Diodos de Potencia

Diodos de uso general. Diodos de recuperacin rpida. Diodos Schottky. Diodos de uso general
Estos tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente grande, en el caso tpico de unos 25 uS, y se usan en aplicaciones de baja velocidad, donde el tiempo de recuperacin no es vital.

Caractersticas
IFAV: 1A 6000 A VRRM: 400 3600 V VFmax: 1,2V (a IFAVmax) Trr: 10 s

Aplicaciones:
Rectificadores de Red. Baja frecuencia (50Hz).

Diodos de recuperacin rpida

Tienen tiempo de recuperacin por debajo de los 5 uS. Se usan en circuitos convertidores de DC a Dc y de DC a AC, donde la velocidad de conmutacin tiene importancia crtica.

Caractersticas:
IFAV: 30A 200 A VRRM: 400 1500 V VFmax: 1,2V (a IFAVmax) Trr: 0,1 - 10 s

Aplicaciones:
Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz). Inversores. UPS. Accionamiento de motores CA.

Diodos Schottky
El problema de almacenamiento de carga de una unin PN se puede eliminar o minimizar en un diodo Schottky. Esto se logra estableciendo un potencial de barrera con un contacto entre un metal y un semiconductor.

La carga recuperada de un Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente de unin PN ya que solo se debe a la capacitancia de la unin es bastante independiente de la di/dt inversa. Un diodo Schottky tiene una cada de voltaje relativamente baja en sentido directo. La corriente de fuga de este tipo de diodo es mayor que la de uno de unin PN. Diodos de Carburo de Silicio El carburo de silicio es un material relativamente nuevo en la electrnica de potencia. Sus propiedades fsicas mejoran mucho las del Si y del GaAs. Por ejemplo, los diodos Schottky de SiC tienen perdidas ultrabajas de potencia, y gran fiabilidad. Tambin tienen las siguientes propiedades: No tienen tiempo de recuperacin inversa. Comportamiento ultrarapido en conmutacin. La temperatura no influye sobre el tiempo de conmutacin.

Diodos de Aplicaciones especiales.

Son diodos con caractersticas muy definidas y especiales.

Diodos para alta tensin.

Caractersticas IFAV: 0,45A 2 A VR: 7,5kV 18kV VRRM: 20V 100V Trr: 150 ns Aplicaciones Aplicaciones de alta tensin.

Diodos para alta corriente.

Caractersticas IFAV: 50A 7000 A VRRM: 400V 2500V VF: 2V Trr:10 s Aplicaciones Aplicaciones de alta corriente Las caractersticas ms importantes a tomar en cuenta de los diodos las podemos agrupar de la siguiente forma:

Caractersticas estticas:
Parmetros en bloqueo Tensin inversa de trabajo (VRWM):Tensin inversa mxima que puede ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM):Tensin inversa mxima que puede ser soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido. Tensin inversa de pico nico (VRSM):Tensin inversa mxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 min o ms, con duracin de pico de 10ms. Tensin de ruptura (VR):Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas. Parmetros en estado de conduccin

Intensidad media nominal (IFAV):Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 que el diodo puede soportar con la cpsula mantenida a determinada temperatura (110 C normalmente). Intensidad de pico repetitivo (IFRM):Mxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duracin de pico de 1ms a determinada temperatura de la cpsula. Intensidad de pico nico (IFSM):Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms

Caractersticas dinmicas:
Tiempo de recuperacin inverso (Trr). Influencia del Trr en la conmutacin. Tiempo de recuperacin directo. Tiempo de recuperacin inverso: El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un el diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores. Ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. Tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste. Trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb. La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Influencia del Trr en la conmutacin: Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable: Se limita la frecuencia de funcionamiento. Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa. Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida. Factores de los que depende Trr: A mayor IRRM menor Trr. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser Trr.