Noes necessrias sobre a fsica das junes p-n

17 de Outubro de 2005

Bandas de energia

Quando se d a ligao de dois tomos iguais as orbitais com a mesma energia sobrepem-se e do origem a duas orbitais com energias distintas (gura 1).

Figura 1: A separao dos nveis 3s quando dois tomos de sdio se aproximam Quando mais tomos so trazidos para o conjunto continuam a formar-se mais nveis intermdios (gura 2).

Figura 2: A separao dos nveis 3s quando 6 tomos de sdio se aproximam No limite em que energias (gura 3).

temos o aparecimento de uma banda contnua de

Figura 3: A separao dos nveis 3s quando mam

tomos de sdio se aproxi-

As bandas esto separadas em energia: o hiato de energia (band

gap).

A origem do hiato est na diferena de energia das orbitais iniciais (este ponto est mais bem discutido nos apontamentos relativos a conceitos fundamentais de estado slido). A gura 4 ilustra este ponto.

Figura 4: Formao de bandas Originam-se assim bandas cheias, vazias e parcialmente preenchidas. primeiras so as bandas de valncia e as ltimas as de conduo. essas bandas. As

As vazias

no conduzem, naturalmente, a no ser que haja forma de promover electres a

As bandas cheias no conduzem

primeira vista todas as bandas deviam conduzir. Uma banda, mesmo cheia, deveria conduzir porque as orbitais estendem-se por todo o slido. Os electres deveriam ento andar ao longo do slido e formar assim corrente. Na verdade as bandas cheias no conduzem. Uma explicao simplicada dada a seguir

1 Para quem quer saber mais: Kittel, Introduction to Solid State Physics, 7a ed., Wiley
2

Os nveis de energia dentro das bandas esto quanticados. Para um modelo simples de um gs de electres temos que a equao de Schrdinger

em que

h 2m

2 2 2 + + k (r) = x2 y 2 z 2 k (r)

k (r),

(1)

k a sua energia. Dada a periodiciade da rede cristalina, as funse de onda devem

a constante de Planck,

a funo de onda do estado k e

satisfazer a condies fronteira peridocas. Isto vai conduzir a funes de onda da forma

k (r) = A exp i
em que os

2 (nx , ny , nz ) r L

(2)

ni

so inteiros. A energia do estado vale

h 2 2 2 2 h 2 2 2 2 2 (kx + ky + kz )= (n + n2 y + nz ). 2m mL2 x

(3)

A quanticao das bandas a quanticao dos momentos dos electres. Na ausncia de campo elctrico aplicado exterior a soma dos momentos nula, porque h tantos valores de k numa direco como noutra. Para que haja conduo o momento global tem de variar e car diferente de zero. Ora, uma banda cheia no se pode reorganizar de forma a ter momento global diferente de zero, porque os electres no tm para onde se mover. Mesmo que troquem de estado uns com os outros, a resultante sempre nula. Apenas numa banda semi-preenchida se pode dar uma alterao do centro de massa dos k, porque h nveis vazios para ocupar. Portanto a conduo feita pelos electres das bandas semi-preenchidas.
Os electres das bandas cheias no podem contribuir para a conduo.

Isolantes, Condutores e Semi-condutores

Dada a explicao anterior percebemos agora a razo de haver isolantes e condutores (ver gura 5). Os semicondutores tm um hiato de energia muito pequeno, de forma que basta a energia trmica para promover electres banda de conduo. Os semicondutores tm portanto uma banda de valncia quase cheia e uma banda de conduo quase vazia. So estes quase que conduzem.

Lacunas
Imaginemos que

A gura 6 mostra bem o que se passa na banda de valncia.

numa dada banda falta s um electro (que subiu banda de conduo).

(1996), caps. 6 e 7; Ashcroft and Mermin, Solid State Physics, Saunders College (1976), cap. 12.

Figura 5: Isolantes, condutores e semi-condutores

medida que os electres se delocam no sentido inverso ao do campo o buraco parece deslocar-se no sentido do campo. Ento comporta-se como se fosse uma carga positiva. Em T=0 o semicondutor um isolante. forma-se um par electro-lacuna. Quando um electo promovido

5. Dopagem

A dopagem consiste em acrescentar tomos com 3 ou 5 electres exteriores rede semicondutora. O Silcio, por exemplo, tem 4 electres exteriores:

Si 14 = 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

O Si faz 4 ligaes covalentes (ver gura 7). Cada um dos tomo contribui com um electro para a ligao. O Fsforo, por exemplo, tem 5 electres exteriores:

P 15 = 1s2 2s2 2p6 3s2 3p3

Quando se introduzem tomos de Fsforo na rede estes vo incorporar-se nos tetraedros, mas por cada tomo de P vai sobrar um electro (gura 8). O Boro tem 3 electres exteriores:

B 5 = 1s2 2s2 2p1

4

Figura 6: Uma lacuna comporta-se como uma carga positiva

Figura 7: Ligaes do Si

Quando se introduzem tomos de Boro na rede estes vo incorporar-se nos tetraedros, mas cada tomo de B vai atrair um electro extra rede para completar a sua ligao covalente. Este electro foi retirado rede de ligaes covalentes, que assim passa a ter uma lacuna. Os nveis de energia correspondentes aos estados destas ligaes diferentes esto prximos das bandas de conduo ou valncia. Os nveis de energia dos electres extra do P esto muito prximos da banda de conduo. Assim, muito facilmente so para a promovidos. Isto est ilustrado na gura 9. Os nveis de energia associados aos estados em que falta um electro na ligao covalente esto muito prximos da banda de valncia. isto acontece cam lacunas na banda de conduo.
P = dador de electres

Assim, os electres so

facilmente promovidos para estes nveis a partir da banda de valncia. Quando

semicondutor tipo n

Figura 8: Dopagem com P.

Figura 9: Os nveis do dador.

(n-negative, excesso de portadores negativos, cedidos pelo dador)

B = aceitador de electres

semicondutor tipo p

(p-positive, excesso de portadores positivos, j que o aceitador xou electres)

6. Juno p-n

Consideremos agora que juntamos um semicondutor tipo p com outro tipo n. O que vai acontecer na juno p-n? A situao est ilustrada na gura 10 Como existe um gradiente de concentrao de portadores, estes vo difundir-se atravs da juno. realmente um proceso de difuso. medida que as cargas se difundem para a zona oposta deixam na sua zona ies xos de carga oposta. Por exemplo, se saem lacunas da zona p, sendo que esta era inicialmente neutra, ento isto quer dizer que comea a faltar carga positiva zona p, e ela deixa de ser neutra, para se tornar negativa. p ca ento com ies xos negativos. A zona Da mesma maneira, a zona n ca com

ies xos positivos. Forma-se ento um campo como est indicado na gura e

que se ope difuso.

A difuso continua a dar-se at que o campo gerado a

contrabalance por completo. Forma-se assim a zona de deplexo. Na zona de deplexo no h cargas livres: o campo gerado pela difuso, a que vamos chamar de Ezd , arrasta as cargas livres para fora desta zona.

Figura 10: A zona de depleco numa juno p-n Vejamos agora o que podemos dizer sobre o campo e o potencial ao longo do semicondutor. O grco do potencial est na gura 11. O campo nulo em ambos os extremos porque h neutralidade. Na zona de juno o campo tem sentido negativo, de acordo com a conveno para o sentido de

x.

O valor mnimo (mximo em mdulo) atinge-se na juno.

O que quer isto dizer em termos do potencial? O potencial denido a menos de uma constante e por isso podemos assumir que nulo na zona p. Como E se torna negativo na zona de depleco e E

= V ,

temos que

tem de ter

derivada positiva na zona de depleco, i. e., aumenta. Na zona n o potencial ca de novo constante. Portanto o potencial sobe desde a zona p at zona n. Isto permite-nos fazer outra descrio para a mobilidade dos portadores. AS cargas postivas vo dos potenciais altos para os potenciais baixos. A zona de depleco constitui portanto uma barreira de potencial para a difuso das lacunas desde a zona p at zona n. Inversamente, os electres sobem pelo potencial,

Figura 11: Campo elctrico e potencial ao longo da zona da juno p-n.

pelo que a diminuio de V na z.

d.

tambm uma barreira de potencial

difuso dos electres desde a zona n at zona p.

7. Polarizao

O que acontece se ligarmos os extremos da juno p-n a uma fonte de tenso? Depende de como se faz a polarizao. A gura 12 ilustra este problema
Conveno: V positiva se o terminal positivo da fonte estiver ligado parte

p da juno. Consideremos ento que tenso

()0

a diferena de potencial entre as partes p e

n antes da aplicao da tenso. fcil de perceber que pela aplicao de uma

a diferena de potencial passa a ser

= ()0 V.
agora fcil de perceber que se de atravessar. Se

(4)
directa) a ddp entre

V > 0 (polarizao

as zonas p e n diminui, constituindo uma barreira de potencial mais fcil

V > ()0

a barreira desaparece e a conduo d-se

livremente. meio).

H passagem de corrente na polarizao directa (gura 12,

Outra forma de ver notar que o campo aplicado pela fonte, Ea ope-se ao campo Ezd , tornando o mecanismo de depleco menos eciente ou mesmo eliminando-o, se |Ea |

> |Ezd |.
(polarizao inversa), ento a ddp aumenta;

Por outro lado, se

V <0

a barreira de potencial maior a oposio passagem das cargas tambm aumenta. Compreendemos ento que na polarizao inversa no deve haver passagem de corrente (gura 12, em baixo). Outra forma de ver notar que o campo aplicado pela fonte, Ea tem o mesmo sentido do campo Ezd , tornando o mecanismo de depleco mais eciente.

Figura 12: Efeito do potencial aplicado juno p-n.

Caracterstica V-I

O modelo simples que acabmos de descrever conduz seguinte curva I-V para o dodo est ilustrado na gura 13:

Figura 13: Modelo simples para o dodo. Note-se que por conveno a tenso igual a

V = vp Vn ,
rente tambm positiva para o sentido pn.

(5)

sendo portanto positiva para polarizao directa. Naturalmene que ento a corPodemos melhorar este modelo. Para isso temos de renar um pouco mais a nossa descrio do semiciondutor:

Na verdade na parte n no h s portadores negativos. H portadores positivos e negativos, s que os ltimos so largamente maioritrios. Portanto na parte n temos que os electres so os portadores maioritrios e as lacunas so os portadores minoritrios. Na parte p temos o inverso.

Os portadores tm uma dada probabilidade de atravessar a barreira de potencial. Basta que tenham energia trmica suciente.

10

Podemos agora compreender que existam dois tipos de corrente:

Correntes de gerao de lacunas e electres: so correntes de portadores

minoritrios. No caso da corrente de gerao de lacunas, uma corrente de lacunas que vm do lado n (onde so minoritrias) para o lado p. Esta corrente acaba por ser importante porque, apesar da concentrao de lacunas no lado n ser muito pequena, todas as lacunas que chegam ao lado n da zona de deplexo so imediatamente levadas para o lado p pelo campo interno da z. d. Esta corrente no depende de V. Com efeito, basta aos
portadores chegar z. d.. Tambm fcil de ver que esta corrente negativa (lacunas no sentido n

p).

Correntes de recombinao de lacunas e electres. So as corentes dos

portadores maioritrios. Por xemplo, a corrente de recombinao de lacunas leva as lacunas do lado p para o lado n. O campo da zona de deplexo No entanto, se os portadores ope-se a este movimento, como j vimos.

tivrem energia suciente para atravessar a barreira de potencial f-lo-o. O nmero de portadores que podem atravessar a barreira de potencial igual ao nmero de portadores que tm energia superior a

q .

Portanto o seu

nmero vai ser proporcional ao factor de Boltzmann habitual,

(no

de portadores com

E > q ) ,
(6)

e
em que

q /kB T

=e kB

q [()0 V ]/kB T

a carga do electro,

a constante de Boltzmann e

temperatura em graus Kelvin. Portanto a corrente de recombinao h-de ser proporcional a este factor. Vemos que ao contrrio das correntes de gerao, as correntes de recombinao dependem fortemente de Quando

V. V = 0 aos extremos da juno no pode haver corrente:

tem de haver

equilbrio. Isso quer dizer que as correntes de gerao (negativas) e recombinao (positivas) se anulam algebricamente. Portanto, para cada espcie de portador

= e, h
rec ger I |V =0 = I .
Mas isto quer dizer que (7)

ger I = eq()0 /kB T

e que a corrente de recombinao se pode escrever

(8)

rec ger qV /kB T I = I e .

A corrente total de

(9)

vale ento

ger qV /kB T ger rec (e 1) = I I I = I

11

(10)

Finalmente, a corrente total

ger ger I = (Ie + Ih )(eqV /kB T 1) I0 eqV /kB T 1 .

(11)

Em resumo: a curva I-V para um dodo ideal (mas modelado rigorosamente)

dada atravs de

I = I0 eqV /kB T 1 ,
em que

(12)

I0

a corrente de saturao, que depende das caractersticas do dodo.

A curva mais relaista est ilustrada na gura 14

Figura 14: Modelo mais realista para um dodo Podemos ainda escrever

I = I0 eV /VT 1 ,
com

(13)

VT =
tomando um valor tpico de

kB T T = V, q 11600

(14)

25 mV para T=300 K.

Limites

Vejamos agora os limites desta expresso:

VT

mas positivo.

Neste caso

V I0 1
se denirmos

V V V 1 = I0 = VT VT R

(15)

R = VT /I0 .

Esta expresso mostra que nesta zona o dodo se

comporta linearmente, tal como uma resistncia

12

VT .

Neste caso o factor 1 desprezvel face exponencial. Portanto

V I0 eV /VT .

(16)

Trata-se de um comportamento exponencial. A corrente aumenta exponencialmente com a tenso aplicada.

negativo,

V < 0,

mas em mdulo muito maior que

VT , |V |

VT .

Neste

caso a exponencial praticamente nula e

I = I0 .

(17)

A corrente negativa (np) e constante. Trata-se das correntes de gerao, que passam pelo barreira de potencial com o empurro dado por Ez d. Como vimos, esta corrente no depende de

A resitncia dinmica do dodo determinado por

Rd =
Valores tpicos de

1 dV = . dI dI/dV

(18)

Rd

so da ordem de alguns ohms.

Um modelo real do dodo portanto o da gura 15

Figura 15: Modelo do dodo A fonte de tenso quer dizer que para conduzir o dodo deve estar polarizado com uma dada tenso (0.7 V um valor tpico para os dodos de Si). Quando se analiza um circuito deve ter-se esta tenso de funcionamento em conta.

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