DEPARTAMENTO DE CIENCIAS DE LA ENERGIA Y MECANICA

PROCESOS DE MANUFACTURA I

TEMA: NANOFABRICACIN

ALUMNO: RUIZ GALARZA STEVEN ALEXIS

PROFESOR: ING. MARCELO OCAA

SANGOLQU, 14 de Enero del 2013

SEPTIEMBRE 2012 - FEBRERO 2013

NANOFABRICACIN Nanofabricacin se refiere a la fabricacin de estructuras con tamao se mide en funcin de los nanmetros, especialmente por debajo de 20 nanmetros de lado. La Nanofabricacin implica la generacin y manipulacin de estructuras con dimensiones caractersticas menores de 1 m (40 pulg); nano quiere decir 10-9. Si bien se han producido durante dcadas dispositivos del orden de micrmetros, los procesos a nanoescala prometen proporcionar grandes mejoras y revolucionarios dispositivos en pequea escala. Entre las aplicaciones potenciales de esos materiales y dispositivos incluyen la electrnica, dosificacin de medicamentos, dispositivos mecnicos revolucionarios, sensores y sistemas de diagnstico mdico. Se debe distinguir entre a) la produccin de materiales o partculas a nanoescala (nanosntesis) y b) los procesos que manipulan las partculas o sus geometras en nanoescala (nanofabricacin). Cada rea tiene mtodos y limitaciones muy distintos. Muchos de los procesos de nanofabricacin son versiones ms exactas y precisas de los que se usan en la manufactura de circuitos integrados, como la fotolitografa, litografa y procedimientos relacionados. Se puede hacer litografa limitada en un microscopio de fuerza atmica (MFA; en ingles AFM, de atomic forc microscope) que permite manipular hasta tomos individuales. Con las dimensiones extremadamente pequeas y las tolerancias dimensionales estrechas asociadas que se deben mantener en la fabricacin de estructuras en nanoescala, no se pueden aplicar el ataque qumico o el ataque hmedo. Por su tendencia a socavar debajo de una mscara protectora. Por esta razn, las estructuras extremadamente finas se producen con ataque con ion reactivo o ataque a seco. En este proceso, un plasma de gas ionizado se dirige con radiofrecuencias hacia la superficie (por lo general metlica) de la pieza. Esto hace que el metal salpique y pueda generar grabados de muy alta calidad, con relaciones muy alta de profundidad a ancho. El grabado con el ion reactivo promete mucho como mtodo de nanofabricacin, pero socava las paredes verticales. Entre los desarrollos recientes se incluyen cubrir las paredes laterales con una capa de polmero, de una o dos molculas de espesor, para eliminar el socavamiento. Se debe tener cuidado especial para eliminar los esfuerzos residuales en la pieza, y como se quita material, es probable que haya distorsiones si estn presentes los esfuerzos.

En la litografa a nanoescala se han usado microscopios de fuerza atmica, y hay gran potencial para ataque de superficies en pequea escala. Esos microscopios se usan principalmente como herramientas de visualizacin de superficie. Sin embargo, cuando tienen el voladizo adecuado, pueden hacer litografa con resolucin atmica, y hasta se han usado para manipular molculas y tomos individuales en las superficies. La nanofabricacin tiene el potencial para revolucionar muchas industrias, incluyendo el almacenamiento de informacin, manufactura en circuitos integrados y sistemas de dosificacin de medicinas. Por ejemplo, se ha estimado que si un bit de informacin se pudiera guardar en 100 tomos, entonces todos los libros que se han escrito a la fecha se podran guardar en un cubo de 0.5 mm de lado. Los cientficos imaginan los das en que robots microscpicos se inyecten en el organismo y entreguen las medicinas en el lugar exacto en que se necesitan. El obstculo mayor a la nanofabricacin, hasta ahora, ha sido la posibilidad limitada de sus procesos. Por ejemplo, un microscopio de fuerza atmica slo puede procesar una parte con superficie aproximada de 0.01mm2 cada vez, y las velocidades normales en la litografa son del orden de 10 m por segundo. Son varios rdenes de magnitud por debajo de las aplicaciones industriales que no sean investigacin fundamental, aunque se investigan en forma constante en forma constante nuevos mtodos para aumentar la capacidad. La tecnologa actual permite que la mayora de nanofabricacin slo sea en sentido de dos dimensiones. Un subconjunto importante de nanofabricacin actuales son las tecnologas que entran en el mbito de competencia de nanolitografa, que bsicamente significa escritura de nano escala e implica un resultado de 2-dimensional. NANOFABRICACIN, NANOELECTRNICA Y MICROSCOPAS DE FUERZAS Y DE EFECTO TNEL CARACTERIZACIN POR

El desarrollo alcanzado por las reas cientficas conocidas como nanociencia y nanotecnologa se debe, en parte, al descubrimiento y posteriores desarrollos del microscopio de fuerzas (AFM) y de efecto tnel (STM). Ambas microscopas se han configurado como herramientas indispensables para interrogar las propiedades de sistemas de tamao nanomtrico. El carcter local y el preciso control de las interacciones electromagnticas permite a estas tcnicas la investigacin del estado qumico, mecnico o elctrico de estructuras nanomtricas, con independencia de la naturaleza de las nanoestructuras. Estas pueden ser de tipo semiconductor, molculas orgnicas o molculas biolgicas. Las propiedades mencionadas de los microscopios de fuerzas y de efecto tnel pueden ser aprovechadas para desarrollar nuevas tcnicas de modificacin y manipulacin de superficies a escala nanomtrica.

Esos mtodos pueden constituir las bases para el desarrollo de nuevas tcnicas de litografa con definicin de motivos por debajo de los 10nm. En la actualidad el laboratorio de fuerzas y tnel tiene dos objetivos principales, por una parte la investigacin de las propiedades estructurales, mecnicas, elctricas, qumicas y tribolgicas de sistemas de tamao nanomtrico. Por otra parte, el desarrollo de procedimientos basados en el uso del microscopio de fuerzas para fabricar dispositivos como transistores de un solo electrn o memorias de muy alta densidad. La actividad cientfica que se presenta a continuacin se dividido en tres secciones: nanofabricacin, nanoelectrnica y caracterizacin y espectroscopa a escala nanomtrica.

Microscopio de efecto tnel de baja corriente construido en el IMM

NANOELECTRNICA: NANOMTRICOS

CARACTERIZACIN

ELCTRICA

DE

SISTEMAS

Las propiedades mecnicas, elctricas y de sntesis de los nanotubos de carbono los ha convertido como candidatos ideales para su empleo como nanohilos conductores en dispositivos de tamao nanomtrico. Con el objetivo de estudiar las caractersticas elctricas de sistemas nanomtricos se ha depositado una cuerda de nanotubos de carbono (SWNT Single Wall Nanotubes) sobre electrodos de oro-cromo, definidos mediante tcnicas de litografa de haz de electrones. Tras la deposicin de los nanotubos la superficie se caracteriza mediante el microscopio de fuerzas en el modo de no-contacto. La imagen de AFM muestra un nanotubo sobre un electrodo de cromo-oro. La combinacin de la litografa por haz de electrones y litografa ptica ha permitido acceder a la medida de las caractersticas corriente-voltaje del nanotubo.

Las cuerdas de nanotubos medidas presentan comportamiento hmico en el rango de voltajes medido, de 1 V a 1 V. Para el nanotubo mostrado en la figura anterior se ha medido una resistencia de 17 MW (nanotubo de 250 nm de longitud, 14 nm de altura y 30 nm de dimetro). La resistividad que se obtiene de estas medidas es de r = 3 W cm.

Mtodos de Nanofabricacin

LITOGRAFIA POR NANO-IMPRESION Pasos experimentales de un proceso de nano-impresin Preparacin de la estampa

Impresin de patrones va modo-estampa pre-diseado

En este sentido, cuando se requieren fabricar esturcturas con una resolucin encima de 1 micrmetro, la tecnologa de fabricacin de referefncia es la Litografa ultravioleta convencional, donde una capa fina fotosensible es irradiada de forma selectiva con luz de 350-450 nanmetros. Esta tecnologa combian tiempos de produccin pequeas y un coste en equipamiento y mantenimiento reducidos. Sin embargo, no existe una tecnologa madura que aporte estas prestaciones cuando se buscan resoluciones sub-micromtricas, lo que limita la industrializacin de prototipos realizados en el mbito de la nanotecnologa. Se han realizado importantes esfuerzos a la hora de optimizar las tecnologas litogrficas sub-micromtricas, utilizndose fuentes ms energticas como la litografa ultravioleta extrema, la litografa con electrones, con fuentes de iones o con fuentes de rayos X. Existen hoy en da numerosos problemas a la hora de

hacer estas tecnologas productivas; entren otros: su coste que en algunos casos supera los 50 millones de dlares o su tiempo de fabricacin extremadamente lento para la industria. nicamente la litografa ultravioleta extrema, tecnologa empleada por la industria de semiconductores que integra circuitos integrados en un chip, es una alternativa. Sin embargo, su coste de inversin y mantenimiento anual es solo al alcance de una muy alta produccin anual como la que se realiza en la industria de semiconductores. Este hecho, unido a la aparicin de aplicaciones ajenas a la microelectrnica muchas de, muchas de ellas en el campo de la biotecnologa y las aplicaciones biomtricas, ha conllevado que numerosos investigadores hayan invertido recursos en la busqueda de alternativas que combinen alta resolucin a un coste moderado. Algunas tecnologas importantes, desarrolladas durante los ltimos aos, son microcontac printing, litografa basada en microspocia de fuerzas atmicas, litografa de nanoimpresin o litografa dip-pen, donde un cantilver es usado para transferir molculas al substracto por capilaridad. De entre estas tecnologas, la litografa de nanoimpresin es con diferencia la mas madura y est siendo utilizada para fabricar lseres orgnicos, diodos emisores de luz orgnicos (OLEDS), substratos para ingeniera de tejidos y biochips para sensorizacin de biomolculas. Esta tecnologa se est utilziando en produccin para la fabricacin de elementos fonicos para la industria ptica y substituir en breve a la fotolitografa ultravioleta en la produccin de unidades de almacenamiento de datos y displays pticos. El principio de la litografa de nanoimpresin (NIL) es muy simple. Un patrn, normalmente fabricado en silicio, es transferido a una capa fina de polmero que recubre el substrato normalmente vidrio o silicio bajo unas condiciones controladas de presin y temperatura. Este proceso de impresin da lugar a una capa residual muy fina de polmero, que es eliminado mediante un plasma anisotrpico de oxgeno hasta alcanzar el substrato. Posteriormente se puede realizar transferencia de motivos al substrato mediante ataques anisotrpicos en vaco, empleando para ello gases especficos y actuando el polmero como mascara o bien evaporador sobre el substrato una fina capa metlica con posterior extraccin del polmero en disolvente orgnico. El proceso permite la rplica de substratos a partir del patrn en tiempos inferiores a los 15 minutos y alcanza una resolucin mnima condicionada fundamentalmente por el molde patrn, pudiendo ser sta inferior a los 10nm. Esta es la razon por la que esta tecnologa ha acaparado una gran atencin de la industria y centros de investigaciones unos pocos aos despus de que fuera propuesta en la Universidad de Princeton por el grupo S.Y. Chou en 1995. La litografa de nanoimpresin distingue dos procesos diferentes:

La nanoimpresin trmica (thermal-NIL): utiliza un patrn de impresin rgido generalmente silicio y se aplica presin del orden de 10-25 bar a una capa fina de material termoplstico por encima de su temperatura de transicin vtrea, lo que permite que el material fluya llenando las cavidades de el patrn. Posteriormente se enfra el conjunto patrnsubstrato y se demoldea por debajo de la temperatura de transicin vtrea. La nanoimpresin apoyada por luz ultravioleta (UV-NIL): utiliza patrones transparentes rgidos como el cuarzo o blandos como la silicona para transferir al polmero la estructura del molde mediante aplicacin de una pequea presn del orden de 1 bar y curado del polmero mediante luz ultravioleta.

En este sentido, incluso la fotolitografa tradicional utilizado para fabricar chips de ordenador es tcnicamente nanofabricacin, como el tamao se mide en funcin de los cientos de nanmetros. Sin embargo, nanofabricacin tiende a referirse a las nuevas tcnicas de corte de borde. METODOS PARA FABRICAR ESTRUCTURAS Para fabricar estructuras cada vez ms pequeas se han planteado dos estrategias distintas. La primera consiste en partir de una cantidad apreciable de material e ir eliminndolo poco a poco, de forma semejante a cmo un escultor se va deshaciendo de la roca sobrante hasta alcanzar el tamao y forma que desea. A esta opcin se le ha denominado mtodo descendente. Es de esta forma como se ha conseguido fabricar los diminutos transistores actuales, cuyas partes ms pequeas miden unas pocas decenas de nanmetros. Esta reduccin de la materia inorgnica dura, como por ejemplo el silicio de los transistores, se acerca a la nanoescala desde arriba, esculpiendo. La segunda estrategia es la opuesta a la anterior: partir de los elementos ms pequeos posibles (por ejemplo tomos o molculas) y unirlos hasta formar sistemas de tamao nanomtrico. Esta metodologa ha sido denominada ascendente.

Un buen ejemplo para entender la necesidad de fabricar estructuras cada vez ms pequeas lo encontramos en la industria electrnica.

HERRAMIENTAS PARA CONSTRUIR NANO-ESTRUCTURAS APROXIMACION TOP-DOWN Litografa a nano-escala Nano-impresin Nano-manipulacin (tomos o molculas)

APROXIMACIONES BOTTOM-UP Auto-ensamblaje Crecimiento cristalino a nano-escala Sntesis molecular y biolgica Polimerizacin

LITOGRAFIA DE HACES DE ELECTRONES Longitudes de onda corta Alta resolucion e=h/(2meE)1/2, 1eV12.3 A Escritura directa (haz enfocado + scanning) Dificultad para la produccin en gran cantidad Limitacin fsica: dispersin electrnica Substitucin: litografa de ases inicos enfocados (FIB)

LITOGRAFIA DE RAYOS X Longitudes de onda muy cortas (1-100 A) alta resolucin fotn = 1.24/E = 1.24/(hv)

Ventajas: o Puede utilizar modos simples de impresin por proximidad o Para produccion en gran cantidad o Disponibilidad de mascaras y foto-resistencias Desventajas: o Fuentes de luz costosas. Ej: radiacin de sincrotrn o Dificultad de hacer mascaras de gran tamao

NANO-LITOGRAFIA DIP PEN

CRECIMIENTO CRSITALINO A NANO-ESCALA TECNICAS DE CRECIMIENTO Physical Vapor Deposition (PVD)

Molecular Beamn Epitaxy (MBE) Chemical Vapor Deposition (CVD) Atomic Layer Epitaxy Crecimiento en la fase liquida

PHYSICAL VAPOR DEPOSITION (PVD) Generacin de flujos atmico/molecular por procesos fsicos

MODOS DE CRECIMIENTO Tres caminos diferentes para poder crecer capas atmicas.

Bibliografa: MANUFACTURA INGENIERA Y TECNOLOGA, Kalpakjian & Schmid, Prentice Hall, 5 edicin.

FUNDAMENTOS DE MANUFACTURA MODERNA - MATERIALES, PROCESOS Y SISTEMAS, Mikell P Groover, Prentice Hall, 1 edicin. http://www.imm.cnm.csic.es/castell/memoria2000/l3.pdf http://www.accefyn.org.co/sp/nanociencia/documents/curso/P%20Prie to_Class%20II.pdf http://www.ntc.upv.es/nanofabricacion.html http://www.aragoninvestiga.org/tecnicas-de-nanofabricacion-paraaplicaciones-en-nanotecnologia-2/ http://www.ecured.cu/index.php/Nanolitograf%C3%ADa http://146.83.42.4/tics22012/184465671/Nanolitografia.html http://noticias-nanotecnologia.euroresidentes.com/2006/06/lananolitografa-trmica-dip-pen-deja.html http://www.youtube.com/watch?v=saEfyCSEYtk