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ELECTRONICA DE POTENCIA

Dispositivos de Potencia Caractersticas de Conmutacin de Diodos Semiconductores, Transistores de Potencia, MOSFET e IGBT

Antonio Nachez A-4-32-2 ELECTRONICA IV

A-4.32.2

Electrnica IV

INDICE

Dispositivos de Potencia

A.4.32.2 Electrnica IV

Distribucin de portadores en las junturas P-N de unin.3

2 Tiempos de Conmutacin de Diodos Semiconductores...9 2.1.- Polarizacin inversa - Capacidad de transicin......9 2.2.- Tiempo de recuperacin directo......10 2.3.- Tiempo de recuperacin inversa.....12 2.4.- Modelo equivalente del diodo en conduccin (F P).....17 2.5.- Limitacin de la exactitud del anlisis (F P)......17 2.6.- Compensacin de carga para hacer mnimo el tiempo de almacenamiento (F P).18 3 Tiempo de conmutacin de Transistores Bipolares.22 3.1.- Definicin de los Tiempos de Conmutacin......22 3.2.- Distribucin de portadores y tiempos de conmutacin......24 3.3.- Determinacin de los tiempos de conmutacin (F P)..26 3.3.1.- Tiempo de retardo (F P)27 3.3.2.- Tiempo de crecimiento (F P)...30 3.3.3.- Tiempo de almacenamiento (F P)..30 3.3.4.- Tiempo de cada (F P).....32 4.- Tiempos de Conmutacin de Transistores MOSFET de Potencia33 4.1.- Capacidades de los MOSFET.33 4.2.- Tiempos de conmutacin de los MOSFET35 4.3.- Evaluacin de los tiempos de conmutacin de los MOSFET (F P)..38 5.- IGBT - Transistores Bipolares de Compuerta Aislada..42 5.1.- Introduccin.42 5.2.- Estructura, principio de funcionamiento y circuito equivalente...42 5.3.- Especificaciones (F P)..............45 5.3.1. Mximos absolutos (F P).......45 5.3.2. Caractersticas Elctricas (F P).45 5.3.3. Caractersticas de Conmutacin (F P)....46 5.4.- Estado de Conduccin......48 5.5.- Caractersticas de Apagado.....50 5.6.- Prdidas por Conmutacin...50 6.- Conclusiones...52 6.1.- Dispositivos actuales................................................................................................52 6.2.- Dispositivos futuros (F P).........................................................................................58

Nota: Los temas indicados en cursiva no forman parte del programa exigido, tanto en teora como en prctica (fuera de programa FP). Se han incluido en esta edicin, solo para conocimiento de los alumnos y especialmente como gua para los Trabajos de Promocin y Proyectos Finales que requieren de estos conocimientos.
Ultima actualizacin y compaginacin: ao 2004

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Dispositivos de Potencia

A.4.32.2 Electrnica IV

DISPOSITIVOS DE POTENCIA EN CONMUTACION

El presente apunte cubre el estudio de las caractersticas de conmutacin de los siguientes dispositivos de potencia:

Diodos Semiconductores Transistores Bipolares MOSFET IGBT

Basados en el funcionamiento fsico de dichos elementos, se caracterizan todos los tiempos involucrados en las conmutaciones de conduccin a corte y viceversa; se encuentran las dependencias de estos tiempos de los parmetros fsicos de los dispositivos y se evalan mtodos de correccin. Junto con el apunte de Tiristores, completa la unidad temtica correspondiente al estudio de las caractersticas de los dispositivos de potencia utilizados en la implementacin de circuitos de aplicacin en las asignaturas Electrnica IV y Electrnica de Potencia.

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1.- Distribucin de portadores en las junturas P-N de unin


La comprensin de los tiempos de conmutacin de los dispositivos basados en dos tipos de portadores se basa en el conocimiento del comportamiento de las junturas p-n ante las distintas posibilidades de polarizacin, as como de la evolucin de sus concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios en el tiempo. Se realiza a continuacin un repaso de conceptos ya estudiados en asignaturas anteriores, necesarios para la cabal comprensin del comportamiento dinmico de dispositivos basados en dos tipos de portadores. Una juntura pn se considera en equilibrio, cuando se encuentra a temperatura uniforme, y no actan sobre ella factores externos tales como la luz o tensiones de polarizacin. En el material tipo p y lejos de la unin metalrgica, las concentraciones de huecos (ppo) y de electrones (npo) son uniformes, siendo la primera mucho mayor que la segunda ( ppo >>npo). Anlogamente en el lado n ser nno>>pno. Para un material razonablemente extrnseco se satisface que Na>>n, siendo Na, concentracin de aceptores y ni concentracin de los huecos y electrones en un material intrnseco, donde pono=ni2 (T). En consecuencia, en el material tipo p, ppo ~ NA y npo= ni2 (T) NA Anlogamente en el lado n se obtiene npo=ND y pno= ni2(T) ND Teniendo en cuenta estas consideraciones, en la figura 1 se encuentran graficadas las densidades de portadores mayoritarios y minoritarios en ambos lados de una juntura pn en equilibrio. Como la concentracin de huecos es mucho mayor en la regin p que en la regin n, al igual que la concentracin de electrones en la regin n es mucho mayor que en la regin p, en la regin de la unin metalrgica existen gradientes de concentracin de huecos y electrones. Esta situacin se encuentra graficada en la figura 2 donde se ha expandido la zona de unin. Debido a estos grandes gradientes de concentracin, los huecos tienden a difundirse a travs de la unin, pasando de la regin tipo p a la regin tipo n, mientras los electrones tienden a difundirse en sentido opuesto.

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Concentracion de portadores

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Lado p

Lado n n
no

=N

po

=N

po

= ni2 (T) / N

no

= ni2 (T) / N

Union Metalurgica

Concentracion de portadores

Lado p

Lado n n
no

=N

po

=N

po

= ni2 (T) / N

no

= ni2 (T) / N

Union Metalurgica

Figuras 1 y 2 Los huecos al difundirse dejan atrs iones cargados negativamente, mientras los electrones dejan atrs iones cargados positivamente, generando en la zona de unin una carga espacial. Esta carga espacial crea un campo elctrico que se opone a que los huecos y electrones puedan seguir difundindose. Dicho campo elctrico en la unin es consecuencia directa del transporte de carga, y en consecuencia aumenta al valor necesario para compensar las tendencias difusoras de huecos y electrones. Se puede entonces, para el estudio, descomponer a una unin pn, en una regin que rodea la unin metalrgica, la que contiene el campo elctrico y la carga espacial, denominada capa de carga espacial. Regin que se encuentra entre otras dos, en las que el potencial electrosttico es constante y el campo elctrico y la densidad de carga son nulos. Estas capas exteriores son conocidas como regiones neutras porque en ellas no hay carga elctrica. Cuando se aplica una tensin directa de polarizacin, la altura de la barrera de potencial en la unin vara y aparece una corriente. Una disminucin de la barrera de
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potencial permite a los huecos circular de la regin de tipo p a la regin de tipo n, y a los electrones en el sentido inverso. Estos procesos se conocen como inyeccin de portadores minoritarios, ya que los huecos y electrones que atraviesan la unin aumentan las concentraciones de los portadores minoritarios en las regiones que son inyectados. En la figura 3 se indican las modificaciones en las concentraciones en la capa de carga espacial para polarizacin directa, donde pn y np son las nuevas concentraciones de los portadores minoritarios en las cercanas de la unin.
Concentracion de portadores

Lado p

Lado n nno = ND

ppo = NA

np
npo = ni2 (T) / N A

Figura 3
pn

pno = ni2 (T) / N D

La inyeccin de portadores debida a la aplicacin de una tensin directa a la juntura, genera en consecuencia un aumento de la concentracin de portadores en las cercanas de la zona de unin. Los huecos inyectados desde la zona p se alejan de la misma por difusin hacia el interior de la zona n, mientras los electrones inyectados desde la zona n hacen lo propio hacia la zona p. Al alejarse de la zona de unin, los portadores minoritarios inyectados se recombinan con los mayoritarios, por lo que su concentracin decrece al alejarse de la unin, para alcanzar la distribucin de equilibrio trmico a cierta distancia de la zona de carga espacial. Esta situacin se ilustra en la figura 4a.

Union Metalurgica

log n, p pp nn

np npo pno

Figura 4a

pn

X=0 Como la corriente de difusin debida a la inyeccin de portadores minoritarios es proporcional al gradiente de su concentracin, la figura 4b muestra la forma general de la densidad de corriente elctrica debido a huecos (J h) y a electrones (Je). En la misma se ha incluido la zona de unin, aunque su ancho se encuentra exagerado dado que la zona de
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carga espacial es normalmente dos o tres rdenes de magnitud mas delgada que las partes de las regiones neutras que contienen los portadores inyectados. Densidad de corriente de portadores minoritarios
Movimiento de electrones Movimiento de huecos

Figura 4b

Je

Jh x

La corriente total del diodo est constituida por el movimiento de huecos y electrones, y bajo condiciones estacionarias tiene la misma intensidad en cualquier plano trasversal del diodo. Si bien la intensidad total es constante, de la figura 4b puede observarse que las intensidades de las corrientes componentes de huecos y electrones en las zonas neutras varan en funcin de la distancia. Suponiendo que las corrientes de huecos y electrones tienen intensidad constante en la zona de carga espacial (es decir no hay recombinacin en esta zona), la intensidad total es simplemente la suma de la intensidad de la corriente de huecos inyectados en la regin de tipo n y de la corriente de electrones inyectados en la regin de tipo p como se indica en la figura 5a. Esto es: I = A (Jh + Je) = A (Jh de borde + Je de borde) Siendo A el rea de la seccin recta de la unin. Densidad de corriente de portadores minoritarios

Jtotal = Je de borde + Jh de borde Je de borde Je


Figura 5a

Jh de borde Jh

Adems de las corrientes de portadores minoritarios mostradas en la figura 5a, hay tambin corrientes de portadores mayoritarios. En la regin tipo p existe una corriente de huecos dirigida del contacto a la unin, que proporciona tanto los huecos que luego de ser transportados hasta la unin son inyectados como minoritarios a la regin tipo n como los necesarios para proveer la recombinacin de los electrones inyectados desde la regin tipo n. En forma anloga, en la regin tipo n, los electrones van desde el contacto a la unin para
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mantener la inyeccin de electrones en la regin de tipo p y alimentar la recombinacin en la regin de tipo n. Esta condicin se indica en la figura 5b, que compendia las distribuciones de corrientes de huecos y electrones en un diodo de unin pn idealizado en condiciones de polarizacin directa.
Zona de carga espacial

Jtotal = Je + Jh Je
Regin n
Figura 5b

Jh
Regin p

Je

Jh

Las intensidades de las corrientes de los portadores mayoritarios indicadas son simplemente la diferencia entre la intensidad total constante y las intensidades de las corrientes de portadores minoritarios de la figura 5a. En los puntos lejanos a la unin, toda la corriente es virtualmente debida a los portadores mayoritarios. Es decir, cerca del contacto terminal de la regin tipo p casi toda la corriente est formada por huecos, y cerca del contacto en la regin tipo n casi toda la corriente es de electrones. Aunque la corriente est dirigida en todas partes de la regin tipo p a la regin tipo n en el caso de polarizacin directa, los huecos y electrones se mueven unos hacia otros desde los contactos hacia la unin, cerca de la cual se recombinan. Si la tensin aplicada es negativa en lugar de positiva, la altura de la barrera de potencial aumenta, y el flujo de huecos hacia el interior de la regin de tipo n y el de electrones hacia el interior de la regin de tipo p disminuyen. Sin embargo, los huecos portadores minoritarios en la regin tipo n cerca de la unin pasan con facilidad la barrera de potencial hacia el lado de tipo p. Del mismo modo, los electrones atraviesan la unin del lado de tipo p al lado de tipo n. Estos movimientos de huecos y electrones son la causa de la corriente inversa. Como consecuencia de la extraccin de huecos y electrones de las regiones donde son portadores minoritarios, las concentraciones de portadores minoritarios quedan por debajo de sus valores de equilibrio en los bordes de la zona de carga espacial como se indica en la figura 6a.

log n, p pp nn

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npo np

pno pn x

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Figura 6a

Debido a esta distribucin, los portadores minoritarios se mueven en las regiones neutras hacia la unin para suplir los que la atraviesan. Los portadores minoritarios que componen estas corrientes se generan trmicamente en las regiones prximas a la unin donde las concentraciones han disminuido. Contrariamente a la situacin de polarizacin directa, los huecos y electrones se alejan de la regin cercana a la unin, donde se generan, y van hacia los contactos en los extremos del semiconductor. Es en consecuencia una corriente de sentido inverso y de varios rdenes de magnitud menor que la directa. En la figura 6b se muestra la distribucin de las densidades de corrientes para polarizacin inversa
Zona de carga espacial

Je
Regin p

Jh
Regin n
Figura 6b

Jh

Je

Jtotal = Je + Jh

2.- Tiempos de Conmutacin de Diodos Semiconductores


2.1. Polarizacin inversa - Capacidad de transicin Si se aplica a una juntura una polarizacin inversa, se aumenta la barrera de potencial y en consecuencia aumenta el ancho de la carga espacial.

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Este aumento de carga con la tensin aplicada puede considerarse como un efecto de capacidad. Se define como capacidad incremental CT a
CT = dQ dV

donde dQ es el incremento en la carga provocado por el cambio de tensin dV. Se desprende que un cambio de la tensin dV en un tiempo dt da como resultado una corriente

i = dQ / dt i = CT dV / dt
CT se conoce con el nombre de capacidad de la regin de transicin, de la carga espacial o de la barrera. Esta capacidad es una funcin de la tensin inversa aplicada, como puede observarse en la figura 7, donde se ha graficado la variacin de CT con la tensin inversa para el diodo 1N914.
C
T

2,4

0,8

Tension Inversa
5 15 25

Figura 7 La existencia de esta capacidad de transicin marca la primer diferencia entre un diodo real y uno ideal. Si se pretende bloquear ondas rpidas o de alta frecuencia, mediante la polarizacin inversa de un diodo, se debe tener en cuenta que si CT es lo bastante elevada, la corriente que se ve frenada por la baja conductancia del diodo inversamente polarizado, puede circular a travs de esta capacidad. Cabe destacar que este efecto capacitivo en un diodo polarizado inversamente es un fenmeno inherente a toda juntura inversamente polarizada. Se encuentra presente, y debe ser debidamente considerada, en toda juntura operando en polarizacin inversa. Por ejemplo la juntura colector-base en un transistor bipolar en zona activa o la juntura J 2 de un tiristor cortado con polarizacin nodo-ctodo positiva. En particular, en este ltimo caso, la corriente que circule por la misma debido a bruscas variaciones de la Vak, puede producir un encendido indeseado, limitando en consecuencia la mxima dv/dt que soporta el tiristor. 2.2 Tiempo de recuperacin directa
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Si se aplica a un diodo un escaln de corriente IF de amplitud comparable o mayor que la de rgimen como se indica en la figura 8a, la tensin sobre el diodo presenta un sobrepico como se refleja en la figura 8b. Este efecto es debido a que inicialmente el diodo no acta como un elemento de unin de difusin p-n sino como una resistencia al no haber transcurrido an el tiempo necesario para que se produzca la distribucin de cargas de rgimen estacionario Por simplicidad, se supone que inicialmente el diodo no se encuentra polarizado en sentido inverso, por lo que se desprecia el tiempo necesario para cargar la capacidad de transicin o cualquier capacidad exterior en paralelo con el diodo.
i If a

Vd

Vd c

Figura 8 Este fenmeno es fcilmente comprendido observando las graficas de las densidades de portadores minoritarios a ambos lados de la juntura para condiciones estacionarias de polarizacin inversa y directa. Estas grficas corresponden a las figuras 4a y 6a anteriores. Grficas que por comodidad se han representado nuevamente en la fi 9.

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Juntura Tipo p n po np p no pn Tipo n

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Polarizacion Inversa
Juntura Tipo p np npo pno pn Tipo n

Polarizacion Directa

Figura 9 En un diodo con polarizacin inversa, figura 9a, solo circula la pequea corriente Io, ya que nicamente los portadores minoritarios a cada lado de la unin tienen la polaridad correcta para pasar la barrera de juntura. Lejos de la misma, la densidad de portadores minoritarios queda inalterada. Cuando estos portadores se aproximan a la juntura, son rpidamente pasados a travs de ella, reduciendo a cero la densidad de huecos y electrones en la unin. La corriente que circula, Io, es pequea porque la cantidad de portadores generados trmicamente tambin lo es. Cuando se aplica polarizacin directa, el estado de equilibrio es ahora el correspondiente a la figura 9b. Cerca de la juntura la densidad de portadores minoritarios es grande. Estos han sido proporcionados por el otro lado de la unin donde son mayoritarios. Con el tiempo y a medida que se alejan de la juntura, un mayor nmero de ellos se recombina con los portadores mayoritarios, por lo que su densidad decrece al alejarse de la unin. La densidad de los portadores mayoritarios, no indicada en la figura, es la misma que la de los minoritarios para mantener la carga neta en el semiconductor. En rgimen permanente, la corriente que circula por la juntura en sentido directo, es una corriente de difusin debida al gradiente de concentracin de los portadores, y si la corriente es lo suficientemente grande, hay tambin una cada hmica. El sobrepulso en la cada directa de un diodo sometido a un escaln de corriente de gran amplitud y bajo tiempo de crecimiento, se debe a que en el instante inicial la cada hmica es muy grande. En to+ los huecos, por ejemplo, no han tenido tiempo de difundirse
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muy lejos en el lado n para crear una densidad de portadores minoritarios. Excepto en las proximidades de la unin, no habr carga minoritaria para establecer un gradiente de densidad, y en consecuencia no podr haber corriente de difusin. Para conseguir la circulacin de corriente, es preciso que un campo elctrico ejerza una fuerza sobre los portadores mayoritarios, campo elctrico que da lugar a la cada hmica. Con el transcurso del tiempo, esta cada decrece al poder establecerse la corriente de difusin. De lo dicho anteriormente se desprende que el sobrepulso aumenta al disminuir el tiempo de elevacin de la onda de corriente. Si la corriente aumenta lentamente existe difusin de portadores minoritarios durante la elevacin de la corriente, obtenindose una respuesta en el tiempo de la tensin directa sobre el diodo como la de la figura 8c. Si se define el tiempo de recuperacin directa tfr, como el lapso que tarda la tensin en el diodo en ir del 10% hasta el 90% del valor final y permanecer por sobre ste ltimo valor, se obtienen valores tpicos del orden de las decenas de nanosegundos para escalones bruscos de la corriente directa. Valor pequeo frente a otros tiempos de conmutacin que se consideraran posteriormente. Adems, el pequeo incremento de la cada directa del diodo en el instante de su pasaje de corte a conduccin, es a los fines prcticos completamente despreciable y solo debe considerrselo en aplicaciones especiales. Como conclusin se puede observar que el comportamiento de un diodo real no difiere en forma fundamental del de un diodo ideal en cuanto a su pasaje de corte a conduccin. Para la mayora de las aplicaciones puede considerarse que cualquier diodo se comporta como ideal, es decir con tfr=0. 2.3. Tiempo de recuperacin inversa La principal limitacin en el uso de un diodo como llave se encuentra al pasar de la condicin de conduccin a la de corte.

Vi

Vo

Vi

Vf

b
-Vr

Figura 10 Si se somete un circuito como el de la figura 10a un escaln negativo de tensin como el de la figura 10b, se obtienen las formas de onda de la figura 11.

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Inicialmente el diodo conduce en sentido directo una corriente IF = VF/RL , despreciando VD frente a Vi.

Io

IF

-I

Vd

pn - pno

Pol. Directa

ts

tt

Figura 11 De la observacin de las curvas de la figura 11 se desprende que al invertirse bruscamente la tensin de entrada, la corriente no cae a cero sino que adquiere el valor de IR = -VR/R durante
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un tiempo ts, cayendo luego a I0 al cabo de tt. La cada directa en el diodo permanece con igual polaridad durante el tiempo ts y recin bloquea la tensin inversa una vez transcurridos los tiempos ts+ tt. Para justificar este funcionamiento es necesario volver a las grficas anteriores de concentracin de portadores de la juntura. Si repentinamente se desea bloquear un diodo que se encuentra conduciendo, la corriente no se interrumpe hasta que la distribucin de portadores minoritarios sea la de la figura 9a. Al invertirse la tensin de excitacin, el exceso de portadores minoritarios acumulados en la juntura puede proveer portadores de la polaridad adecuada para establecer la corriente que fija este nuevo valor de tensin. Corriente que circula hasta que la densidad de portadores minoritarios inyectados en exceso pn-pno (o np-npo) haya cado a cero. El tiempo necesario para que la carga almacenada de portadores minoritarios llegue a cero se denomina tiempo de almacenamiento ts. Una vez eliminado el exceso de carga por sobre el valor de equilibrio, el diodo necesita un tiempo adicional tt, tiempo de transicin, para recuperar su capacidad de bloqueo. Tiempo requerido para que los portadores minoritarios que estn a alguna distancia de la unin se hayan difundido hacia ella y la hayan cruzado, mas el necesario para cargar a la capacidad de transicin presente en toda juntura inversamente polarizada hasta -VR a travs de RL. Como inicialmente la concentracin de portadores vara poco, la cada de tensin sobre el diodo VD tampoco se modifica, permaneciendo con polarizacin directa aunque la corriente se haya invertido. Al cabo del tiempo ts los portadores minoritarios llegan a la condicin de equilibrio, la tensin se invierte y se pasa a la distribucin correspondiente a tensiones inversas. Luego de tt el diodo se ha recuperado completamente. Como inicialmente la concentracin de portadores vara poco, la cada de tensin sobre el diodo VD tampoco se modifica, permaneciendo con polarizacin directa aunque la corriente se haya invertido. Al cabo del tiempo ts los portadores minoritarios llegan a la condicin de equilibrio, la tensin se invierte y se pasa a la distribucin correspondiente a tensiones inversas. Luego de tt el diodo se ha recuperado completamente. En consecuencia, la suma de los tiempos de almacenamiento ts, y de transicin tt, establecen el tiempo de recuperacin inversa trr necesario para que un diodo recupere su capacidad de bloqueo. De lo expresado anteriormente se desprende que el comportamiento de un diodo real en su pasaje de la condicin de conduccin a la de corte dista considerablemente del esperado en un diodo ideal. Es necesario, en consecuencia, poder evaluar el orden de magnitud de los tiempos involucrados y establecer de qu parmetros, tanto fsicos como circuitales, dependen dichos tiempos. Para establecer la expresin del tiempo de almacenamiento ts se utiliza el mtodo de control de carga. El tiempo ts se debe a la existencia de exceso de carga en la unin. Si se considera que en un cierto volumen de un semiconductor existe una carga en exceso de portadores minoritarios Q0, y se interrumpe la corriente directa que produjo este exceso, esta carga desaparecer en el tiempo hasta alcanzar la distribucin de equilibrio de portadores minoritarios y mayoritarios. Si para los diodos de union pn, se considera que luego de establecido el exceso de carga se abre el circuito de circulacin de corriente, de modo que no
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pueda por l circular ninguna corriente, ni directa ni inversa, la velocidad con que se produce la recombinacin es una funcin directa del exceso de carga existente. Esto se debe a que la probabilidad, dentro de un tiempo dado, de que un portador mayoritario encuentre a otro minoritario con quien combinarse, decrece al disminuir el nmero de portadores minoritarios. La consideracin anterior puede ser expresada matemticamente mediante la siguiente ecuacin:

dQ 1 = Q (2.3.1) dt T
donde la constante de proporcionalidad se expresa como 1/ , siendo una constante con dimensiones de tiempo, conocida como tiempo de vida medio de los portadores minoritarios. Si se integra la expresin anterior con la condicin inicial de Q= Qo para t = 0 se obtiene

Q=Qo e-t/.
La carga Q puede variar no slo por la recombinacin de las cargas, sino tambin por introducir o eliminar carga del volumen por medio de una corriente que cruce la superficie de dicho volumen. Si se denomina i (t), la corriente que entra en el volumen, la ecuacin diferencial 2.3.1 debe reemplazarse por:

dQ/dt + Q / = i (t) (2.3.2)


Expresin que pone de manifiesto que la variacin por unidad de tiempo del flujo entrante, es igual a la velocidad a la que la carga almacenada aumenta, mas la necesaria para compensar la que se pierde por recombinacin. Si un diodo se encuentra en estado estacionario circulado en sentido directo por una corriente constante IF, al no existir variacin de carga, la expresin 2.3.2 se reduce a

Q =IF T

La corriente IF suministra portadores minoritarios a la misma velocidad con que desaparecen por recombinacin, quedando un exceso de carga neta:

Qo = IF
Si en t = 0 se pretende cortar a un diodo que se encuentre conduciendo, en t0+ circular una corriente en sentido inverso IR,. Aplicando la expresin bsica del control de cargas 2.3.2 se obtiene:

dQ Q + = I R dt T
Resolviendo esta expresin con las condiciones iniciales de Q = Q0 en t = 0, se obtiene que la carga Q se hace cero en un tiempo ts dado por:

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ts = ln ( 1 + IF / IR ) (2.3.3)
Como era de esperar, el tiempo de almacenamiento es una funcin directa de la corriente directa circulante antes de la inversin de la tensin y una funcin inversa de la magnitud de la corriente inversa luego de producido el escaln de entrada. Cabe destacar que la expresin obtenida es solo vlida para una excitacin en escaln de valor inicial VF y valor final VR. Para otras expresiones de i (t), debe resolverse la ecuacin diferencial bsica del control de cargas, aplicando la correspondiente expresin de i (t). El tiempo de vida medio de los portadores minoritarios depende fundamentalmente del mtodo de construccin del diodo semiconductor, adems de los valores de IF y de la temperatura de operacin. Una variacin tpica de con IF y la temperatura se indica en la figura 12.
Normalizado

2,2

t = 5 nseg If = 10 ma, Ta = 25 C

Figura 12

1,4

0,6 0 100

Ta

En caso de no disponerse de estos datos, una aproximacin razonable es considerar al como constante. Para completar la evaluacin del tiempo de recuperacin inversa trr resta el clculo del tiempo de transicin tt. Este tiempo es el intervalo en que el cambio principal que se produce en el diodo es la carga de su capacidad de transicin CT. Como CT disminuye al aumentar la amplitud de la polarizacin inversa, ver figura 3, una estimacin conservadora para el clculo de tt puede hacerse suponiendo que la capacidad de transicin permanece constante en su valor mximo. De la figura 10, se desprende que la constante de tiempo asociada con el intervalo de transicin es RLCT. Puede en consecuencia estimarse el tiempo de transicin en 3RLCT. 2.4. Modelo equivalente del diodo en conduccin (FP) Como acaba de establecerse, un diodo en el estado de conduccin presenta una acumulacin de cargas, por lo que en condiciones de polarizacin directa, puede ser representado mediante un modelo constituido por una resistencia en paralelo con un condensador.

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Al circular una corriente IF por el diodo, se almacena una carga Q y aparece una tensin V. La corriente IF y la tensin V estn relacionadas por la ya conocida expresin:

I = Io (e V/VT 1)
La resistencia incluida en el modelo es la resistencia directa rd. La capacidad paralelo, que se incluye para representar el almacenamiento se denomina la capacidad difusin CD. Para que el circuito equivalente satisfaga la condicin que al caer la corriente un diodo a cero, la carga de portadores minoritarios en exceso decrezca con una constante tiempo invariable , la relacin entre ambos debe satisfacer: en de en de

rd CD =
Esta misma condicin puede obtenerse a partir de la ecuacin bsica del control de carga para rgimen estacionario:

IF = Q
Derivando esta expresin::

dQ = dI dV dV
Como dI = rd, llamando CD = dQ debe ser CD = g y = CD rd

dV

dV

2.5. Limitacin de la exactitud del anlisis (FP) En todo el estudio se ha supuesto que hay una correspondencia biunvoca entre la corriente del diodo y la carga almacenada en exceso. Se ha despreciado el hecho de que en realidad la corriente depende no slo de la carga almacenada sino de la forma en que la misma est distribuida. Se ha supuesto adems que cuando el diodo pasa de polarizacin directa a inversa, el exceso de portadores minoritarios se hace cero al mismo tiempo, independientemente de la distancia de a la unin. Esto es vlido si la corriente vara lentamente, pero no lo es en condiciones de variaciones bruscas de corriente. En este caso, al producirse la inversin, los portadores minoritarios en exceso volvern a atravesar la unin de retornando a la capa de la que proceden, pero los que se hallan lejos de la unin metalrgica debern primero difundirse antes de poder ser eliminados. Por tanto puede que el exceso de carga se haga cero, o, incluso invierta su signo en la unin, mientras que lejos de ella esta diferencia sea todava positiva. Una solucin exacta del problema exige la solucin de la ecuacin de difusin que controla el flujo de los portadores minoritarios. Sin embargo, el anlisis realizado, satisface la comprensin del fenmeno dentro de aproximaciones razonables. 2.6. Compensacin de carga para hacer mnimo el tiempo de almacenamiento (FP)
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En un circuito como el de la figura 13a, excitado por una onda de entrada como la de la figura 13b, se obtiene una tensin de salida como la representada en la figura 13c. El comportamiento deseado sera, en cambio, el de la figura 13 d.

Vi

Vo

Vi

Vf

b
-Vr

Vo

Vf

c
-Vr ts

Vo

Vf

Figura 13 En el apartado 2.4. se determin que un diodo en conduccin puede representarse por un modelo equivalente formado por una capacidad CD en paralelo con la resistencia directa rd. Aplicando este modelo al circuito de la figura 13a, se obtiene durante el estado de conduccin, el circuito de la figura 14.
Cd

Vi

Rd

Vo

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Figura 14 De la observacin de este modelo se extrae que si se desea que el escaln de entrada pase sin deformacin a la salida, basta con colocar un condensador C de valor adecuado en paralelo con RL, implementando as un atenuador compensado. Si se considera que la resistencia de fuente es cero, al producirse la inversin de la entrada, circula un impulso de corriente por el camino serie constituido por las capacidades de compensacin y de difusin. Impulso de corriente que elimina la carga almacenada en el diodo y provocar un escaln de tensin en la capacidad de compensacin de valor:

Vo = Q / C

(2.6.1)

CD slo puede entregar el exceso de carga, pues eliminada sta, el diodo se corta recuperando su capacidad de bloqueo de tensiones inversas. El Q de la expresin anterior es la acumulada en el diodo. Si por l circula:

IF = VF / R
de la expresin general del control de cargas en estado estacionario dQ/dt = 0 se obtiene:

IF = Q / reemplazando: Q = VF / R
Si se desea entonces que el circuito quede compensado, obteniendo una salida como la de la figura 13d, la eliminacin de Q debe producir a la salida un Vo = VF Remplazando los valores de Vo y Qo en la ecuacin 2.6.1 se obtiene:

VF = VF / RC

= RC

Se desprende de esta ltima expresin que para que el circuito quede compensado, la constante de tiempo constituida por la resistencia de carga y el condensador de compensacin debe ser igual al , tiempo de vida medio de los portadores minoritarios del diodo semiconductor utilizado. De la ecuacin 2.6.1 se desprende que si el condensador de compensacin es mayor que el necesario para compensar el circuito, para igual Q en el diodo, el escaln de tensin a la salida es menor y la salida tiene una forma con la indicada en la figura15a. En este caso, el exceso de carga es eliminado en forma instantnea produciendo un determinado escaln Vo, a partir de la cual la salida cae a cero con su propia constante de tiempo RC.
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Un condensador menor que el de compensacin produce una salida como la indicada en la figura 15b.
Vo a

Vo b

Figura 15 Si se contina disminuyendo el valor del condensador de compensacin, el salto en la tensin de salida contina aumentando. El mayor cambio posible en Vo es VF + VR, y la correspondiente carga mxima transferida al condensador es C (VF+VR). Si se desea eliminar toda la carga almacenada Q, es preciso que

C (VF + VR) >= Q = IF = VF / R


O que el condensador satisfaga

C >= VF / R (VF + VR)


Si no se satisface la ecuacin 2.6.1, la onda de salida tiene un aspecto como el de la figura 16. Como la carga almacenada no ha sido eliminada completamente para to+ el diodo permanece conduciendo y Vo = Vi = - VR

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Vo

Vf

ts

Figura 16 La carga que permanece en el diodo es

IF C (VF + VR) = Q1
IF1=Q1
Una corriente directa IF1 mantendra esta carga en el diodo, si se elige IF1 de modo que

IF 1 = IF C (VF + VR) /
Puede ahora calcularse el tiempo ts de la figura 16, empleando IF1 en vez de IF en la ecuacin 2.3.3. Despus del intervalo ts, el diodo resulta en circuito abierto y la tensin Vo cae a cero con la constante de tiempo RC. Todo lo expresado anteriormente fue desarrollado bajo la premisa de resistencia de fuente nula. En los circuitos reales la presencia de esta resistencia hace imposible la circulacin de impulsos de corriente, y en consecuencia la compensacin obtenida se aparta de la ideal en la medida que la resistencia de fuente aumenta.

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3.- Tiempo de conmutacin de Transistores Bipolares


En asignaturas anteriores, se han definido las caractersticas estticas de los estados de conduccin y corte de los transistores bipolares. Para aplicaciones de potencia, es indispensable el perfecto conocimiento de las caractersticas dinmicas de las transiciones tanto de conduccin a corte como a la inversa. El objetivo de esta seccin es definir todos los tiempos involucrados en la conmutacin de transistores bipolares de potencia, determinar los parmetros de los que dependen para poder as optimizarlos, y finalmente extraer conclusiones sobre las ventajas y desventajas de su utilizacin en aplicaciones de potencia. 3.1.- Definicin de los Tiempos de Conmutacin El circuito de la figura 17 representa un transistor en configuracin emisor comn que se utiliza como llave mediante la aplicacin de la excitacin Vi. Seal que conmuta entre los niveles de tensin V2 y V1, provocando respectivamente el corte y la saturacin del transistor.

Vcc Vi RC RB Vi V2 V1 t

Figura 17 Si el transistor fuese un interruptor ideal, la forma de onda de la corriente de colector debera reproducir la excursin positiva de la forma de onda de entrada. Sin embargo, si se visualiza en un osciloscopio la forma de onda de la corriente de colector de un transistor bipolar real, excitado por una tensin de entrada como la planteada, se obtiene el resultado de la figura 18. De la forma de la corriente de colector graficada, se observa que a partir del instante t1 en que se excita la base del transistor con una tensin suficiente para saturarlo, se necesita un lapso para que el transistor comience a conducir. Se define como tiempo de retardo td, al lapso requerido para que la corriente de colector alcance el 10% del valor final, medido a partir del instante que se produce el escaln positivo en la excitacin de base. Luego de transcurrido el tiempo td el transistor ya se encuentra en conduccin, pero se necesita otro lapso para que su corriente de colector evolucione del 10 al 90% de ICS, intervalo definido como el tiempo de crecimiento tr.

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Vi V1

t1

t2

V2

Ic Ics 0,9Ics

0,1 Ics

IB V1/RB

t V2/RB

td

tr Figura 18

ts

tf

Luego de transcurrido el tiempo td el transistor ya se encuentra en conduccin, pero se necesita otro lapso para que su corriente de colector evolucione del 10 al 90% de ICS, intervalo definido como el tiempo de crecimiento tr. La suma de estos dos tiempos previamente definido establecen el tiempo de conduccin:

t cond = td + tr
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En el proceso inverso correspondiente al pasaje al corte, se observa que nuevamente el transistor no responde en forma inmediata a la excitacin de base que pretende cortarlo, sino que se necesita un tiempo ts, denominado tiempo de almacenamiento, para que la corriente decerzca al 90 % de Ics. Finalmente, se necesita que transcurra el tiempo de cada tf, para que la corriente de colector alcance el 10% ICS . El tiempo de corte se encuentra constitudo por estos dos ltimos tiempo:.

t corte = ts + tf
Los cuatro tiempos definidos caracterizan la conmutacin de los transistores bipolares, y deben ser estudiados individualmente para determinar su dependencia de la distribucin de portadores en la juntura y posteriormente hallar expresiones analticas que permitan evaluar su duracin. La notacin elegida, mantenido como subndice la primer letra de la palabra inglesa correspondiente, no es arbitraria, sino que se ha adoptado por ser la usual en la bibliografa y la normalmente utilizada en los manuales. 3.2.- Distribucin de portadores y tiempos de conmutacin Caracterizados los tiempos de conmutacin, para lograr el segundo objetivo del presente apunte, consistente en la caracterizacin de los tiempos de conmutacin de los transistores de potencia, es conveniente un breve repaso de las caractersticas fsicas del dispositivo en estudio. Una vez comprendidas las causas del fenmeno es posible determinar las expresiones matemticas que fijan su duracin. Cuando un transistor npn se encuentra en zona activa, circula una corriente a travs de la juntura base-emisor, corriente compuesta casi enteramente por electrones provenientes del emisor. La corriente a travs de esta juntura debido a huecos en la base que penetren en el emisor, es prcticamente despreciable, debido a que el dopado del emisor es significativamente mayor que el dopado de la base. Como la juntura base-emisor se encuentra directamente polarizada, los electrones ingresados en la base son transportados a travs de ella por difusin, para establecer luego la corriente de colector. Esta corriente de difusin es a su vez, proporcional a la pendiente de la densidad de portadores en funcin de la distancia. Para una polarizacin dada, correspondiente a una corriente de colector constante, la grfica de densidad de portadores en funcin de la distancia a travs de la base ser en consecuencia una lnea recta como se indica en la figura 19a. Cuando cada electrn alcanza la juntura base-colector es inmediatamente pasado a travs de la misma, ya que con el transistor en Zona Activa esta juntura se encuentra inversamente polarizada. En consecuencia, en la juntura de colector, la densidad de electrones es cero.

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E
Densidad de Electrones

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E C E C E C

Base

N QBA QB QBA I QBS

(a)

(b)

(c)

(d)

Figura 19 Realmente la corriente de colector es ligeramente inferior a la de emisor debido a que existe una pequea pero progresiva prdida de electrones al cruzar la base debido a su recombinacin con huecos. En consecuencia la corriente decrece ligeramente al incrementarse la distancia, por lo que la grfica anterior debera presentar una pequea concavidad, que por simplicidad no se ha representado en la figura. El rea bajo el grfico de densidad de electrones es el exceso total de portadores minoritarios en la base, QB, para una condicin de operacin dada. Si se pasa a una condicin de mayor conduccin, siempre en Zona Activa, debe aumentar la pendiente de la grfica de densidad de electrones. Para el caso particular de haber alcanzado el lmite de saturacin, determinado por la fuente de alimentacin VCC y la resistencia de carga RC, se obtiene una situacin como la de la figura 19b, donde se ha llamado QBA al total del exceso de carga en la base para la condicin de operacin del transistor en el lmite entre Zona Activa y saturacin. Si a partir de esta situacin se aumenta la excitacin de base, el transistor entra en saturacin. Como para alcanzar esta situacin, se ha debido aumentar externamente la polarizacin de la juntura base-emisor, esto implica que se ha incrementado tambin el nmero de electrones inyectados a la base desde el emisor. Esto significa una grfica tal como la indicada como normal (N) en la figura 19c. Sin embargo, la corriente total a travs de la base, y que es registrada como corriente de colector, est limitada a VCC/RC. Esta limitacin de corriente, a pesar del aumento de polarizacin de base, se establece en virtud que en saturacin la juntura de colector est directamente polarizada. En consecuencia hay una inyeccin de electrones, que podemos llamar inversa, desde el colector hacia la base, que corresponde a la grfica inversa (I) en la figura 19c. La suma de las inyecciones normal e inversa dan una distribucin como la figura 19d. Como la corriente a travs de la base, es constante a partir de que el transistor entra en saturacin, las pendientes en las figuras 19b y 19d sern iguales.
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Se observa en la figura 19d que el exceso de carga acumulada de portadores minoritarios consiste en una carga de saturacin uniforme QBS, la que no contribuye a la corriente, y una carga QBA, la que establece el gradiente de densidad necesario para mantener la circulacin de corriente por difusin a travs de la base. Basado en el comportamiento fsico del dispositivo, se pueden entender los mecanismos por los cuales se producen los retardos antes definidos en el encendido y apagado de los transistores bipolares. Si un transistor se encuentra cortado, ambas junturas estan inversamente polarizadas y el exceso de portadores minoritarios en la base es cero. Al excitarlo, el tiempo de retardo es el necesario para cargar las capacidades de transicin de las junturas colector-base mas el requerido para que las tensiones en las junturas alcancen el nivel necesario para que el transistor comience a conducir. A partir de all es necesario que transcurra el tiempo de crecimiento tr para que se establezca el exceso de carga QBA. Una vez saturado, al pretender cortarlo, lo primero que debe ocurrir es la eliminacin del exceso de carga QBS. Durante el intervalo que esta carga es eliminada, la corriente de colector no disminuye, correspondiendo al tiempo ts. Finalmente, durante el tiempo tf, se eliminar la carga QBA y la corriente de colector cae a cero. 3.3.- Determinacin de los tiempos de conmutacin (FP) Establecidos los tiempos que definen la conmutacin de un transistor, y comprendidos los mecanismos fsicos que los provocan, se hace necesario poder evaluarlos as como determinar de qu parmetros dependen para su posterior optimizacin en aplicaciones reales. Para este propsito se pueden utilizar dos mtodos, la de aproximacin del circuito equivalente o el mtodo de control de cargas ya utilizado para la evaluacin de los tiempos de conmutacin de diodos. El mtodo del control de cargas, tiene como ventaja estar estrechamente vinculado con el comportamiento fsico del dispositivo e independizar de la variacin de los parmetros de los modelos al tratar slo con cambios absolutos de carga durante el intervalo de tiempo determinado por los lmites de integracin, sin importar la forma en que se produce este cambio. Sin embargo, en el presente anlisis se utiliza el mtodo de la aproximacin del circuito equivalente por haber sido estos modelos ampliamente estudiados en asignaturas anteriores y permitir una ms clara visualizacin de los factores determinantes de dichos tiempos, lo que contribuye a una fijacin ms clara del tema en estudio. Se deja el mtodo del control de cargas solo para la determinacin del tiempo de almacenamiento, donde el uso del mtodo del modelo equivalente no trae aparejadas las ventajas antes mencionadas.

3.3.1. Tiempo de retardo (FP)


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Tal como fue definido, deben diferenciarse los dos factores que contribuyen al tiempo de retardo. En primer lugar, existe un retardo debido a que cuando se aplica la seal de excitacin a la entrada del transistor, es preciso un tiempo finito para cargar las capacidades de la unin, de modo que el transistor puede pasar del corte a la regin activa. Llegado a esta situacin, donde el transistor ingresa en la regin activa, se precisa un tiempo adicional para que la corriente de colector se eleve al 10% de su valor mximo. Durante el primer intervalo de tiempo que denominaremos td1, el transistor encuentra al corte, las dos junturas estn polarizadas en sentido inverso y no hay corriente colector. El escaln de corriente de base debe modificar las tensiones de las capacidades transicin Cib y Cob de las junturas de emisor y colector respectivamente, de los valores corte a los que justamente hacen conducir al transistor. se de de de

La capacidad Cib que se hallaba cargada a la tensin V 2 debe pasar a valer V, tensin de arranque del transistor, para que la juntura base-emisor comience a conducir. Anlogamente, la juntura C-B que se encontraba a VCC-V2 debe pasar a cargarse a VCC-V. Como en esta zona, la tensin de colector no cambia, se puede considerar ambas capacidades en paralelo para seal. Se puede evaluar al primer componente del tiempo de retardo td1:

Vc = Vf + (Vi Vf) e

t/

La capacidad total Cie +Cob se carga partiendo de V2 y tendiendo hacia V1.

V = V1 + (V2 V1) e td1/


Con una constante de tiempo dada por

d = Rs (Cib + Cob)
Por lo que resulta

td1 = Rs (Cib + Cob) ln V1 V2 / V1 V


td1 es muy pequeo para grandes valores de V1 frente a V2 y V,, o si inicialmente el transitor no se encuentra muy lejos en la regin de corte (V2 ~ V). Estas dos conclusiones se derivan directamente de la ecuacin anterior y son exactamente lo que caba esperar del comportamiento fsico del dispositivo La limitacin antes mencionada con respecto a la variacin de los valores de los parmetros del modelo, se ve reflejada en que Cib y Cob, por ser capacidades de transicin, no son constantes sino que dependen de la tensin de polarizacin inversa tal como se indica en la figura 20.

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C 20 pF

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Cob

Cib

V 10 V

Figura 20 El valor de td puede calcularse en forma exacta mediante integracin grfica, pero no se justifica debido a la gran variabilidad de los parmetros de los transistores. Es preferible calcular el orden de magnitud de este tiempo utilizando un valor tpico o realizar un clculo del peor caso. Para completar la estimacin del tiempo de retardo, se debe evaluar un segundo componente que denominaremos td2. Durante este tiempo las condiciones de trabajo del transistor ya han cambiado pues el transistor se encuentra en zona activa. De asignaturas anteriores, es conocido que la respuesta de una etapa a transistor excitado por una fuente resistiva y que acta sobre una carga tambin resistiva, es la de un circuito para bajo con una constante de tiempo dominante r de valor

r = rbe (Ce + Cc (1 + gm RL))


Esta constante de tiempo se deduce a partir del modelo equivalente y aplicando el teorema de Miller como se indica en la figura 21.
Cc rbb rbc rbe Ce

gm vbe

rbc

RL

Modelo Equivalente rbb

rbe

Ce

Cc (1+gm RL)

Cc gmRl+1/ gmRl

gm vbe

RL

Modelo Equivalente aplicando Mil er

Figura 21
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Si en el circuito emisor comn en estudio se satisface que:

Rs >>rbe
se obtiene IB1 = (V1 - V1) / RS , y la evolucin de la corriente de colector es:

ic = hFE Ib1 (1 e t/r)


Corriente que tiende a crecer exponencialmente al valor de hFE IB1 como se indica en la figura 22. Sin embargo, como el transistor satura cuando IC =Vcc/Rc el valor de la corriente de colector se estabiliza en este valor mximo.
Ic hfe IB1 Ics 0,9 Ics

0,1 Ics t

tr

Figura 22 De la expresin anterior de la corriente de colector se puede deducir la expresin de td2.

0,1 Ics = hFE Ib1 (1 e td2/r) td2 = r ln 1 / 1 (0,1 Ics / hFE Ib1)
Definiendo N1, factor de sobrexcitacin como

N1 = hFE Ib1 / Ics


se puede rescribir la expresin anterior como:

td2 = r ln 1 / 1 (0,1 / N1)


N1 recibe este nombre porque si ICS/hFE es la mnima corriente para saturar a un transistor, N1 indica cuantas veces mayor es la corriente de base que se inyecta con respecto a la que lleva el transistor justo a saturacin. Este segundo componente del tiempo de retardo depende en consecuencia tanto del transistor en s a travs de la capacidad colector-base multiplicada por la conductancia gm,
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como del circuito de carga, RL y de la excitacin de base mediante el factor de sobrexcitacin N1. Para ser estrictos, existe un tercer tiempo de retardo que es el producido por el tiempo finito que transcurre a partir de que el transistor ha llegado al punto en que los portadores han comenzado a atravesar la juntura b-e hasta que lleguen a la juntura de colector y sean registrados como corriente de colector. Este tiempo es una funcin de cada transistor y por lo general es despreciable. 3.3.2 Tiempo de crecimiento (FP) Para el clculo de este tiempo se procede en forma anloga que para el clculo de td2, ya que el transistor permanece en zona activa. La siguiente expresin contina siendo vlida:

ic = hFE Ib1 (1 e t/r)


Remplazando:

0,9 Ics = hFE Ib1 (1 e t 0,9 /r) tr = t0,9 td2 = r ln ((1 0,1 / N1) / (1 0,9 / N1))
Valen para el tiempo de crecimiento tr las mismas consideraciones que para la segunda componente del tiempo de retardo td2. 3.3.3 Tiempo de almacenamiento (FP) Durante la mayora del tiempo de almacenamiento el transistor se encuentra saturado. Para hallar su duracin utilizando el mtodo de la aproximacin del modelo equivalente debe usarse un modelo vlido en esta regin. El nico modelo vlido para todas las zonas de operacin del transistor es el de EBERS y MOLL. Deducir la duracin del tiempo ts utilizndo este modelo implica un desarrollo matemtico que se aleja de la asociacin directa entre tiempo de conmutacin y parmetros fsicos del transistor. Por este motivo, se utiliza el mtodo de control de carga para la deduccin de ts. La ecuacin bsica del concepto de control de carga es la ecuacin de continuidad:

I = dQ/dt + q/
Aplicando la ecuacin de continuidad al transistor se encuentra que la corriente de entrada debe proveer seis componentes:

La corriente debida a la variacin de la carga activa de base QBA. La corriente debida a la recombinacin de la carga activa de base con un tiempo de vida medio a. La corriente debida a la variacin del exceso de carga de base QBS. La corriente debida a la recombinacin del exceso de carga con un s.

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La corriente requerida para cargar la Cib. Corriente requerida para cargar la Cob.

Expresado matemticamente:

Ib = QBA/a + dQBA/dt + QBS/s + dQBS/dt + Cib dVbe/dt + Cob dVcb/dt (3.3.3.1)


Como las tensiones a travs de las junturas del transistor son constantes durante ts, no se deben considerar los efectos de Cib y Cob. Adems, como la corriente de colector no cambia durante ts, tampoco haba variacin en la carga QBA. Eliminando los trminos iguales a cero en la expresin anterior se obtiene:

Ib = QBA/a + QBS/s + dQBS/dt

(3.3.3.2)

El trmino QBA / a = IBA , es la corriente de base que lleva al transistor justo al borde de saturacin. Esta expresin se deduce de aplicar la ecuacin 3.3.3.1 a una condicin estable como la de la figura 19b. En esta condicin slo el primer trmino de 3.3.3.2 es distinto de cero Tomando t=0, como el instante en que se invierte la corriente de base, en t=0- la ecuacin 3.3.3.2 queda expresada por:

IB1 = IBA + QBS / s


por lo tanto:

QBS = s (IB1 IBA)

(3.3.3.3)

A partir de este instante, se invierete la tensin de entrada y la corriente de base es IB2. La ecuacin 3.3.3.2 se expresa por

IB2 = IBA + QBS / s + dQBS/dt

(3.3.3.4)

Resolviendo la ecuacin diferencial 3.3.3.4 con la condicin inicial dada por 3.3.3.3 se puede calcular el tiempo que tarda la QBS en desaparecer. Intervalo que establece el primer componente del tiempo de almacenamiento, denominado ts1

ts1 = s ln ((IB1 IB2) / (IBA IB2))


El tiempo ts1 obtenido es el primer componente del tiempo de almacenamiento. Por definicin el tiempo ts se debe calcular hasta el instante que la corriente de colector ha decrecido al 90% de su valor de saturacin. El tiempo requerido para alcanzar este valor a partir que el exceso de carga QBS se hace cero, constituye el tiempo td2, segundo componente del tiempo de almacenamiento.

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Una vez concluido el tiempo ts1 el transistor se encuentra nuevamente en zona activa., por lo que es vlido el modelo utilizado para el clculo del tiempo de crecimiento tr. La corriente de colector decrece a partir de ICS y tendera exponencialmente al valor de - hFE IB2 si el transistor se comportara como un elemento lineal, sin estado de corte. Esta corriente de base IB2 que se aplica para llevar al transistor al corte, es una corriente inversa que persiste hasta que la corriente de colector ha llegado a cero. Si en correspondencia con el factor de sobrexcitacin N1 se definine un nuevo factor N2 tal que:

N2 = - hFE IB2 / ICs


Se obtiene la segunda componente del tiempo de almacenamiento ts2.

ts2 = r ln ((1 + 1/N2) / (1 + 0,9/N2))


Como conclusin, de las expresiones de ts1 y ts2, se puede apreciar que si se desea reducir el tiempo de almacenamiento ts se debe utilizar una fuerte excitacin de base en sentido inverso IB2 >> IB1 y IB2 >> IBA o bien saturar slo ligeramente al transistor con IB1 IBA 3.3.4 Tiempo de cada (FP) Al igual que para el clculo del segundo componente del tiempo de almacenamiento, el tiempo de cada se obtiene a partir del decrecimiento exponencial de la corriente de colector desde ICS hacia - hFE IB2. Basta con calcular el tiempo necesario para que la corriente de colector vare entre el 90% y el 10% de ICS, resultando: tf = r ln ((1 + 0,9/N2) / (1 + 0,1/N1)) Nuevamente una mayor corriente inversa acorta el tiempo de cada del mismo modo que acorta el de almacenamiento.

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4.- Tiempos de Conmutacin de Transistores MOSFET de Potencia


4.1.- Capacidades de los MOSFET La estructura fsica de los MOSFETs determina la existencia de capacidades entre sus terminales. La estructura Metal-Oxido del gate, determina la existencia de las capacidades CGD y CGS ente el terminal de gate y el canal. La juntura pn resultante del proceso de formacin del MOSFET fija un valor de capacidad CDS entre los terminales de drain y source. Las primeras, resultantes de la separacin del canal de la metalizacin de gate por una capa de dielctrico de dixido de silicio son de un valor superior al presentado por CDS, capacidad de transicin asociada a la operacin en polarizacin inversa de una juntura pn. Figura 23
D

C G C

GD

B
GS

DS

Al igual que en los JFET, en las hojas de datos estas capacidades se especifican como de entrada, salida y de transferencia inversa, de acuerdo a las respectiva siguiente nomenclatura Ciss Capacidad de entrada medida entre los terminales de gate-source con el terminal de drain cortocircuitado para seal con el source. Coss Capacidad de salida mediada entre los terminales de drain-source con el terminal de gate cortocircuitado para seal con el source. Crss Capacidad de transferencia inversa, medido entre los terminales de drain-gate con el terminal de source conectado al terminal de guardia. De acuerdo a las definiciones precedentes resulta: Ciss = CGS+ CGD Coss = CDG + CDS Crss = CGD De los dos tipos de capacidades intrnsecamente asociadas con los MOSFET, normalmente las asociadas con su estructura (compuerta-dielctrico-canal) son mayores que las asociadas con la juntura pn (CDS) por lo qu sta es mucho menor que CGD, resultando una capacidad de salida prcticamente igual a CGD.
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En cuanto a la capacidad gate-drain, por ser la que establece un vnculo capacitivo entre la salida y la entrada, generalmente se utiliza en los manuales la denominacin de capacidad inversa Crss, siendo esta denominacin mas usual que CGD . Tradicionalmente, los fabricantes provn informacin sobre estas capacidades mediante curvas como las de la figura 24.

(pF)
T = 25 C V
GS

=0 Ciss

2000

Coss

Crss

DS

(V)

10

15

20

25

Figura 24 Estas curvas, si bien brindan importante informacin sobre los valores de las capacidades de los MOSFETs, puede ser malinterpretadas si se omite considerar que en la grfica anterior, las capacidades se encuentran solo referidas a la tensin VDS, con tensin gate-source igual a cero, y no a la tensin a que se encuentra realmente sometida cada capacidad. La informacin de la figura 24 es congruente para Coss, al estar graficada en funcin de VDS con VGS = 0, pero no para determinar los valores de Ciss y Crss en los distintos estados por los que pasa un MOSFET al conmutar entre conduccin y corte y viceversa. A modo de ejemplo, si se analiza la variacin de tensiones a que se ve sometida Crss durante la conmutacin, puede comprobarse que con el MOSFET cortado ( VGS 0), su

tensin es una tensin positiva VDG VCC, ya que VDS = VCC y VGS 0. En cambio, cuando el dispositivo se encuentre en plena conduccin con la VGS necesaria para asegurarla (VGS > VT), la situacin es diametralmente opuesta pues VDG 0, por lo que VDG = VDS (ON) - VGS(ON) < 0. En consecuencia, sin disponer de informacin de los valores de las capacidades para tensiones VDG negativas no puede evaluarse el comportamiento de los MOSFET en conmutacin. A este efecto los fabricantes completan la informacin brindada por curvas como de la figura 24 con la contenida en curvas como las de la figura 25. Las variables utilizadas en la absisa, as como las condiciones de medicin VGS = 0 y VDS = 0, reflejan las condiciones para generar las dos secciones de las curvas de la figura.

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C (pF)

C C

GS

GD

V
10 20

GS

/V

GD

(V)

Fifura 25 Estas curvas reflejan la gran diferencia de valores de capacidad segn exista o no canal formado en el MOSFET. Su establecimiento permite que existan portadores para establecer la conduccin y en consecuencia las capacidad asociadas con la estructura compuerta-dielctrico-canal aumentan varios rdenes de magnitud. Se puede verificar que Crss, que como toda capacidad que vincula la salida con la entrada, juega un papel fundamental en los tiempos de conmutacin, pasa de valer 50 pF cuando el MOSFET se encuentra cortado a mas de 3300 pF al conducir. 4.2.- Tiempos de conmutacin de los MOSFET En la figura 26, se ha graficado un circuito donde un transistor MOS canal n pasa del estado de corte al de conduccin y viceversa al ser excitado por una fuente VGG. Como resultado de esta excitacin, se han representado las formas de onda de gate y drain resultantes en la figura 27. Dado que los MOSFET son dispositivos comandados por tensin y no por corriente, debe tenerse en cuenta para la conmutacin cmo se cargan y descargan todas sus capacidades, considerando como se van modificando sus valores al pasar el MOSFET por los diferentes estados de conduccin

DD

R l V
GG

Ri

Figura 26
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GG

t=0

GS Vg2 Vg1 Vg1 = VT Vg2 si D V


DS

=0

Regiones:

II

III

DS

DD

T1

T2

T3

T4

T5

T6

Figura 27 En t=0 se aplica VGG al MOS que se encuentraba cortado con VGS=0 y VGD=VDD, valores a los cuales estn cargados CGS y CGD, El MOS permanece sin conducir el tiempo T1 necesario para cargar la capacidad de entrada a VT. Transcurrido T1 las capacidades quedan cargadas segn se indica en la figura 28. Durante este intervalo, la capacidad de entrada es Ci=Cgs+Cgd. Por no haberse an establecido el canal, de la figura 25 puede observarse que sus valores son bajos Concluido el tiempo T1 el MOS comienza a conducir y su tensin V DS disminuye. El MOS se encuentra ya en zona activa, y durante T 2 su capacidad de entrada se ve afectada por el efecto Miller, Ci=Cgs+(1+A)Cgd. Debe tenerse en cuenta que la capacidad de entrada se ve incrementada no solo por el efecto Miller, sino por el incremento propio de Cgs y Cgd cuando VGD /VGS > VT como se indica en la figura 25.
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+ + -

D V Rl Cds S
VCgd = VDD - Vg1 VCgs = VT VCds = VDD DD

Cgd
+ -

Cgs
Figura 28 Al final de T2, y suponiendo VDS = 0,5V , las capacidades del MOS se encuentran cargadas a los valores indicados en la figura 29.

+ + -

D V Rl Rds S
VCgd = Vg2 - VDS(ON) VCgs = Vg2 VCds = 0,5 DD

Cgd Cds
+ -

Cgs
Figura 29 La variacin de CGD con la tensin drain-source durante T2 se ve reflejada en la curva de VGS de la figura 27, la que inicialmente presenta una pendiente elevada, para disminuir paulatinamente a medida que VDS tiende a su valor mnimo. Llegado a esta condicin el MOS est saturado. No hay ms cambios en VDS o IDS, no hay en consecuencia efecto Miller y la capacidad de entrada Ci=Cgs+Cgd termina de cargarse a su valor final. La Ci durante T3 es mayor que durante T1 debido al aumento de CGS y CGD al encontrarse el MOS en conduccin. El proceso de apagado es similar. Durante el tiempo T4 el MOS est completamente conductivo, no hay variacin de VDS ni efecto Miller y se elimina el exceso de carga de Ci. Durante T5 el MOS comienza nuevamente a funcionar como un integrador Miller. La salida vara lentamente hasta que la capacidad de Miller disminuye, luego sta vara ms rpidamente hasta que finalmente el MOS llega al estado de OFF. En T6 el MOS ya est cortado y la capacidad de entrada termina de descargarse. Sobre la curva VDS pueden definirse los tiempos de conmutacin de un MOSFET. Se define un tiempo de retardo de encendido, como el lapso a partir de aplicarse la tensin V GG
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de entrada hasta que la corriente de drain alcance el 10% de su valor mximo; un tiempo de crecimiento para el intervalo de variacin de IDS entre el 10% al 90% de su valor mximo; un tiempo de retardo de corte desde que se hace V GG = 0 hasta que la corriente de drain alcance el 90% de IDS max y finalmente un tiempo de cada para la variacin de I DS desde el 90 al 10% de su valor mximo. 4.3.- Evaluacin de los tiempos de conmutacin de los MOSFET (FP) La velocidad de operacin de un MOS se encuentra fijada por la velocidad con que se cargue y descargue la Ci, determinada por la capacidad de entregar corriente del circuito excitador. Circuito excitador que entrega energa slo en los momentos de conmutacin, ya que la alta resistencia de entrada (del orden de 10 12 ohms) hace que sta sea despreciable en estado estacionario. Para un dado valor de Ci de un MOSFET, la energa requerida para un cierto Vgs es: W = Ci Vgs2 (watt-segundos) Como Ci es una funcin de VGS y VDS, Ci cambia de valor durante el proceso de conmutacin y no se puede fijar su valor en la expresin anterior. La expresin anterior puede tambin ser escrita como: W = Qg Vgs Expresin que fija los requerimientos de carga de gate para que los distintos estados del encendido tengan efecto, siendo Qg la variacin de carga de la capacidad de entrada para una variacin de Vgs. Para la solucin de esta expresin, los fabricantes suministran curvas como la de la figura 30, que corresponden a un circuito como el indicado en la figura 31. VDS (V) VGS (V)

80
VDD = 20 V

8 6
VDD = 60 V

60 40 20

4 2

6000 8000 2000 4000 Qg - Carga de Gate - en pC Figura 30

10000

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DD

100 ohm Ig

Figura 31 Estas curvas, conocidas como las curvas de carga de gate, simplemente reflejan el comportamiento de las tensiones de VDS y VGS para condiciones de alimentacin especficas. En particular, en la figura 32 se ha redibujando la curva de control de carga de gate correspondiente a VDD = 60 V, y donde pueden apreciarse tres regiones coincidentes con los intervalos T1, T2 y T3 de la figura 27.

VDS (V)

VGS (V) 8 6
Vg2 Vg1

VGS VDS Q2

Q1

4 2

Region 1

2000

4000

Region 2

6000

Region 3

8000

10000

Figura 32 La regin 1 se encuentra definida cuando VGS es menor que la tensin de umbral, V GS VT, y en consecuencia el MOS cortado. La capacidad en esta regin es prcticamente constante y su valor es:

Ci =

Q1 2450 pC = = 645 pF Vg1 3,8v

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En la regin 2 el MOS conduce, existe efecto Miller, y se puede tomar como valor promedio de Ci:

Ci =

Q2 Q1 6250 2450 = = 2923 pF Vg 2 Vg1 5,1 3,8

En la regin 3, el MOS est en plena conduccin, ya no hay efecto Miller y la capacidad de entrada es: Ci = AQ AVgs

875 pF,

El valor de la capacidad Ci es mayor que en la regin 1 por estar el canal creado. En esta regin el MOS se encuentra sobreexcitado, siendo este exceso de carga el que determina la existencia del tiempo de retardo de apagado. Tiempo que puede ser disminuido pre polarizando al gate a un valor de tensin gate-source justo inferior al necesario para establecer la corriente mxima de drain. Sin embargo, el no sobreexcitar en la regin 3 disminuye el margen de ruido del circuito de control y requiere un valor estable de Vt. De las expresiones anteriores se pueden determinar los tiempos de conmutacin. Si el gate est comandado por una fuente de corriente Ig, se puede calcular:

i=

dQ AQ = dt AT

t 1 = t retardo encendido =Q1 Ig t2 = t ON=Q2 Ig


Como el circuito excitador solo debe entregar corriente en los momentos de conmutacin, debe disearse de modo que ste no la consuma en los momentos en que el MOS est ON u OFF. Por el contrario, durante el pasaje de un estado a otro, debe ser capaz de entregar la corriente necesaria para alcanzar los tiempos de conmutacin requeridos. Por ejemplo, si se requiere un tON de 20 nseg, de la ecuacin anterior.

6250.10 12 C Ig = = 313mA 20.10 9 seg


Para un circuito excitador con una salida resistiva y considerando una Ci constante tanto en la regin 1 como en la regin 2.

t1 =

Vg 1 Q1 Ri ln 1 V Vg1 GG

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t 2 t1 =

Vg 2 Vg1 Q2 Q1 Ri ln 1 V Vg Vg 2 Vg1 GG 1

Para las curvas anteriores con Ri = 10K y VGG=10 V, se obtiene: Q1 = 2450 pC Q2 = 6250 pC Vg1 = 3,8 v Vg2 = 5,1 v t1 = 3,08 nseg tON ~10 nseg t 2-t1=6,88 nseg

Reduciendo Ri a 500 se lleva tON ~ 500 nseg. Reducciones mayores de Ri provocan menores tON. Las caractersticas presentadas hasta el momento fueron estipuladas para una RL=100ohm =>@VDD=60v => ID=600mA. Para diferentes valores de IDmax el valor de Vg2 puede obtenerse de la curva ID vs.Vgs. Luego, con este valor de Vg2, Q2 puede extraerse del valor adecuado de VDD de la figura 30. A modo de ejemplo, si se necesita una corriente de conduccin de 2A con VDD=60V, de la curva de transferencia de la figura 33 se observa que para ID=2A =>Vgs= 6V De la figura 26, Q ~ 7000pC. La carga de Drain prcticamente no afecta Q1 y en consecuencia no afecta a t1.
ID

Vgs

Figura 33

5.- IGBT - Transistores Bipolares de Compuerta Aislada


5.1.- Introduccin Los Transistores bipolares de Compuerta Aislada, conocidos por la sigla IGBT de su nombre en ingls Insulated Gate Bipolar Transistor, por ser dispositivos basados en dos tipos de portadores ofrecen superiores caractersticas de conduccin, manteniendo una
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performance equivalente a los MOSFETs en cuanto a simplicidad de uso y soporte de picos de corriente. Su velocidad de conmutacin, si bien es tericamente inferior a la de los MOSFETs, mediante nuevas tecnologas de fabricacin puede llevarse a valores comparables. Adicionalmente, los IGBT son potencialmente ms econmicos por presentar una densidad de integracin superior a implementaciones equivalentes con MOSFETs. A igualdad de potencia, los IGBT requieren solo un 40 % del rea necesaria para la fabricacin de una estructura MOSFET. 5.2.- Estructura, principio de funcionamiento y circuito equivalente En la figura 34 se ha dibujado una estructura tpica de un IGBT canal n. El comportamiento de una estructura basada en canal p es completamente anloga.

Figura 34 La estructura indicada es muy similar a un MOSFET de difusin vertical, presentando una doble difusin de una regin tipo p y de una regin tipo n. Al igual que un MOSFET se puede establecer una zona de inversin debajo del rea de gate aplicando una tensin de la polaridad adecuada. La creacin de la zona de inversin permite la circulacin de corriente entre las zonas n+ debajo del ctodo y la zona de drift n-. La principal diferencia entre los IGBT y los MOSFETs radica en la utilizacin de un substrato p+, capa que permite cambiar su funcionamiento al de un dispositivo bipolar al inyectar huecos en la regin tipo n-. Esta zona constituye en consecuencia el emisor de un transistor bipolar pnp, mientras que las zonas n y p separadas por las junturas J 3 y J2 constituyen respectivamente las zonas de base y colector. En el mismo dibujo pueden distinguirse la denominacin de los tres terminales del IGBT: emisor, colector y gate. El primero se corresponde con el terminal de ctodo y es la conexin con la zona p de colector del transistor pnp antes mencionado. El terminal de colector del IGBT, se conecta a la zona p+ correspondiente al emisor del transistor pnp. El tercer terminal, denominado gate o compuerta, permite establecer o no la conduccin del dispositivo mediante la aplicacin de una tensin VG. Finalmente puede observarse que el terminal de base del transistor pnp no se encuentra disponible.
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El pasaje de conduccin a corte y viceversa, al igual que en un MOSFET, se controla mediante la tensin de gate V G. Si esta tensin es menor que la de umbral no se crea la zona de inversin y el dispositivo se encuentra cortado. Cualquier tensin directa aplicada (nodo positivo respecto al ctodo) es bloqueada por la juntura J 2 inversamente polarizada y solo circula una pequea corriente de prdidas. La tensin de ruptura de la juntura J2 determina la mxima tensin que puede ser aplicada a un IGBT directamente polarizado. Su valor depende fundamentalmente del dopado de la zona de menor valor de las que constituyen la juntura de bloqueo, correspondiendo en este caso a la zona n-. Al aplicarse una tensin inversa, un menor dopado produce una zona de vaciamiento ms extensa y en consecuencia soporta un menor campo elctrico. Para prevenir que la zona de vaciamiento se extienda hasta la zona del emisor tipo p, se suele incluir una zona de buffer n+. Sin embargo la inclusin de esta zona reduce drsticamente la tensin de ruptura de la juntura J3, que debe soportar una tensin inversa cuando el dispositivo opere inversamente polarizado. La existencia de la zona de buffer n+ permite la reduccin del espesor de la zona n-, reduciendo las prdidas de conduccin. La conduccin del dispositivo se produce aplicando una tensin de gate superior a la tensin de umbral, tensin que crea un canal entre las regiones n+ debajo de la compuerta y de drift n-. Se produce una inyeccin de electrones desde el source hacia la regin de drift en forma simultnea con la injeccin de huecos desde la zona p+ en la regin de drift dado que la juntura J3 se encuentra directamente polarizada. Esta situacin se encuentra reflejada en la figura 35.

Figura 35 Parte de los huecos se recombinan en la regin de drift, mientras que la mayora la atraviesan por difusin, alcanzando la juntura J 2 para constituirse en la corriente principal del dispositivo. En consecuencia la operacin de un IGBT puede ser considerada como un transistor pnp de base ancha, y cuya corriente de base es suministrada por la conduccin del canal de un MOSFET. En la figura 36a se ha modelizado esta forma de funcionamiento.

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Figura 36
La figura 36b presenta un circuito equivalente ms complejo que incluye al transistor parsito npn constituido por la zona n+ del source del MOSFET, la regin p y la zona de drift n-. Se ha incluido tambin la resistencia lateral de la zona p. Si la corriente que circula por esta resistencia es lo suficientemente elevada, puede producir la conduccin del transistor parsito. Si esta situacin ocurre, se produce una inyeccin de electrones desde la regin n+ hacia la regin p, perdindose el control de gate. Este fenmeno conocido como de latch up o cerrojo generalmente conduce a la destruccin del elemento por lo que debe ser impedido en condiciones de operacin normal. A continuacin se indica el smbolo del IGBT.

G E
Figura 37

5.3.- Especificaciones (FP)


5.3.1. Mximos absolutos (FP) Indican valores mximos que no deben ser superados bajo ninguna circunstancia en la operacin del dispositivo.
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IC Corriente Continua de Colector . Mxima corriente continua de colector especificada a una temperatura de cpsula determinada, que asegura no superar la mxima temperaura de operacin de la juntura. ICM Corriente Pulsante de Colector . Mximo valor instantneo soportado por la corriente de colector, dentro de las especificaciones de operacin pulsante. VCE Tensin Colector Emisor. Mxima tensin que puede soportar el dispositivo en sentido directo en condicin de corte. VGE Tensin Compuerta Emisor. Mxima tensin de compuerta. Dado que la tensin de ruptura del dielctrico es del orden de los 80 V, el valor especificado en los manuales es generalmente 20 V para limitar la corriente en condiciones de falla y asegurar la confiabilidad en el tiempo del dispositivo. ILM Corriente de Cargas Inductivas. Valor de corriente que puede ser conmutado en forma repetitiva cuando la carga se encuentra constituida por una inductancia en paralelo con un diodo de conmutacin libre. Este valor garantiza una zona SOAR de operacin pulsante rectangular, donde el dispositivo soporta simultneamente alta tensin y alta corriente. La I LM se especifica a 150C y 80% de la tensin mxima. PD Mxima Disipacin de Potencia . Mxima disipacin en el dispositivo para no exceder la mxima temperatura de juntura. Tj Mxima Temperatura de Juntura . Mxima temperatura de operacin del dispositivo. Generalmente se comercializan para su operacin en el rango de 55C a +150C. 5.3.2. Caractersticas Elctricas (FP) BVCES Tensin de Ruptura Colector Emisor . Mnimo valor de ruptura garantizado. Presenta un coeficiente positivo de temperatura del orden de los 0,63V/C. BVECS Tensin de Ruptura Emisor Colector . Mxima tensin emisor colector soportada por el dispositivo. Los IGBT se encuentran normalmente sometidos a este tipo de tensiones al cortarse, debido a la existencia de inductancias parsitas en el circuito del diodo en paralelo, como se muestra en la figura 38. Al cortarse uno de los IGBT, la corriente de carga se transfiere al diodo en paralelo con el IGBT complementario. La di/dt de apagado en la inductancia parsita en serie con el diodo genera el pico de tensin inversa sobre el dispositivo. Este valor es generalmente de 10V pero puede verse incrementado frente a elevadas di/dt o layouts incorrectos.

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Figura 38 VCE(on) Tensin Colector Emisor de Saturacin . Informacin presentada en forma de distintas grficas de esta tensin en funcin de la corriente de colector y para dfistintas temperaturas de operacin. Su conocimientoe es indispensable para el clculo de las prdidas de conduccin. VGE(th) Tensin de umbral. Valor de la tensin de gate a la cual comienza a circular corriente de colector. Presenta un coeficiente negativo con la temperatura del orden de los 11mV/C. ICES Corriente de colector con tensin de gate nula . Parmetro que establece el valor superior de la corriente de prdida para una temperatura y tensin colector emisor. 5.3.3. Caractersticas de Conmutacin (FP) Qg Caracterstica de carga de gate . Carcterstica suministrada en forma grfica como se indica en la figura 39. Esta informacin es til para mensurar los requerimientos del circuito excitador y estimar sus prdidas. Por ser el IGBT un dispositivo de portadores mayoritarios y minoritarios, esta informacin no puede ser utilizada para el clculo de los tiempos de conmutacin como se la utiliza en los MOSFETs.

Figura 39 td(on), tr, td(off) y tf Tiempos de conmutacin . Los tiempos de conmutacin y el circuito de ensayo se indican en la figura 40. Sus definiciones son las siguientes:
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td(on), tiempo de retardo de encendido, medido entre el 10% de la tensin de gate y el 10% de la corriente de colector tr, tiempo de crecimiento, medido entre el 10% y el 90% de la corriente de colector td(off), tiempo de retardo de apagado, medido entre el 90% de la tensin de gate y el 90% de la corriente de colector tf, tiempo de cada, medido entre el 90% y el 10% de la corriente de colector

Figura 40 Eon, Eoff, Ets Energa de conmutacin . Prdidas producidas en el IGBT al conmutar de acuerdo a las siguientes definiciones y segn se indica en la figura anterior: Eon, Energa disipada a partir que la corriente de colector alcanza el 5% hasta que la tensin decrece al 5% Eoff, Energa disipada en el perodo que comienza al alcanzarse el 5% de la tensin de colector y durante un lapso de 5 useg. Ets, Suma de las energas de encendido y de apagado. LE Inductancia Interna de Emisor . Inductancia del encapsulado que afecta el tiempo de encendido en forma proporcional a la di/dt de la corriente de colector. Valores de di/dt de 1000A/useg producen cadas en esta inductancia superiores a los 7V.
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Ciee, Coee y Cree Capacidades interelectodos . La capacidad de salida Coee presenta la tpica dependencia de la tensin inversa de las junturas pn. La capacidad inversa C ree es tambin fuertemente proporcional en forma inversa a la tensin, pero segn una ley mas compleja que en el caso anterior. La capacidad de entrada C iee, suma de las dos capacidades restantes, presenta un menor grado de dependencia de la tensin dado que la componente debida a la capacidad compuerta-emisor es la mas importante y es independiente de la tensin. Tiempo de corto circuito . Define el tiempo durante el cual el IGBT puede ser cortocircuitado en condiciones especificadas sin destruirse. 5.4.- Estado de Conduccin Las superiores caractersticas de conduccin presentadas por los IGBT son su principal ventaja frente a los MOSFET. Como se desprende del circuito equivalente de un IGBT, su cada directa se encuentra constituida por la suma de dos trminos: la cada directa de una juntura pn y la producida sobre el MOSFET de excitacin. En consecuencia, al contrario de un MOSFET, un IGBT nunca presenta una cada directa inferior a la de una juntura directamente polarizada, independientemente de la corriente que conduzca. En cuanto a los dos trminos que constituyen la tensin de conduccin, la cada sobre el MOSFET de excitacin, comparte la caracterstica comn a todo MOSFET de baja tensin dada por su dependencia de la tensin de excitacin de gate. Esta situacin se ve reflejada en la figura 41 donde para valores de corriente prximos a la nominal, un incremento en la polarizacin de gate reduce la cada colector emisor del IGBT. Este efecto no se encuentra presente en los MOSFETs de potencia de alta tensin, donde la caida directa es independiente de la tensin de gate.

Figura 41 Con respecto al transistor pnp, la etapa de salida del IGBT es del tipo pseudoDarlington. En consecuencia este transistor nunca se encuentra completamente saturado y su cada directa es superior a la correspondiente a un dispositivo que se encuentre fuertemente saturado. Sin embargo el fuerte impacto de la conduccin por dos tipos de portadores en la cada directa en el estado de conduccin puede apreciarse en la figura 42 donde se
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comparan las caractersticas de conduccin de un IGBT y un MOSFET de del mismo tamao de pastilla.

Figura 42 Esta figura refleja la primera y radical diferencia entre ambos dispositivos. Mientras un MOSFET como el de la figura, conduciendo una corriente del orden de los 10A, puede presentar una cada directa de 10 a 25V segn su temperatura de operacin, el IGBT equivalente presenta una cada inferior a los 2V. En segundo lugar, la significativa dependencia de la temperatura presente en los MOSFETs es mnima en los IGBT. La suficiente para permitir el reparto equitativo de corriente en dispositivos operando en paralelo a valores elevados de corriente y en condiciones estticas. Puede observarse que la influencia de la temperatura en la tensin directa difiere segn el valor de la corriente. Este efecto es debido a que la parte de la cada debida a la juntura pn presenta un coeficiente negativo a bajas corrientes y positivo a valores elevados mientras que el coeficiente de variacin de tensin correspondiente al trmino debido al MOSFET es siempre positivo. Finalmente, adems de reducirse la cada directa y su coeficiente de variacin con la temperatura, en el IGBT prcticamente tambin se elimina la dependencia de la tensin de operacin del dispositivo como se indica en la tabla siguiente. El incremento de la tensin de ruptura soportada por los distintos IGBT de una familia de dispositivos no se refleja en un incremento significativo de su cada directa. Por el contrario en los MOSFETs se ve reflejado el aumento de la Ron cada vez que el dispositivo debe ser fabricado para soportar mayores tensiones de ruptura. Tensin soportada por el dispositivo-V Cada directa @ 1,7A/mm2 y 100C IGBT MOSFET IGBT MOSFET 100 100 1,5 2,0 300 250 2,1 11,2 600 500 2,4 26,7 1200 1000 3,1 100

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5.5.- Caractersticas de Apagado La mayor limitacin en la conmutacin de un IGBT se produce en su apagado y radica en el tiempo de vida de los portadores en la zona n que constituye la base del transistor pnp. Como esta base no se encuentra accesible, es imposible la utilizacin de un circuito de excitacin para mejorar la conmutacin. Como paliativo de este inconveniente debe recordarse que como el transistor pnp se encuentra operando en modo pseudo-Darlington, no hay tiempo de almacenamiento y el toff resultante es mucho menor que el de un dispoistivo equivalente operando en saturacin. Sin embargo, la velocidad de operacin de un IGBT es insuficiente para aplicaciones de conmutacin en alta frecuencia. Como consecuencia adicional, las cargas almacenadas en la base son las causantes de la caracterstica cola o tail en la forma de onda de apagado de la corriente de colector de un IGBT. Cuando el canal del MOSFET deja de conducir, se interrumpe la corriente de electrones y la corriente del IGBT decrece rpidamente al nivel de la corriente por recombinacin de huecos al comienzo de la cola como se indica en la figura 43. Esta cola incrementa las prdidas de apagado y hace necesario incrementar el tiempo muerto entre los perodos de conduccin de dos dispositivos en configuracin de medio puente.

Figura 43 5.6.- Prdidas por Conmutacin Los tiempos de conmutacin definidos en el apartado 5.3.3, provn informacin til para establecer los tiempos muertos apropiados entre el encendido y subsecuente apagado del elemento complementario en una configuracin semipuente, as como los mximos y mnimos anchos de los pulsos de control. Sin embargo no puden ser utilizados en el clculo de las prdidas de conmutacin, fundamentalmente por el fenmeno de cola en la corriente de apagado, por la que una parte significativa de la energa total sea disipada cuando la corriente se encuentra por debajo del 10% de su valor mximo. Adems la forma como la tensin de cada se modifica no se encuentra caracterizada dentro del parmetro de toff.

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Para compensar la falta de los datos requeridos para el apropiado clculo de las prdidas, los fabricantes provn informacin como la de las figura 44. Mediante estas grficas, las prdidas totales de conmutacin, Ets, pueden ser calculadas sin depender de las formas de onda de corriente y tensin de conmutacin.

Figura 44

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6.- Comparacin de los Dispositivos de Potencia


Las aplicaciones actuales de conmutacin de potencia utilizan una gran variedad de elementos activos como llaves. En primer lugar, este apartado tiene por objeto considerar los rangos de utilizacin de los dispositivos existentes en el mercado y establecer comparaciones entre ellos, para luego hacer una breve consideracin sobre nuevos dispositivos disponibles en un futuro prximo. Para una primer seleccin, segn su tipo de conduccin conviene agrupar a los dispositivos de potencia en los siguientes tres grupos:

Unipolares Bipolares Hbridos, implementados como combinacin de los dos tipos anteriores

En el primer grupo se encuentran los MOSFETs, y en menor grado los denominados SIT (Static Induction Transistor) que son bsicamente un JFET de potencia con compuerta enterrada. Los dispositivos de potencia basados en la conduccin por dos tipos de portadores, estn conformados por los Transistores Bipolares (BJT) -simples o en configuracin Darlington-, y por los componentes de potencia de la familia de los Tiristores -SCR, Triacs y GTOs-. Dentro del tercer grupo se encuentra el ya estudiado IGBT y otros dispositivos tales como el MCT (MOS Controlled Thyristor). El MCT es un GTO con tolerancias mas estrechas, y con el agregado de un transistor P-MOS entre la compuerta y la fuente y un N-MOS adicional para su encendido. Mientras un GTO se corta mediante un pulso negativo de compuerta, debido a sus estrechos mrgenes de conduccin, el GTO interno de un MCT se corta cortocircuitando sus terminales de compuerta y ctodo. En consecuencia, su excitacin es similar a la de un MOS y su comportamiento al de un GTO. La principal ventaja de un MCT es su facilidad de operacin, dado que utilizando GTOs de geometras similares a los internos de un MCT y circuitos de excitacin discretos pueden a menor costo lograrse comportamientos equivalentes o an mejores. 6.1.- Dispositivos actuales 6.1.1.- Consideraciones Generales Al considerar la utilizacin de un dispositivo de potencia, en primer lugar deben considerarse las prdidas debidas a su funcionamiento como llave. Bajo condiciones de operacin normal, las prdidas en el estado de corte son prcticamente nulas. Para aplicaciones de onda cuadrada, las prdidas durante el intervalo de conduccin se deben principalmente a la resistencia de encendido ( RON), resistencia que tambin provoca la cada directa de la llave durante el estado de conduccin ( VON). En este estado de conduccin las prdidas pueden ser calculadas como: PON = VON ION

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Al final de este estado, el dispositivo se corta. En general la corriente es alta durante el perodo de apagado, la que junto con la elevacin de la tensin durante este intervalo, producen un pico de disipacin de potencia. Pico de disipacin que es una funcin de las caractersticas propias de apagado del dispositivo utilizado como llave. Como en el proceso de encendido tambin se aporta un pico de disipacin de potencia, tampoco deben despreciarse sus tiempos de encendido. La potencia disipada durante la conmutacin de un dispositivo operando a una frecuencia f puede expresarse como: PCONMUT = f (EON + EOFF) Por lo que las prdidas totales resultan la suma de ambas: PTOTAL = VON ION + PCONMUT = f (EON + EOFF) Como se distribuyen estas prdidas se encuentra fundamentalmente determinado por el dispositivo utilizado como llave. Si las prdidas de conduccin son las dominantes, la frecuencia de operacin no tendr influencia, y la frecuencia mxima de conmutacin estar fijada solo por su tiempo de retardo total (suma de todos los tiempos de conmutacin). En el otro extremo, si en un dispositivo sus prdidas de conduccin son despreciables comparadas a las de conmutacin, su mxima frecuencia de operacin estar determinada por las prdidas de conmutacin. En segundo lugar debe tenerse en cuenta que para controlar potencias elevadas, el tamao fsico de los circuitos se ve sensiblemente incrementado, por lo que las inductancias parsitas derivadas de las interconexiones tambin aumentan. Como las corrientes a conmutar son grandes, la energa almacenada en estas inductancias tambin lo es, lo que a su vez determina el incremento de los picos de tensin inducida. Como resultado, este tipo de aplicaciones obligan a utilizar mayores anchos de pulsos para no incrementar las prdidas por conmutacin, as como la utilizacin de redes de proteccin para limitar los sobrepicos o para reducir los tiempos de crecimientos de corriente o tensin. El uso de llaves en aplicaciones de alta corriente, tambin incide en el incremento de la energa necesaria tanto para conmutarlas de un estado a otro como, si corresponde, para sostener la conduccin en el estado de encendido. En consecuencia, no basta con determinar las capacidades de tensin y corriente as como las prdidas estticas y dinmicas del dispositivo, sino que tambin deben considerarse la energa de excitacin requerida, dv/dt, di/dt y Area de Operacin Segura (SOAR). 6.1.2.- Resistividad y Tensin de Ruptura en semiconductores de Si El Silicio es el material semiconductor utilizado para la fabricacin de todos los dispositivos de potencia actualmente en uso. Para su fabricacin se parte de material N poco dopado como material base, con una resistencia que es una funcin de su resistividad, espesor y rea total segn la expresin siguiente: R = l/A En todo semiconductor se requiere una regin ancha y de bajo dopado (alta resistividad) para soportar elevados valores de tensin en el estado de corte. Tanto la resistividad como el ancho mnimo de la regin deben incrementarse para prevenir la ruptura
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en avalancha. Como la tensin de ruptura tambin se reduce al disminuir el dopado de la regin, el resultado neto para una relacin de dopado y ancho de la regin optimizados, resulta en una variacin del valor de la resistencia mnima por unidad de rea proporcional a la tensin de ruptura elevada a 2,6 (Ron = BV 2.6) como se indica en la figura 45. R e s i s t e n c i a d e ON 103

Ohm cm2
101

10-

Volts
10 10 Tensin de Ruptura Figura 1 Figura 45 Resistencia Especfica Mnima Terica en funcin de la Tensin de Ruptura En consecuencia, la resistencia de una regin con bajo dopado es muy elevada si se requiere bloquear altas tensiones. Por ejemplo, en dispositivos con conduccin slo por portadores mayoritarios como los MOSFETs, la cada directa en el estado de conduccin resulta igual al producto de esta resistencia por la corriente circulante, limitando en consecuencia la capacidad de simultneamente conmutar corrientes elevadas y bloquear altas tensiones. Por otra parte el utilizar un solo tipo de portadores tiene como ventaja reducir los tiempos de conmutacin, posibilitando su operacin a mayores frecuencias de conmutacin. 6.1.3.- Dispositivos Unipolares Los MOSFETs, dadas sus caractersticas correspondientes a la de dispositivos basados en un solo tipo de portadores, son los componentes preferidos para aplicaciones de conmutacin de alta frecuencia, al combinar bajos tiempos de conmutacin, circuitos excitadores sencillos y amplia disponibilidad comercial. A baja potencia, la frecuencia de operacin puede superar a 1 MHz, si se provee la suficiente corriente para cargar y descargar a los capacitores asociados a la estructura del MOSFET. Corriente que solo debe ser provista en los instantes de conmutacin, reduciendo la energa total necesaria. Adicionalmente los MOSFET tienen un SOAR con solo tres lmites, dado que por su estructura no se produce el fenmeno de segunda ruptura en el rango de tensiones utilizables. Son en consecuencia mas robustos en aplicaciones de conmutacin de potencia.
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Su principal inconveniente radica en su elevada RON cuando se requiere bloquear altas tensiones, limitando su uso a corrientes elevadas. Otro factor negativo es como se modifica la RON con la temperatura. Como la ganancia de los BJT aumenta con la temperatura, y reduce el valor de la componente VBE de la cada directa dada por VCE (SAT), el incremento de la RON en los BJT es aproximadamente la mitad que la de un MOSFET equivalente. Esta caracterstica permite a los BJT dispar menos potencia a elevadas densidades de corriente para reas comparables de pastilla. La estructura interna de un MOSFET de potencia es tal que se forma un diodo en sentido opuesto al sentido de conduccin Drain Source. Son en consecuencia una llave que controla tensiones directas y no controlada para corrientes inversas. Sin embargo este diodo integrado en la estructura del MOSFET es una ventaja en circuitos donde su presencia es necesaria como parte de la aplicacin. 6.1.4.- Dispositivos Bipolares Los dispositivos utilizados como llaves de estado slido basados en dos tipos de portadores, como los BJTs y SCRs, o el transistor de potencia del IGBT, resuelven el compromiso entre resistividad y tensin de bloqueo mediante la modulacin de la conductividad caracterstica de este tipo de dispositivos. Los portadores minoritarios inyectados en la regin de bajo dopado durante la conduccin crean un plasma electroneshuecos que incrementan significativamente el dopado efectivo de portadores de carga disponibles para la conduccin. La resistividad disminuye en varios ordenes de magnitud y la densidad de corriente puede incrementarse 10 a 100 veces o ms. Sin embargo, obtener una baja resistividad mediante la utilizacin de dos tipos de portadores tiene como efecto negativo aumentar los tiempos de conmutacin. La modulacin de conductividad no es instantnea, se requiere un tiempo finito para inyectar los portadores minoritarios de carga y distribuirlos a lo largo de la regin de bajo dopado. Adicionalmente, durante el tiempo requerido para este proceso las prdidas por conduccin aumentan, as como la cada directa, cada que luego tiende al valor final correspondiente al estado estable de conduccin. Al pretender cortar dispositivos basados en dos tipos de portadores, se requiere un tiempo adicional para revertir el proceso y eliminar el exceso de carga antes que el mismo pueda nuevamente bloquear una tensin. Si se fuerza el corte del dispositivo con an carga almacenada, mientras sta se elimina la cada directa se incrementa, incrementando tambin la potencia disipada. El aumento de tensin durante la cola de corriente, adems de poder producir mayores prdidas de conmutacin durante el apagado que durante el encendido, puede potencialmente producir la destruccin del dispositivo. Adicionalmente, si la cantidad de portadores inyectados es mayor que la requerida para obtener una baja resistencia, sta contribuye nada o muy poco en la reduccin de la resistividad, en cambio eliminar el exceso de carga introduce nuevos retardos haciendo mas lento an el proceso de apagado.

BJT

Por utilizar dos tipos de portadores, el BJT de potencia tiene una cada directa en conduccin considerablemente menor que los MOS o J-FETs, siendo esta su principal
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ventaja. Su velocidad de conmutacin del estado de corte al de conduccin es consecuencia directa de los tiempos necesarios para establecer la adecuada distribucin de portadores en la base para el estado de ON. Anlogamente, el tiempo de apagado est determinado por la necesidad de eliminar este exceso de cargas antes de recuperar su capacidad de bloqueo. Estos procesos requieren tiempo, por lo que la velocidad de conmutacin de los BJT no es ptima y ocurren considerables prdidas en los tiempos de encendido y de apagado. Para reducirlos se requiere de una excitacin de base compleja, con breves sobrepicos en el momento del encendido y una circulacin negativa de la corriente de base para el apagado. Corriente negativa que implica la existencia de tensiones negativas, no siempre presentes en el circuito. Adicionalmente se requiere la existencia de una corriente de base en forma permanente durante el perodo de conduccin, incrementando an mas la energa entregada por el circuito excitador. Una seria limitacin de los BJT de potencia es la presencia del fenmeno de Segunda Ruptura. Dentro de la curva SOAR (Safe Operating Area) que determina los lmites donde puede desplazarse el punto de operacin del BJT al pasar de un estado de conduccin al opuesto, la frontera fijada por la recta de Segunda Ruptura puede ser sobrepasada en condiciones de alta corriente y tensin.

SCR

En cuanto a los Tiristores, por operar tambin con dos tipos de portadores, la accin regenerativa maximiza la modulacin de la conductividad y permite la conduccin de elevadas corrientes con bajas prdidas. Pueden establecerse densidades de corrientes superiores a los BJT, pero el mismo proceso hace a los SCR y al resto de los Tiristores dispositivos de apagado lento y dificultoso. El apagado de un SCR requiere que la corriente sea nula al menos el tiempo suficiente para que la carga en exceso se elimine por recombinacin. Tiempo que en estas condiciones de apagado puede estar en el orden de las decenas de microsegundos. En operacin normal, comnmente la tensin nodo ctodo de un SCR se invierte, causando la circulacin de una elevada corriente inversa nodo ctodo que ayuda a eliminar rpidamente el exceso de carga. Este proceso, similar a la corriente de recuperacin inversa presente en diodos semiconductores produce como resultado un menor tiempo de apagado. Los Tiristores basan su funcionamiento accionando como cerrojos, por lo que una vez provista la energa suficiente a la compuerta para iniciar el proceso regenerativo, no es necesario continuar proveyendo energa durante la conduccin como en los BJT. Esta ventaja obliga a un cuidadoso diseo de excitacin de compuerta en aquellas aplicaciones donde puedan producirse perturbaciones del circuito excitador que produzcan la conmutacin en un momento inadecuado.

GTO

Otro miembro de la familia de los Tiristores es el GTO, el que puede ser apagado mediante una corriente inversa de compuerta. Un GTO presenta tambin una elevada capacidad de conducir corriente como los SCR, mejorando sus caractersticas de conmutacin y presentando elevados valores de di/dt. Sin embargo el fenmeno de tail presente en el apagado limita su uso a frecuencias elevadas.

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Tanto los SCR como los GTO, tienen la particularidad de presentar altas capacidades de tensiones de bloqueo tanto en sentido directo como inverso. Dentro de estos ltimos, la optimizacin de las caractersticas de conmutacin puede dar origen a dispositivos con capacidades de bloqueo asimtricas, con tensiones de ruptura para polarizacin inversa muy inferiores a las directas. 6.1.5.- Dispositivos Hbridos Finalmente, los dispositivos hbridos como el IGBT o el MCT, intentan aunar las mejores caractersticas de conduccin de los dispositivos bipolares para su operacin como llave con las facilidades de excitacin de los MOSFETs. Como es de esperar, presentan un comportamiento intermedio entre los dos tipos de dispositivos de los que provienen. 6.1.6.- Tabla de Comparacin de Dispositivos de Potencia Los actuales niveles de tensin, corriente y frecuencia empleados en las distintas aplicaciones de potencia requieren una cuidadosa seleccin del dispositivo ms adecuado. Para su eleccin es fundamental evaluar correctamente como sus caractersticas funcionales se adecuan a los requerimientos de la aplicacin. En la siguiente tabla se sumarizan las caractersticas fundamentales de dispositivos capaces de soportar tensiones de al menos 1000 V. Dispositivos de menores tensiones de ruptura presentan siempre un mejor comportamiento. Cabe destacar que si bien los IGBT se han separado en dos categoras (lentos y rpidos), solo se han incluido para los GTO y los SCR los valores correspondientes a un comportamiento rpido y lento respectivamente. Como criterio para completar la tabla, para los dispositivos rpidos se han elegido los mejores valores de velocidad, mientras que para los lentos se ha optimizado el valor de su cada directa. Comercialmente pueden encontrarse dispositivos particulares con mejores valores que los indicados, sin embargo, los valores incluidos en la siguiente tabla reflejan el actual estado del arte.

BJT VON Requerimientos de Excitacin Requerimientos 1 -

J-FET 10 + -

MOS 5 + +

THY 1,5 + Nota 3

GTO 3 + -

IGBT lentos 2 + +

IGBT rpidos 4 + +

Unidades V Nota 1 Nota 1

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Dispositivos de Potencia de Apagado Tiempos de Conmutacin Prdidas de Conmutacin Densidad de Corriente Mx dv/dt (Vin=0) Mx di/dt Vmx Imx 2 . 50 3 1 1500 1000 0,1 ++ 12 20 10 1000 10 0,1 ++ 20 10 10 1000 100 5 -200 0,5 1 5000 5000 1 100 1,5 0,3 4000 3000 2 -

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0,5 . 50 10 10 1000 400

seg Nota 2 A/cm2 V/nseg A/nseg V A

50 3 10 1000 400

Significados: Nota 1: (+) implementacin sencilla (-) implementacin compleja

Nota 3:

(+) para conmutacin natural (-) para conmutacin forzada

Nota 2: (++) muy buena (+) buena (.) regular (-) mala (--)muy mala (-) mala (--)muy mala

6.2.- Dispositivos futuros (FP) Los ltimos desarrollos realizados por los fabricantes de dispositivos de potencia han llevado a la tecnologa de semiconductores basados en Si al borde de sus lmites tericos. Sin embargo la necesidad de mayores tensiones de bloqueo, frecuencias de conmutacin, eficiencia y confiabilidad requeridas por nuevas aplicaciones no pueden ser satisfechos. Para alcanzar mejores niveles de operacin, nuevos materiales deben ser utilizados en la fabricacin de semiconductores. Estos se basan en materiales semiconductores que presentan una brecha elevada entre sus bandas de valencia y de conduccin, conocidos como WBG, del ingls Wide-Bandgap semiconductors. Entre estos materiales se encuentran el Carbonato de Silicio (SiC), Nitrato de Galio (GaN) y el diamante, los que presentan las siguientes ventajas comparativas:

Para equivalentes tensiones de ruptura, los semiconductores unipolares basados en WBG pueden fabricarse con capas mas delgadas, obtenindose una menor RON Debido a su elevado campo elctrico de ruptura, los semiconductores basados en WBG pueden confiablemente alcanzar mayores valores de tensiones de bloqueo. Por ejemplo, los diodos rectificadores Schottky basados en Si disponibles comercialmente, presentan tensiones de ruptura del orden de los 300 V, mientras que los actualmente disponibles basados en SiC ya alcanzan los 600 V. Los dispositivos WBG tienen una mayor conductibilidad trmica (4,9 W/cm-K para el SiC, y 22 W/cm-K para el diamante) que los dispositivos basados en Si (1,5 W/cm-K). Al presentar una menor resistencia juntura cpsula, Rjc, es calor se elimina mas fcilmente y

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pueden operar a mayores temperaturas. Lo anteriormente expresado no aplica para el GaN Si los dispositivos de Si normalmente operan hasta los 150 C, los basados en SiC pueden alcanzar los 600 C. Al ser las caractersticas directas e inversas ofrecidas por los dispositivos WBG prcticamente independientes de la temperatura y del tiempo, son mas confiables. Los semiconductores bipolares basados en WBG tienen excelentes caractersticas de recuperacin inversa. Las menores corrientes inversas de recuperacin generan menores prdidas de conmutacin e interferencia electromagntica (EMI), disminuyendo o eliminando la necesidad de redes de proteccin del tipo snubbers o la utilizacin de tcnicas de conmutacin a corriente o tensin cero para disminuir las prdidas de conmutacin. Las menores prdidas de conmutacin permiten a los dispositivos WBG operar a frecuencias mas elevadas que los actuales semiconductores basados en Si.

A pesar de las ventajas mencionadas, la tecnologa de fabricacin de dispositivos WBG se encuentra en su faz inicial, presentando inconvenientes tales como elevados costos y limitada disponibilidad - solo una pequea lnea de dispositivos de SiC se encuentra actualmente disponible -, caractersticas tpicas de una tecnologa inmadura. Los actuales semiconductores basados en Silicio o GaAs se fabrican en obleas de hasta 15 cm de dimetro y espesor variable desde 225 hasta 675 m. Debido a su fabricacin seriada, estas obleas tienen un precio bajo, del orden de los 100 dlares estadounidenses cada una. En cambio las obleas de GaN y SiC se elaboran en cantidades pequeas, resultando en un precio 20 a 30 veces superior. Como cabe esperar, estos valores decrecern en un futuro junto con el incremento de la produccin A la fecha, solo se disponen comercialmente de diodos Schottky basados en semiconductores WBG, y para aplicaciones de baja potencia. Cuatro fabricantes distintos ofrecen diodos Schottky de SiC, en rangos de hasta 20 A a 600 V o 10 A a 1200 V. Existen anuncios de fabricacin de llaves controladas de SiC, pero no se encuentran an disponibles comercialmente. Como conclusin, se requiere an un importante salto tecnolgico para disponer de dispositivos WBG. De los materiales aptos, el diamante presenta las mejores caractersticas tcnicas, pero las tecnologas para su aplicacin comercial se encuentran en sus orgenes y son mucho mas exigentes que las requeridas por los restantes semiconductores WBG, por lo que no cabe esperar su utilizacin en un futuro inmediato. En el corto plazo, materiales de transicin como el GaN y particularmente el SiC reemplazarn al Si, dado que si bien las propiedades intrnsecas del GaN son ligeramente superiores a las del SiC, ste ultimo es mas sencillo de fabricar y es el que cuenta con una tecnologa de fabricacin mas avanzada hoy en da.

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