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Informe sobre Transistores

Profesor: Carlos Valhorrat


Alumna: De Blasis Brbara 5to Ao TM Viernes

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[INFORME SOBRE TRANSISTORES]

Indice del Documento:


Que es un transistor?.................................................................................................... 3 Historia de los transistores..............................................................................................3 Regiones Operativas del transistor.................................................................................4 Tipos de transistores....................................................................................................... 5 Los transistores y su simbologa.....................................................................................5 Tipos de transistores de unin bipolar.............................................................................6

TRANSISTORES BJT.............................................................................................. 6 NPN .............................................................................................................. 6 PNP............................................................................................................... 6 Transistor Bipolar de Heterounin ...............................................................6


Curva caracterstica de los BJT........................................................................................ 7 Aplicaciones del BJT, usos y ventajas principales............................................................7

TRANSISTORES FET............................................................................................. 8
Curva caracterstica de los FET.......................................................................................9 ...................................................................................................................................... 10 Aplicaciones de JFET...................................................................................................... 11 Curva caracterstica de los MOSFET..............................................................................12 Aplicaciones de los transistores MOSFET.......................................................................14

TRANSISTORES MOSFET.................................................................................... 12

Ventajas...................................................................................................... 14

FOTOTRANSISTOR............................................................................................. 14
Curvas de funcionamiento de un fototransistor.............................................................15 Aplicaciones de Fototransistor......................................................................................15 Links de Noticias de inters sobre el tema tratado.......................................................16

Introduccin
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Que es un transistor?
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.

Historia de los transistores


El transistor se ha venido considerando desde hace tiempos como el mayor invento realizado en el siglo XX. Este dispositivo electrnico bsico, de tres terminales, origin los circuitos integrados y todos los elementos de la alta escala de integracin. Son muchas las personas y los cientficos que aseguran que la era de la comunicacin estableci una base perfecta gracias al transistor. Este dispositivo fue creado en los Laboratorios Bell de AT&T; los cuales buscaban un conmutador que reemplazara a los rels y los sistemas de barras, y que se utilizara en la telefona. El transistor germina de la unin de tipo PNP o del NPN. Su nombre fue dado por J.P Pierce. Segn Quentin Kaiser sin no se hubiera originado los detectores de cristal (que eran muy necesarios para el radar de UHF y los microondas) no se hubiera creado estos transistores con las prestaciones que hoy en da le caracteriza. La patente

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de invencin estuvo en secreto por siete meses, hasta que se pudo detallar de manera ordenada el funcionamiento de este dispositivo. La patente fue entregada a Walter Brattain y a John Bardeen por su transistor de punta de contacto. En el ao 1951 fue que surgi el transistor de juntura que fue concedida a William Shonckley. Un idea del comportamiento que realiza el transistor se puede apreciar usando un indicador de corriente, una fuente de tensin continua y dos resistencias con interruptores. Las resistencias se deben de conectar entre la base y el colector, y la fuente entre el emisor y el colector. Con estos dos interruptores totalmente abiertos no se producir corriente de base, y el indicador de corriente mostrar una corriente nula. Ahora bien, para originar una corriente de colector o de base, solamente se debe de cerrar uno de los interruptores. Y para crear un paso de corriente mucho mayor se deber de cerrar los dos interruptores. Es por ello que se llega a la conclusin, de que el interruptor se comporta como si fuera una resistencia, donde la corriente de base controla su valor completamente.

EL CK703, uno de los primeros transistores comercializados (1948, 1949)

Regiones Operativas del transistor


Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima). En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib) Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

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Tipos de transistores
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las aplicaciones a las que se destinan. Los ms comunes y conocidos son:

Transistor Bipolar de Unin (BJT) Transistor de efecto campo , de unin (JFET) Transistor de efecto campo , de metal- oxido-semiconductor (MOSFET) Fototransistor

Los transistores y su simbologa

BJT

JFET

MOSFET

FOTOTRANSI STOR

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TRANSISTORES BJT
Tipos de transistores de unin bipolar
NPN NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. PNP El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. Transistor Bipolar de Heterounin El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy comn hoy en da en circuitos ultrarrpidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia. Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de material ms larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la base cuando la unin emisor-base est polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un transistor de unin convencional, tambin

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conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyeccin de portadores desde el emisor hacia la base est principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de inyeccin de portadores, su resistencia es relativamente alta.

Curva caracterstica de los BJT


El transistor BJT dispone de dos curvas: la primera se utiliza para definir el comportamiento de la unin base emisor y la segunda para definir el funcionamiento entre colector y emisor.

La curva emisor, es similar a la de un diodo normal, con la diferencia de que los niveles de corriente ahora son muy pequeos en el orden de los A. Por otra parte, la curva colector emisor o de salida, nos indica que para cada valor de corriente de base existir una corriente de colector que variara dependiendo del voltaje colector emisor. La curva de salida es probablemente la ms importante de todas, sin embargo resulta a veces demasiado confusa, es por esto que es comn utilizar una formula matemtica que recibe el nombre de ganancia o factor de amplificacin:

Este factor nos indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base.

Aplicaciones del BJT, usos y ventajas principales

5to Ao TM Viernes APLICACIN Aislador o Separador (buffer) Amplificador de RF

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PRINCIPAL VENTAJA Impedancia de entrada alta y de salida baja Bajo ruido USOS Uso general, equipos de medida receptores Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Receptores de FM, y TV , equipos para comunicaciones Receptores generadores de seales Instrumentos de medicin , equipos de prueba Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tonos Audfonos para sordera , transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin a gran escala, computadoras, memorias.

Mezclador

Baja distorsin de intermodulacin Facilidad para controlar ganancia Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva

Amplificador con CAG Amplificador Cascodo

Troceador

Resistor variable por voltaje

Se controla por voltaje

Amplificador de baja frecuencia Oscilador

Capacidad pequea de acoplamiento Mnima variacin de frecuencia Pequeo tamao

Circuitos MOS Digital

TRANSISTORES FET

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Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales: Por el terminal de control no se absorbe corriente. Una seal muy dbil puede controlar el componente La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico. Se empezaron a construir en el dcada del 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N.

Curva caracterstica de los FET


La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes: Zona lineal: El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de tensin VGS. Zona de saturacin: A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente(S),V GS. Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula. la Caracterstica de Salida

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Al variar la tensin entre drenador y surtidor vara la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor. En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador. En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona. La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula. La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor. Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima.

Caracterstica de transferencia

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Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta.

Aplicaciones de JFET
Las aplicaciones genricas para este tipo de transistores son: ELECTRONICA ANALOGICA Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y soportar elevadas tensiones en estado de corte. Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del canal). Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de muy baja potencia. Control de potencia elctrica entregada a una carga.

En el caso de la amplificacin los circuitos se disean para que el punto de operacin DC del MOS se encuentre en la regin de saturacin. De este modo se logra una corriente de drenaje dependiente slo de la tensin VGS. ELECTRONICA DIGITAL Los MOS se emplean a menudo en electrnica digital, debido a la capacidad de trabajar entre dos estados diferenciados (corte y conduccin) y a su bajo consumo de potencia de control. Para esta aplicacin se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo que idealmente pueda considerarse que: La cada de tensin en conduccin es muy pequea. La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.

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TRANSISTORES MOSFET

Curva caracterstica de los MOSFET


El FET de semiconductoroxidometal, o MOSFET posee cuatro electrodos llamados fuente compuerta drenaje y sustrato. A diferencia del JFET, FET de juntura o simplemente FET o transistor de efecto de campo, la compuerta est aislada galvnicamente del canal. Por esta causa, la corriente de compuerta es extremadamente pequea, tanto cuando la tensin de compuerta es positiva como cuando es negativa. La idea bsica se puede observar en la figura 1, en donde se muestra un corte de un MOSFET de empobrecimiento de canal N. Se compone de un material N (silicio con impurezas dadoras) con una zona tipo P a la derecha y una compuerta aislada a la izquierda. A similitud de una vlvula electrnica, en donde los electrones libres circulan desde el ctodo a la placa, en un MOSFET circulan desde el terminal de fuente al de drenaje, es decir desde abajo hacia arriba en el dibujo. En la vlvula lo hacen por el vaco y en el MOSFET por el silicio tipo N. La zona P se llama sustrato (algunos autores la llaman cuerpo) y opera como si fuera una pared que presenta una dificultad a la circulacin electrnica. Los electrones deben pasar por un estrecho canal entre la compuerta y el sustrato. La idea es que el silicio tipo N es un buen conductor, pero en la zona del sustrato se agregan impurezas tipo P que cancelan esa conductividad haciendo que esa zona sea aisladora.

Sobre el canal se agrega una delgada capa de dixido de silicio (vulgarmente vidrio) que opera como aislante. Sobre esta finsima capa de vidrio se realiza una metalizacin que opera como compuerta. Dado que la compuerta es aislada, se puede colocar en ella un potencial tanto negativo como positivo, tal como se puede observar en la figura 2: a) Tensin de puerta negativa b) Tensin de puerta positiva

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En la parte (a) se muestra un MOSFET de empobrecimiento con una tensin de compuerta negativa. La alimentacin VDD, obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenaje. Estos circulan por el canal estrecho a la izquierda del sustrato P. La tensin de compuerta controla el ancho del canal. Cuanto ms negativa sea la tensin de compuerta, menor ser la corriente que circula por el MOSFET debido a que el campo elctrico empuja a los electrones contra el sustrato. Inclusive una tensin suficientemente negativa podr, eventualmente, cortar la circulacin de corriente. Cuando se pone tensin positiva en la compuerta, el canal N tiene toda su capacidad libre y el MOSFET se comporta como una llave cerrada. En las curvas de la figura 3 se puede observar el paralelismo extremo entre una vlvula y un MOSFET. En a se puede observar la familia de curvas para diferentes tensiones de compuerta.

La corriente de drenaje se mantiene prcticamente constante independientemente de la tensin de drenaje-fuente, salvo en la zona inicial que se llama zona hmica y que no es utilizada cuando el transistor funciona como llave. La familia de curvas se suele dividir en dos secciones. Las que estn por debajo de cero y hasta VGSoff se llama seccin de empobrecimiento y las que estn por encima seccin de enriquecimiento. Esto significa que el canal no slo se puede angostar; en efecto, si se colocan tensiones positivas en la compuerta las lagunas del sustrato son repelidas y el canal se ensancha.

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En b se puede observar la curva de transferencia de un MOSFET de empobrecimiento en donde Idss es la corriente de drenaje con la puerta en cortocircuito. Como la curva se extiende hacia la derecha, sta no es la mxima corriente de drenaje. En efecto, tensiones positivas de compuerta generan una corriente de drenaje mayor.

Aplicaciones de los transistores MOSFET


La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Vase Tecnologa CMOS Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son: Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares: Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin nanosegundos. es muy alta, siendo del orden de los

Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia

FOTOTRANSISTOR
Un fototransistor es una combinacin integrada de fotodiodo y transistor bipolar npn (sensible a la luz) donde la base recibe la radiacin ptica. Existen transistores FET (de efecto de campo), que son muy sensibles a la luz. La radiacin luminosa se hace incidir sobre la unin colector base cuando ste opera en la RAN. En esta unin se generan los pares electrn - hueco, que provocan la corriente elctrica. 14

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El funcionamiento de un fototransistor viene caracterizado por los siguientes puntos: Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo, generando huecos y con ello una corriente de base que hace que el transistor entre en la regin activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica elctricamente. Es por este motivo que a menudo la patilla correspondiente a la base est ausente del transistor. La caracterstica ms sobresaliente de un fototransistor es que permite detectar luz y amplificar mediante el uso de un slo dispositivo. (I b=0) La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo, ya que la pequea corriente fotogenerada es multiplicada por la ganancia del transistor.

Curvas de funcionamiento de un fototransistor


Las curvas de funcionamiento de un fototransistor son las que aparecen en la siguiente grafica. Como se puede apreciar, son curvas anlogas a las del transistor BJT, sustituyendo la intensidad de base por la potencia luminosa por unidad de rea que incide en el fototransistor.

Curva de funcionamiento tpico de un fototransistor

Aplicaciones de Fototransistor
El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la deteccin de iluminacin es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto, solo que su entrega de corriente elctrica es mucho mayor.

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Links de Noticias de inters sobre el tema tratado


Se encontr un nuevo aislante para los transistores http://www.madrimasd.org/cienciaysociedad/entrevistas/quien-esquien/pdf/38.pdf Transistores fotofnicos en supercomputadoras del futuro http://www.laflecha.net/canales/ciencia/los-superordenadores-del-futurousaran-transistores-fotonicos Transistores Orgnicos http://www.softwarelibre.net/transistores_org%C3%A1nicos_el_futuro La era del transistor http://www.pagina12.com.ar/imprimir/diario/suplementos/futuro/13-2086-200901-31.html

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Bibliografa utilizada
Material extrado de Google, en especial paginas de electrnica. Revista Muy Interesante

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Reflexin personal acerca del tema


Transistores me resulto un tema un tanto difcil de comprender, debido a su complejidad, y tambin deba reforzar mis conocimientos previos en diodos para poder desarrollarme con ms soltura en el desarrollo del tema. La realizacin de este trabajo fue meramente informativa, me sirvi para hacer un propio apndice sobre las caractersticas principales de los transistores, su utilizacin y ventajas. Por otro lado, me resulto interesante la evolucin de este dispositivo, ya que permiti gracias al desempeo y la ingeniera de muchos profesionales, a los dispositivos que conocemos hoy en da, y que por ejemplo vemos cotidianamente.

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