Eletrnica de Potncia para Gerao, Transmisso e Distribuio de Energia Eltrica

J. A. Pomilio

ELETRNICA DE POTNCIA NO SISTEMA DE ENERGIA ELTRICA

Este curso faz uma apresentao das aplicaes eletrnicas de potncia no sistema eltrico. Inicialmente tem-se um breve histrico da produo e utilizao industrial da eletricidade, indicando-se o surgimento e a evoluo do que hoje chamado Eletrnica de Potncia. Na sequncia se faz uma exposio das principais fontes e acumuladores de energia que necessitam de conversores eletrnicos para permitir seu aproveitamento. Tais fontes esto diretamente relacionadas gerao de energia de forma renovvel e limpa e se constituem em elementos determinantes para a consolidao de uma matriz de energia eltrica menos danosa ao meio ambiente. Os captulos seguintes apresentam os conversores eletrnicos de potncia utilizados na conexo das fontes ao sistema eltrico. A seguir so apresentadas as aplicaes no sistema de transmisso de energia, que do sustentao tecnologia FACTS (Flexible AC Transmission Systems). Tais dispositivos transformam o sistema de transmisso de um elemento passivo do sistema para um elemento ativo, no sentido de que se torna possvel atuar sobre o mesmo para controlar o fluxo de potncia entre fontes e para as cargas. Uma reviso e um aprofundamento das teorias de potncia eltrica so apresentados. Tal discusso de grande importncia, especialmente em situaes que fogem das condies idias do sistema, ou seja, quando se tm desequilbrios e distores. Nesses casos as teorias convencionais no so capazes de produzir resultados consistentes com os fenmenos fsicos associados. Ao discutir os aspectos de distribuio, so abordadas aplicaes relacionadas com qualidade da energia e introduzida a tecnologia de redes inteligentes (smart-grids), que associam fontes distribudas de energia, controle descentralizado, comunicaes, etc. Os sistemas eletromecnicos de controle das variveis eltricas usados no incio da eletrificao, que continuaram em uso (e ainda o so, em alguma escala) so incapazes de dar ao sistema eltrico um comportamento dinmico adequado s necessidades modernas. Apenas com o advento da Eletrnica de Potncia na dcada de 60 do sculo passado e sua contnua evoluo desde ento que tem se tornado possvel atuar, praticamente em tempo real, sobre grandes quantidades de energia eltrica, em qualquer estgio, desde sua gerao at seu aproveitamento. A figura 1, bem como outras imagens, utilizadas em campanhas publicitrias da empresa Pirelli, ilustra a idia de que a potncia, sem controle, no tem utilidade. A domesticao da energia e, em especial, da eletricidade, so fatores determinantes para as transformaes que tm ocorrido na humanidade nos ltimos trs sculos. A importncia da Eletrnica de Potncia nesse contexto que essa tecnologia a que permite implementar estratgias de controle eficazes na produo, transporte e uso final da energia eltrica. Embora limitada pela capacidade de bloqueio de tenso e de conduo de corrente dos dispositivos semicondutores (diodos, transistores e tiristores), possvel construir conversores com capacidade para alguns MVA. Tem-se a expectativa de, com evolues nos materiais utilizados para a construo destes dispositivos, ampliar em pelo menos uma ordem de grandeza estes valores, o que dar ainda maior capacidade de processamento de energia aos conversores.

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Figura 1 Pea publicitria da Pirelli (1998)

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Uma breve histria da eletricidade industrial e da eletrnica de potncia As foras da natureza, desde o incio da civilizao, foram utilizadas para realizar trabalhos que facilitassem a atividade humana. Fosse a fora das guas, dos ventos ou animal, a tecnologia evoluiu no sentido de tornar possvel ao Homem o aproveitamento controlado dessa energia. A energia elica, como sabido, sazonal e um aproveitamento perene possvel apenas em poucas localidades. J a energia hidrulica, embora tambm sofra sazonalidades, est disponvel de modo muito mais regular. Por essa razo, as instalaes industriais (como moinhos e serrarias), instalavam-se ao lado dos cursos dgua. A inveno da mquina a vapor, no sculo XVIII, pela primeira vez tornou possvel a instalao das instalaes industriais em locais distantes dos cursos dgua.

Figura 2 Exemplos de aproveitamento de energia (imagens Microsoft).

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Seja com mquinas elicas, hidrulicas ou a vapor, a transmisso da energia se fazia de forma mecnica, por meio de eixos, roldanas, engrenagens, etc., como ilustra a figura 3. O controle independente de cada tipo de maquinrio era, assim, de maior complexidade e limitado em termos de flexibilidade de aplicaes. Em outras palavras, a energia mecnica no se constitui em um bom vetor energtico, ou seja, difcil de ser levada de um local a outro e conveniente transformada. Possivelmente a grande vantagem da eletricidade sobre outras formas de energia seja exatamente sua portabilidade e facilidade de transformao. Ou seja, muito fcil levar energia eltrica de um local a outro e tambm transform-la em movimento, em luz, em calor, etc. Nesse contexto, considera-se que a eletricidade , atualmente, o melhor vetor energtico. Por outro lado, sofre de uma grande limitao, que a impossibilidade de armazenagem direta de eletricidade em quantidades significativas.

Figura 3 Transmisso mecnica de fora motriz.

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A eletricidade A eletricidade, como tema de investigao cientfica remonta ao sculo XVIII. A produo de eletricidade, ao longo de quase todo o sculo XIX provinha essencialmente de reaes eletroqumicas, fontes de Corrente Contnua (CC), graas s realizaes de Alessandro Volta em 1800. As pesquisas durante a primeira metade do sculo XIX resultaram nas descobertas das leis fundamentais do eletromagnetismo. As descobertas de Michael Faraday e Joseph Henri, de forma autnoma, em 1831, fazendo a vinculao dos fenmenos eltricos aos magnticos, abriu as portas para outras formas de produo de energia eltrica, em maior quantidade e, portanto, aplicao produtiva da eletricidade. Poucos anos depois, conhecida a propriedade de campos eletromagnticos interagirem entre si, produzindo ao mecnica, comearam os desenvolvimentos dos motores eltricos1. O desenvolvimento dos motores CC comea em 1832, com William Sturgeon. Seguiramse os desenvolvimentos realizados por Emily and Thomas Davenport em 1837, levando a um motor CC com comutador. No havia, no entanto, suprimento de energia adequado para estes dispositivos.
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Figura 4 Bateria de Volta

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Em 1873, Zenobe Gramme inventa o dnamo (gerador CC). Ao conectar duas destas mquinas em paralelo, sendo que apenas uma era acionada mecanicamente, observou que uma delas passara a rodar e desenvolver torque em seu eixo, ou seja, atuava como motor. Assim, usando uma mesma estrutura construtiva de mquina eltrica, criou uma verso prxima ao atual motor CC. Tinha-se, assim a possibilidade de gerar eletricidade em quantidades adequadas para seu uso industrial. Durante a dcada de 80 do sculo XIX, impulsionado pelos trabalhos e investimentos de Thomas Edison, amplia-se a produo e o aproveitamento da eletricidade em sua forma CC.

Figura 5 Dnamo de Gramme, acionado por mquina a vapor 2

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Figura 6 Dnamo de seis polos3 patenteado por Ren Thury em 1883. Em 1888, Nikola Tesla inventa o motor de induo. Energia em corrente alternada (CA) pode ser produzida pelo prprio dnamo, eliminando-se o estgio retificador realizado pelo comutador. As vantagens do uso de CA para transmisso e distribuio de energia eltrica fizeram desta tecnologia a responsvel pela formidvel expanso da eletrificao a partir do final do sculo XIX. O funcionamento dos motores CA em velocidade constante, no entanto, impediam seu uso em aplicaes que exigiam alterao na velocidade, como em veculos (trens, bondes, etc.) ou alguns processos industriais, como laminadoras. Nestas aplicaes, o motor CC mantinha seu predomnio, exigindo o fornecimento de energia em corrente contnua, em potncias relativamente elevadas.

Figura 7 Nikola Tesla e Motor de induo 4 polifsico apresentado na Feira Mundial de 1893.

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http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Rene_Thury_six_pole_dynamo.jpg http://www.yacht-chartercroatia.com/about_croatia/tesla/images/tesla_generator-big.jpg

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Figura 8 Bonde eltrico em Campinas 5 O incio da eletrnica No incio do sculo XX, a partir de experimentos realizados por Edison, que introduziu um eletrodo com potencial positivo em sua lmpada de filamento para evitar que houvesse deposio de material no bulbo, Ambrose Fleming 6 identificou a capacidade deste dispositivo atuar como retificador, ou seja, converter uma alimentao CA em CC. Desta forma, a produo de eletricidade em CA podia ser convertida em CC, sem necessidade de dnamos e, assim, alimentar os motores que continuavam a ser muito utilizados. Foram tambm desenvolvidos outros dispositivos retificadores, como as vlvulas a arco de mercrio 7, mais adequadas a aplicaes de potncia elevada, devido maior capacidade de conduo de corrente devido ao plasma criado pelo arco. Seu uso permitiu substituir os grupos motores-geradores para produo de corrente contnua necessria aos sistemas de trao 8. Na dcada de 20 foi desenvolvido o retificador de selnio, ou seja, um dispositivo de estado slido, metlico, com capacidade de bloqueio de 30 V. Em 1929 Julius E. Lilenfeld patenteou um dispositivo baseado em um slido condutor, cuja condutividade seria controlada por meio de aplicao de um campo eltrico. Em princpio, Lilenfeld descreveu o princpio de funcionamento de um transistor de efeito de campo de juno (JFET). No entanto no havia tecnologia para realizar tal dispositivo por falta de um slido com condutividade adequada ao funcionamento de tal componente. Lilenfeld tambm foi o inventor do capacitor eletroltico9, dentre outras inovaes.

A CCTLF inaugurou seu sistema de bondes eltricos com bitola mtrica em 24 de junho de 1912. O carto postal mostra o veculo 38 na Avenida Andrade Neves em 1920. http://www.skyscrapercity.com/showthread.php?t=470828 6 http://www.radio-electronics.com/info/radio_history/valve/hov.php 7 http://en.wikipedia.org/wiki/Mercury_arc_valve
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Frank Dittmann, The development of power electronics in Europe, acessvel em www.ieeeghn.org/wiki/images/a/a7/DITTMANN.pdf

http://en.wikipedia.org/wiki/Julius_Edgar_Lilienfeld

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Figura 9 Julius Edgard Lilenfeld e desenhos de sua patente do que viria a ser, dcadas depois, um FET10 Tambm nos anos 20 do sculo passado surgiu a Thyratron 11, que no um dispositivo vcuo, uma vez que seu interior ocupado por algum gs, responsvel por ampliar a quantidade de ons e, em conseqncia, a capacidade de conduo de corrente. Seu comportamento o de um interruptor que acionado por um terminal de disparo. Com o dispositivo foi possvel aprimorar os processos alimentados em CC pois se tornou vivel o ajuste do valor da tenso e/ou corrente por meio de uma retificao controlada.

Figura 10 Ambrose Fleming e Diodo vcuo criado por Fleming 12

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M. Guarnieri, Trailblazers in Solid-State Electronics, IEEE Industrial Electronics Magazine, December 2011, pp. 46-47 11 http://en.wikipedia.org/wiki/Thyratron 12 http://www.r-type.org/pics/aag0010.jpg

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Figura 11 Thyratron a vapor de mercrio, utilizada at 1950 13 Da eletrnica de estado slido Eletrnica de Potncia Em 194714, John Bardeen e Walter Brattain, que trabalhavam na Bell Telephone Laboratories, estudavam o comportamento de eltrons na interface entre um metal e um semicondutor. Ao fazer dois contatos muito prximos um do outro, criaram um dispositivo de trs terminais com capacidade de amplificao. Bardeen e Brattain receberam o Prmio Nobel de Fsica de 1956, juntamente com William Shockley, "por suas pesquisas em semicondutores e descoberta do efeito transistor". Shockley tinha desenvolvido um transistor de juno, que foi construdo em camadas finas de diferentes tipos de material semicondutor. Esta inveno resultou um enorme esforo de pesquisa em dispositivos eletrnicos de estado slido. Ao longo dos anos 50 15 os trabalhos se concentraram na substituio do Germnio pelo Silcio como elemento sobre o qual se construir os dispositivos semicondutores. As propriedades do Silcio so muito superiores s do Germnio (no que tange realizao de tais dispositivos), permitindo obter maior capacidade de bloqueio de tenso e de conduo de corrente. Os primeiros transistores tinham como aplicao principal a amplificao de sinais. Embora muito mais eficientes do ponto de vista energtico em comparao com as vlvulas, a aplicao em potncias elevadas no era possvel. O alto rendimento exigido no processamento da energia eltrica faz com que os dispositivos atuem como interruptor quando, idealmente, no dissipam potncia pois apresentam ou tenso nula (quando conduzem) ou corrente nula (quando abertos). A transio de um estado a outro, idealmente, deve ser instantnea. O primeiro dispositivo de estado slido, que marca o nascimento do campo tecnolgico a que denominamos Eletrnica de Potncia o SCR (Retificador Controlado de Silcio),

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http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Thyratron-Mercure.JPG http://nobelprize.org/educational/physics/transistor/history/ 15 http://www.ti.com/corp/docs/company/history/timeline/popup.htm

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denominao dada pela General Electric, em 1958 16 17. Trata-se de um dispositivo que tem o mesmo comportamento biestvel da thyratron. Por tal razo, a denominao que se estabeleceu para o componente Tiristor.

Figura 11 Reproduo do primeiro transistor

http://blog.makezine.com/HR-1stTransistor.jpg

O domnio sobre os processos de purificao do silcio, aliado ao aprofundamento dos conhecimentos sobre os fenmenos da fsica do estado slido e dos processos microeletrnicos permitiu, ao longo dos anos 60 e 70, o aumento na capacidade de controle de potncia dos tiristores, atingindo valores na faixa de MVA. No houve, nesta fase, novas aplicaes, mas principalmente a substituio de outros dispositivos pelos tiristores, com ganhos de rendimento e de desempenho, principalmente como retificador (conversor CA-CC) no acionamento de motores CC. Em sistemas com alimentao CC, como em trens e trleibus, o uso dos tiristores enfrentou dificuldades, dada a incapacidade deste dispositivo ser desligado por ao do terminal de comando (gate). Foram desenvolvidas estratgias para possibilitar tal tipo de aplicao. So do incio dos anos 60 os circuitos de comutao idealizados por William McMurray 18 que permitiam o uso do tiristor em CC, bem como a obteno de uma sada CA a partir da entrada CC. Tais inversores permitiriam a substituio de motores CA por motores de induo em aplicaes de velocidade varivel. A complexidade dos circuitos e os problemas de confiabilidade restringiram fortemente as aplicaes destes circuitos.
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Wilson, T.G. The Evolution of Power Electronics, IEEE Transactions on Power Electronics, Volume: 15 Issue:3, May 2000, page(s): 439 - 446 17 Masao Yano, Shigeru Abe, Eiichi Ohno, History of Power Electronics for Motor Drives in Japan, acessvel em www.ieeeghn.org/wiki/images/4/49/Yano2.pdf 18 W. McMurray, SCR Inverter Commutated by an Auxiliary Impulse, IEEE Trans. on Communication and Electronics, Vol. 83, p.824, 1964.

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A primeira aplicao ferroviria no Japo ocorreu em 1969, com o controle do enrolamento de campo (por meio de conversor CC-CC) dos motores CC de trao. O uso de motor de induo nesta aplicao ocorreu em 1982. No Brasil, a modernizao dos transportes aconteceu a partir dos sistemas metrovirios no final dos anos 70. As tcnicas de comutao forada de tiristores caram em desuso nos anos 80, com o desenvolvimento do GTO (Gate Turn-Off thyristor), que permitia tanto o disparo quando o bloqueio controlado. Os GTOs dominaram at o final do sculo XX as aplicaes de trao com alimentao CC, sejam com motores CC ou motores CA. Outro campo que se beneficiou do desenvolvimento dos tiristores foi o sistema de transmisso de energia eltrica por meio de linhas em corrente contnua de alta tenso, envolvendo retificadores e inversores. A instalao do sistema CC para trazer energia da parte paraguaia de Itaipu (gerada em 50 Hz) at o sudeste do Brasil (onde se converte em 60 Hz) ocorreu nos anos 80. Ainda na rea do sistema eltrico, surgiram dispositivos de compensao, como os reatores controlados a tiristor (RCT) ou o TCSC (Thyristor Controled Series Compensator), instalado no incio deste sculo na interligao dos sistemas norte (Tucuru) ao sistema sul 19. Ao longo dos anos 60 e 70 as aplicaes eletrnicas, principalmente na rea de computao, cresceram vertiginosamente. O suprimento de energia para sistemas espaciais, computadores, bem como para uso residencial e comercial, como reatores para lmpadas fluorescentes e televisores, exigiam solues mais eficientes, leves e compactas. Nesta direo, houve grande evoluo dos transitores, no mais para operar como amplificador (na regio ativa) mas para funcionar como interruptor. Diferentemente dos tiristores que, por seu modo de funcionamento se adequam alimentao CA, os transistores tm sua melhor aplicao a partir de fontes CC. Ao desenvolvimento dos transistores bipolares de potncia somou-se a evoluo dos transistores de efeito de campo, principalmente o MOSFET (Metal-Oxide Silicon Field Effect Transistor), resultando, no final dos anos 80 no surgimento do IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).

Figura 12 Conjunto de tiristores formando uma vlvula no sistema retificador de Itaipu

http://www04.abb.com/global/gad/gad02007.nsf/Images/5824B8312CF6E9C5C1256EBD00523B4F/$File/L36541_7 20.jpg

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C. Gama, L. ngquist, G. Ingestrm, and M. Noroozian, Commissioning and operative experience of TCSC for damping power oscillation in the Brazilian north-south interconnection, in Proc. CIGRE Session 2000, Paper 14-104, Paris, France, 2000.

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O elevado ganho de rendimento obtido com os tiristores, em comparao com as solues anteriores, no veio acompanhado de aumento na densidade de potncia dos conversores, uma vez que os dispositivos continuavam a operar em 50/60 Hz. A disponibilidade de transistores com capacidade de comutar na faixa de dezenas ou centenas de kHz tornou possvel uma grande reduo no volume dos transformadores, indutores e capacitores utilizados nos conversores, minimizando o espao requerido pelas fontes de alimentao dos equipamentos. Inicialmente com transistores bipolares (anos 70), passando pelos MOSFET (a partir dos anos 80) em aplicaes de baixa tenso, chegando aos IGBTs nos anos 90, em uma faixa de tenso e frequncia capaz de alimentar cargas na faixa de MVA, as fontes chaveadas e os inversores (conversores alimentados em CC) tiveram um enorme desenvolvimento em termos de desempenho e confiabilidade. O sucesso dos inversores, ao permitir o controle de velocidade dos motores de induo, a partir dos anos 90, praticamente eliminou o uso dos motores CC de escovas. certo que ainda existem muitas aplicaes com tais motores, mas os processos de troca de equipamentos sempre apresentam vantagens para o uso dos motores CA associados aos inversores. Outras estruturas de motores, como o motor de relutncia varivel, os motores de passo, os motores CC sem escovas (DC brushless) necessitam de um conversor eletrnico para seu funcionamento. Conjuga-se, deste modo o desenvolvimento dos sistemas de acionamento ao de eletrnica de potncia de maneira irreversvel. O direcionamento atual da Eletrnica de Potncia tem sido em busca de processos de aproveitamento de energia mais ecologicamente adequados. Os usos de energia fotovoltaica, elica, do hidrognio, carecem de um processamento eletrnico para sua adequao s cargas. Apesar dos imensos progressos da microeletrnica (j tendo se tornado nanoeletrnica), do ponto de vista dos dispositivos de potncia, aparentemente se est no limite da capacidade do silcio em termos de bloqueio de tenso e de conduo de corrente. A quebra dos atuais limites destas grandezas, que permitiria ampliar as aplicaes, parece depender do desenvolvimento de novos materiais semicondutores, como carbetos de silcio, ou nitreto de glio, capazes de ampliar o campo eltrico suportvel, diminuir perdas, facilitar o fluxo do calor interno, etc. 20. Quem sabe, daqui a uns 10 anos tenha-se um novo e importante captulo nessa histria.

Figura 13 Sem Eletrnica de Potncia no se aproveitam adequadamente as fontes limpas e renovveis de energia
http://keetsa.com/blog/wp-content/uploads/2009/02/solar-wind-power.jpg MOHAN, UNDERLAND, ROBBINS Power Electronics: Converters, Applications and Design, 2nd edition, John Wiley, 1994.
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A figura 14 mostra uma distribuio dos componentes semicondutores, indicando limites aproximados 21 para valores de tenso de bloqueio e corrente de conduo. Obviamente estes limites evoluem com o desenvolvimento tecnolgico e servem como uma ilustrao para a verificao, numa primeira aproximao, das faixas de potncia em que cada componente pode ser utilizado.
V
(k V )

12

SCR

1 2 k V /1 .5 k A

10

6 .5 k V / 0 .6 k A

6 .5 k V /4 .2 k A 6 k V /6 k A

G T O /IG C T
4 2 .5 k V /1 .8 k A 2

4 .8 k V /5 k A

1 .7 k V /3 .6 k A

IG B T
0 1 2 3 4 5 6 I( k A )

Figura 14 Limites de capacidade de componentes semicondutores de potncia.

Figura 15 IGCT http://theeestory.com/files/PressPak_on_circuit_board.jpg

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B. Wu, High-Power Converters and AC Drives. New York: Wiley-IEEE Press, 2005

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Figura 16. Tiristores http://img.alibaba.com/img/pb/411/009/236/1266998321532_hz_fileserver1_404256.JPG

Figura 17 Mdulo IGBT (3300 V, 1200 A)

http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/b5/IGBT_3300V_1200A_Mitsubishi.jpg/300pxIGBT_3300V_1200A_Mitsubishi.jpg

Materiais Emergentes Embora existam alguns diodos realizados com outros materiais (Arseneto de Glio e Carbeto de Silcio), o silcio atualmente praticamente o nico material utilizado para a fabricao de componentes semicondutores de potncia. Isto se deve ao fato de que se tem tecnologia para fazer o crescimento de monocristais de silcio com pureza e em dimetro suficientes, o que ainda no possvel para outros materiais. Existem, no entanto, outros materiais com propriedades superiores, em relao ao silcio, mas que ainda no so produzidos em dimenses e grau de pureza necessrios fabricao de componentes de potncia. Arseneto de Glio (GaAs) um destes materiais. Por possuir um maior gap de energia, sempre em relao ao silcio, dispositivos construdos a partir deste material apresentam menor
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corrente de fuga e, assim, poderiam operar em temperaturas mais elevadas. Uma vez que a mobilidade dos portadores muito maior no GaAs, tem-se um componente com menor resistncia de conduo, especialmente nos dispositivos com conduo por portadores majoritrios (MOSFET). Alm disso, por apresentar uma maior intensidade de campo eltrico de ruptura, ele poderia suportar maiores tenses. Carbetos de Silcio so materiais sobre os quais se fazem intensas pesquisas. O gap de energia maior que o dobro do Si, permitindo operao em temperaturas elevadas. Adicionalmente apresenta elevada condutividade trmica (que baixa para GaAs), facilitando a dissipao do calor produzido no interior do semicondutor. Sua principal vantagem em relao tanto ao Si quanto ao GaAs a intensidade de campo eltrico de ruptura, que aumentada em uma ordem de grandeza. Outro material de interesse potencial o diamante. Apresenta, dentre todos estes materiais, o maior gap de energia, a maior condutividade trmica e a maior intensidade de campo eltrico, alm de elevada mobilidade de portadores. Propriedades de materias semicondutores Propriedade Si Gap de energia a 300K (eV) 1,12 Condutividade trmica (W/cm.C) 1,5 Mobilidade a 300K (cm2/V.s) 1400 Campo eltrico mximo (V/cm) 3.105 Temperatura de fuso (C) 1415 Diamante grafite

GaAs 1,43 0,5 8500 4.105 1238

3C-SiC 2,2 5,0 1000 4.106 Sublima >> 1800

6H-SiC 2,9 5,0 600 4.106 Sublima >>1800

Diamante 5,5 20 2200 1.107 Muda de fase 2200*

Uma outra anlise pode ser feita comparando o impacto dos parmetros mostrados acima sobre algumas caractersticas de componentes (hipotticos) construdos com os novos materiais. As tabelas a seguir mostram as variaes de alguns parmetros. Tomem-se os valores do Si como referncia. 22 Nota-se que as resistncias da regio de deriva so fortemente influenciadas pelos materiais. Estes valores so determinados considerando as grandezas indicadas na tabela 1.I. A resistncia de um componente de diamante teria, assim, um valor cerca de 30000 vezes menor do que se tem hoje num componente de Si. O impacto sobre a reduo das perdas de conduo bvio.

Resistncia hmica da regio de deriva Material Si Resistncia relativa 1

GaAs 6,4.10-2

SiC 9,6.10-3

Diamante 3,7.10-5

22

N. Mohan, T. M. Undeland and W. P. Robbins: Power Electronics - Converters, Applications and Design, John Wiley & Sons, Inc., Third Ed., 2003

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Para um dispositivo que deve suportar 1kV, as necessidades de dopagem e o comprimento da regio de deriva so mostradas a seguir. Nota-se tambm aqui que os novos materiais permitiro uma reduo drstica no comprimento dos dispositivos, implicando numa menor quantidade de material, embora isso no necessariamente tenha impacto sobro o custo. Um dispositivo de diamante seria, em princpio, capaz de suportar 1kV com uma dopagem elevada na regio de deriva e num comprimento de apenas 2m, ou seja, 50 vezes menos que um componente equivalente de Si. Dopagem e comprimento da regio de deriva necessrio para uma juno abrupta suportar 1kV Material Si GaAs SiC Diamante -3 14 14 16 Dopagem (cm ) 1,3.10 5,7.10 1,1.10 1,5.1017 100 50 10 2 Comprimento (m)

A reduo no tempo de vida dos portadores no interior da regio de deriva indicada a seguir. Este parmetro tem implicaes sobre a velocidade de comutao dos dispositivos, sendo, assim, espervel que componentes de diamante, sejam algumas ordens de grandeza mais rpidos que os atuais componentes de Si. Tempo de vida de portador (na regio de deriva) para uma juno pn com ruptura de 1000V Material Si GaAs SiC Diamante Tempo de vida 40 ns 7 ns 1,2 s 0,11 s Muitos problemas tecnolgicos ainda devem ser solucionados para que estes materiais se constituam, efetivamente, em alternativas para o Si. Silcio um material que vem sendo estudado h quase meio sculo e com enormes investimentos. O mesmo no ocorre com os demais materiais. O GaAs vem sendo estudado nas ltimas dcadas, mas com uma nfase em dispositivos rpidos, seja para aplicaes computacionais, seja em comunicaes ticas. No existe ainda tecnologia para produzir pastilhas com o grau de pureza e dimenso necessrias construo de componentes de potncia. Alm disso, em relao ao Si, este material no possui um xido natural (como o SiO2), dificultando a formao de camadas isolantes e de mscaras para os processos litogrficos. Para componentes de SiC, em 2003 a Infineon passou a comercializar um diodo Schottky, para 600V, com corrente at 12 A (SDP12S06). A evoluo destes dispositivos tem sido lenta. Em 2011 foi anunciado um MOSFET para 1200V, 24 A (a 25C), com resistncia de canal de 160 m. Um dispositivo equivalente de silcio apresenta resistncia uam ordem de grandeza acima. No entanto, melhorias no processo de fabricao tm tornado possvel resistncias da ordem de 300 m, para componentes de Si. Ou seja, embora com boas perspectivas, ainda no esto disponveis dispositivos de potncia efetivamente elevada e que venham a permitir importantes avanos na construo de conversores para a faixa de dezenas de MVA. Quanto ao diamante, no existe ainda uma tecnologia para construo de "waffers" de monocristal de diamante. Os mtodos existentes para produo de filmes finos levam a estruturas policristalinas. A difuso seletiva de dopantes e a realizao de contatos hmicos ainda devem ser objeto de profundas pesquisas.

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