saturacin constante. Estos modelos del diodo sirven para caracterizar su comportamiento frente a seales grandes en comparacin con la tensin V. Dentro de esta caracterstica caen las aplicaciones de conmutacin ON OFF o las de rectificacin. Cuando las seales aplicadas al dispositivo sean de unos pocos mV, se utilizar la ecuacin de Shockley u otros modelos, como el de pequea seal del diodo.

ID ID VD Isat Rr

I D = I sat +

VD Rr
VD VD Rr ID < 0

(a)

(b)

Figura 6.14.- (a) Caracterstica inversa linealizada del diodo; (b) modelos del diodo para polarizacin inversa.

6.19

EJEMPLO: En el circuito de la Figura 6.15, los diodos D1 y D2 son idnticos y vienen caracterizados por: Rf = 30 V = 0,6 V Isat = 0 Rr

Se pretende, entonces, determinar la tensin de salida vo para los siguientes valores de las tensiones de entrada: a) v1 = v2 = 5 V b) v1 = 5 V c) v1 = v2 = 0 V v2 = 0 V

5V

v1 v2

D1 vo D2

Figura 6.15.- Esquema del circuito a resolver

6.20

Resolucin grfica de circuitos. Recta de carga esttica.

6.6.- RESOLUCIN GRFICA DE CIRCUITOS. RECTA DE CARGA ESTTICA.

Se desea resolver el circuito de la Figura 6.16; esto es, se desea obtener la corriente y cada de tensin en el diodo. La forma de resolverlo depender de los datos de partida. En el ejemplo anterior, los datos de partida eran parmetros relacionados con la linealizacin de la curva caracterstica del diodo, por lo que se ha utilizado el modelo de gran seal que se ajustaba a dichos datos. ID VD

Figura 6.16.- Esquema del circuito a resolver. Se han de determinar ID y VD en el diodo.

En funcin de los datos disponibles, se nos plantean dos mtodos de resolucin: I.

V exp 1 Nos dan la Isat del dispositivo I D = I sat . Pero, adems, al estar V T
el diodo en un circuito, ha de cumplir las ecuaciones de ste, por lo que

1,1 VD = 0,1 I D
Tenemos, por lo tanto, un sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas cuya resolucin implica utilizar un proceso iterativo:

VD 0

I D = 11 mA

ID VD = VT Ln 1 + I sat

ID = 1,1 V D 0,1

6.21

A travs de este proceso, obtendramos los valores de continua (de reposo) ID, VD que constituyen lo que se denomina Punto Q, Punto de Trabajo, Punto de Polarizacin, Punto de Reposo. Este procedimiento iterativo exige conocer el valor de Isat. II. Nos dan la curva caracterstica del diodo el circuito lo tenemos que resolver
grficamente. Hay que tener presente que el procedimiento anterior, se conoce

la Isat, consiste en la resolucin de un sistema formado por una ecuacin del circuito junto con la ecuacin del dispositivo (ecuacin de Shockley). La resolucin de dicho sistema puede hacerse, tambin, grficamente sin ms que representar la ecuacin del circuito en el mismo plano de la curva caracterstica del diodo. El resultado es una lnea recta que se la denomina recta de carga
esttica, tal y como se muestra en la Figura 6.17. Pues bien, la interseccin de

la recta de carga esttica con la curva caracterstica del diodo, nos dar el punto de trabajo Q. ID

Q VD
Figura 6.17.- Representacin de la recta de carga esttica. La interseccin de dicha recta con la caracterstica del diodo determina el punto de trabajo Q.

6.22