Transistor bipolaire 1- Symbole.

Collecteur Base Emetteur Transistor NPN Base Emetteur Transistor PNP Collecteur

2- Caractristiques lectriques dun transistor NPN. Les caractristiques lectriques du transistor bipolaire sont unidirectionnelles. On peut donc les runir sur un seul plan. Ic Ib Vce Ib2 Vbe Ie Ib1 M0 Vce1 Vce Ic = f(Ib) Vce1 Ic Ic = f(Vce) M1 Ib4 Ib3

Ib

Vbe = f(Ib) Vbe Observations : - La fonction Ic = f(Vce) est matrise par la valeur du courant de base. Celle-ci comporte essentiellement deux domaines ; la partie o Ic est peu variable pour une valeur de Ib cest le rgime linaire, la partie coude o la transistor est en rgime satur. - La fonction Vbe = f(Ib) est celle dune jonction PN entre la base et lmetteur. - La fonction Ic = f(Ib) caractrise leffet transistor en rgime linaire. Cest une droite de pente (ordre de grandeur de 100). - En rgime linaire Ic .Ib et en rgime satur Ic < .Ib. - En rgime satur Vce < 1Volt. - Au point M0 le transistor est bloqu. Entre son collecteur et son metteur le transistor est quivalent un interrupteur ouvert. - Au point M1 le transistor est satur. Entre son collecteur et son metteur le transistor est quivalent un interrupteur ferm. - Par la variation spontane du courant Ib de 0 Ib4 ou inversement on peut passer de M0 M1 ou inversement. Dans ce type de fonctionnement tout ou rien on dit que le transistor fonctionne en commutation. - En faisant varier Ib tout en conservant le transistor en rgime linaire on peut utiliser le transistor en amplificateur de courant. 3- Transistor en commutation. Exemple de structure : Ic Rc Ib Rb Vce Ve Vbe Si Ve = 0 le transistor est bloqu. Le transistor est satur si Ic < .Ib, cest dire si Vcc / Rc < .(Ve Vbe) / Rb.
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Vcc

Exemple de commande de relais : Ic Vcc

Ib Ve

Rb Vce Vbe

Le transistor permet de commander le relais en tout ou rien partir du signal Ve. Le relais R comprend entre ses bornes un bobinage que lon peut assimiler une inductance L en srie avec une rsistance r. La diode D est une diode de roue libre qui assure la continuit du courant dans linductance du relais au blocage du transistor. Sans la diode D une surtension destructrice pour le transistor se produirait. 4- Transistor en amplification. Le transistor est un composant unidirectionnel, pour amplifier des signaux sinusodaux il faut donc ajouter une composante continue appele polarisation chaque grandeur qui sollicite le transistor. Alors X = X0 + x o x est le signal amplifier et X0 la composante continue. Il faut dans tous les cas pour un transistor NPN X > 0. Donc la composante continue X0 doit tre plus grande que lamplitude de x. En rgime linaire le principe de superposition est applicable, on distinguera donc ltude de la polarisation et de lamplification des signaux. 41- Modle du transistor en petits signaux : Ic Ib Vce pente Vbe Ie Ib1 Ic0 pente 1/ Ib2 Ic = f(Ib) Vce0 Ic Ic = f(Vce) Ib4 Ib3

Ib pente rbe

Ib0

Vce0

Vce

Vbe = f(Ib)

Vbe0 Vbe

La polarisation fixe Vbe0, Ib0, Ic0, Vce0. Autour de la polarisation se dplace le point de fonctionnement du transistor quand sont appliqus les petits signaux amplifier. Vis vis des petits signaux les proprits du transistor sont dont caractrises par les pentes des tangentes aux points de polarisation. Ce sont les paramtres du transistor en petits signaux. Ils varient en fonction du choix du point de polarisation. On en dduit les quations pour les petits signaux : vbe = rbe.ib ic = .ib ic = .ib + vce/ Conformment ces quations, en petits signaux le transistor peut tre modlis par le circuit lectrique suivant :
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Base

ib rbe vbe

.ib

ic

Collecteur

vce

ie Emetteur

42- Polarisation du transistor : structure 1 Vcc R1 Ic0 Vce0 Ib0 Vbe0 0V R2 Rc R1

structure 2 Vcc Rc Ic0 Vce0 Ib0 Vbe0 Ie0 Re 0V

Dans la structure 1 : Ic0 = .(Vcc Vbe0) / R1 Le point de repos dpend beaucoup de . Mais varie dun transistor lautre bien que la rfrence soit la mme et pour un mme transistor en fonction de la temprature. Ce montage trs simple est donc difficilement utilisable.

Dans la structure 2 : Le pont R1, R2 sur Vcc peut tre remplac par son modle de Thvenin; Vcc Rc Ic0 Rb Vce0 Ib0 Vbe0 Vb Re 0V Ic0 = .(Vb Vbe0) / (Rb + [+1].Re) En choisissant Rb faible devant [+1]Re alors Ic0 (Vb Vbe0) / Re devient pratiquement insensible . Dans la structure 2, le point de polarisation est donc stable en temprature et linterchangeabilit des transistors est possible.
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o Vb = Vcc.R2 / (R1+R2) Rb = R1.R2 / (R1+R2)

43- Amplificateur metteur commun : La structure 2 pour crer la polarisation est retenue. Les petits signaux amplifier sont injects au travers dun condensateur de liaison Ce. Ainsi la polarisation nest pas modifie par le branchement du gnrateur ve. De mme la charge RL est attaque au travers du condensateur de liaison Cs. Le condensateur C permet par sa trs faible impdance par rapport Re dans la bande passante dappliquer ve sur la jonction base-metteur. Vcc R1 Ic Ce Vce Ib ve Vbe RL vs Rc Cs

R2 Re C 0V La source de tension continue Vcc est une source de tension nulle en petits signaux. Pour les petits signaux et dans la bande passante, les condensateurs de liaison Ce et Cs ainsi que C ont des impdances ngligeables devant celles du circuit et la structure se comporte comme le schma suivant : ib ve R1 R2 rbe .ib Rc RL vs

On en dduit : - Lamplification en tension dans la bande passante, Av = vs / ve = - .(//Rc//RL) / rbe. - Limpdance dentre de lamplificateur dans la bande passante, Ze = (R1//R2//rbe). - Limpdance de sortie dans la bande passante, Zs = (Rc//). 44- Amplificateur collecteur commun : Vcc R1 Ic Ce Vce Ib ve R2 Vbe Re RL vs Cs

0V La source de tension continue Vcc est une source de tension nulle en petits signaux. Pour les petits signaux et dans la bande passante, les condensateurs de liaison Ce et Cs ont des impdances ngligeables devant celles du circuit et la structure se comporte comme le schma suivant : rbe ve R1 R2 ib .ib Re RL vs

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On en dduit : - Lamplification en tension dans la bande passante, Av = vs / ve 1. - Limpdance dentre de lamplificateur dans la bande passante, Ze = (R1//R2//[rbe+{//Re//RL}]). - Limpdance de sortie dans la bande passante, Zs = rbe/(+1). Cette structure se comporte en tage suiveur avec une relativement forte impdance dentre et une faible impdance de sortie. 45- Amplificateur base commune : Vcc R1 Ic Ce Vce Ib Vbe ve R2 Re RL vs Rc Cs

0V La source de tension continue Vcc est une source de tension nulle en petits signaux. Pour les petits signaux et dans la bande passante, les condensateurs de liaison Ce et Cs ont des impdances ngligeables devant celles du circuit et la structure se comporte comme le schma suivant (si on considre trs grand) : ib ve Re rbe .ib Rc RL vs

On en dduit : - Lamplification en tension dans la bande passante, Av = vs / ve = .(Rc//RL) / rbe. - Limpdance dentre de lamplificateur dans la bande passante, Ze = (Re//rbe). - Limpdance de sortie dans la bande passante, Zs = Rc. Cette structure se comporte en amplificateur non inverseur. 5- Structures transistors. 51- Montage Darlington : Ic1 Ib1 Vbe Vbe1 Ib2 Vbe2 Vce1 Ic Ic2 Vce

En rgime linaire (Vce>2Volts): Ic = Ic1+Ic2 = 1.Ib1+2.Ib2 = 1.Ib1+2.(1+1)Ib1 1.2.Ib1 La structure fonctionne comme un transistor bipolaire ayant une trs forte amplification en courant. Mais le niveau de saturation Vcesat est lev, Vcesat = Vce1sat + Vbe2 1,5V. Le seuil Vbe = Vbe1 + Vbe2 1,4V.
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52- Etage push pull : +Vcc Ib1 Ib Vbe Ic1 T1 Is

Ve

Ib2 -Vcc

T2 Ic2

Vs

0V T1 et T2 sont des transistors complmentaires de mme amplification . Si Is>0 cest T1 qui travaille IC1 Is et T2 est bloqu Ic2 = 0. Si Is<0 cest T2 qui travaille IC2 -Is et T1 est bloqu Ic1 = 0. En rgime linaire ([Vcc-1Volt] > Vs < [-Vcc +1Volt]), Is .Ib. La structure est un tage amplificateur de courant. Vs = Ve +Vbe. Mais Vbe = 0,7V si Is>0 et 0,7V si Is<0. Il y a donc distorsion du signal Vs par rapport Ve. A ce dfaut prs la structure est suiveur de tension. Si ltage est plac dans la chane daction dun systme boucl, la distorsion en sortie peut tre limine. Par exemple : R R +Vcc T1 + Ve -Vcc Ib Vbe Is

T2

Vs

Ici Vs = Ve et la distorsion est reporte sur la sortie de lALI.

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