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FSICA PARA COMPUTAO II Prof.

Osny Rodrigues

SEMICONDUTORES - NOES BANDAS DE ENERGIA Nos materiais, como os tomos no esto isolados, as foras de interao entre os mesmos so significativas. Isso provoca uma alterao nos nveis de energia acima da valncia. Podem existir nveis de energia no permitidos, logo acima da valncia. Para que um material conduza eletricidade, necessrio que os eltrons de valncia, sob ao de um potencial eltrico aplicado, saltem do nvel de valncia para um nvel ou banda de conduo. Conforme mostramos abaixo, em um material condutor no existem nveis ou banda de energia proibida entre a conduo e a valncia e, portanto, a corrente flui facilmente sob a ao do campo eltrico.

J um material isolante tem uma larga banda proibida entre a valncia e conduo. E dificilmente haver conduo da corrente. Os semicondutores possuem bandas proibidas com larguras intermedirias. Isto significa que podem apresentar alguma conduo, melhor que os isolantes mas pior que os condutores. IMPUREZAS Sabemos que, a capacidade de um tomo de se combinar com outros depende do nmero de eltrons de valncia. A combinao s possvel quando este nmero menor que 8. Elementos com 8 eltrons de valncia no se combinam. So estveis e inertes. Tomando com exemplo o silcio, que o semicondutor mais usado e tem 4 eltrons de valncia, temos: No estado puro, cada par de eltrons de tomos distintos formam a chamada ligao covalente, de forma que cada tomo fica no estado mais estvel, isto , com 8 eltrons na camada externa. O resultado uma estrutura cristalina homognea conforme figura. Entretanto, quando certas substncias, chamadas impurezas so adicionadas, as propriedades eltricas so radicalmente modificadas. Se um elemento como o antimnio, que tem 5 eltrons de valncia, for adicionado e alguns tomos deste substiturem o silcio na estrutura cristalina, 4 dos 5 eltrons iro se comportar como se fossem os de valncia do silcio e o excedente ser liberado para o nvel de conduo O cristal ir conduzir e, devido carga negativa dos portadores (eltrons), denominado semicondutor tipo n. Observe que o material continua eletricamente neutro pois, os tomos tm o mesmo nmero de prtons e eltrons. Apenas a distribuio de cargas muda, de forma a permitir a conduo. Vamos analisar a situao inversa conforme. Uma impureza com 3 eltrons de valncia (alumnio (Al), por exemplo) adicionada. Alguns tomos de silcio iro transferir um eltron de valncia para completar a falta no tomo da impureza, criando um buraco positivamente carregado no nvel de valncia e o cristal ser um semicondutor tipo p, devido carga positiva dos portadores (buracos). 1

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Juno PN (diodo de juno) Se um semicondutor tipo P colocado junto a um do tipo N, na regio de contato, chamada juno, haver a formao de uma barreira de potencial. Sabemos que, no estado normal, o semicondutor eletricamente neutro pois os tomos tanto do semicondutor quanto da impureza tm iguais nmeros de eltrons e prtons. Na juno, os eltrons portadores da parte N tendem a ocupar buracos na parte P, deixando esta com um potencial negativo e a parte N com um potencial positivo e, assim, formando uma barreira potencial Vo. Assim, a polaridade da barreira de potencial mantm os eltrons na parte N e os buracos na parte P (Fig A). Se um potencial externo V > Vo for aplicado conforme Fig B, o potencial de barreira ser quebrado e a corrente elevada pois existem muitos eltrons em N. Diz-se ento que a juno est diretamente polarizada. No caso de inversamente polarizada, Fig C, o potencial de barreira ser aumentado, impedindo ainda mais a passagem de eltrons e a corrente ser pequena. Este conjunto, chamado diodo de juno, funciona como um retificador. No grfico ao lado uma curva tpica (no em escala) e o seu smbolo. Note que, acima de um pequeno valor de polarizao direta, a corrente aumenta bastante, na realidade de forma exponencial, dada por: I = C e-e(Vo-V)/kT. Onde C uma constante que depende da juno, k a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta. A polarizao inversa tem limite. Acima de um determinado valor ocorre o efeito avalanche, rompendo a barreira de potencial e a corrente sobe quase na vertical. Este fato usado em reguladores de tenso (diodos zener).

Juno NPN (transistor de juno) Um dispositivo formado por duas junes PN contrapostas conforme figura, se adequadamente polarizada e construda segundo alguns critrios, tem a funo de amplificador e chamado transistor de juno NPN. A juno base-emissor polarizada diretamente pela fonte Vbe. A juno base-coletor polarizada inversamente pela fonte Vce. Vce significativamente maior que Vbe. Exemplo: 6V e 1V. A base fisicamente delgada e tem uma concentrao de impurezas menor que os semicondutores N do emissor e coletor. Desta forma, o fluxo de eltrons vindo do emissor tem pouca probabilidade de combinao com os buracos na juno da base para formar Ib e a maior parte rompe a polarizao inversa da juno base-coletor devido ao campo eltrico maior de Vce. Ou seja, a polarizao baseemissor atua como um acelerador do fluxo e controla a corrente Ic, fazendo o efeito da amplificao.Pelo circuito pode-se concluir que Ie = Ib + Ic. Em casos prticos, Ib pode ser 5% ou menos de Ie e Ic, 95% ou mais, ou seja, a amplificao considervel. No canto esquerdo superior da figura, o smbolo normalmente usado para este componente.

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JUNO PNP O transistor de juno PNP o inverso do anterior. O coletor e emissor so semicondutores tipo P e a base tipo N. A operao similar do anterior, observada a inverso de portadores de cargas e polarizaes das junes. JUNO PNPN Um dispositivo com duas junes de silcio PN conforme figura chamado retificador controlado de silcio (sigla SCR, do nome em ingls). Note que, no circuito dado, as junes externas so polarizadas diretamente e a central, inversamente. Ele pode ser considerado como a combinao de um transistor NPN com um PNP conforme indicado. Estes dispositivos so bastante utilizados para o controle de cargas de alta potncia como rotao de motores de corrente contnua, resistncias de aquecimento, etc. UNIJUNO Uma barra semicondutora tipo N com dois contatos B1 e B2 e uma juno P conforme Fig 13 o transistor de unijuno. Na altura da juno P haver uma tenso na barra que depender da resistncia hmica desta e de Vb. Enquanto Ve for menor que esta tenso, a juno do emissor estar inversamente polarizada e, portanto, a corrente ser nula ou prximo disso. Se Ve aumenta de forma que a juno fica diretamente polarizada, haver um fluxo de portadores entre o emissor e base B1 e a corrente aumenta mesmo que Ve diminua. Isto d ao dispositivo uma caracterstica de resistncia negativa. EFEITO DE CAMPO Um transistor de efeito de campo (FET, do nome em ingls) tem uma construo conforme Fig 14. Uma barra de semicondutor tipo N envolta por um material tipo P, formando uma juno PN chamada porta. Os contatos nas extremidades so chamados de fonte e dreno. A juno da porta inversamente polarizada, o que resulta em corrente quase nula pela mesma, mas o campo eltrico forma um canal na barra que controla a passagem dos portadores. Assim, a tenso aplicada na porta controla a corrente entre fonte e dreno. Como a porta polarizada inversamente, a sua resistncia de entrada bastante alta, o que conveniente para muitas aplicaes. O exemplo da figura um FET com canal tipo N mas pode perfeitamente ser tipo P, sendo, neste caso, a porta tipo N e, naturalmente, invertidas as tenses aplicadas (o smbolo tem o sentido da seta invertido). Em muitos diagramas comum o uso das iniciais em ingls para fonte, dreno e porta (Source, Drain, Gate).