Fotodetectores

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La definicin bsica de un fotodetector radica en su funcionamiento como transductor de luz que proporciona una seal elctrica como respuesta a la radiacin ptica que incide sobre la superficie sensora. Existen dos tipos fundamentales de detectores de luz, los trmicos y los fotnicos que operan con mecanismosdetransduccindiferentes. Losdetectorestrmicosabsorben(detectan)laenergadelosfotonesincidentesenformadecalorconlo queseproduceunincrementoenlatemperaturadelelementosensorqueimplicatambinuncambioen suspropiedadeselctricascomoporejemplolaresistencia.Elcambioenestapropiedadelctricaen funcin delflujoradiante recibidoeslo que permite su medida a travs de un circuitoexterior. La mayoradeestaclasedefotodetectoressonbastanteineficientesyrelativamentelentoscomoresultado deltiemporequeridoparacambiarsutemperatura,loqueleshaceinadecuadosparalamayorpartedelas aplicacionesfotnicas.

Esquemabsicodeundispositivofotodetector

Losdetectoresfotnicosnoutilizanla energadelfotnenformade calor,sinoque la inviertenen incrementarlaenergadesusportadoresdecarga,conloquesemodificanlaspropiedadesdeconduccin elctricadelossistemasdetectoresenfuncindelflujodefotonesrecibido.Esteprocesodeconversin implicalatransformacindelosfotonesincidentesenelectrones,peroestarespuestasimplenotendra ningunarelevanciasiesoselectronesnoseponenenmovimientoparagenerarunacorriente,queesla magnitudquerealmente podemosmedir,para elloenocasioneshayque aplicaruncampoelctrico, dandolugaraunesquemacomoeldelafigura4.1.Dadosuorigen,lacorrienteasgeneradarecibeel nombredefotocorriente.Esaestaclasededetectoresalaquenosvamosadedicarenestetema.

Sonlosmsutilizadosenlossistemasdecomunicaciones,ycomoyasehadicho,estnbasadosenla capacidad de ionizacin de un material semiconductor, de forma que los diferentes dispositivosque veremosnosonmsquevariacionesdeestemismoprincipio.Paracaracterizarelcomportamientode estosdetectores,existenunosparmetrosfundamentalesatenerencuentaenelprocesodeseleccin paracadaaplicacinparticular.Estosparmetrosson
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Eficienciacuntica Responsividad Tiempoderespuesta Caractersticasderuido En general, los fabricantes de dispositivos proporcionan datos relacionados con estas caractersticas fundamentales,aunqueenocasionesnosedenstosdemaneraexplcita.Apartedelainformacindelos dispositivoscomodetectoresderadiacin,tambinhayquetenerencuentasuspropiedadeselctricasen virtuddelascaractersticasdecomponenteelectrnicoquepresentan.Alolargodeltemapodremosver algunosejemplosdecmotrabajarconestosdatos. Enprincipio,vamosadarunabrevedescripcindelosparmetrosbsicosenumeradosanteriormente, indicandolosfactoresmsimportantesdequedependencuandoseanecesario.

Sedefinecomolaprobabilidaddequeunfotnincidentesobreeldispositivogenereunpardeportadores quecontribuyenalacorrientedeldetector.Dadoqueengeneraltendremosunaelevadacantidadde fotonesincidiendosobrelasuperficiedeldetector,podemosescribirlaeficienciacunticacomo

(4.2.1) Notodoslosfotonesincidentesgeneranportadoresquecontribuyanala ,losefectosde reflexinenlasuperficie,transparenciadelmaterialalosfotonesdeenergainferioraladel de energa prohibida delmismo,laprobabilidadde absorcincerca de la superficie deldispositivoyla rpidarecombinacindeportadoresenestecasoporlaabundanciadedefectos,hacequelaeficiencia cunticasereduzca.Sitenemosencuentaestosfactores,laeficienciacunticatotalvendrdadapor

(4.2.2)

Enlaexpresin(4.2.2),aparecentrestrminosdiferentesqueafectanaaleficienciacuntica.Elprimero da cuenta de losefectos de reflexinen la superficie del dispositivo, esdecir, de todoslosfotones incidentesunafraccinnopenetraenelmaterial.Elsegundotrmino()hacereferenciaalafraccinde losfotonesincidentesquepenetranenelmaterialgenerandopares yqueevitanlarecombinacin superficialdeportadoresdecarga,conloquecontribuyenalageneracindecorrientetil.Elproblema delarecombinacinsuperficialpuedeminimizarsesiserealizauncrecimientocuidadosodeloscristales queformanlosdispositivos.Finalmente,apareceuntrminoquedacuentadelafraccindefotones absorbidos en el material masivo. Aparecen parmetros tales como el coeficiente de absorcin del material( [cm1])ylaprofundidaddelfotodetector(d[cm]).Laobtencindeestetrminotieneen cuentaelflujodefotonesincidenteo ylosabsorbidosenfuncindelacapacidaddeabsorcindel material(figura4.3).Sitenemosencuentalaexpresindelosfotonesabsorbidos (4.2.3)

esfcilmentededucibleeltercertrminodelaexpresin(4.2.2). Enlafigura4.2puedeverseunarepresentacinesquemticadetodoslosfenmenosqueintervienenen elvalorfinaldelfactordelaeficienciacuntica.

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Factoresqueintervienenenlaeficienciacunticadeunfotodetector Debemosnotarqueelcoeficientedeabsorcinenlaecuacin(4.2.2)dependedelalongituddeonda. Esteesunodelosfactoresprincipalesporlosquelaeficienciacunticadeldispositivoqueutilicemos depender tambin de la longitud de onda. Esta circunstancia da lugar a la necesidad de utilizar diferentesmaterialesdependiendodelrangodelongitudesdeondaadetectar(figura4.3).Enefecto,si >C,nosencontraremoscon<<,porloquenoserposibleladeteccindeesalongituddeonda.Sipor contra << C, se da el fenmeno de absorcin superficial, lo que como ya sabemos hace que la recombinacindeportadoressedeenuntiempotancortoquenosegenera .Enestecaso tambin <<.

Coeficientesdeabsorcinparavariosmaterialessemiconductores

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Esundatoquesuelensuministrarlosfabricantesdedispositivos(figura4.4)yquehacereferenciaala corrientequecirculaporelmismoenfuncindelapotenciapticaincidente.Sicadafotnincidente generaseunpar ,unflujodefotonesproduciraelmismoflujodeelectrones,conloquetendramos una (4.2.4) portanto,unapotenciapticaincidente

(4.2.5) generaraunacorrienteelctrica

(4.2.6)

perodebemostenerencuentalafraccindefotonestilesenlageneracindeesacorriente,yesevalor nosloproporcionalaeficienciacuntica,portanto

(4.2.7) Segnlasdiferentesrelacionesqueaparecenenlaecuacin(4.2.7),Laresponsividadcrececonhasta quesealcanceelvalordelalongituddeondadecorteC.Alpresentarunadependenciacon,los fabricantespuedenproporcionarbienunafiguraconelrangototaldelongitudesdeondaparalasquees tileldispositivo(fig.4.4b)o eldatopara a la a que la responsividadesmxima (fig.4.4a).La responsividaddeldetectorpuededegradarsecuandolapotenciapticaincidenteesmuyelevada.Se produceentonceslasaturacindeldetector,esdecir,sepierdelarelacinlinealentrelapotenciaptica recibida y la corriente generada segn la ecuacin (4.2.7). En general, la responsividad depender tambindefactorescomolatemperaturayelngulodeincidenciadelaradiacinsobreeldetector (figura4.4c). Undatoatenerencuenta esque la responsividadpuederecibirdiferentesnombresenlashojasde caractersticas de dispositivos, as en ocasiones nos encontraremos con que aparece el dato como fotosensibilidad, sensibilidad, sensibilidad espectral, etc. En estos casos siempre es til observar las unidadesqueseofrecen. Algunos dispositivos pueden presentar ganancia, por lo que las expresiones para la corriente y la responsividadde la expresin(4.2.7)puedengeneralizarse sinmsque multiplicarporesefactorde ganancia.

Vaaserunparmetrodecisivocuandolaradiacinincidentevaraeneltiempo.Esundatoquetambin apareceespecificadoporlosfabricantesparacadadispositivoparticular,aunqueengeneralpodemos decir que los fotodiodos y sus variantes van a ser ms rpidos que los fotoconductores, siempre tendremosque referirnosa losdatosde la hojasde caractersticas.La rapidezenla respuesta a las variaciones del flujo de fotones recibido depender del propio material, de las caractersticas constructivasdelcomponenteydelcircuitoelectrnicoalqueseencuentreacoplado.Anconciertas

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precaucionesenelsiguientedato,losvalorestpicosenlarespuestadelosdetectoresfotnicossuelenser inferioresals.Estedatopuedeaparecerenlashojasdeespecificacionesbajodiferentesformas,como tiempodesubidaybajada,comofrecuenciadeoperacin,etc.

a)Valordelasensibilidadespectral(responsividad)paraunalongitud deondafija,b)Valoresrelativosdelaresponsividadenfuncindelalongitudde ondayc)Responsividadenfuncindelngulodeincidencia.

Ya conocemos la respuesta ideal de un fotodetector a la potencia ptica recibida (ec.(4.2.4)). Sin embargoeldispositivotambingeneraunacorrientealeatoriaquefluctaentornoasuvalormedio,y estasfluctuacionespuedenllegarasercrticascuandoennuestraaplicacintengamosbajosnivelesde luz.Entrelasposiblesfuentesderuido,podremosencontrarlallegadadefotonesnodeseadosaldetector, lageneracinespontneadepares (corrientedeoscuridad),ruidodegananciayelruidoasociadoalos circuitoselectrnicosdelreceptor.Alruidodedicaremosunapartadoespecialalfinaldeestecaptulo.

Dentrodelacategoradedetectoresfotnicospodemosencontrarunagranvariedaddedispositivos, cada uno de ellos presentar unas caractersticas particulares. En este apartado, veremos algunos ejemplosdedetectoresteniendoencuentalaspropiedadesmsimportantes.Elconocimientodeestas propiedadespodrayudarnosenlaeleccindelfotodetectoradecuadoparacadaaplicacinconcreta.

Constituyeelcasomssimpledelaaplicacindematerialessemiconductoresaladeteccinderadiacin ptica,puesconsistesimplementeenlaabsorcindeluzporpartedeuntrozodesemiconductorcon contactoselctricos,talycomoapareceenlafigura4.5a.Cuandounfotnalcanzaalsemiconductoryes absorbido,seproducelageneracindeunpar .Lainfluenciadelcampoelctricoquehayentrelos contactosprovocalamigracindeelectronesyhuecoshaciaellos,conloqueseproduceuncambioenla resistenciadelmaterialenfuncindelacantidaddeluzquereciben,esdecir,suconductividadaumenta proporcionalmentealflujodeelectronesrecibido,conloqueseobtieneuna medibleenel circuitodelafigura4.5a.Conestetipodefotodetectoressepuederegistraresafotocorrienteobien medirlacadadetensinenunaresistenciadecargacolocadaenserieconeldispositivo.

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a) Esquema bsico de del funcionamiento de un fotoconductor. b) Configuracinmshabitualparafotoconductorescomerciales. Unaconfiguracinusualdeestaclasededetectoreseslaquesemuestraenlafigura4.5b,dondeelnodo yelctodoseencuentransobrelamismasuperficiedelmaterialdeformaqueeltiempodetransicin entreunoyotroseminimizaaltiempoquesemaximizalatransmisindeluz.Aquencontramosuna caracterstica til para los detectores en general, y es que cuanto menor sea su tamao, su comportamiento en conmutacin ser mejor, aunque esta reduccin en las dimensiones hace que recolectemenosluz. Podemoscalcularelaumentoenlaconductividaddelmaterialporefectodelflujodefotonesincidente .SiVol.=S eselvolumendesemiconductor,sabemosquenotodoslosfotonesincidentesproducenla generacindecorrientetil,paradarcuentadeestoutilizamoselparmetrodelaeficienciacuntica. Latasadegeneracindepares serentonces

(4.3.1) Sieseltiempodevidamediodelosportadoresantesdelarecombinacin,estoquieredecirquelos electrones a un ritmo . /, tal que . es la concentracin de electrones generados por fotones.Enelestadoestacionariolastasasdegeneracinyrecombinacindebenseriguales,porloque podemosescribir

(4.3.2) Estecambioenlaconcentracindeportadoresresultaenuncambioenlaconductividaddelmaterial dadopor

(4.3.3) donde y sonlasmovilidadesdeelectronesyhuecosenelmaterialrespectivamente.Sustituyendo valoresenlaecuacin(4.3.3)podemosverlaproporcionalidadentreelincrementodelaconductividady elflujodefotonesincidente.Operacionesdeelectricidadbsica,nospermitenobtenerapartirdela conductividadyelcampoelctricoaplicado,elvalordela generada

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(4.3.4) donde eseltiempodetrnsitoentreelectrodos,parmetroquedependedelasdimensionesfsicasdel dispositivoydelatensinentreelectrodos.Segnestaexpresin,ysirecordamoslasecuaciones(4.2.7) generalizadas,tendremosqueelcociente debecorresponderalagananciaGdelfotoconductor.Esta gananciaprovienedequelavelocidaddeloselectronesenelmaterialessuperioraladeloshuecos,lo queimplicaqueelelectrnllegaantesalctodoqueelhuecoalnodo.Enesemomentoelnodoemite unelectrnalmaterial,quetambintenderallegarantesalctodoqueelhuecoalnodo,conloquese emitirotroelectrnalmaterial.

Estgobernadaprincipalmenteporladependenciacondelaeficienciacuntica.Aspues,diferentes semiconductores tendrn distintas limitaciones en la longitud de onda de operacin. Detectores fotoconductorespuedenfuncionarbienenelrangodelIR(porencimade=2m). Paraeliminarlaslimitacionesdelosmaterialesintrnsecos(ausenciadedopaje),puedenemplearselos denominadossemiconductoresextrnsecos,queinvolucrenenelfenmenode la fotoconductividada nivelesdeenergadentrodelabandaprohibida.Conestetipodecomponentes,laenergadelosfotones subsceptiblesdeserabsorbidossereduce,conloqueesposibledetectarlongitudesdeondamayores, aunqueestetipodetratamientohacequetengamosqueenfriarlosdetectoresparaevitarelruidotrmico de losmismos.Algunosejemplosde lasensibilidadespectralenfotoconductorescomercialespueden verseenlafigura4.6.

EstlimitadoporeltiempodetrnsitoyporlaconstanteRCdelcircuitoasociado.Eltiempodetrnsito suele ser aproximadamente igual al tiempo de recombinacin de portadores . Tambin podremos encontrarestevalorenlashojascaractersticasdeloscomponentes(figura4.6).

Ejemplo de datos caractersticos y respuesta espectral para un fotoconductor que opera a temperatura ambiente. Est construido con un semiconductordegapvariableHgCdZnTe(hojacompletaenanexo).

Delamismaformaqueenelcasodelosfotoconductores,elfenmenoqueintervieneeslaabsorcinde radiacin por parte de un material semiconductor, generando pares de portadores de carga que contribuyenala .Existendiferentesconfiguracionesparalosfotodiodos,cadaunadeellas concaractersticasespecficas.Enesteapartadovamosaverlasmscomunes,queademspresentan

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propiedadesquetambinencontraremosenfotodetectoresmscomplejos.

Esquemabsicodelfuncionamientodeunfotodiodo Agrandesrasgos,podemosdefinirunfotodiodo aumentaconelflujodefotonesincidente. comounaunin enlaquelacorrienteinversa

En principio, los fotones pueden ser absorbidos en toda la estructura como en el caso de los fotoconductores,peroaquapareceelefectodelaunindeformaqueexisteuncampoelctricointenso enlazonadelauninconladireccin (figura4.7)queescapazdesepararlosparesdeportadores generados rpidamente, disminuyendo asla probabilidad de que se produzcan recombinacionesque impidanlacontribucinalafotocorriente.Serenestazonadondeserdeseablequeseproduzcala absorcin. A temperatura ambiente existe una cierta probabilidad de que se produzcan transiciones espontneasentrebandasanenausenciadeiluminacin,conloquesepuedegenerarunapequea corrientequerecibeelnombredecorrientedeoscuridad.Estacorrientedeoscuridaddependerdela temperaturaydelascondicioneselctricasdeoperacindelfotodiodo(figura4.8).

a)Corrientedeoscuridadenfuncindelatensinaplicadaaldiodoyb) Enfuncindelatemperaturaparaunatensinfija. Eltiempoderespuestaestlimitado,comoeslgico,poreltiempodetrnsitodelosportadoresatravs

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delazonadelaunin,ascomoporlaconstantedetiempodelcircuitoasociado.Hayademsotra contribucinalafotocorrienteporpartedelosportadoresgeneradosfueradelazonadelaunin,pero conciertaproximidadaella.Estosportadorestienenlaposibilidaddealcanzarlazonadetransicinpor mediodeladifusintrmicadentrodelosmaterialesneutros,conloqueelcampoelctricopuedehacer queatraviesenrpidamentelazonadetransicincomunicndolesunaciertaaceleracin.Enestecaso, esosportadoresgeneradosfueradelazonadelauninpuedencontribuiralacorriente.Sinembargo,los procesosasociadosconladifusindeportadoresdentrodelaestructurasonmuylentos,loquehaceque losdispositivosbasadosenfotodiodos nopuedanserutilizadosensistemasquerequierandeunaalta velocidad de conmutacin, aunque en general presentarn un menor tiempo de respuesta que los fotoconductores. Comohemosvisto,lazonaenqueinteresaqueseproduzcalaincidenciadelflujodefotonesdeforma queseconsigalamayoreficienciacuntica,eslazonadelauninozonadetransicin.Peroesazonaes fsicamente muy delgada. Para mejorar las prestaciones del fotodiodo , la idea ms sencilla sera aumentareltamaodeesazonadetransicin,yesoesloquesepretendeconlasiguienteconfiguracin. Comocualquiercomponenteelectrnicobasadoenlaunindesemiconductores,elfotodiodopresenta unacaracterstica Venrgimenestacionarioeiluminado

(4.3.5)

donde eslacorrienteinversadesaturacin.Enlaecuacin(4.3.5)elprimertrminorepresentala corrientedeoscuridad,yseaadeademseltrminodelafotocorriente ,quetienesentidocontrario. Existen tres formatos clsicos de operacin con un fotodiodo: circuito abierto (modo fotovoltaico), cortocircuitoypolarizadoeninversa(modofotoconductivo). Enelmodode (fig.4.9)laluzgenerapares enlazonadelaunin.Loselectrones generadosserecombinanconloshuecosdelazona delazonadetransicinyviceversa.Elresultadoes unincrementodelcampoelctricoqueproduceunfotovoltajeVP atravsdeldispositivoqueaumenta conelflujodefotonesrecibido.Comoenelcasodelosgeneradores,elvalordepotenciaconsumidaes negativo, lo que hace que el fotodiodo se comporte en esta configuracin como una fotopila, que suministrapotenciaapartirdelaluzrecibida.Noesusualencontrarunfotodiodotrabajandodeesta forma,peroestecomportamientobsicoseemplea,conalgunasmodificacionesprincipalmenteencuanto asuextensinyalaoptimizacindelaeficienciacuntica,enlasclulassolaresofotovoltaicas.La responsividadenelcasodelfotodiodoactuandoenmodofotovoltaicopuedeaparecercomoV/Wen lugardelaespecificacinusualdeA/W.

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a)Esquema defotodiodooperandoenmodode circuitoabierto.b) Curvascaractersticas Venestemododeoperacin(faltacurvacaracterstica). Tanto en elcasode considerarfotocorriente,como en elcasode considerar voltaje, la informacin relacionarlasvariacionesenambasmagnitudesconlacantidaddeluzrecibida,talycomopodemosver en la figura 4.10, ejemplo de un fotodiodo de silicio.

Comportamientodeunfotodiodo operandoenmododecircuito abierto. Informacin grfica dependiente de los niveles de iluminacin, y numricaparaunailuminacinfija. Elfotodiodooperandoenmodode (V=0)presentaunesquemabsicocomoeldela figura4.11.Enestecaso,lacorrienteporelcircuitoessimplementelafotocorriente .

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a) Esquema de fotodiodo operando en modo de cortocircuito. b) Curvascaractersticas Venestemododeoperacin Enestecaso,lainformacinproporcionadaporelfabricanteessimplementelafotocorrienteparaun determinado valor de iluminacin (figura 4.12).

Valor de fotocorriente de un fotodiodo operando en cortocircuito. Dadoslosbajosvaloresdesta,sernecesariollevaracabounaamplificacin delamisma. Finalmente,elfotodiodopuedeserpolarizadoeninversa,conloquefuncionaensurgimentpico,el ,talycomoapareceenlafigura4.13a,ysiaadimosunaresistenciadecargacomoenla figura4.13b.

a)Fotodiodoenmodofotoconductivosinresistenciadecarga.b) Conresistencia de carga.Elpuntode operacinse encuentraenlarecta de carga.

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Elcomportamientodelosfotodiodosenrgimendeconmutacin,estdirectamenterelacionadoconel tiempoderespuestadelcomponente.Engeneral,esetiempoderespuestavaadependerdalaconstante RCdelcircuito,porloqueparaevaluarlonecesitamoselvalordelacapacitanciadelaunin(figura 4.14a).Conestedato,podemosescribir

(4.3.6) dondedebemostenerencuentaquetalcapacitanciadependedelatensininversaaquesesometela unin(figura4.14b).CuandoaumentaVR disminuyelaCj conloqueeldispositivoesmsrpido,pero estadisminucinenlacapacitanciaacarreatambinelaumentodelacorrientedeoscuridad,loqueen redunda en la prdida de sensibilidad.

a) Valor mximo de capacitancia de la unin, b) variacin con tensininversaaplicada Engeneral,losfotodiodosoperanconunafuertepolarizacininversaconelobjetivodecrearuncampo elctricointensoenlazonadelaunin,deformaqueaumentelavelocidaddelosportadoresenella reduciendoaseltiempodeltransitorio,adems,seincrementalaanchuradelazonadetransicin,conlo quefacilitamoslaabsorcindefotonesenlazonadeintersalavezquereducimoslacapacitanciadela unin,loquetambincontribuyealincrementoenlavelocidadderespuesta.Todosestosdatosrelativos alfuncionamientodelfotodiodo,suelensersuministradosporlosfabricantes(anexohojascaractersticas) juntoconotrostalescomolascaractersticasdireccionales,datosderuido,etc.Portanto,notendremos msqueestudiarlashojasdecaractersticasparaencontrareldispositivomsadecuadoparanuestros fines. Enalgnmomentodeladiscusinacercadelascaractersticasdelosfotodiodosbsicos,hemoshablado desurelativamentealtotiempoderespuesta,yconseguimosreducirloaplicandounatensineninversa deformaqueelfotodiodofuncionabaenmodofotoconductivo.Unadelascausasporlasquemejoraba enloreferidoaltiempoderespuesta,eraelensanchamientodelazonadelaunin,dondetambinvimos queeradeseablequeseprodujeralaabsorcin.Lapreguntaquesurgeespodemosmejorarlarespuesta deunfotodiodosinnecesidaddeaplicartensioneselevadassobreeldispositivo?.Larespuesta,enel siguientepunto.

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Enestecaso,lazonadelauninseensanchamediantelaadicindeunmaterialintrnsecooligeramente dopadoentrelaszonas y .Conelloconseguimosunazonadetransicinextensaquefavorecela absorcindefotonesysuconversinacorrientetil.Enprincipio,estedispositivo,queaparecedeforma esquemtica en la figura 4.15, puede funcionar bajo las mismas condiciones que el fotodiodo , y presentanunaseriedeventajassobrestos Aumentalaprobabilidaddeabsorcindefotonesdadoelsignificativoaumentodelvolumendematerial absorbente. El ensanchamiento de la zona de transicin disminuye la capacitancia de la misma, con lo que la respuestadeldispositivosermsrpidaporlareduccindelaconstantedetiempoRC. Puedenconseguirsetiemposderespuestadelordendedecenasdeps,correspondienteaanchosdebanda de.50GHz.

Esquemadeunfotodiodo Existenunaseriedeconsideracionesatenerencuantacuandotrabajemosconestetipodefotodiodos segnlaconfiguracinindicadaenelapartadoanterior.Cuandoel operaenmodofotoconductivo tiene problemaspara nivelesde iluminacinbajos,puesla corriente trmica generada esuna fuente bastanteimportantederuido.Paranivelesdeluzsuficientes,estonorepresentaningninconvenientey larespuestaesmsrpidaquesioperaenmodofotovoltaico.Enestemodo,conunamenorcorrientede oscuridadofreceunabuenasensibilidadabajosnivelesdeluz.Elinconvenienteenestecasoeslabaja generada,loquehacequerequieraunainmediataamplificacin. Lasdiferenciasconelcasoanteriorencuantoasuscaractersticaspticasyelctricassonmnimas,por loquenoreproduciremoslasfigurasydatosquepuedenverseenelanexodehojascaractersticas.Como enelcasoanterior,laformamshabitualdeemplearlosesenelmodofotoconductivo,loquehaceque losparmetrossuministradosserefieranasteprincipalmente.

Lainfluenciadelaluzsobrelostransistorestradicionalesesconocidadesdeelmomentodesuinvencin, deahelhechodequeseencapsulenconunmaterialopaco.Losfototransistorespretendenutilizaresa dependenciaconlaluzdeltransistorparasuusocomodetector.Dependiendodedondeseproduzcala incidenciadeluz,segenerarnportadoresendiferenteszonas,yelefectoserdistintosegnlazonaen cuestin.Eldiseoptimorequierequelaabsorcintengalugarenlauninentreelemisorylabase,con loquesegeneraunflujodecorrienteenelcircuitoEB(verfigura4.16)queseamplificaporlaaccin deldispositivocomotransistor

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. Esquemabsicodeunfototransistor Su funcionamiento es bsicamente equivalente al de un transistor NPN convencional, aunque en el diseodefototransistoreselreadelabaseesmsextensaparafavorecerlaabsorcindefotonesy generar corrienteselevadas en la unin BC que se utiliza con polarizacin inversa (la unin BE se polarizaendirecta).Lageneracindeportadoresporpartedelaradiacinincidente,unidaalainyeccin deelectronesporpartedelemisor,produceunacorrientequealasalidadeldispositivovendrdadapor

(4.3.7) Aspues,unfototransistorpuedeentendersecomountransistorbipolarconsusmismaszonasdetrabajo, controladoporlaradiacinincidenteenlareginactivadelabase. OfrecelaventajadeunmenorruidoymayorsealdesalidaquelosAPD,sinembargosuresponsividad esinferioraladelosAPDy .SurespuestaespectralesadecuadaenelrangodelvisibleyNIR,conlo quesuelenutilizarseensistemasdecontrolremoto,dealarma,etc. En ocasiones, los fototransistores se emplean como componentes de circuitos integrados. En esta configuracinrecibenelnombredeIPD(IntegratedPreamplifiedDetectors)odetectoresOPIC(Optical IntegratedCircuit). Suscaractersticasvanaserunamezcladepropiedadespticasyelctricas,siendoestasltimaslas tpicaspara un transistor convencional, aunque lasfamiliasde curvas que aparecen en las hojas de caractersticasestarnasociadasaciertosnivelesdeiluminacin. As,susensibilidadespectralvaaseranlogaaladeunfotodiodoconelmismomaterialdelabase, dependientedelalongituddeonda,latemperaturayelnguloderecepcin(figura4.17).

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Parmetrosdesensibilidaddeunfototransistor Su caracterstica de salida = (VCE) es igual que la de un transistor NPN, pero el parmetro que aparecerserlairradianciaenlugarde lacorrientedebase(figura 4.18).Mientrasnosesuperela tensinderuptura,elefectodeVCE sobre esdespreciable.Cuandotrabajemosconunfototransistor, habrquetenercuidadoconlacargaaplicadaparaevitarqueelpuntodetrabajosesiteporencimade losvaloresfijadosporlapotenciadisipadaaunatemperaturadada.LavariacindelapotenciaconT tambinesundatoqueobtendremosenlashojascaractersticas.Entodocaso,convienerecordarquela potenciadisipadaporeltransistoresfuncinde yVCE. Laresponsividaddelosfototransistoresesbsicamenteigualqueenlosfotodiodos(ecuacin(4.2.7)). Paraelcasodefototransistoresoperandoenlazonaactiva,deberemosaadirelfactordeganancia,que dependerdeTy,deformaque

(4.3.8) Cuandoelfototransistorseencuentraenestadodecorte(Ee=0),existeunapequeacorrientedefugas quecirculaentreelcolectoryelemisor .Estacorrienteconstituyelacorrientedeoscuridadenlos fototransistores, y es equivalente a la o simplemente de transistores bipolares.

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Caractersticadesalidadeunfototransistor Laslimitacionesbsicasalavelocidadderespuestaenlosfototransistoresprocedefundamentalmentede lacapacidaddelauninBC.Aefectosprcticos,podemosconsiderarqueestacapacidadseincrementa porelfactordeamplificacin FE,conloquesirecordamoslaexpresin(4.3.6)tendremosparaestecaso que (4.3.9) Sobrelosvaloresde y ,podremosencontrarinformacingrficaenlashojasdecaractersticaspara nivelesdeVyTfijos.

Estaclasedefotodiodosgenerauna deportadoresenmovimientoapartirdelaincidenciadeun fotn, con lo que amplifican la seal durante el proceso de fotodeteccin.

a) Esquema de un fotodiodo de avalancha. b) esquema del funcionamientodeunAPD. Ensuformabsica,unAPDesundiodo conunafuertepolarizacininversa(puedellegaraserdel

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orden de miles de Voltios frente a los . 3V de un fotodiodo convencional). La principal diferencia estructural es que la zona intrnseca se dopa ligeramente de tipo p y se la renombra como capa . Tpicamenteesmsanchaqueunazona ysediseadeformaqueelcampoelctricoatravsdeellasea lomsuniformaposible,comoseveenlafigura

DistribucindelcampoelctricoenunAPD Losfotonesatraviesanlaunin (quesefabricamuydelgada)ysonabsorbidosenlacapa,donde segeneranlospares .Elpotencialelctricoenestacapaessuficienteparaarrastraralosportadores hacialoscontactoselctricos.Enlasproximidadesdelaunin elcampoelctricoestanintenso (figura4.20)queloselectronessonfuertementeaceleradosconloqueaumentasuenerga.Cuandoestos electronesrpidoscolisionanconlostomosdelaredcristalina,segenerannuevospares ,proceso conocidocomoionizacinporcolisin.Estosparesdeportadoresasgeneradostambinsonacelerados conloquetantoloselectronescomoloshuecospuedencontribuiralprocesodemultiplicacin. El problema que nos encontramos es cundo se detiene el proceso?. Para controlar el proceso de avalancha,loquesesuelehaceresdisearlosdispositivosdeformaqueslounodelosportadoressea capazdeionizar,deformaquealcabodeciertotiempotodosesosportadoresalcanzanlaparte dela zonadetransicin( enelcasodehuecos). Podemosexpresarlagananciadeldispositivopormediodelaecuacin

(4.3.10) donde representa la tasa deionizacin,definida comoelcociente entre loscoeficiente de ionizacin huecos y electrones respectivamente. El coeficiente de ionizacin es un parmetro que representalaprobabilidaddeionizacinporunidaddelongitud. Aspues,resumiendolascaractersticasdelosAPD,podemosdecirquelaaltasensibilidadesunodelos motivosfundamentalesparasuutilizacin,puesunsolofotnpuedegenerarunasealdetectableporel circuito asociado. La velocidad de respuesta va a estar limitada (ecuacin (4.3.11)), como en casos anteriores,poreltiempodeltransitorioylosefectosRC.Lareduccindelacapacitanciaesunfactor quecontribuyealaumentodelavelocidad,perohayquetenerencuentaeltiempodegeneracindela avalancha,queesunvalorintrnsecamentealeatorioloquehacedelAPDundispositivointrnsecamente ruidoso.Mximeteniendoencuentaquelaavalanchaafectaatodosloselectroneslibres,incluidoslos generados trmicamente. Tambin las altas tensiones de polarizacin pueden causar episodios de ionizacinespontnea,loqueincrementaanmselruido.

(4.3.11)

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Estetipodefotodiodoestarespecialmenteindicadoenaquellasaplicacionesenlasquelasensibilidad sealomsimportante,comoporejemploenaquellasenqueserequieraunreaextensadedeteccino efectuar sta a larga distancia. Sin embargo, si lo que se pretende es aunar la velocidad con la sensibilidad,esmstilutilizarfotodiodos conpreamplificacin.

Estnbasadosenlauninentreunmetalyunsemiconductor(existelavariantedelaconfiguracin MetalSemiconductorMetal),conloqueunodeloscomponentesdelaunin sesustituyeporunmetal, talycomoseveenlafigura4.21.Actualmentenosonmuyutilizadosdeformacomercial,aunquesi estnsiendoobjetodeinvestigacindebidoaciertascaractersticasmuyprometedoras. En principio existe un elevado nmero de materiales semiconductores que podran utilizarse en la deteccin dadas sus buenas caractersticas de eficiencia, pero no pueden emplearse en las configuracionesde o acausadelasdificultadesparasudopaje.Tambinexistenproblemasenlas estructuras de fotodiodo por la necesidad de casamiento del parmetro de red cristalina en la construccindelasuniones,esteproblemasesalvaconlautilizacindelmetal,quealsertambinun buenconductorfacilitalasalidadeelectronesdelauninminimizandolosproblemasderecombinacin. Conelloseconsigueunaumentoenlaeficienciadeldispositivoylavelocidadderespuesta.

Fotodiododeuninmetalsemiconductor

Unaformadeconseguirunaaltaeficienciacunticaaltiempoqueunamuyaltavelocidadderespuesta, consisteenutilizarfotodetectoresdecavidadresonante(RECAP).Enstos,unfotodiodo conuna capaintrnsecadelgada,sesitaenelinteriordeunacavidadFabryPerotcomoenlafigura4.22.El hechodequelacapaintrnsecaseadelgadahacequelavelocidadderespuestaaumente.Paramantener laeficienciadeldispositivo,loquesehaceesquelaluzpaseporesacapaungrannmerodeveces,de forma que la probabilidad de absorcin tambin aumenta. La cavidad resonante que forman los reflectoresdeBraggdelafigura4.20esaltamenteselectivaen,conloqueeldetectortambinloser. Laaplicacindeestetipodedetectoresapareceenlosmodernossistemasdecomunicacionespticas basadosenWDM.

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Fotodiodoresonante

Hastaelmomentonoshemosconcentradoenladeteccindeluz,principalmentecentrndonosenlas caractersticasderecepcinanconciertaslimitacionesencuantoaladireccindesdedondepodamos recibirla, parmetro que podamos encontrar en las hojas de los componentes bajo en nombre de ocaractersticasdireccionales deformaquetodalaradiacinincluidadentrodelconode aceptacindelfotodiodoseconvierteensealdesalida(fotocorrienteengeneral)independientemente desuorigen. Enocasiones,ademsdelaintensidaddelaradiacinrecibida,tambineltilconocerlaprocedencia espacialdelhazquesedetecta,esdecir,desdedondenosllegalaluzemitidaporunafuenteoreflejada enunasuperficie.Elfuncionamientobsicoesanlogoaladelosfotodetectoresqueyaconocemosen cuantoaalinteraccinconlaradiacin,aspueslaestructurabsicadelosPSDsercomoladelos fotodiodos o .La diferencia aparece enla construccinde losdispositivos,loque nosvana permitiridentificarelpuntodeincidenciadelhazdeluzenfuncindelascaractersticasdelassealesde salida. En principio vamos a encontrar dos formatos clsicospara este tipo de detectores, en uno de ellos denominado encontraremos solo un elemento detector, mientras que en el caso de los detectores lasealtotalprocederdeunconjuntodedetectoresidnticoseindependientes.

Apartedelcomportamientousualdelosfotodiodos,lainclusindeelectrodosenfrentadosentresi,hace que se produzca un efecto lateral, de forma que la fotocorriente que se genera es inversamente proporcionalaladistanciaalelectrodo,siempreycuandolaresistividaddelazona (figura4.23)sea uniforme,condicinquesevaacumplirentrminosgenerales.

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Detectordeposicinunidimensionalycontinuo Dentro de los detectores de posicin continuos, podemos distinguir dos casos, los que son comoeldelafigura4.21,enquesetomacomopuntodepartidaunfotodiodo operandoenmodofotoconductivo,ytalqueelespesordelazonadetransicinesconstante,conloque tiene una capacidad por unidad de superficie fija. Los valores de la corriente que circula por los electrodosdelafigura4.23,presentanciertadependenciaconeldesplazamientodelpuntodeincidencia deluzrespectoalorigen,quetomamosenelcentrodeldetector

(4.4.1) dondeIo=I1+I2eslafotocorrientetotalgeneradaqueyaconocemos,y esladistanciaentreelectrodos. Una simple operacin algebraica nos dice a que distancia del origen ha incidido el haz de luz

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(4.4.2)

Detectordeposicinbidimensionalycontinuo Una modificacin de estos detectores nos permite situar el punto de incidencia en el plano, nos encontramos entonces con detectores . Las configuraciones ms usuales tienen la disposicindeuncuadrado,conloselectrodosenfrentadosdosados.Enelejemplodelafigura4.24 apareceundetectorbidimensionaldetipocuadrado.Enestecaso,utilizandounrazonamientoanlogoal casounidimensional,podemosdeterminarlascoordenadasenelplanodelpuntodeincidencia,resultando

(4.4.3)

Unaevolucindeesteejemplo,eseldetectortipo (figura4.25)queofrecemejoratantoenla superficie sensora como en los electrodos. En este caso, la posicin en el plano vendr dada por

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Detectordeposicintipo

Comoyasehadicho,secaracterizanporestarformadosporunaseriedeceldasoelementosdetectores con un nico electrodo, de forma que actan prcticamente como fotodiodos independientes. En el diseodeestaestructurahayquetratardequelaseparacinentrelosdiferentesdetectoressealoms pequeaposible,deformaqueelimpactodelaluzsobreelPSDsiemprealcanceaalgunodelosdiodos.

Detectoresdeposicinsegmentadosa)unidimensionalyb) bidimensional Al igual que en el caso de PSD continuos, podemos encontrar detectores de posicin segmentados enlosqueloselementossensoressedisponenunoacontinuacindelotro(figura 4.26a)o (figura4.26b).Aunqueexistenunagranvariedaddeejemplosdeambasclases, los ms significativos son los y los de (figura 4.27a y 4.27b).

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Detectoresdeposicina)biceldayb)cuadrante Enelcasodeldetectorbicelda,laposicindelhazincidentesedeterminaatravsdelarelacin

(4.4.5) mientrasqueencasodeldetectordecuadrante,laposicinrespectoalorigensituadoenelpuntode cortedelasdoslneasqueseparanloscuatrosegmentos

(4.4.6) Hayquenotar,queparaunadeteccinprecisadelaposicindelhazincidente,enocasionesconviene desenfocarelhaz,deformaqueincidasobrediferenteselementosdeldetector.Siincidesobreunosolo deellos,conoceremosaproximadamentesuposicinconlaincertidumbredeltamaodelelemento.Una alternativa, ms costosa pero en ocasiones ventajosa, ser la de aumentar el numero de detectores reduciendosutamao,loquecomosabemos,puedecontribuiraaumentarlavelocidadderespuesta.

Ya conocemos como es el comportamiento ideal de un fotodiodo o cualquiera de sus variantes (ecuaciones(4.2.4)(4.2.7)).Peroencondicionesrealesdefuncionamientosiemprevamosaencontrar unafluctuacinaleatoriaentornoaunvalormedioenlacorrientedesalidadelosdispositivos.Estas fluctuacionesconstituyenloquesedenominaruido,yhayqueserespecialmentecuidadosocuandonos encontremosoperandoconbajosnivelesdeirradiancia,loquesetraducegeneralmenteenbajosniveles enlacorrienteproporcionadaporlosdispositivosfotodetectores. Enlossistemasderecepcinderadiacin,vamosaencontrardiferentesfuentesderuido.Unaparte proceder delospropiosfotodetectores,mientrasqueotraser consecuencia delcircuitoelectrnico asociadoal.Comonormageneral,veremosqueenlossistemasdemayorcalidadyrendimiento(ypor tanto,mscaros)laaportacinfundamentalalruidoserladeldetector.Porelcontrario,ensistemasde menorsensibilidadycoste,lainfluenciamsimportanteenelruidoserladelcircuitoasociado.

Ladescripcindelasfluctuacionesdeunasealserealizaatravsdeunparmetroestadsticocomoes ladesviacinestndar respectodelvalormediodelaseal.Ladefinicindeestadesviacinestndar serealizaatravsdelvalorcuadrticomedio

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(4.5.1)

dondeenestecasoelsubndice hacereferenciaalacorriente,aunqueengeneralpuedeaplicarsea cualquiermagnitudsobrelaqueefectuemoslamedida. Paraelcasoparticularenqueelvalormediodelacorrienteseanulo,ladesviacinestndarcoincidir conelvalorrmsdelaseal. Lascontribucionesalruidototal,procedentesdefuentesderuidoindependientes(nocorreladas),se superponenentrminosdepotencia.SiporejemploconsideramosunsistemaconNfuentesderuido independientes,elruidototalser

(4.5.2) Paralacaracterizacindeunsistemareceptorderadiacinsuelenemplearsediferentesmagnitudes.La magnitudfundamentalqueseempleaeselcocientesealruido ( ignalto oise atio)queparael casodedetectoresenIRyvisiblese definecomoelcocienteentreelvalormediodelasealyla desviacinestndardelamisma

(4.5.3)

Elruido,tambinpuededescribirseatravsdesupotenciaespectral (oPSDeningles),definida comolapotenciadelruidoporunidaddefrecuencia[W/Hz].Estamagnitudproporcionainformacin acercadelasfuentesderuido,puestoquecadaunadeellaspresentauncontenidoespectraldiferente (figura4.28).Estatendenciaespectralpermiteelegirlafrecuenciademodulacinalaquepuedetrabajar undeterminadosistemaenunrangodefrecuenciasestrecho(porej.unsistemadecomunicaciones),o loslmitessuperioreinferiorparaunsistemaconamplioanchodebanda. Segn la figura 4.28, para frecuencias inferiores a 1KHz, domina el ruido de tipo 1/ . En el rango intermediolacontribucinprincipalcorrespondealruidodedisparoodegeneracinrecombinacin.En esterango,laDEPesprcticamenteplanahastaelvalordefrecuenciadadoporelinversodeltiempode vidamediodelosportadores,quepuedeoscilarentrelos20KHzy1MHz.Porencimadeestosvalores, elruidoesfundamentalmentedetipoJonsonoporcausadelamplificador.Enesteltimorango,laDEP tambinesprcticamenteplanahastafrecuenciasmuysuperioresalasdeintersensistemasdetectores. Enlamayoradelosclculosparanuestrosfines,seconsideraqueelruidoesblanco,esdecirconuna DEPplana.Conestaconsideracin,lapotenciatotaldebidaalruidoesproporcionalalanchodebanda. , conloqueladesviacinestndarloseralarazcuadradadelanchodebanda.Estadependenciaconel ancho de banda implica que si se promedia la seal en un intervalo ms largo de medida, elruido disminuir.

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Distribucinespectraldelruido Laevaluacindelrendimientodeundetector,demaneraqueseaposiblepredecirsuvalordeSNRpara undeterminadovalordepotenciapticaincidentevaaestarrelacionadaconotramagnitudqueeslaque usualmenteofrecenlosfabricantesensusespecificaciones.EstamagnitudeslaPotenciaEquivalenteal Ruido ( oise quivalent ower)definidacomoelflujoopotenciapticaincidenteparadarlugara una respuesta igual a la desviacin estndar del ruido, es decir, la potencia ptica incidente que proporcionaunSNRunidad,aunquetambinpuedeinterpretarsecomolamnimacantidaddepotencia pticadetectable.Elverdaderoflujoincidenterequeridoparaqueeldetectoractadeformaaceptable dependertambindelasespecificacionessobreelvalordeSNR,quehabitualmenteestdeterminado porlatasadesealfalsaylaprobabilidaddedeteccin.Conestasconsideraciones,encontraremosel valordelNEPcomo

(4.5.4) deformaqueamenorNEP,mayorsensibilidadomayorSNR. UnaformaalternativadeescribirelNEP,esutilizarlosvaloresderesponsividadydesviacinestndar

(4.5.5) OtramagnitudrelacionadaconelNEPquepodemosencontrarenlasespecificacionesdeunfotodiodoes la DetectividadNormalizada . cuyovalor esinversamente proporcional alNEP normalizadoporla superficiedeldetectorydelanchodebanda,

(4.5.6)

lo que define una figura de mrito independientemente del ancho de banda de la medida y de la superficiedeldetector.Undatoatenerencuenteescuantomayorseaundetectorymsvolumentenga, mayorserlacantidadderuidoquegenere.

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D. esunacaractersticatilparapodercompararelrendimientodedistintosmaterialesyprocesosde fabricacin,independientementedelanchodebandaydelasuperficiededeteccinrequeridaparauna determinadaaplicacin. AtravsdeD.,podemoscalcularelvaloresperadodeSNR

(4.5.7)

paraloquedeberemosespecificarelreadeldetectordeacuerdoconlasespecificacionespticasdel sistemaencuantoalcampodevisinqueeseltamaoangularcubiertoporunsistemaptico

(4.5.8) yalahuelladeldetector(resultantedellevareldetectoralespacioobjetodemaneraqueactacomo diafragmadecampo)

(4.5.9) Elritmodeadquisicindedatosdeterminarelvalordelaanchuradebanda,conloquefinalmente

(4.5.10)

Yaconocemosalgunasfuentesderuido,comoeselcasodelacorrientedeoscuridad.Tambinhemos nombradoalgunasenelapartadoanteriorcuandonosreferimosaladensidadespectralderuido.Aqu, vamosarealizarunabrevedescripcindestas,incidiendoensuorigenysuevaluacin.

Enprimerlugar,hayquedecirqueelprocesodellegadadefotonesaundetectoresaleatorio,ysu nmerofluctuardeacuerdoaunaleydeprobabilidadquedependerdelanaturalezadelafuente.Para loscasosdeinters,estaleyeslaleydePoisson

(4.5.11) enlaqueelvalorcuadrticomedion2esigualalnmeromediodefotones

(4.5.12) Estapropiedadentroncaconlanaturalezacunticadelprocesodedeteccin,deformaquenoesposible fraccionarelnmerodefotonesquelleganaldetector,niporconsiguiente,elnmerodeportadores

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generados.Esdecir,ohayexcitacinonolahay,teniendoencuentaotroprocesoprobabilisticocomoes laeficienciacuntica.VamosaencontrarpuesfluctuacionesqueafectanalvalordeSNRyquesern especialmenteproblemticasanivelesbajosdeirradiancia.Aestasfluctuacionesselasconocecomo ruidodedisparoo ,ysemanifestarnendispositivosenlosquelosportadoresgeneradosporlos fotonesincidentes,debensuperarunabarreradepotencialparacontribuiralafotocorriente,mientras queelruidodedisparosernuloenaquellosdispositivosporlosquenocirculecorriente. DadoquelaprobabilidaddegeneracindecorrientecumpleconlaleydedistribucindePoisson,la desviacinestndardelafotocorrientegeneradaserproporcionalalarazcuadradadelvalormediode esacorriente.Siademstenemosencunetaeltiempodeintegracindeldetector,podemosescribir

(4.5.13) dondepodemosverquelainfluenciadelruido irradianciapues semanifestarprincipalmenteanivelesbajosde

(4.5.14) conloquevemosque amayorfotocorriente,mayorruido(ec.(4.5.13)),perotambinaumentar el cocienteSNR. Ademsdelosportadoresgeneradosporlafuentequenosinteresamedir,tendremosotrasaportaciones no deseadas a la corriente total de salida del dispositivo, entre estas aportaciones se encuentran la corrientedeoscuridadylaradiacindefondo,quesesumarnalafotocorrientesinqueseaposible restarsucontribucincomocomponentesconstantes,puestambinaellasleafectaelruidodedisparo. Altenerencuentaestosfactores,tendremosquesustituirenlasexpresiones(4.5.13)y(4.5.14)

(4.5.15) Endetectoresenlosquenohaybarreradepotencial,comoeselcasodelosfotoconductores,elruidode disparosesustituyeporelruidodegeneracinyrecombinacin.Ambosprocesossonaleatoriosporlo que se suman en cuadratura, proporcionando un ruido de mayor amplitud que el de disparo. As la desviacinestndardelaecuacin(4.5.13)aparecermultiplicadapor.2,porloqueenigualdaddel restodefactoresdelsistema(flujodefotones,eficienciacuntica,anchodebanda,etc)lossensores fotnicospresentarnunmayorSNRquelosfotoconductores.

ElruidoJonsontieneunorigenestrictamentetrmicoqueafectaprincipalmentealoscomponentesdel circuitoasociadoalsistema.Medianteargumentosestadsticos,puededemostrarsequeunaresistenciaR aunatemperaturaT,presentaunacorrientealeatoria (t)cuyovalorpromedioesnulo,ysudesviacin estndares

(4.5.16) valorquehabrquesumaralrestodecontribucionesalruido(ecuacin(4.5.2)).

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Elruido1/ aparececuandotenemosunacorrientedepolarizacinatravesandoelcircuito.Estaclasede ruidotieneunadensidadespectraldepotenciainversamenteproporcionalalafrecuencia,conloqueser dominanteafrecuenciasbajas,pordebajode1KHz

(4.5.17) Lohabitualparaestoscasosesemplearunfiltroelectrnicoparaeliminarlasfrecuenciasbajasdela seal. Encasodecontarcondetectoresconganancia,habraquetenerlaencuentaenladesviacinestndar asociada acada tipoderuido.Comoelpropioprocesodegananciatambinesaleatorio,habrque considerarlasfluctuacionesdegananciaatravsdelfactordeexcesodeganancia

(4.5.18)

deformaqueseemplearelvaloremediodelagananciayestefactorFenlaecuacin(4.5.13),deforma que

(4.5.19) Porejemplo,paraelcasodeunAPD,elvalordelexcesodegananciavienedadopor

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