A.

OBJETIVOS

Construir compuertas lgicas con diodos

B. Marco Terico
FUNCIONAMIENTO DE LOS DIODOS
Como cualquier otro componente electrnico tambin los diodos deben ser comprobados, en cuanto a su estado se refiere. Para poder entender mejor como deben realizarse las pruebas y mediciones y establecer cules son las caractersticas que ms interesan estudiar, debemos realizar, previamente, un pequeo resumen de la teora del funcionamiento de los diodos.

1) Para que la corriente circule (mnima resistencia), el polo positivo de la fuente debe estar aplicado al electrodo denominado nodo, y el negativo denominado ctodo; a este sistema de polarizacin se llama polarizacin directa. 2) Para que la corriente encuentre el mximo de resistencia a su paso, habr que aplicar una polarizacin opuesta a la indicada en el punto anterior, o sea el positivo al ctodo y el negativo al nodo. Este tipo de polarizacin recibe el nombre de polarizacin inversa. La condicin ideal de resistencia infinita en un sentido y cero en el otro no se cumple jams y en la prctica siempre existe alguna circulacin de corriente en el sentido directo (es decir que

nunca es cero), alcanzando un determinado valor que siempre es menor que la resistencia inversa, por supuesto. En lo que se refiere a la intensidad de la corriente circulante en cada uno de los diodos virtuales que conforman un transistor, sabemos que debera ser muy grande en el -diodo emisor-base, que se est polarizando directamente, en tanto que la intensidad debera ser casi nula en el diodo colector-base, polarizado en forma inversa. Sin embargo, en el transistor no sucede tal cosa, puesto que el hecho de que ambos diodos operen conjuntamente, teniendo un electrodo comn (la base), hace que se produzca una situacin muy curiosa (fundamento de la accin transistora). 1) Cuando se aplica polarizacin directa al diodo emisor-base y se deja sin polarizar al diodo colector-base, la intensidad de la corriente en el diodo polarizado ser muy alta. Esta corriente emisor-base con colector abierto se representa con (Ieo). 2) Cuando se aplica polarizacin inversa al diodo colector-base y se deja sin polarizar el diodo emisor base, la intensidad de la corriente en el diodo polarizado ser casi nula. Esta corriente colector-base, con el emisor abierto, se simboliza con (Ieo) y representa la corriente de fuga, del diodo colector-base del transistor. 3) Cuando se aplican las polarizaciones correspondientes a ambos diodo s, la intensidad de la corriente del diodo colector-base, que antes era casi nula, aumenta a grandes valores. Todo sucede tal como si el hecho de haberse acoplado el diodo emisor-base, produjese una reduccin de la resistencia del diodo colector-base.

Esto se explica en la siguiente forma elemental:

1) Cuando el diodo colector-base no est polarizado (circuito abierto) la cantidad de lagunas inyectadas por el emisor a la base (en el caso de un transistor PNP o los electrones (en el caso de un transistor NPN) ser muy grande: la corriente de la base ser exactamente igual a la corriente del emisor, puesto que la base atrae todas las portadoras (lagunas o electrones segn el caso); 2) Cuando el diodo colector-base est polarizado (circuito cerrado) las lagunas se dividen en dos caminos, una muy pequea cantidad hacia la base y el resto (la mayor parte) hacia el colector. Corno vemos la corriente del emisor (le) es igual a la suma de las corrientes de la base (lb) y del colector (le). Estos conceptos son fundamentales para la reparacin en electrnica, pero recomendamos siempre profundizar en otros medios antes de que los principiantes se arrojen sobre los artefactos, ya que existe siempre el riesgo que envuelve la electricidad.

POLARIZACIN UN DIODO

Polarizacin directa de un diodo

Polarizacin directa del diodo pn.

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que: El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn

de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de un diodo

Polarizacin inversa del diodo pn.

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de

saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

CIRCUITOS CON DIODOS

Ejemplo anlisis de un circuito simple con diodos:

CIRCUITOS RECTIFICADORES Circuitos Rectificadores: convierten la corriente alterna (unidireccional). Tambin se conoce como convertidor ACDDC Tipos: Rectificadores de media onda Rectificadores de onda completa Con trafo de toma intermedia (dos diodos). Con puente de diodos (cuatro diodos). Con puente de diodos (cuatro diodos). en corriente continua

 Conceptos bsicos de Transformadores Ideales Trafo Trafo con toma intermedia Relacin Vmax & Vef RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA Cuando la tensin es positiva (intervalo conducir la corriente (cada de 0.7 V). ), el diodo se encuentra polarizado en directa, y

Cuando la tensin es negativa, el diodo se polariza inversamente, no dejando pasar corriente. En este intervalo el diodo soporta la tensin inversa impuesta por la entrada. Aplicando la 2 Ley de Kirchhoff, a los dos casos anteriores, se obtiene: En directa, prcticamente la cada de tensin de la alimentacin est en bornes de la carga. 0 t En inversa, la cada de tensin la acapara el diodo por no circular corriente.

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA La tensin de entrada es senoidal segn:

El valor medio de la tensin Vo(dc) se obtiene realizando la integral:

 La corriente media para una carga resistiva R, se obtiene por la Ley de Ohm.

El valor de la tensin eficaz (rms) ser:

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TRAFO DE TOMA INTERMEDIA Consiste en dos rectificadores de media onda con fuentes de tensin desfasadas 180. El trafo asla (respecto de tierra) a la carga de la corriente alterna de entrada. Durante el ciclo positivo, conduce el diodo A; durante el ciclo negativo, el diodo B conduce rectificando la seal.

Voltaje medio o de continua

Frecuencia de salida

COMPUERTAS LOGICAS
Una compuerta lgica es un dispositivo que nos permite obtener resultados, dependiendo de los valores de las seales que le ingresemos. Es necesario aclarar entonces que las compuertas lgicas se comunican entre s (incluidos los microprocesadores), usando el sistema BINARIO. Este consta de solo 2 indicadores 0 y 1 llamados BIT dado que en electrnica solo hay 2 valores equivalentes 0=0volt 1=5volt (conectado-desconectado). Es decir que cuando conectamos una compuerta a el negativo equivale a introducir un cero (0) y por el contrario si derivamos la entrada a 5v le estamos enviando un uno (1). Ahora para comprender como se comporta cada compuerta se debe ver su TABLA DE VERDAD. Esta nos muestra todas las combinaciones lgicas posibles y su resultado.

COMPUERTA BUFFER

La compuerta BUFFER es la ms basica de todas, simplemente toma el valor que se le entrega y lo deja pasar tal cual. Esto sirve para ajustar y aislar niveles lgicos ya que no se pueden conectar infinita cantidad de compuertas a una misma seal, ya que el voltaje del nivel 1 empieza a decaer y el sistema falla.

Tabla de verdad A X 0 1 0 1

COMPUERTA NOT

La compuerta NOT es un tanto parecida al buffer salvo por que invierte el valor que se le entrega. Tambin tiene la utilidad de ajustar niveles pero tomando en cuenta que invierte la seal. Tabla de verdad A X 0 1 1 0

COMPUERTA AND

La compuerta AND hace la funcin de multiplicacin lgica. Es decir toma los valores que le aplicamos a sus entradas y los multiplica. Tabla de verdad AND A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 X 0 0 0 1

COMPUERTA NAND

La compuerta NAND tambin hace la funcin de multiplicacin, pero entrega el valor negado. Esto es muy util, dado que si estubieramos usando una AND normal tendriamos que usar otro chip con un NOT para negar el resultado. Tabla de NAND A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 verdad X 1 1 1 0

COMPUERTA OR

La compuerta OR realiza la funcin de suma lgica. Cuando se le aplica un uno a cualquiera de sus entradas el resultado de salida ser uno, independiente del valor de la otra entrada. Excepto cuando las dos entradas esten en 0 la salida ser 0. Tabla OR A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 de verdad X 0 1 1 1

COMPUERTA NOR

La compuerta NOR realiza la funcin de suma, pero entrega el resultado invertido, ahorrandonos un NOT. Su salida ser 1 solo si las dos entradas son 0.

Tabla de verdad NOR A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 X 1 0 0 0

COMPUERTA X-OR

Esta compuerta XOR (or-exclusiva) se comporta de una manera especial. Su caracteristica especial es que el resultado de salida ser 1 si las dos entradas son distintas, sean 0-1 1-0. Tabla de verdad X-OR A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 X 0 1 1 0

COMPUERTA X-NOR

Esta compuerta XNOR o Nor exclusiva, tambin se comporta de una manera especial. Su caracteristica es que el resultado de salida ser 1 si las dos entradas son del mismo valor, sean 0-0 1-1. Tabla de verdad X-NOR A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 X 1 0 0 1

C. Equipo y Materiales
Dos diodos de silicio. Una fuente Regulada de 5 Resistencias de 1K, 10K, 100K. Un transformador de potencia. Dos fuentes de tensin continas variables de 1.2 a 15V. Un voltmetro digital.

D.

Diagrama de Instalacin

Circuito 1

Circuito 2

E. Simulacin:
PROCEDIMIENTO:
Tensin en Vz para los diferentes valores de Vx y Vy

Circuito 1

Tensin en diferentes valores de Vx y Vy

Vz para los

Circuito 2

OBSERVACIONES EXPERIMENTALES:
1.- Ingrese una tensin entre 2.5 y 3 voltios a V x y Vy que valores obtiene para Vz de los diferentes circuitos

Circuito 1

Se aprecia que los valores de los voltajes no varan mucho osea que se mantienen en un rango en este caso de 3.0 a 3.5 aproximadamente en cambio en el circuito inicial los voltajes varan mucho.

Circuito 2

Se observa los mismos cambios que en el circuito 1. 2.-Si coloca una resistencia de 1K en los circuitos 1 y 2 Cmo son los resultados?

Circuito 1:

Los valores de la tensin han aumentado un poco con respecto a los valores de la tensin del anterior. circuito

Circuito 2:

Los circuito anterior.

valores

de la tensin han decrecido un poco con respecto a los valores de la tensin del

F. Anlisis de Datos Experimentales

1. De acuerdo a la tabla 1 y 2, construya las tablas de designacin y lgica de los circuitos 1, 2.

TABLA 1
VX 5.07 V 5.07 V 1.26 V 1.26 V VY 5.07 V 1.26 V 5.07 V 1.26 V VZ 4.97 V 1.82 V 1.81 V 1.78 V

Multiplicador Multiplicador AND AND

TABLA 2
VX 5V 5V 1.26 V 1.26 V VY 5V 1.26 V 5V 1.26 V VZ 4.59 V 4.58 V 4.57 V 0.93 V

Sumador Sumador OR OR

TABLA 1
VX 1 1 0 0 VY 1 0 1 0 VZ 1 0 0 0 DESIGNACIN Alto Bajo Bajo Bajo

TABLA 2
VX 1 1 0 0 VY 1 0 1 0 VZ 1 1 1 0 DESIGNACIN Alto Alto Alto Bajo

2. Que funcin lgica representa cada circuito (procedimiento y observaciones) y compare los valores Vz con los hallados experimentalmente. Procedimientos
Valores Analticos VY 5.07 V 1.26 V 5.07 V VX 5.07 V 5.07 V 1.26 V VZ 5.07 V 1.97 V 1.97 V

Valores Prcticos VX 5.07 V 5.07 V 1.26 V VY 5.07 V 1.26 V 5.07 V VZ 4.97 V 1.82 V 1.81 V

TABLA 1
VX 1 1.26 V 1.26 V 1.78 V 1.26 V 1.26 V 1.96 V 1 0 0 VY 1 0 1 0 VZ 1 0 0 0

TABLA 2
VX 1 1 0 0 Valores Prcticos VX 5V 5V 1.26 V 1.26 V VY 5V 1.26 V 5V 1.26 V VZ 4.59 V 4.58 V 4.57 V 0.93 V Valores Analticos VY 5V 1.26 V 5V 1.26 V VX 5V 5V 1.26 V 1.26 V VZ 4.30 V 4.28 V 4.28 V 0.60 V VY 1 0 1 0 VZ 1 1 1 0

Observaciones Experimentales

TABLA 1
VX 1 1 0 0 VY 1 0 1 0 VZ 1 1 1 0

TABLA 2
VX 1 1 0 0 VY 1 0 1 0 VZ 0 0 0 1

Valores Prcticos VX 2.96V 2.96V 2.70 V 2.70 V VY 2.96 V 2.70 V 2.96 V 2.70 V VZ 2.39 V 2.36 V 2.36 V 3.19 V

Valores Analticos VY 2.96 V 2.96 V 2.70 V 2.70 V VX 2.96 V 2.70 V 2.96 V 2.70 V VZ 3.66 V 3.53 V 3.53 V 3.40 V

3. Haga el anlisis analtico con sus respectivos errores de cada circuito (procedimiento y observaciones) y compare los valores de V Z con los hallados experimentalmente.
Circuito 1: Para VX =5.07 V y VY =5.07 V

Hallando VZ:

(1/100000 + 1/100000 +1/9940) VZ = (5.07/100000 + 5.07/100000 +5.07/9940) VZ = 5.07 V Para VX =5.07 V y VY =1.26 V

Hallando VZ: (1/100000 + 1/50 +1/9940) VZ = (5.07/100000 + 1.96/50 +5.07/9940) VZ = 1.97 V Para VY VX =1.26 V y =5.07 V

Hallando VZ: (1/100000 + 1/50 +1/9940) VZ = (5.07/100000 + 1.96/50 +5.07/9940) VZ = 1.97 V Para VX =1.26 V y VY =1.26 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/50 +1/9940) VZ = (1.96/50 + 1.96/50 +5.07/9940) VZ = 1.96V Valores Prcticos VX 5.07 V 5.07 V 1.26 V 1.26 V VY 5.07 V 1.26 V 5.07 V 1.26 V VZ 4.97 V 1.82 V 1.81 V 1.78 V Valores Analticos VY 5.07 V 1.26 V 5.07 V 1.26 V VX 5.07 V 5.07 V 1.26 V 1.26 V VZ 5.07 V 1.97 V 1.97 V 1.96 V 1.97 % 7.61 % 8.12 % 9.18 % Errores

Circuito 2:

Para VX =5 V y VY =5 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/50 +1/9940) VZ = (4.3/50 + 4.3/50) VZ = 4.30V Para VX =5 V y VY =1.26 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/100000 +1/9940) VZ = (4.3/50 + 1.26/100000) VZ = 4.28V Para VX =1.26 V y VY =5 V

Hallando VZ:

(1/50+ 1/100000 +1/9940) VZ = (4.3/50 + 1.26/100000) VZ = 4.28V Para VX =1.26 V y VY =1.26 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/50 +1/9940) VZ = (0.56/50 + 0.56/50) VZ = 0.6V Valores Prcticos VX 5V 5V 1.26 V 1.26 V VY 5V 1.26 V 5V 1.26 V VZ 4.59 V 4.58 V 4.57 V 0.93 V Valores Analticos VY 5V 1.26 V 5V 1.26 V VX 5V 5V 1.26 V 1.26 V VZ 4.30 V 4.28 V 4.28 V 0.60 V 6.74 % 7.00 % 6.78 % s Errores

4. Explicar las observaciones Podemos ver que los valores de las observaciones experimentales al hacer la tabla lgica podemos observar que en la tabla lgica de multiplicador el 1 y 1 te da 1 y todo los dems te dan 0 y en la tabla lgica de sumador el 0 y 0 dan 1. As que podemos decir que a comparacin de los datos hallados en laboratorio hay una diferencia en la tabla del sumador.

G.OBSERVACIONES

EXPERIMENTALES

a) Ingrese una tensin entre 2.5 y 3 voltios (valores de ruidos) a Vx y Vy. Qu valores obtienes para Vz, para los circuitos 1 y 2? Circuito 1: Para VX =2.96 V y VY =2.96 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/50 +1/9940) VZ = (3.66/50 + 3.66/50 + 5.07/9940) VZ = 3.66V

Para VX =2.96 V y VY =2.7 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/50 +1/9940) VZ = (3.66/50 + 3.4/50 + 5.07/9940) VZ = 3.53V Para VX =2.7 V y VY =2.96 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/50 +1/9940) VZ = (3.66/50 + 3.4/50 + 5.07/9940) VZ = 3.53V

Para VX =2.7 V y VY =2.7 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/50 +1/9940) VZ = (3.4/50 + 3.4/50 + 5.07/9940) VZ = 3.4V

Valores Prcticos VX 2.96V 2.96V 2.70 V 2.70 V VY 2.96 V 2.70 V 2.96 V 2.70 V VZ 2.39 V 2.36 V 2.36 V 3.19 V

Valores Analticos VY 2.96 V 2.96 V 2.70 V 2.70 V VX 2.96 V 2.70 V 2.96 V 2.70 V VZ 3.66 V 3.53 V 3.53 V 3.40 V

Circuito 2: Para VX =2.97 V y VY =2.97 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/50 +1/9940) VZ = (2.27/50 + 2.27/50) VZ = 2.26V Para VX =2.97 V y VY =2.73 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/100000 +1/9940) VZ = (2.27/50 + 2.73/100000) VZ = 2.26V Para VX =2.73 V y VY =2.97 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/100000 +1/9940) VZ = (2.27/50 + 2.73/100000) VZ = 2.26V Para VX =2.73 V y VY =2.73 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/50 +1/9940) VZ = (2.03/50 + 2.03/50) VZ = 2.02V

Valores Prcticos

Valores Analticos

Errores

VX 2.97 V 2.97 V 2.73 V 2.73 V

VY 2.97 V 2.73 V 2.97 V 2.73 V

VZ 2.61 V 2.59 V 2.58 V 2.35 V

VY 2.97V 2.97 V 2.73 V 2.73 V

VX 2.97 V 2.73 V 2.97 V 2.73 V

VZ 2.26 V 2.26 V 2.26 V 2.02 V 15.49 % 14.60 % 14.16 % 16.34 %

b) Si colocando una resistencia de 1k en los circuitos 1 y 2 en lugar de 10K Cmo son los resultados? Circuito 1: Para VX =5 V y VY =5 V

Hallando VZ: (1/100000 + 1/100000 +1/990) VZ = (5/100000 + 5/100000 +5/990) VZ = 5 V Para VX =5.07 V y VY =1.26 V

Hallando VZ:

(1/100000 + 1/50 +1/990) VZ = (5/100000 + 1.96/50 +5/990) VZ = 2.11 V Para VX =1.26 V y VY =5 V

Hallando VZ: (1/100000 + 1/50 +1/990) VZ = (5/100000 + 1.96/50 +5/990) VZ = 2.11 V Para VX =1.26 V y VY =1.26V

Hallando VZ: (1/50 + 1/50 +1/990) VZ = (1.96/50 + 1.96/50 +5/990) VZ = 2.03 V

Valores Prcticos VX VY VZ

Valores Analticos VY VX VZ

Errores

5 V 5 V 1.26 V 1.26 V

5V 1.26 V 5V 1.26 V

5.07 V 1.91 V 1.91 V 1.88 V

5V 5V 1.26 V 1.26 V

5V 1.26 V 5V 1.26 V

5V 2.11 V 2.11 V 2.03 V

1.40 % 9.48 % 9.48 % 7.39 %

Circuito 2: Para VX =5 V y VY =5 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/50 +1/990) VZ = (4.3/50 + 4.3/50) VZ = 4.19V Para VX =5 V y VY =1.26 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/100000 +1/990) VZ = (4.3/50 + 1.26/100000) VZ = 4.09V

Para VX =1.26 V y VY =5 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/100000 +1/990) VZ = (4.3/50 + 1.26/100000) VZ = 4.09V

Para VX =1.26 V y VY =1.26 V

Hallando VZ: (1/50+ 1/50 +1/990) VZ = (0.56/50 + 0.56/50) VZ = 0.55V Valores Prcticos VX 5 V VY 5V VZ 4.55 V Valores Analticos VY 5V VX 5V VZ 4.19 V 8.59 % Errores

5 V 1.26 V 1.26 V

1.26 V 5V 1.26 V

4.57 V 4.45 V 0.85 V

5V 1.26 V 1.26 V

1.26 V 5V 1.26 V

4.09 V 4.09 V 0.55 V

11.74 % 8.80 % 25%

H.

Conclusiones

Despus de construir nuestros circuitos podemos concluir que en el primer circuito hemos obtenido la tabla lgica del multiplicador o AND y en el segundo circuito hemos obtenido la tabla del sumador u OR, las designaciones obtenidas en ambos circuitos algunas relativamente han estado en el intervalo de designacin denominada margen de ruido la cual se ha formado por los errores que hemos tenido al tomar los datos en laboratorio. A comparacin de los datos de las observaciones experimentales que en tema de designacin han estado en los intervalos de bajo y alto a pesar de ser valores de ruido.

Monica Alexandra Chavez Llancay Ingenieria Informatica y de Sistemas UNSACC