1.2 Anlisis de los Componentes.

Arquitectura de Computadoras Rafael Vazquez Perez

1.2.2 Memorias
1 Conceptos bsicos de manejo de la
memoria

2 Memoria principal semiconductora 3 Memoria Cache

Conceptos Bsicos del Manejo de la memoria

Una memoria es un dispositivo que puede mantenerse en por lo menos dos estados estables por un cierto periodo de tiempo. Cada uno de estos estados estables puede utilizarse para representar un bit. A un dispositivo con la capacidad de almacenar por lo menos un bit se le conoce como celda bsica de memoria.

Conceptos Bsicos del Manejo de la memoria

Un dispositivo de memoria completo se forma con varias celdas bsicas y los circuitos asociados para poder leer y escribir dichas celdas bsicas, agrupadas como localidades de memoria que permitan almacenar un grupo de N bits. El nmero de bits que puede almacenar cada localidad de memoria es conocido como el ancho de palabra de la memoria. Coincide con el ancho del bus de datos.

Conceptos Bsicos del Manejo de la memoria

Conceptos Bsicos del Manejo de la memoria

Decodicacin por las y columnas

Conceptos Bsicos del Manejo de la memoria

Uno de los circuitos auxiliares que integran la memoria es el decodicador de direcciones. Su funcin es la de activar a las celdas bsicas que van a ser ledas o escritas a partir de la direccin presente en el bus de direcciones. Tiene como entradas las n lineas del bus de direcciones y 2n lineas de habilitacin de localidad, cada una correspondiente a una combinacin binaria distinta de los bits de direcciones. Por lo tanto, el nmero de localidades de memoria disponibles en un dispositivo (T) se relaciona con el nmero de lineas de direccin 2n .

Resumen sobre conceptos bsicos de la memoria

Resumen sobre conceptos bsicos de la memoria

Jerarquas de Memoria

 Memoria semiconductora: matriz de celdas

Memoria Principal Semiconductora

que contienen 1 0, donde cada celda se especica por una direccin compuesta por su la (ROW) y su columna (COLUMN). Para su implementacin se usan de transistores en semiconductores. datos. Conexin al exterior mediante bus de datos, direcciones y control.

Operaciones bsicas: lectura y escritura de

Memoria Principal Semiconductora

Existen 2 categoras principales: ROM (read-only memory): los datos se almacenan de forma permanente o semipermanentememorias no voltiles. RAM (random-access memory): se tarda lo mismo en acceder a cualquier direccin de memoria (acceso en cualquier orden), capacidad de lectura y escritura, memorias voltiles. Existen 2 tipos de memoria ram : SRAM (estticas) y DRAM (dinmicas).

Memorias de acceso aleatorio estticas

(SRAM, static RAM)

Utilizacin de ip-ops para almacenar celdas. Rapidez de acceso a los datos. Tecnologa con la que se implementan las memorias cach. Dos tipos: asncronas y sncronas de rfaga. Diferencia: utilizacin de la seal de reloj del sistema para sincronizar todas las entradas este reloj. Modo rfaga en las SRAM sncronas: leer o escribir en varias posiciones de memoria (hasta 4) utilizando una nica direccin. Tambin presente en memorias DRAM.

Estructura externa de una SRAM asncrona

Estructura interna de una SRAM asncrona

Diagrama de tiempos de R/W en una SRAM asncrona Tiempo de acceso: tiempo transcurrido desde que se hace la peticin(direccin a la entrada del bus
de direcciones) hasta que se accede al dato.

Tiempo de ciclo (ciclo de lectura/escritura): tiempo mnimo que debe transcurrir entre dos peticiones de lectura y escritura.

Diagrama de tiempos de R/W en una SRAM asncrona

Fundamentos de memorias DRAM

Celdas implementadas mediante un condensador en vez de un latch/ip op, mayor densidad de almacenamiento a un menor costo. Se pasa de 6 transistores a 1 transistor. Transistor MOS (MOSFET). El transistor acta como interruptor. Guarda la mnima carga elctrica posible para luego poder ser leda mediante un circuito de amplicacin: cargado (1) o descargado (0). Acceso por la (linea de palabra) y por columna (lnea de bit).

Fundamentos de memorias DRAM

Memorias ms lentas que las SRAM: se prioriza el bajo costo y la mayor capacidad de almacenamiento. Requieren refresco peridico (Dynamic RAM): el condensador se descarga. Tiempo de ciclo > tiempo de acceso. Multiplexacin de direcciones: ahorro de pines en los chips de memoria. Las SRAM al tener menor capacidad, no tenan ese problema. Una direccin se divide/multiplexa en dos partes: la (parte alta) y columna (parte baja). Seales necesarias: RAS# y CAS#. RAS# (row access strobe): validacin de la la. CAS# (column access strobe): validacin de la columna. Asncronas y sncronas: intercambio de seales entre la memoria y el procesador utilizacin de una seal de reloj