Desarrollo.

Lista de materiales.
3 resistencias de: 10 kilo ohm. 1 kilo ohm. 330 ohm. Transistor npn: BC548B026 Protoboard. Multmetro. Fuentes de voltaje. De 6 volts. De 3.18 volts.

Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de

las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin. Transistor de unin unipolar o de efecto de campo El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en

esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: - Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn). - Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Proceso de elaboracin.
En esta prctica se conectaron los componentes mencionados anteriormente de la siguiente manera.

El transistor se encuentra encerrado por un crculo de color rojo. 1. Se conecto la base del transistor con la resistencia de 10 kilo ohm y esta con el nodo positivo de la fuente de voltaje de 3.18 volts. Todo en serie. (esto ser llamado punta uno). 2. El colector del transistor esta conectada en serie con la resistencia de 1 kilo ohm y esta fue conectada del mismo modo, enserie, con el nodo positivo de la fuente de voltaje de 6 volts.(esta ser llamada punta 2). 3. El emisor del transistor es conectada en serie con la resistencia de 330 ohm.(esta ser llamada punta 3).

4. La nombrada punta uno, punta 2 y puta 3, son conectadas a una tierra general, donde se encuentran los nodos negativos de las fuentes de voltaje. Los pasos descritos con anterioridad especifican como fue armado el circuito final, a continuacin se citaran los pasos para el anlisis del circuito. 1. Se procedi a medir con el multmetro corriente y la tencin en cada una de las resistencias. 2. Ca resultado fue comparado con la simulacin de este en una computadora, en el programa: LIVEWIRE 1.11. Dichos resultados coincidieron con una gran exactitud.