UNIVERSIDAD ESTATAL PENNSULA DE SANTA ELENA FACULTAD DE SISTEMAS Y TELECOMUNICACIONES ESCUELA DE ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES CARRERA DE INGENIERA EN ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES

Estudiante: Danny Rivera Gonzlez Curso: 4/1 Semestre 1.

Materia: Electrnica I Profesora: Msc. Silvia Tejada

Cuntos protones contiene el ncleo de un tomo de cobre? a) b) 1 4 c) 18 d) 29

2.

La carga resultante de un tomo neutro de cobre es a) b) 0 +1 c) -1 d) +4

3.

Si a un tomo de cobre se le extrae su electrn de valencia, la carga resultante vale a) b) 0 +1 c) -1 d) +4

4.

La atraccin que experimenta hacia el ncleo el electrn de valencia de un tomo de cobre es a) b) c) d) Ninguna Dbil Fuerte Imposible de describir

5.

Cuntos electrones de valencia tiene un tomo de silicio? a) b) 0 1 c) 2 d) 4

6.

El semiconductor ms empleado es a) b) Cobre c) Silicio Germanio d) Ninguno de los anteriores

7.

Qu nmero de protones posee un tomo de silicio? a) b) 4 14x c) 29 d) 32

8.

Los tomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el nombre de a) b) c) d) Enlace covalente Cristal Semiconductor Orbital de valencia

9.

Un semiconductor intrnseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente causados por a) b) c) d) El dopaje Electrones libres Energa trmica Electrones de valencia

10. Cada electrn de valencia en un semiconductor intrnseco establece un a) b) Enlace covalente Electrn libre c) Hueco d) Recombinacin.

11. La unin de un electrn libre con un hueco recibe el nombre de

a) b)

Enlace covalente c) Recombinacin Tiempo de vida d) Energa trmica

12. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrnseco se comporta como a) b) Una batera Un conductor c) Un aislante d) Un hilo de cobre

13. El tiempo que transcurre entre la creacin de un hueco y su desaparicin se conoce como a) b) Dopaje Tiempo de vida c) Recombinacin d) Valencia

14. Al electrn de valencia de un conductor se le denomina tambin por a) b) Electrn ligado c) Ncleo Electrn libre d) Protn

15. Cuntos tipos de flujo de portadores presenta un conductor? a) b) 1 2__ c) 3 d) 4

16. Cuntos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor? a) b) 1 2 c) 3 d) 4

17. Cuando se aplica una tensin a un semiconductor, los huecos circulan a) b) c) d) Distancindose del potencial negativo Hacia el potencial positivo En el circuito externo Ninguna de las anteriores

18. Cuntos huecos presenta un conductor? a) b) c) d) Muchos Ninguno Slo los producidos por la energa trmica El mismo nmero que de electrones libres

19. En un semiconductor intrnseco, el nmero de electrones libres es a) b) c) d) Igual al nmero de huecos x Mayor que el nmero de huecos Menor que el nmero de huecos Ninguna de las anteriores

20. La temperatura de cero absoluto es igual a a) b) -273 C 0C c) 25 C d) 50 C

21. A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrnseco presenta a) b) c) d) Pocos electrones libres Muchos huecos Muchos electrones libres Ni huecos ni electrones libres

22. A temperatura ambiente un semiconductor intrnseco tiene a) b) c) d) Algunos electrones libres y huecos Muchos huecos Muchos electrones libres Ningn hueco

23. El nmero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrnseco aumenta

cuando la temperatura a) Disminuye b) Aumenta c) Se mantiene constante d) Ninguna de las anteriores 24. El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos circulan hacia a) b) c) d) La izquierda La derecha En cualquier direccin Ninguna de las anteriores

25. Los huecos se comportan como a) b) tomos Cristales c) Cargas negativas d) Cargas positivas

26. Cuntos electrones de valencia tienen los tomos trivalentes? a) b) 1 3 c) 4 d) 5

27. Qu nmero de electrones de valencia tiene un tomo donador? a) b) 1 3 c) 4 d) 5

28. Si quisiera producir un semiconductor tipo p, qu empleara? a) b) c) d) tomos aceptadores tomos donadores Impurezas pentavalentes Silicio

29. Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo a) b) Extrnseco Intrnseco c) Tipo n d) Tipo p

30. Cuntos electrones libres contiene un semiconductor tipo p? a) b) c) d) Muchos Ninguno Slo los producidos por la energa trmica El mismo nmero que de huecos

31. La plata es el mejor conductor. Cul es el nmero de electrones de valencia que tiene? a)1 b)4 c) 18 d) 29

32. Si un semiconductor intrnseco tiene un billn de electrones libres a la temperatura ambiente, cuntos presentar a la temperatura de 75 C? a) b) c) d) Menos de un billn Un billn Ms de un billn Imposible de contestar

33. Una fuente de tensin es aplicada a un semiconductor tipo p. Si el extremo izquierdo del cristal es positivo, en qu sentido circularn los portadores mayoritarios? a) b) c) d) Hacia la izquierda Hacia la derecha En ninguna direccin Imposible de contestar

34. Cul de los siguientes conceptos est menos relacionado con los otros tres? a) b) c) d) Conductor Semiconductor Cuatro electrones de valencia Estructura cristalina

35. Cul de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la temperatura ambiente? a) b) 0C c) 50 C 25 C d) 75 C

36. Cuntos electrones hay en la orbital de valencia de un tomo de silicio dentro de un cristal? a)1 b)4 c) 8 d) 14

37. Los iones positivos son tomos que a) b) c) d) Han ganado un protn Han perdido un protn Han ganado un electrn Han perdido un electrn

38. Cul de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n? a) b) c) d) Neutro Cargado positivamente Cargado negativamente Tiene muchos huecos

39. Un semiconductor tipo p contiene huecos y a) b) c) d) Iones positivos Iones negativos tomos pentavalentes tomos donadores

40. Cul de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p a) b) c) d) Neutro Cargado positivamente Cargado negativamente Tiene muchos electrones libres

41. Cul de los siguientes elementos no se puede mover? a) b) c) d) Huecos Electrones libres Iones Portadores mayoritarios

42. A qu se debe la zona de deplexin? a) b) c) d) Al dopaje A la recombinacin A la barrera de potencial A los iones

43. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de a) b) 0,3 V 0,7 V c) IV d) 2mVporC

44. Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en directa, la tensin aplicada debe superar a) b) 0V 0,3 V c) 0,7 V d) IV

45. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente a) b) c) d) Muy pequea Muy grande Cero En la regin de ruptura

46. La corriente superficial de fugas es parte de a) b) c) d) La corriente de polarizacin directa La corriente de ruptura en polarizacin directa La corriente inversa La corriente de ruptura en polarizacin inversa

47. La tensin que provoca el fenmeno de avalancha es a) b) c) d) La barrera de potencial La zona de deplexin La tensin de codo La tensin de ruptura x

48. La difusin de electrones libres a travs de la unin de un diodo produce a) b) c) d) Polarizacin directa Polarizacin inversa Ruptura La zona de deplexin

49. Cuando la tensin inversa crece de 5 V a 10 V, la zona de deplexin a) b) Se reduce Crece c) No le ocurre nada d) Se rompe

50. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinacin de electrones libres y huecos puede producir a) Calor b) Luz c) Radiacin d) Todas las anteriores 51. Si aplicamos una tensin inversa de 20 V a un diodo, la tensin en la zona de deplexin ser de a) b) c) d) 0V 0,7 V 20 V Ninguna de las anteriores

52. Cada grado de aumento de temperatura en la unin decrece la barrera de potencial en a) b) 1 mV 2mV c) 4 mV d) 10 mV

53. La corriente inversa de saturacin se duplica cuando la temperatura de la unin se incrementa a) b) 1 C 2C c) 4 C d) 10 C

54. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensin inversa aumenta a) b) 7 por 100 100 por 100 c) 200 por 100 d) 2 mV