PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS - INSTITUTO DE CINCIAS EXATAS

THIAGO BARANTE TEIXEIRA

INFLUNCIA DA TEMPERATURA EM AGLOMERADOS AUTO-RECONFIGURVEIS DE CLULAS SOLARES FOTOVOLTAICAS

BELO HORIZONTE MINAS GERAIS MARO 2008

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MINAS GERAIS - INSTITUTO DE CINCIAS EXATAS

THIAGO BARANTE TEIXEIRA

INFLUNCIA DA TEMPERATURA EM AGLOMERADOS AUTO-RECONFIGURVEIS DE CLULAS SOLARES FOTOVOLTAICAS

Monografia apresentada ao Programa de PsGraduao em Fsica da UFMG como requisito parcial para obteno do ttulo de Especialista em Microeletrnica Microfabricao.

Orientador: Prof. Dr. Davies William de Lima Monteiro

Escola de Engenharia Depto. de Engenharia Eltrica

Belo Horizonte Minas Gerais Maro 2008

AGRADECIMENTOS

Agradeo a todos que, de alguma forma, dedicaram seu tempo, trabalho e ateno elaborao deste estudo, em especial ao Professor Doutor Davies William de Lima Monteiro, orientador desta monografia, que sempre se colocou disposio para resoluo de problemas e esclarecimentos das dvidas que surgiram no processo de criao e execuo deste projeto. Sou grato tambm ao amigo e colega Tiago de Oliveira Rocha, parceiro no desenvolvimento do modelo em PSPICE apresentado neste documento. FAPEMIG (Fundao de Amparo Pesquisa do Estado de Minas Gerais) agradeo pelo apoio financeiro recebido durante o curso de especializao e durante o treinamento realizado no exterior. A todos os professores e colegas do curso de especializao deixo meu muito obrigado.

Sumrio

RESUMO ............................................................................................................................. 7 ABSTRACT ......................................................................................................................... 7 LISTA DE FIGURAS .......................................................................................................... 8 1 Introduo .................................................................................................................... 10

1.1 - Motivao ............................................................................................................................10 1.2 - Conceito de autoreconfigurao .........................................................................................11

2 Fundamentos ................................................................................................................ 12
2.1 Energia solar.......................................................................................................................12 2.1.1 Radiao Solar...............................................................................................................12 2.1.2 Espectro solar ................................................................................................................13 2.2 Converso ...........................................................................................................................15 2.2.1 Juno pn.......................................................................................................................15 2.2.2 Coeficiente de absoro .................................................................................................17 2.2.3 Coeficiente de reflexo ..................................................................................................18 2.2.4 Eficincia quntica.........................................................................................................19 2.3 Curva IxV ...........................................................................................................................20 2.3.1 Circuito equivalente.......................................................................................................21 2.3.2 Corrente de curto-circuito (ISC).......................................................................................22 2.3.3 Tenso de circuito aberto (VOC)......................................................................................22 2.3.4 Ponto de mxima potncia (MPP) ..................................................................................23 2.3.5 Fator de preenchimento (FF)..........................................................................................24 2.3.6 Efeitos da variao da temperatura.................................................................................26 2.4 Fotocondutor ......................................................................................................................27 2.4.1 Mecanismo de fotoconduo..........................................................................................27

2.4.2 Resistividade e resistncia..............................................................................................29

3 Modelo em PSPICE...................................................................................................... 30
3.1 Viso geral ..........................................................................................................................30 A Comprimento de onda.........................................................................................................33 B Coeficiente de absoro ......................................................................................................33 C Espectro solar .....................................................................................................................34 D Densidade de corrente.........................................................................................................36 E Fotocondutor.......................................................................................................................40 F Smart Solar Clusters (SSCs) ................................................................................................46 3.3 Integrao dos mdulos......................................................................................................47

4 Simulaes e resultados obtidos................................................................................... 49

4.1 Variao da fotocondutncia..............................................................................................49 4.1.1 Variaes com nvel de dopagem ...................................................................................49 4.1.2 Variaes com temperatura............................................................................................53 4.2 Variaes da curva IxV dos SSCs com a temperatura ......................................................55

5 Concluses .................................................................................................................... 60 6 Referncias ................................................................................................................... 62 Anexo 1 : Biblioteca da fonte PWL para o comprimento de onda ................................... 64 Anexo 2 : Biblioteca utilizada na fonte PWL para o coef. de absoro do Si .................. 65 Anexo 3 : Biblioteca utilizada na fonte PWL para o espectro solar................................. 66 Anexo 4 : Eqs. do clculo da densidade de corrente do bloco D.................................... 68 Anexo 5 : Eqs. clculo da efic. quntica do fotocondutor................................................. 69 Anexo 6 : Equaes do modelo de mobilidade MINIMOS 6 .............................................70

RESUMO

Este trabalho tem como finalidade avaliar os efeitos da variao da temperatura no funcionamento de aglomerados auto-reconfigurveis de clulas solares fotovoltaicas, doravante denominados Smart Solar Clusters (SSCs). Para realizar tal avaliao, foi necessria a criao de um modelo matemtico/computacional que leva em conta a variao de vrios parmetros fsicos aos quais uma clula solar est exposta tanto no ambiente de operao, quanto em seu processo de fabricao. O modelo matemtico/computacional, criado com utilizao do software Orcad PSPICE 9.2, no o foco principal deste trabalho, porm, como sua criao foi fundamental para alcanar o objetivo final, seu funcionamento e a forma como foi criado sero amplamente demonstrados no decorrer deste documento.

ABSTRACT

This study aims to evaluate the effects of temperature variation in the operation of Smart Solar Clusters (SSCs), consisting of a specific internal connection of a number of photovoltaic cells. To perform such evaluation, it was necessary to create a mathematical/computer model that takes into account the variation of various physical parameters to which a solar cell is exposed both in the environment of operation, and in its manufacturing process. The mathematical/computer model, created using the software Orcad PSPICE 9.2, is not the main focus of this study. However, as its implementation was essential to achieve the final goal, how it works and the way it has been created will be widely demonstrated in this document.

LISTA DE FIGURAS
Figura 1 : Curva IxV de uma clula solar convencional (pontilhada) e do SSC (azul slido). ........... 11 Figura 2 : Radiao solar anual em superfcies horizontais em kW.h/m2. [1] .................................. 13 Figura 3 : Espectro solar para trs cenrios distintos. [1] ............................................................. 14 Figura 4 : Estrutura de uma clula solar fotovoltaica. [1] ............................................................. 16 Figura 5 : Princpio de funcionamento das clulas solares. [1] ...................................................... 17 Figura 6 : Coeficiente de absoro e comprimento de penetrao por comprimento de onda. ........... 18 Figura 7 : Curva IxV de uma clula solar fotovoltaica. ................................................................ 20 Figura 8 : Circuito equivalente de uma clula solar fotovoltaica. [1] ............................................. 21 Figura 9 : Grfico da potncia de sada de uma clula solar sobreposto curva IxV. ....................... 23 Figura 10 : Fator de preenchimento (Fill Factor)......................................................................... 24 Figura 11 : Variaes da curva IxV em relao a mudaas na temperatura. [1] ............................... 26 Figura 12 : Estrutura de um fotocondutor. [4] ............................................................................ 27 Figura 13 : Mecanismo de fotoconduo. [5] ............................................................................. 28 Figura 14 : Fotocondutor. [3] ................................................................................................... 29 Figura 15 : Viso geral do modelo criado no software Orcad PSPICE 9.2. ..................................... 32 Figura 16 : Fonte PWL com os valores de comprimento de onda. ................................................. 33 Figura 17 : Fonte PWL para simulao do coeficiente de absoro. .............................................. 33 Figura 18 : Grfico do coeficiente de absoro do silcio gerado pelo modelo. ............................... 34 Figura 19 : Fonte PWL para simulao do espectro solar. ............................................................ 35 Figura 20 : Grfico de espectro solar AM 1.5 gerado pelo modelo. ............................................... 35 Figura 21 : Circuito interno ao bloco D do modelo. .................................................................. 37 Figura 22 : Densidade de corrente fotogerada total. .................................................................... 39 Figura 23 : Circuito interno ao bloco E do modelo (parte 1)....................................................... 41 Figura 24 : Grfico de resistncia por comprimento de onda. ....................................................... 43 Figura 25 : Variao da concentrao intrnseca com a temperatura. [2] ........................................ 45

Figura 26: Efic. quntica de fotocondutor de Si com dopagem de 1x1015 e espessura de 0,5 m. ...... 46 Figura 27 : Bloco de simulao dos Smart Solar Clusters. ........................................................... 47 Figura 28 : Resistividade de escuro com o nvel de dopagem em um dispositivo de silcio tipo n. ..... 49 Figura 29 : Grfico da resistividade[.cm] por comprimento de onda[m]. ................................... 50 Figura 30 : Grfico de resistividade [.cm/m] por comprimento de onda[nm]. ............................. 51 Figura 31 : Variao da resistncia sob iluminao de um fotocondutor .......................................... 1 Figura 32 : Mobilidade de eltrons no silcio em funo da temperatura e nvel de dopagem. [11] .... 54 Figura 33 : Vario da resistividade do fotocondutor [.cm] pela temperature [K]. ........................ 54 Figura 34 : Curva IxV dos SSCs operando em diferentes temperaturas. ......................................... 56 Figura 35 : Grfico de Mobilidade x Temperatura x Nvel de dopagem do Silcio........................... 57 Figura 36 : Curva de potncia por tenso dos SSCs operando em diferentes temperaturas................ 58

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1 Introduo

1.1 - Motivao

Os Smart Solar Clusters (SSCs)1 so um novo conceito de configurao de clulas solares fotovoltaicas. So compostas por clulas solares unitrias interligadas utilizando fotocondutores que funcionam como chaves, tornando o conjunto auto-reconfigurvel. A forma como as clulas e os fotocondutores so interligados permite ao conjunto compensar variaes na intensidade de radiao luminosa recebida pelos SSCs, mantendo seu ponto de operao constante, ou seja, os valores de corrente e tenso fornecidos carga se mantm inalterados mesmo com variaes da potncia luminosa recebida nos painis solares dos SSCs. Este comportamento vlido para uma faixa de intensidade luminosa ao redor da nominal. Por se tratar de um conceito novo, muitos estudos ainda devem ser realizados com finalidade de compreender o funcionamento dos SSCs e facilitar sua utilizao posteriormente. A motivao deste trabalho avaliar os efeitos da temperatura na curva caracterstica de corrente por tenso (IxV), sendo este apenas um dos diversos alvos de estudo que merecem ateno nos SSCs.

SSC a terminologia em ingls referente aos aglomerados auto-reconfigurveis de clulas solares fotovoltaicas.
1

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1.2 - Conceito de autoreconfigurao

Quando ocorre uma reduo da radiao luminosa incidente nos painis de uma clula solar fotovoltaica convencional a corrente de curto-circuito (ISC) e a tenso de circuito aberto (VOC) diminuem, alterando os valores de tenso e corrente fornecidos carga, resultando na curva pontilhada no grfico da figura 1. Os Smart Solar Clusters (SSCs) so capazes de compensar essa variao do ponto de operao (Pop) atravs do aumento do valor da tenso de circuito aberto (VOC) do sistema.

Figura 1 : Curva IxV de uma clula solar convencional (pontilhada) e do SSC (azul slido).

O grfico da figura 1 acima representa o funcionamento dos SSCs. Quando a intensidade de radiao luminosa diminui, a corrente de curto circuito sofre uma reduo de ISC(1) para ISC(2). Este fenmeno causaria uma mudana na curva caracterstica da clula, resultando na curva pontilhada. Porm, quando a intensidade de radiao luminosa diminui, o valor de resistncia dos fotocondutores dos SSCs aumenta, causando uma elevao da tenso de circuito aberto do conjunto de VOC(1) para VOC(2) (curva azul slida). Este aumento no valor de VOC suficiente para manter o ponto de operao do sistema (Pop) conforme exibido no grfico IxV da figura 1.

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2 Fundamentos

Neste captulo sero abordados os fundamentos de funcionamento das clulas solares fotovoltaicas, desde a fonte primria de energia - o sol - at a energia eltrica fornecida carga ligada s clulas, passando pelo processo de converso. Algumas imagens e equaes deste captulo foram retiradas da referncia [1]. Modificaes foram feitas nas imagens para melhor adaptao a este trabalho.

2.1 Energia solar

2.1.1 Radiao Solar

A intensidade de radiao solar uma grandeza que nos informa a quantidade de potncia luminosa fornecida pelo Sol, medida em determinada rea e , normalmente, expressa em watts por metro quadrado [W/m2]. O valor dessa densidade de potncia medida fora da atmosfera terrestre de 1367 W/m2, a chamada Constante Solar. Esse valor definido pela quantidade de energia luminosa que atravessa uma rea de 1 metro quadrado localizada na superfcie de uma esfera imaginria cujo raio a mdia da distncia entre a Terra e o Sol, sendo o Sol o centro da esfera. Se a intensidade de radiao solar for medida na superfcie da Terra, sero encontrados valores que diferem da Constante Solar. Isto se deve da maior distncia entre o Sol e o ponto de medio e, principalmente, aos efeitos de absoro, reflexo e espalhamento de energia que a atmosfera terrestre exerce sobre a radiao solar. Diferentes regies do planeta possuem diferentes intensidades de radiao, sendo as regies prximas aos trpicos (Capricrnio e Cncer) as que possuem maior densidade de energia solar recebida, conforme demonstra a figura 2. Fatores climticos (nuvens), de relevo (lagos, montanhas) e a inclinao do sol em

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relao ao znite2 tambm influenciam bastante na intensidade de radiao solar recebida na superfcie terrestre.

Figura 2 : Radiao solar anual em superfcies horizontais em kW.h/m2. [1]

2.1.2 Espectro solar

O espectro de energia solar na superfcie da Terra difere do espectro fora da atmosfera pelos mesmos motivos (efeitos da atmosfera) apresentados na seo 2.1.1. A figura 3 abaixo apresenta as diferentes formas do espectro solar para medies realizadas fora da atmosfera (AM 0) e na superfcie terrestre em um dia claro (AM 1.5) e em um dia nublado. AM 0 e AM 1.5 so nomenclaturas dadas a espectros usados como referncia em estudos que utilizam valores do espectro de radiao solar. O nome dado a esses valores de referncia vem de Massa de Ar (Air Mass em ingls) e de um nmero que 0 para o espectro no espao livre e 1.5 para o espectro solar ao nvel do mar para um dado ngulo de inclinao solar conforme mostrado na equao 1. Em geral, defini-se um espectro AM X, com X dado pela equao 1 a seguir:

Em astronomia, znite o ponto superior da esfera celeste, segundo a perspectiva de um observador na superfcie do astro em que se encontra. o marco referencial de localizao de posies de objetos celestes.

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(eq. 1)

em que z o ngulo de znite do sol. Quando o sol est localizado no znite (no topo da esfera celeste), z igual a zero e X igual a 1, resultando no espectro AM 1.0. Um valor mais realista do espectro solar na superfcie terrestre para uso geral e referncia dado para um ngulo de znite (Z) igual a 48,19 (equivalente a X=1.5; AM 1.5).

Figura 3 : Espectro solar para trs cenrios distintos. [1]

No grfico da figura 3 percebe-se, claramente, que a intensidade de radiao na superfcie terrestre inferior ao do espectro fora da atmosfera. O efeito da atenuao causado por alguns gases presentes na atmosfera demonstrado na figura 3 atravs dos pontos da curva de AM 1.5 em que h considerveis redues nos valores da intensidade de radiao da distribuio espectral.

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2.2 Converso

Para se obter energia eltrica a partir da energia solar necessrio um processo de converso que transforma a energia dos ftons da luz em corrente eltrica. A forma como isso acontece est descrita nas prximas sub-sees e decorre do efeito fotovoltaico descoberto em 1839 por Alexandre Edmond Becquerel3. Ele descobriu que certos materiais produzem corrente eltrica quando expostos luz. Neste estudo sero analisadas as clulas solares fotovoltaicas produzidas a partir de lminas de silcio monocristalino.

2.2.1 Juno pn

Uma clula solar fotovoltaica de silcio consiste em uma juno pn. A profundidade dessa juno no dispositivo deve ser pequena a ponto de permitir que os ftons atravessem o silcio e atinjam a regio onde h a juno do silcio tipo n (emissor) com o silcio tipo p (base). A figura 4 apresenta uma configurao usual de uma clula solar fotovoltaica de silcio. Essa estrutura apresenta uma regio tipo p mais espessa e inferior camada tipo n, pois o comprimento de difuso dos eltrons em uma regio p superior ao comprimento de difuso dos buracos em uma regio n.

Alexandre-Edmond Becquerel (24 de maro de 1820 - 11 de maio de 1891) foi um fsico francs que estudou o espectro solar, magnetismo, electricidade e ptica. Ele conhecido pelos seus trabalhos sobre a luminescncia e fosforescncia. Descobriu o efeito fotovoltaico, que a base de funcionamento das clulas solares.

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Figura 4 : Estrutura de uma clula solar fotovoltaica. [1]

Quando um fton com energia superior ao gap do material atinge a regio do emissor (tipo n), um par eltron-buraco criado em um tomo de silcio. Se o comprimento de difuso do buraco (portador minoritrio) for grande o suficiente, ele chegar regio de depleo da juno pn e ser acelerado pelo campo eltrico existente nessa regio, atingindo o lado da base (tipo p), na qual o buraco portador majoritrio. Caso o comprimento de difuso no seja grande o suficiente, o buraco gerado ir recombinar-se com os portadores majoritrios da regio tipo n, os eltrons, antes de atingir a regio de depleo, o que indesejvel. Se um fton gerar um par eltron-buraco na regio da base (tipo p), o mesmo fenmeno de separao de cargas ir ocorrer, s que neste caso, o eltron que atingir por difuso a regio de depleo ser acelerado pelo campo eltrico da juno pn, atingindo a regio do emissor. Caso o par eltron-buraco seja criado na regio de depleo, o campo eltrico caracterstico dessa regio ir imediatamente separar as cargas, no importando o comprimento de difuso dos portadores no material.

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O processo de gerao de cargas demonstrado na figura 5 a seguir :

Figura 5 : Princpio de funcionamento das clulas solares. [1]

Esse processo de separao de cargas fotogeradas cria uma diferena de potencial entre emissor e base. Se o circuito for fechado entre emissor e base, uma corrente eltrica ir fluir atravs da conexo, propiciando a recombinao dos portadores de carga. A corrente eltrica se manter enquanto a incidncia de radiao luminosa estiver disponvel. Por intermdio desse processo que a radiao luminosa convertida em energia eltrica.

2.2.2 Coeficiente de absoro

O coeficiente de absoro () uma propriedade do material e representa sua capacidade de absorver energia eletromagntica (ftons). A figura 6 a seguir apresenta grficos dos coeficientes de absoro de alguns materiais semicondutores, incluindo o silcio monocristalino utilizado na fabricao de clulas solares fotovoltaicas.

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Figura 6 : Grfico do coeficiente de absoro e comprimento de penetrao por comprimento de onda.

Observando o grfico da figura 6, nota-se que quanto maior o coeficiente de absoro, menor ser a distncia percorrida pelo fton dentro do material antes de ser absorvido na rede cristalina. No caso do silcio monocristalino, o coeficiente de absoro igual a zero para valores de comprimento de onda da luz superiores a 1,1 m. Isto ocorre, pois ftons com energias inferiores ao valor do band gap do silcio (1,12 eV a 300K) no so absorvidos na rede cristalina e atravessam o material. O silcio transparente para ftons com energia inferior a 1,12 eV, esses ftons possuem comprimentos de onda superiores a 1,1 m.

2.2.3 Coeficiente de reflexo

A refletncia de uma clula solar, grandeza adimensional normalmente expressa em percentual, depende da textura de sua superfcie e do ndice de refrao do material de que fabricada. Pode-se reduzir essa grandeza atravs da aplicao de uma camada anti-refletora sobre o silcio. Para que o menor valor de refletncia seja alcanado, o ndice de refrao da camada anti-reflexo deve ser a mdia geomtrica entre os valores dos ndices de refrao do silcio e do ar.

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Diminuindo o coeficiente de reflexo nos painis de captao da luz solar, mais ftons so absorvidos pelo silcio, aumentando o rendimento do processo de gerao de energia solar. A equao 2 a seguir, retirada da referncia [2], mostra a dependncia do coeficiente de reflexo com o ndice de refrao do material:

(eq. 2)

em que n a parte real e a parte imaginria do ndice de refrao. Como o ndice de refrao varia com o comprimento de onda da luz, o coeficiente de reflexo tambm varia, possuindo valores distintos para cada valor de comprimento de onda da luz. A equao 3 a seguir, retirada da referncia [2] mostra a relao entre a parcela da luz transmitida e refletida quando incide em um material, na qual T() a parcela transmitida da luz e R() a refletncia. Ambos so dependentes do comprimento de onda da luz (): (eq. 3)

2.2.4 Eficincia quntica

No processo de absoro de ftons em um material (no caso dos SSCs, o Silcio), nem todo fton incidente ser responsvel pela criao de portadores de carga. Na realidade, sempre existe algum processo de absoro que no resulta em criao de pares eltron-buraco. Define-se como eficincia quntica a razo entre o nmero de pares produzidos (e no recombinados) e o nmero de ftons incidentes no material. Dois tipos de eficincia quntica podem ser definidos: eficincia quntica interna e externa. A interna considera em seu clculo apenas a parte no refletida do espectro incidente, enquanto, na externa, todos os ftons incidentes no dispositivo, refletidos ou no, so considerados.

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O rendimento de uma clula solar, definida pela equao 7 da seo 2.3.5, est diretamente relacionado eficincia quntica do material do qual a clula fabricada. A eficincia quntica determina quantos por cento da potncia luminosa incidente na clula solar, Pin na equao 5, ser efetivamente convertida em potncia eltrica atravs da converso de ftons em pares eltron-buraco.

2.3 Curva IxV

A melhor maneira de se avaliar o desempenho de uma clula solar atravs do estudo de sua curva caracterstica de corrente por tenso, a curva IxV (figura 7). Dela podemos extrair alguns parmetros importantes e avaliar qual o melhor modo de operao do sistema.

Figura 7 : Curva IxV de uma clula solar fotovoltaica.

Na prxima sub-seo deste captulo apresentado o circuito equivalente de uma clula solar fotovoltaica e sua equao, e nas demais, os parmetros extrados da curva IxV.

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2.3.1 Circuito equivalente

Figura 8 : Circuito equivalente de uma clula solar fotovoltaica. [1]

A figura 8 acima representa o circuito equivalente de uma clula solar. Iph a corrente fotogerada, ID e VD so respectivamente a corrente e a tenso sobre o diodo (juno pn). RS a resistncia srie da clula solar resultante da resistncia da lmina de silcio (wafer), dos contatos metlicos na parte anterior e posterior do wafer, das resistncias de contatos e terminais do circuito eltrico. RP a resistncia paralela da clula causada por correntes de fuga devido a no idealidades e impurezas prximas juno pn, particularmente nas extremidades das clulas. Rload a resistncia da carga acoplada ao sistema. A frmula matemtica representativa do circuito equivalente da clula solar apresentada a seguir pela equao 4:

(eq. 4)

A corrente Icell que flui pela carga resulta da corrente fotogerada (Iph) subtrada da corrente do diodo (ID) e da corrente no resistor paralelo (RP). A partir da equao 4 podemos traar a curva IxV da clula solar e extrair seus principais parmetros (corrente de curto circuito, tenso de circuito aberto, fator de preenchimento, etc).

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2.3.2 Corrente de curto-circuito (ISC)

A corrente de curto-circuito (ISC) a corrente fornecida pela clula quando a resistncia de carga (Rload na figura 8) igual zero, ou seja, quando os terminais de sada da clula esto curto-circuitados. Neste caso, a tenso de sada zero e a tenso sobre o diodo (VD) igual tenso sobre a resistncia de srie do circuito (RS). Como RS tem valores baixos (na ordem de 0,05 a 0,1 para uma clula de 1 cm2), o valor de tenso sobre RS e sobre o diodo pequeno e insuficiente para atingir a tenso de limiar necessria para incio da conduo no diodo. Considerando que a corrente que flui atravs de Rp desprezvel, pois o valor da resistncia paralela muito alto (na ordem de Mega-ohms em uma clula de 1 cm2), toda a corrente fotogerada passa pelo caminho curto-circuitado. Observando o grfico da figura 7, nota-se que o valor da corrente permanece constante e igual a ISC at determinado valor de tenso. Este justamente o valor limiar de tenso em que o diodo comea a conduzir. Neste ponto a corrente que passa por Rload cai de forma exponencial (de acordo com a equao 4) e a corrente passa a fluir pelo diodo que atingiu o estado de conduo.

2.3.3 Tenso de circuito aberto (VOC)

A tenso de circuito aberto (VOC) o valor de tenso medida nos terminais de sada da clula quando a resistncia de carga infinitamente grande, ou seja, quando temos um caso de circuito aberto. Neste cenrio, toda a corrente fotogerada flui pelo diodo. Se Icell for igualada a zero na equao 4 e a corrente em Rp for considerada desprezvel, obtm-se que o valor da corrente fotogerada igual ao valor da corrente no diodo (Iph=ID).

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2.3.4 Ponto de mxima potncia (MPP)

Observando a curva IxV presente na figura 9, percebe-se que o maior valor de corrente obtido quando o valor da resistncia de carga igual a zero. Neste ponto a tenso de sada igual a zero, resultando em uma potncia de sada igualmente nula, pois potncia o produto de tenso pela corrente. Se gradualmente o valor de Rload for aumentado a partir de zero, a potncia de sada tambm crescer. No caso em que temos o maior valor de tenso (ponto Voc na figura 9), a corrente de sada inexistente e novamente a potncia entregue a carga zero. Se o valor de Rload for decrementado gradualmente, o valor da potncia tambm crescer. Fica claro, ento, que o valor da maior potncia entregue carga fica em algum ponto entre os dois extremos de operao citados. A figura 9 apresenta um grfico da potncia sobreposto a um grfico da curva IxV de uma clula genrica.

Figura 9 : Grfico da potncia de sada de uma clula solar sobreposto curva IxV.

Atravs do grfico da figura 9 podemos extrair o ponto de mxima potncia (Maximum Power Point - MPP) e assim definir os valores de corrente (IMPP) e tenso (VMPP) para o ponto de operao de maior eficincia energtica da clula solar em questo.

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Matematicamente, o valor do ponto de operao de mxima potncia pode ser definido atravs do clculo do ponto onde a derivada primeira da curva de potncia nula, ou seja, o ponto de mximo da curva (PM).

2.3.5 Fator de preenchimento (FF)

O fator de preenchimento - ou fill factor em ingls (FF) - uma medida de qualidade das clulas solares fotovoltaicas. Ele informa o quanto a curva caracterstica IxV se aproxima de um retngulo (figura 10).

Figura 10 : Fator de preenchimento (Fill Factor).

O fator de preenchimento calculado atravs da equao 5 e a razo entre a rea do retngulo de lados IMPP e VMPP e a rea do retngulo de lados ISC e VOC.

(eq. 5)

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Quanto mais prximo da unidade for o FF, melhor a qualidade da clula solar. Normalmente as clulas solares fotovoltaicas possuem um fator de preenchimento (FF) entre 0,7 e 0,8. A mxima potncia de sada de uma clula pode ser calculada atravs da equao 6 : (eq. 6) O rendimento de uma clula solar calculado atravs da razo entre a potncia eltrica entregue carga e a potncia luminosa (Pin) coletada nos painis solares, de acordo com a equao 7 :

(eq. 7)

Atualmente, o rendimento mximo atingido por clulas solares sem concentradores de luz4 de cerca de 24%. Clulas de silcio para aplicao terrestre produzidas em larga escala tm rendimento em torno de 15% a 21%, enquanto, teoricamente, clulas de silcio podem alcanar rendimentos em torno de 30%. Utilizando concentradores de luz o rendimento atinge os 40%. Se clulas solares forem empilhadas, o rendimento do conjunto pode aumentar, de acordo com a tabela 1 a seguir retirada da referncia [3].

Tabela 1 : Eficincia de clulas solares trabalhando empilhadas.

Nmero de clulas na pilha 1 2 3

4

Eficincia mxima (%) 31 49,3 49,9 68,2

Concentradores de luz so artifcios utilizados para aumentar a densidade de potncia luminosa incidente sobre os painis captadores de luz solar. Normalmente so utilizadas lentes para concentrar a luz.

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2.3.6 Efeitos da variao da temperatura

Variaes na temperatura produzem efeitos sobre parmetros de operao de uma clula solar. Uma elevao de temperatura resulta em leve aumento da corrente de curtocircuito (ISC), redues na tenso de circuito aberto (VOC) e na potncia de sada. O aumento de ISC deve-se ao fato de que quando a temperatura do silcio aumenta, ocorre uma reduo do valor do gap de energia do material, tornando mais fcil a gerao de pares eltron-buraco por ftons. O valor de ISC aumenta cerca de 0,07% por grau Kelvin. O valor de VOC diminui cerca de 0,4% para cada aumento de um grau Kelvin, pois o valor da tenso de circuito aberto tambm est relacionado ao valor do gap do semicondutor. Como o valor de corrente e tenso dependem da temperatura, o valor da potncia de sada tambm depende e reduz cerca de 0,4% a 0,5% por grau Kelvin. A figura 11 apresenta, de forma grfica, como ISC e VOC variam com a temperatura para um conjunto de clulas solares que tem corrente de curto-circuito igual a 3,50 A e tenso de circuito aberto igual a 0,575 V operando a 50C.

Figura 11 : Variaes da curva IxV em relao a mudanas na temperatura. [1]

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2.4 Fotocondutor

O princpio de funcionamento dos fotocondutores, dispositivos utilizados para controle do ponto de operao dos SSCs, est descrito nesta sub-seo. Fotocondutividade o fenmeno pelo qual a condutividade de um material varia quando a intensidade de luz que incide sobre ele alterada. Conforme a figura 12, extrada da referncia [4], um fotocondutor consiste em uma pequena placa de um semicondutor intrnseco, ou com uma dopagem muito pequena, com dois eletrodos metlicos conectados em suas extremidades para aplicao de uma diferena de potencial externa. Na ausncia de luz, o fotocondutor possui elevada resistncia. medida que a intensidade de radiao luminosa incidente no fotocondutor aumenta, o valor de sua resistncia diminui consideravelmente.

Figura 12 : Estrutura de um fotocondutor. [4]

2.4.1 Mecanismo de fotoconduo

Quando o fotocondutor iluminado, pares eltron-buraco so criados no material atravs da absoro de ftons nos tomos do semicondutor. Esse aumento no nmero de portadores gera uma significativa reduo do valor de resistncia do material. Na ausncia de luz, o nmero de portadores pequeno, resultando em um valor elevado de resistncia.

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A figura 13 a seguir, extrada da referncia [5], mostra uma seqncia de trs eventos explicando o mecanismo de fotoconduo em um dispositivo fotocondutor de CdS (Sulfeto de Cdmio).

Figura 13 : Mecanismo de fotoconduo. [5]

(I)

Situao para baixas temperaturas: diretamente abaixo da banda de conduo do cristal de CdS h um nvel doador. H um outro nvel aceitador acima da banda de valncia. No escuro, os eltrons e os buracos de cada nvel esto quase todos fixos em seus lugares fazendo o fotocondutor ter elevada resistncia.

(II)

Quando a luz ilumina o CdS e absorvida pela rede cristalina, os eltrons da banda de valncia so excitados para a banda de conduo, deixando buracos livres na banda de valncia e eltrons livres na banda de conduo. So necessrios ftons com energia superior ao valor do gap de energia do CdS (2,4 eV) para gerar pares eltron-buraco.

(III)

Prximo banda de valncia, h um nvel aceitador que captura buracos com facilidade (nvel profundo), mas dificilmente captura eltrons livres. Essa baixa probabilidade de recombinao de eltrons aumenta o nmero de portadores majoritrios na banda de conduo, reduzindo o valor de resistncia do material. Os nveis profundos, devido a defeitos localizados no centro da banda, so muito

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eficazes no processo de recombinao. Isto significa que em um material que possua uma grande quantidade destes defeitos, o processo de recombinao ocorrer em grande parte atravs deles, o que implicar em uma reduo do tempo de vida dos portadores minoritrios.

2.4.2 Resistividade e resistncia

A resistividade de um fotocondutor calculada atravs da equao 8. Ela inversamente proporcional aos valores de mobilidade dos eltrons e buracos no material (n e p respectivamente), e densidade de portadores livres (n e p). n e p so as densidades de eltrons e buracos fotogerados respectivamente.

(eq. 8)

A resistncia do fotocondutor depende do valor da resistividade do material utilizado em sua fabricao e das dimenses do dispositivo. A figura 14, a seguir, mostra um desenho esquemtico de um fotocondutor com suas dimenses. O valor da resistncia calculado atravs da equao 9.

(eq. 9)

Figura 14 : Fotocondutor. [5] Figura 14 : Fotocondutor. [3]

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3 Modelo em PSPICE

Neste captulo est a descrio completa do modelo matemtico/computacional desenvolvido para o estudo do efeito da temperatura nos Smart Solar Clusters - SSCs. O modelo composto por diversos mdulos e cada um deles est devidamente explicado nas sub-sees seguintes. Alguns arquivos de dados, as bibliotecas, foram empregadas para criar o modelo. Todas as bibliotecas utilizadas na criao deste modelo esto no captulo de ANEXOS deste documento.

3.1 Viso geral

O software Orcad PSPICE 9.2, plataforma escolhida para elaborao deste modelo, uma ferramenta, no livre (necessita de licena), utilizada em simulaes de circuitos eltricos e eletrnicos. Atravs de algumas adaptaes em sua funes, um modelo que simula condies fotovoltaicas e o comportamento de materiais semicondutores (silcio no caso das clulas solares) foi criado. Este modelo foi integrado ao j existente modelo do circuito eltrico dos SSCs. As sub-sees seguintes explicam de que forma o PSPICE foi adaptado para realizar clculos e simulaes como do espectro de irradiao solar, coeficiente de absoro do silcio, refletncia do silcio, densidade de corrente fotogerada, eficincia quntica e de um modelo completo de um fotocondutor. Os grficos de resposta do modelo, resultados das simulaes, fornecem informaes em unidades de tenso [V] por tempo [s]. Cabe ao operador do software analisar tais respostas e interpretar o real significado desses valores de tenso e tempo. No caso do grfico do espectro de irradiao solar, por exemplo, as unidades [V] x [s] do grfico devem ser transpostas para seu real significado, que : [W/(m2.m)] x [m]. As adaptaes de unidades de cada mdulo do modelo so informadas em suas respectivas sub-sees.

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A figura 15 apresenta o modelo matemtico/computacional criado no software Orcad PSPICE 9.2 para realizao das simulaes do impacto da variao da temperatura nos SSCs. Cada mdulo do modelo (de A a F) possui uma estrutura interna que est explicitada nas prximas sub-sees. Os mdulos A, B, C e D foram criados usando como base de consulta a referncia [6].

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Figura 15 : Viso geral do modelo criado no software Orcad PSPICE 9.2.

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3.2 Mdulos

A Comprimento de onda

O Bloco A fornece, em sua sada, os valores de comprimento de onda da luz solar desde zero at 4 m. Para isso utiliza-se um recurso do PSPICE, as Piecewise Linear Sources (PWL), que so fontes de tenso que possuem valores arbitrrios de tenso para cada valor no tempo. Para definir quais valores de tenso a fonte fornece em cada valor de tempo, necessria a criao de uma biblioteca com os valores desejados. Esta fonte entrega, em sua sada, valores de tenso [V], que representam, na realidade, valores do comprimento de onda em m.

Figura 16 : Fonte PWL com os valores de comprimento de onda.

A fonte PWL utilizada no modelamento pode ser vista na figura 16. Ela utiliza a biblioteca lambda.lib que est no captulo de ANEXOS deste documento.

B Coeficiente de absoro Para simular o coeficiente de absoro de luz do silcio usado para fabricar as clulas solares, foi utilizada, novamente, uma fonte PWL, conforme a figura 17 a seguir :

Figura 17 : Fonte PWL para simulao do coeficiente de absoro.

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A biblioteca silicon_abs.lib com valores do coeficiente de absoro de luz do silcio para cada valor de comprimento de onda est no captulo de ANEXOS deste documento.

Figura 18 : Grfico do coeficiente de absoro do silcio gerado pelo modelo.

A figura 18 acima o resultado da medida feita na sada do bloco B do modelo. A fonte PWL fornece valores de tenso que representam o coeficiente de absoro do silcio. Estes valores so utilizados por outras partes do modelo durante os clculos da simulao. As unidades de medidas dos eixos esto em volts (eixo y) e segundos (eixo x), porm representam os valores do coeficiente de absoro [cm-1] no eixo y e comprimento de onda [nm] no eixo x.

C Espectro solar

Para simular o espectro solar foi utilizada uma fonte PWL com uma biblioteca contendo valores de um espectro solar com irradincia total igual a 962,5 W/m2. Para realizar simulaes com outros valores de espectro solar ou com qualquer outro tipo de fonte

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luminosa, basta substituir a biblioteca utilizada na fonte PWL por outra com os valores desejados.

Figura 19 : Fonte PWL para simulao do espectro solar.

A caixa E1 na figura 19 uma fonte E-device (a funcionalidade deste tipo de fonte est descrita na prxima subseo), utilizada para normalizar o espectro de 962,5 W/m2 para um espectro com irradincia total de 1000 W/m2 equivalente ao AM 1.5. O grfico da figura 20 apresenta a curva gerada na sada do bloco C representando o espectro solar AM 1.5. Os valores de radiao solar so utilizados em clculos de alguns dos mdulos como no modelo do fotocondutor e no modelo da densidade de corrente fotogerada.

Figura 20 : Grfico de espectro solar AM 1.5 gerado pelo modelo.

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D Densidade de corrente

Para simular a corrente fotogerada, criou-se o circuito do bloco D mostrado na figura 21. Este circuito utiliza outro recurso interessante do software Orcad PSPICE 9.2, a fonte Edevice, uma fonte controlada de tenso, que fornece, em sua sada, um valor resultante de uma equao. Esse recurso permite utilizar nas equao valores de tenso de qualquer ponto do circuito e parmetros, alm de suportar funes matemticas. As equaes utilizadas neste modelo para o clculo da densidade total de corrente fotogerada esto no Anexo 4 deste documento.

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Figura 21 : Circuito interno ao bloco D do modelo.

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Neste circuito, alguns parmetros fsicos e dimensionais da clula solar fotovoltaica devem ser inseridos para realizao dos clculos da simulao. A tabela 2, a seguir, contm a lista destes parmetros e suas unidades de medidas.
Tabela 2 : Lista de parmetros internos ao bloco D.

Parmetro Wb We L_n Lp Dn Dp Se Sb

Descrio espessura da base da juno pn espessura do emissor da juno pn comprimento de difuso de eltrons na base comprimento de difuso de buracos no emissor constante de difuso de eltrons na base constante de difuso de buracos no emissor velocidade de recombinao na superfcie do emissor velocidade de recombinao na superfcie da base

Valor utilizado 0,03 0,3x10-4 1,62x10-2 4,3x10-5 36,33 3,4 20000 1000

Unidade cm cm cm cm cm2/s cm2/s cm/s cm/s

O bloco D fornece, em sua sada, cinco grandezas listadas na tabela 3 a seguir:

Tabela 3 : Lista das grandezas de sada do bloco D.

Grandeza Jsce Jscb Jsc Efic_Quant Resp_Espec

Descrio densidade de corrente fotogerada no emissor densidade de corrente fotogerada na base densidade de corrente fotogerada total (Jsce+Jscb) eficincia quntica da clula solar resposta espectral

Unidade A/cm2.m A/cm2.m A/cm2.m % A/W

A figura 22, a seguir, mostra o grfico da distribuio espectral da densidade de corrente fotogerada total (Jsc) criado pelo modelo utilizando os valores de comprimento de onda (bloco A), coeficiente de absoro (bloco B), espectro solar (bloco C), os valores dos parmetros de entrada da tabela 2 e o valor do coeficiente de reflexo da clula de silcio representado pela fonte de tenso V4, da figura 15. Neste modelo, o coeficiente de reflexo foi definido como constante e igual a 10% para todos os valores de comprimento de onda da luz solar. Isso possvel utilizando-se um filtro anti-reflexo de banda plana sobre os painis coletores de luz. Com esse artifcio, a refletncia passa a ser aproximadamente constante, independente do valor do comprimento de onda da luz incidente.

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Figura 22 : Densidade de corrente fotogerada total.

O grfico da figura 22 fornece uma leitura espectral da corrente fotogerada, ou seja, um valor de corrente para cada valor de comprimento de onda da luz solar. As unidades de medidas dos eixos so : [A/cm2.m] no eixo y e [m] no eixo x. Para ser utilizada no modelo dos SSCs (bloco F) a curva da figura 20 precisa ser integrada para se obter um valor nico de densidade de corrente que ser utilizado nas fontes de corrente dos circuitos eltricos do modelo das clulas solares. Essa integrao foi feita de forma numrica, por intermdio de uma planilha elaborada no software Excel da Microsoft, na qual os dados da curva da figura 22, extrados do PSPICE, foram inseridos. A unidade de medida da grandeza do eixo y do grfico da figura 22 fornecida pelo PSPICE em Volts, mas sua interpretao real A/cm2.m . Aps a integrao, o resultado deve ser dividido por 1x106

para inserir na unidade Volts fornecida pelo PSPICE o termo 1/m existente na unidade

da densidade de corrente. A integrao numrica, com a correo das unidades, resultou em um valor de densidade de corrente fotogerada igual 33 mA/cm2 para uma clula com os parmetros listados na tabela 2 sob um espectro AM 1.5.

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E Fotocondutor

Para a criao do modelo matemtico/computacional do fotocondutor no PSPICE (figura 23) foram utilizadas as fontes de tenso dependentes E-device. Nestas fontes foram inseridas as equaes do modelo matemtico da mobilidade de eltrons e buracos no silcio denominado MINIMOS 6, que foi retirado da referncia [7] e da referncia [8]. As equaes deste modelo esto no ANEXO 6 deste documento. Alm das equaes do MINIMOS 6, outras equaes foram inseridas no modelo do fotocondutor e sero apresentadas no decorrer desta seo.

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Figura 23 : Circuito interno ao bloco E do modelo (parte 1).

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Figura 23 : Circuito interno ao bloco E do modelo (parte 2).

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O MINIMOS 6 leva em considerao alteraes no valor da mobilidade de portadores devido a variaes na temperatura e devido a espalhamentos por impurezas ionizadas na rede cristalina do semicondutor. O modelo em PSPICE calcula os valores da mobilidade de eltrons e buracos no silcio, atravs das equaes do MINIMOS 6, e os utiliza para obter o valor da resistividade do fotocondutor. A partir do valor da resistividade, de n, p, po e de alguns parmetros que devem ser inseridos no modelo, o valor da resistncia do fotocondutor calculado e disponibilizado no pino R do bloco E da figura 15. A tabela 4, a seguir, apresenta quais so os parmetros de entrada do modelo do fotocondutor.

Tabela 4 : Lista de parmetros de entrada do bloco E.

Parmetro Nd T b d l

Descrio densidade de tomos de impurezas doadoras temperatura de operao largura do dispositivo fotocondutor espessura do dispositivo fotocondutor comprimento do dispositivo fotocondutor

Valor utilizado 1x1015 273 a 338 0,5 5x10-5 0,5

Unidade cm-3 K cm cm cm

Quando o modelo simulado utilizando o espectro solar AM 1.5, o valor da resistncia do fotocondutor cai, drasticamente, para valores de comprimento de onda em que o espectro de radiao solar e a eficincia quntica so diferentes de zero. O grfico da figura 24, resultado da simulao, apresenta este comportamento.

Figura 24 : Grfico de resistncia por comprimento de onda.

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A queda no valor da resistncia em 0,34 m deve-se fotogerao de eltrons e buracos no fotocondutor quando exposto luz solar. Os eltrons fotogerados so representados por n na equao 8 da seo 2.4.2 e so calculados internamente no modelo a partir da equao 10, a seguir, extrada da referncia [2] :

(eq. 10)

Os parmetros da equao 10 e as unidades de medida utilizadas nos clculos do modelo do fotocondutor esto na tabela 5 a seguir :

Tabela 5 : Lista de parmetros utilizados no clculo de n.

Parmetro
PH I0 r h c d

Descrio
eficincia quntica do fotocondutor intensidade de radiao tempo mdio de recombinao de portadores comprimento de onda da luz constante de Plank velocidade da luz espessura do fotocondutor

Unidade
% W/(cm2.m) s cm erg.s cm/s cm

Para o clculo de r foi utilizada a frmula emprica (equao 11). Esta frmula, especfica para o Silcio, dependente do nvel de dopagem Nd, inserida no modelo, foi extrada da referncia [9] .

(eq. 11)

O valor de PH obtido atravs do clculo da densidade de corrente fotogerada no fotocondutor. As equaes para o clculo de PH, inseridas no modelo, esto no Anexo 5 deste documento.

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O valor de po, tambm necessrio no clculo da resistividade na equao 8 da seo 2.4.2, obtido a partir da lei de ao das massas : ni2=no.po, em que no igual ao valor de dopagem ND do semicondutor, e ni a concentrao intrnseca do silcio, que conhecida e extrada do grfico da figura 25 retirado da referncia [2].

Figura 25 : Variao da concentrao intrnseca com a temperatura. [2]

A partir deste grfico, uma equao para o clculo de ni foi extrada e inserida no modelo do fotocondutor para que o valor de po seja computado. O modelo fornece uma distribuio espectral de n, ou seja, um valor de n para cada comprimento de onda da luz: n(), dado em 1/(cm3.m). Para se calcular o valor da resistncia do fotocondutor utilizando as equaes 8 e 9 da seo 2.4.2 necessrio um valor total de n e no sua distribuio espectral. O valor total de n foi obtido atravs da integrao de n(). Esta integrao foi feita com recursos matemticos do prprio PSPICE. Internamente ao modelo do fotocondutor existe um clculo da eficincia quntica do dispositivo. A figura 26 a seguir mostra um grfico da eficincia quntica, resultado da simulao. As unidade dos eixos x e y representam comprimento de onda e porcentagem respectivamente.

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Figura 26: Eficincia quntica de um fotocondutor de Silcio com dopagem de 1x1015 e espessura igual a 0,5 m.

A eficincia quntica baixa, atingindo um mximo de 0,55 % em 416 nm, pois a espessura do dispositivo pequena (0,5 m) permitindo que muitos ftons atravessem o fotocondutor antes de gerar pares de portadores. medida que a espessura do dispositivo aumenta, sua eficincia quntica tambm aumenta.

F Smart Solar Clusters (SSCs)

A figura 27, a seguir, apresenta o bloco do modelo responsvel pela simulao dos Smart Solar Clusters (SSCs). Por se tratar de uma nova tecnologia que ainda est em processo de registro de patente, a estrutura interna deste bloco, com seu respectivo circuito eltrico, no ser exibida, com o objetivo de proteger a propriedade intelectual do criador dos SSCs, Prof. Dr. Davies William de Lima Monteiro.

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Figura 27 : Bloco de simulao dos Smart Solar Clusters.

Os resistores R14 e R15 da figura 27 representam os fotocondutores utilizados pelo conjunto SSC, o resistor R3 a resistncia de carga ligada ao SSC, a fonte de tenso contnua V6 um parmetro de entrada deste bloco e representa a rea, em cm2, das clulas solares utilizadas no modelo (o valor utilizado nas simulaes foi 1 cm2). O parmetro R_total representa o valor de resistncia dos fotocondutores extrado do clculo da resistncia resultante medida no pino R de sada do bloco E do fotocondutor. O parmetro Jsc_total representa a densidade de corrente em A/cm2 utilizada nas fontes de corrente do circuito eltrico das clulas solares internas ao bloco F. O valor de Jsc_total calculado atravs da integrao da densidade de corrente espectral retirada do pino Jsc do bloco D. R_var representa o valor em ohms da resistncia de carga ligada ao bloco F. Essa resistncia variada durante o processo de simulao.

3.3 Integrao dos mdulos

Cada mdulo deste modelo foi criado e testado individualmente, apresentando resultados que condizem com os valores reais das grandezas que cada um representa. Verificada e comprovada a funcionalidade de cada parte, os mdulos foram integrados em um mesmo arquivo e o conjunto foi submetido a vrias simulaes, cada uma com parmetros de

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entrada diferentes, representando diferentes cenrios de operao. Mais uma vez o modelo se apresentou realista. Concluda a validao do modelo, simulaes mais especficas e orientadas aos objetivos deste estudo (influncia da temperatura no funcionamento dos SSCs) foram realizadas e os resultados so apresentados no capitulo 4 a seguir.

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4 Simulaes e resultados obtidos

4.1 Variao da fotocondutncia

4.1.1 Variaes com nvel de dopagem

A resistividade de escuro de um fotocondutor varia de acordo com o nvel de dopagem do semicondutor utilizado em sua fabricao. Quanto maior o nvel de dopagem, menor o valor da resistividade de escuro do dispositivo, pois haver um maior nmero de eltrons, no caso de um semicondutor tipo n, na banda de conduo. O grfico da figura 28, resultado da simulao do modelo, ilustra esse comportamento para um dispositivo fotocondutor de silcio tipo n, operando temperatura de 300K e no escuro.

Figura 28 : Variao da resistividade de escuro com o nvel de dopagem em um dispositivo de silcio tipo n.

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A curva tracejada representa os clculos de valores reais de resistividade retirados da referncia [10]. A curva slida a resposta do modelo criado no Orcad PSPICE 9.2, medida dentro do bloco E da figura 15. Atravs da anlise do grfico da figura 28, observa-se que o modelo da resistividade para dispositivo de silcio com dopagem tipo n se aproxima bastante dos valores de referncia extrados de [10]. H discrepncias entre os valores de resistividade do modelo e da referncia quando o nvel de dopagem superior a 1,0x1020 tomos de impurezas doadoras por centmetro cbico, quando o semicondutor passa a ser degenerado. Os fotocondutores geralmente utilizam baixos nveis de dopagem, portanto, o modelo criado pode ser utilizado com fidelidade, pois para baixos valores de dopagem o modelo extremamente fiel aos valores reais de resistividade. Quando um fotocondutor iluminado, sua resistividade cai drasticamente. O modelo criado simula este comportamento fornecendo valores de resistividade para cada valor de comprimento de onda da luz. A figura 29, a seguir, exibe uma curva de resistividade gerada pelo modelo para um dispositivo de silcio com dopagem tipo n de 1x1015 tomos de impurezas doadoras por centmetro cbico operando a 300K e iluminado pelo espectro solar AM 1.5.

Figura 29 : Grfico da resistividade[.cm] por comprimento de onda[m].

Por volta de 0,34 m h uma queda acentuada no valor da resistividade (figura 29), que se deve ao fato da presena do espectro solar e da eficincia quntica do dispositivo fotocondutor que iniciam-se (passa a ser diferente de zero) neste ponto.

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Em comprimentos de onda acima de 1,1 m o silcio torna-se transparente aos ftons incidentes, o que quer dizer que mesmo havendo incidncia de luz com comprimento de onda acima de 1,1 m, nenhum fton ser capaz de criar pares eltron-buraco.

Figura 30 : Grfico de resistividade [.cm/m] por comprimento de onda[nm].

A figura 30 mostra o comportamento da resistividade do modelo do fotocondutor para a faixa de comprimento de onda em que o espectro solar presente e a eficincia quntica e o coeficiente de absoro so superiores a zero. O grfico da figura 30 uma ampliao do grfico da figura 29 na faixa espectral entre 0,35 m a 0,9 m. O valor de resistncia total do fotocondutor quando est sob iluminao, calculado no modelo utilizando o valor da integrao do n(), tambm varia com a dopagem do semicondutor. A tabela 6, a seguir, mostra os valores de resistncia do fotocondutor de silcio para alguns valores de dopagem. Estes valores so resultados da simulao do modelo do fotocondutor operando com temperatura de 300 K, sob espectro solar AM 1.5 e com as dimenses listadas na tabela 4.

Dopagem (cm-3) Resistncia de escuro () Resistncia total ()

1x1012 87 M 74,8 m

1x1013 8,74 M 748,76 m

1x1014 878,2 k 7,52

1x1015 90 k 76,85

1x1016 10,12 k 792,6

1x1017 1,59 k 1,424 k

1x1018 401 400,58

1x1019 95,17 95,16

1x1020 13,86 13,86

1x1021 1,52 1,52

Tabela 6 : Variao da resistncia do fotocondutor com o nvel de dopagem.

Analisando os dados da tabela 6, percebe-se que para nveis de dopagem acima de 1x1017 cm-3 a resistncia de escuro do fotocondutor fica igual ao valor da resistncia sob

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iluminao. Nesse ponto, o dispositivo deixa de se comportar como um dispositivo fotocondutor.

Figura 31 : Variao da resistncia sob iluminao de um fotocondutor

O grfico da figura 31, traado apartir dos valores da tabela 6, mostra a variao do valor da resistncia de um fotocondutor de silcio tipo n com seu nvel de dopagem. Os dados desse grfico foram gerados a partir da simulao do modelo do fotocondutor temperatura de 300 K, espectro solar AM 1.5 e com as dimenses listadas na tabela 4. Analisando o grfico da figura 31, nota-se que o valor da resistncia aumenta com o aumento da dopagem at o valor de 1x1017 tomos de impurezas doadoras por centmetro cbico. Aps esse ponto, o valor da resistncia comea a diminuir com o aumento da dopagem. Esse fenmeno pode ser compreendido atravs da anlise da equao da resistividade (equao 8) em conjunto com a tabela 7 a seguir.

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A variao do n e do p com o nvel de dopagem est na tabela 7 a seguir. Estes valores so para simulao do fotocondutor operando a 300 K e sob espectro solar AM 1.5. A densidade de eltrons fotogerada considerada igual a de buracos (n=p) pois os eltrons e buracos so criados aos pares.
Tabela 7: Variao do n e p com o nvel de dopagem.

Nd (cm-3)
1x1012 1x1013 1x1014 1x1015 1x1016 1x1017 1x1018

n = p (cm-3)
8.83x1020 8.83x1019 8.83x1018 8.83x1017 8.81x1016 8.63x1015 7.18x1014

Quando a dopagem baixa, os valores de n e p predominam sobre os valores de n (Nd) e p na equao da resistividade (equao 8). medida que a dopagem aumenta, os valores de n e p diminuem, porm, continuam sendo predominantes no clculo da resistividade, fazendo o valor da resistncia aumentar. A partir da dopagem de 1x1017 tomos de impurezas por centmetro cbico, os valores da dopagem (Nd) passam a ser predominantes na equao da resistividade. Portanto, medida que a dopagem aumenta, o valor da resistncia diminui.

4.1.2 Variaes com temperatura

medida que a temperatura do silcio aumenta, a mobilidade dos eltrons e buracos no material diminui. Esse comportamento ocorre para valores de dopagem abaixo de aproximadamente 1x1018 tomos de impurezas por centmetro cbico, conforme observado no grfico da figura 32, retirado da referncia [11]. O modelo, portanto, deve apresentar esse comportamento, aumentando o valor da resistividade do fotocondutor para cada aumento na temperatura de simulao.

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Figura 32 : Variao da mobilidade de eltrons no silcio em funo da temperatura e nvel de dopagem. [11]

A figura 33, a seguir, mostra o resultado grfico das simulaes realizadas com o modelo do fotocondutor para uma faixa de temperatura de operao entre 283,15 K (10C) e 338,15 K (65C). Os valores apresentados so para a resistividade de escuro de um dispositivo fotocondutor de silcio com nvel de dopagem igual a 1x1015 tomos de impurezas doadoras por centmetro cbico iluminado pelo espectro solar AM 1.5.

Figura 33 : Variao da resistividade do fotocondutor [.cm] pela temperatura [K].

Observando o grfico da figura 33 constata-se que o valor da resistncia do fotocondutor possui uma variao de relao linear com a temperatura.

55

A mudana da temperatura no fotocondutor causa variao do valor da concentrao intrnseca de portadores de carga (ni) do semicondutor (observar grfico da figura 25 de ni
xT).

Alteraes no valor de ni implicam alteraes nos valores de no e po conforme a lei de

ao das massas ni2 =no.po, o que gera mudanas no valor da resistividade do material. Quanto maior o nmero de portadores, menor a mobilidade dos mesmos no material, resultando em um aumento no valor de sua resistncia. A tabela 8, a seguir, mostra a variao do valor da resistncia do fotocondutor do modelo com a temperatura (sob iluminao do espectro AM1.5, Nd igual a 1x1015 cm-3 e com as dimenses listadas na tabela 4).
Tabela 8 : Variao da resistncia do fotocondutor com a temperatura.

Temperatura [K] 273 288 300 313 338

Resistncia [] 63,12 70,59 76,85 84,07 98,84

Assim como o valor da resistncia de escuro, o valor da resistncia total do fotocondutor varia linearmente com a temperatura.

4.2 Variaes da curva IxV dos SSCs com a temperatura

Para avaliar os efeitos da variao da temperatura na resposta dos SSCs, o modelo criado no PSPICE foi simulado em temperaturas diferentes (0C, 15C, 27C, 40C e 65C). As mudanas de temperatura produzem efeitos no somente nas clulas solares fotovoltaicas, mas tambm nos fotocondutores que compem os SSCs. O fotocondutor utilizado nesta simulao tem dopagem tipo n com concentrao igual a 1x1012 tomos de impurezas doadoras por centmetro cbico. Este valor de dopagem foi escolhido pois o dispositivo apresenta alta resistncia quando operando no escuro (na ordem de M) e baixa resistncia quando iluminado (na ordem de m), comportamento exibido na tabela 6 da seo 4.4.1.

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Os efeitos da variao da temperatura na curva caracterstica de corrente por tenso e na curva de potncia dos SSCs esto demonstrados nas figuras 34 e 36, que so resultados da simulao do modelo. Aps a simulao, os dados foram extrados do PSPICE e inseridos em um programa criado no software MATLAB 7.0 para que as curvas das figuras 34 e 36 fossem traadas.
Curva de Carga (SSC) 0.035

0.03

0.025

Corrente (A)

0.02

0.015

0.01

SSC 273,15K SSC 288,15K SSC 300,15K

0.005

SSC 313,15K SSC 338,15K

0.1

0.2

0.3

0.4 0.5 Tensao (V)

0.6

0.7

0.8

0.9

Figura 34 : Curva IxV dos SSCs operando em diferentes temperaturas.

Analisando as curvas na figura 34, observa-se que a corrente de curto circuito (ISC) permanece inalterada sob variao da temperatura. Os valores da tenso de circuito aberto (VOC), contudo, sofrem mudanas significativas, sendo que, quanto maior a temperatura de operao, menor ser o VOC. O valor de resistncia dos fotocondutores tm um importante papel no controle do ponto de operao do conjunto SSC. Quanto maior o valor da resistncia, maior ser o valor de VOC e maior ser a potncia entregue carga para uma mesma quantidade de radiao luminosa, isso quando o sistema opera no ponto de mxima potncia (MPP).

57

Quando ocorre um aumento da temperatura de operao, ocorre uma queda do valor de VOC fornecido pela clula, reduzindo o valor da potncia entregue carga. Ao mesmo tempo, o aumento da temperatura faz com que o valor da resistncia do fotocondutor sofra um incremento, elevando o valor de VOC. Porm, o valor do aumento da resistncia do fotocondutor com a temperatura pequeno e insuficiente para compensar de forma significativa a queda no valor de VOC com a temperatura. Uma maneira de contornar este problema e fazer com que o valor da resistncia do fotocondutor aumente mais com o incremento da temperatura utilizar no conjunto SSC fotocondutores que apresentam maiores variaes do valor de sua resistividade com a temperatura. Isso pode ser feito utilizando fotocondutores com baixos valores de dopagem, pois, conforme o grfico da figura 35, extrado da referncia [12], os materiais semicondutores com menores ndices de dopagem so os que apresentam maiores variaes no valor da mobilidade de portadores de carga quando submetidos a variaes de temperatura.

Figura 35 : Grfico de Mobilidade x Temperatura x Nvel de dopagem do Silcio.

Na faixa de temperatura de operao das clulas solares fotovoltaicas (entre 250K a 400K) o silcio sofre maiores redues nos valores de mobilidade de seus portadores quando

58

possui baixos valores de dopagem. Isso proporciona um crescimento maior do valor da resistividade do fotocondutor quando a temperatura de operao aumenta. Utilizando esse artifcio, possvel amenizar o efeito da reduo de VOC com a temperatura nas clulas, mas no elimin-lo.
Curva de Potencia (SSC) 0.025 0C 15C 27C 40C 65C

0.02

Potencia (W)

0.015

0.01

0.005

0.1

0.2

0.3

0.4 0.5 Tensao (V)

0.6

0.7

0.8

0.9

Figura 36 : Curva de potncia por tenso dos SSCs operando em diferentes temperaturas.

Como o valor da tenso de circuito aberto (VOC) varia com a temperatura e a corrente de curto-circuito (ISC) permanece inalterada, o valor da potncia sofre alteraes com mudanas nas temperatura. Analisando o grfico da figura 36, observa-se que o valor de mxima potncia entregue carga diminui medida que a temperatura da clula aumenta. A tabela 9 mostra alguns dados e parmetros importantes dos SSCs retirados das simulaes do modelo em diferentes temperaturas.
Tabela 9 : Dados retirados das simulaes em diferentes temperaturas.

Temperatura 0C 15C 27C 40C 65C

Voc [V] 0.8431 0.8241 0.8083 0.7910 0.7572

Isc [A] 0.033 0.033 0.033 0.033 0.033

Pm [W] 0.02113 0.02046 0.01975 0.01906 0.01771

Vmp [V] 0.6847 0.6710 0.6593 0.6176 0.5953

Imp [A] 0.03111 0.03049 0.02995 0.03086 0.02966

FF 0.7656 0.7523 0.7403 0.7301 0.7087

59

A coluna FF da tabela 8 apresenta os valores do fator de preenchimento (fill factor) dos SSCs. medida que a temperatura aumenta, o valor do fator de preenchimento diminui. Isso ocorre porque, conforme a equao 5 da seo 2.3.5, o fator de preenchimento diretamente dependente do valor de VOC. Portanto, se VOC diminui, o fator de preenchimento tambm tem seu valor reduzido.

60

5 Concluses
A elaborao de um modelo matemtico/computacional, com utilizao do software Orcad PSPICE 9.2, permitiu observar o comportamento dos Smart Solar Clusters (SSCs) perante mudanas de temperatura. A anlise dos resultados das simulaes demonstrou que a forma interna como as clulas solares e os fotocondutores so interligados no produz modificaes no comportamento operacional dos SSCs no que diz respeito s reaes do sistema a mudanas na temperatura de operao, quando comparado com clulas solares individuais. Isso quer dizer que os SSCs sofrem os mesmos efeitos que uma clula solar fotovoltaica convencional est sujeita quando opera em ambientes com temperatura varivel. Conclui-se que a configurao interna dos SSCs no capaz de compensar, de forma efetiva, a reduo do valor de VOC que decorre do aumento da temperatura. Uma forma de contornar este comportamento utilizar, no conjunto SSC, fotocondutores que apresentam maiores variaes do valor de sua resistividade com a temperatura. Isso pode ser conseguido utilizando-se fotocondutores com baixos valores de dopagem, pois estes apresentam maiores variaes no valor da mobilidade de portadores de carga quando submetidos a variaes de temperatura, proporcionando maior elevao do valor da resistividade do fotocondutor quando a temperatura de operao aumenta. Fotocondutores de sulfeto de cdmio (CdS) so dispositivos amplamente utilizados. Eles possuem uma resposta espectral parecida do olho humano, ou seja, absorvem ftons na mesma faixa de comprimento de onda da luz que o olho humano. Alm disso, seu processo de fabricao barato e dominado. Neste modelo, optou-se pela utilizao de fotocondutores de Silcio, que so feitos do mesmo material dos painis fotovoltaicos, facilitando o processo de integrao dos mesmos nas clulas solares reais. Um desdobramento deste trabalho pode abordar o caso do CdS. Por se tratar de um modelo bastante completo, ele pode ser utilizado em futuras pesquisas envolvendo os SSCs, tais como: efeitos da variao da intensidade de radiao solar recebida nos painis dos SSCs, estudos de associao em srie e paralelo dos SSCs, simulaes da resposta das SSCs a defeitos ou sombreamento em alguns dos painis solares do conjunto, etc.

61

Finalizando, convm chamar ateno para o fato de que a validao deste modelo foi feita de forma terica, ou seja, os resultados das simulaes foram comparados a dados abstratos, retirados de clculos matemticos, e devem servir de ponto de partida para estudos complementares sobre o tema aqui tratado. Naturalmente, de extrema importncia que se realize uma experincia real, utilizando elementos concretos (clulas solares, fotocondutores, luz solar, etc.) como parmetros de comparao para que sejam feitos ajustes adequados e se promova a validao definitiva deste modelo.

62

6 Referncias

[1] KININGER, Franz. Photovoltaic Systems Technology. Universidade de Kassel. Alemanha 2003.

[2] REZENDE, Srgio M. Materiais e Dispositivos Eletrnicos. 2. Ed. So Paulo : Editora Livraria da Fsica, 2004.

[3] LANDSBERG, Peter T. and MARKVART, Tom. Cap.Iia-3 Ideal Efficiencies, in Practical Handbook of Photovoltaics Fundamentals and Applications, edited by T. Markvart and L. Castaer, Elsevier Advanced Techonology, Oxford, 2005.

[4] Nanophysics Group - Elektronik komplett. Disponvel em: <http://www.nano.physik.unimuenchen.de/elektronik/nav/komplett.html > Acesso em 10 jan. 2008.

[5] AICL - CdS Photoconductive Cells. Disponvel em: <www.aicl.com.tw> Acesso em 10 jan. 2008.

[6] CASTAER, Luis; SILVESTRE, Santiago. Modeling Photovoltaic Systems Using PSpice. Cap 1 e 2, p. 1 39. Editora John Wiley and Sons, 2002.

[7] D. Caughey and R. Thomas, Carrier Mobilities in Silicon Empirically Related to Doping and Field, Proc.IEEE, vol. 52, pp. 2192-2193, 1967.

[8] Mobility Model of MINIMOS 6. Disponvel em: <http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/palankovski/node44.html> Acesso em 10 jan. 2008.

[9] MOINI, Alireza. Vision Chips. 3rd Revision. Adelaide - Australia : Department of Electronics Engineering - University of Adelaide. 1997 [10] Resistivity and Carrier Transport Parameters in Silicon. Disponvel em: <www.virginiasemi.com/pdf/ResistivityCarrierTransportinSilicon.pdf> Acesso em 10 jan. 2008.

[11] Physical Properties of Silicon (Si). Disponvel em: <http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/> Acesso em 25 jan. 2008.

63

[12] S. M. Sze. Semiconductor Devices: Physics and Technology. 2nd Edition. Editora John Wiley
and Sons, 2002.

64

Anexo 1 : Biblioteca utilizada na fonte PWL para o comprimento de onda

*wavelength.lib + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 0.0001u 0.1u 0.295u 0.305u 0.315u 0.325u 0.335u 0.345u 0.355u 0.365u 0.375u 0.385u 0.395u 0.405u 0.415u 0.425u 0.435u 0.445u 0.455u 0.465u 0.475u 0.485u 0.495u 0.505u 0.515u 0.525u 0.535u 0.545u 0.555u 0.0001 0.1 0.295 0.305 0.315 0.325 0.335 0.345 0.355 0.365 0.375 0.385 0.395 0.405 0.415 0.425 0.435 0.445 0.455 0.465 0.475 0.485 0.495 0.505 0.515 0.525 0.535 0.545 0.555

+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +

0.565u 0.575u 0.585u 0.595u 0.605u 0.615u 0.625u 0.635u 0.645u 0.655u 0.665u 0.675u 0.685u 0.695u 0.6983u 0.7u 0.71u 0.72u 0.7277u 0.73u 0.74u 0.75u 0.7621u 0.77u 0.78u 0.79u 0.8u 0.8059u 0.825u 0.83u

0.565 0.575 0.585 0.595 0.605 0.615 0.625 0.635 0.645 0.655 0.665 0.675 0.685 0.695 0.6983 0.7 0.71 0.72 0.7277 0.73 0.74 0.75 0.7621 0.77 0.78 0.79 0.8 0.8059 0.825 0.83

+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +

0.835u 0.8465u 0.86u 0.87u 0.875u 0.8875u 0.9u 0.9075u 0.915u 0.925u 0.93u 0.94u 0.95u 0.955u 0.966u 0.975u 0.985u 1.018u 1.082u 1.094u 1.098u 1.101u 1.128u 1.131u 1.144u 1.178u 1.264u 2u 4u

0.835 0.8465 0.86 0.87 0.875 0.8875 0.9 0.9075 0.915 0.925 0.93 0.94 0.95 0.955 0.966 0.975 0.985 1.018 1.082 1.094 1.098 1.101 1.128 1.131 1.144 1.178 1.264 2 4

65

Anexo 2 : Biblioteca utilizada na fonte PWL para o coef. de absoro do Si

*Absortion coefficient for Silicon 0.295u + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 1.890E+06 0.305u 0.315u 0.325u 0.335u 0.345u 0.355u 0.365u 0.375u 0.385u 0.395u 0.405u 0.415u 0.425u 0.435u 0.445u 0.455u 0.465u 0.475u 0.485u 0.495u 0.505u 0.515u 0.525u 0.535u 0.545u 0.555u 0.565u 1.545E+06 2.080E+06 1.875E+06 1.155E+06 1.100E+06 1.060E+06 8.860E+05 5.070E+05 2.260E+05 1.385E+05 9.250E+04 6.765E+04 5.180E+04 4.165E+04 3.380E+04 2.800E+04 2.360E+04 2.000E+04 1.705E+04 1.485E+04 1.280E+04 1.100E+04 9.735E+03 8.865E+03 7.600E+03 6.775E+03 6.195E+03

+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +

0.575u 0.585u 0.595u 0.605u 0.615u 0.625u 0.635u 0.645u 0.655u 0.665u 0.675u 0.685u 0.695u 0.6983u 0.7u 0.71u 0.72u 0.7277u 0.73u 0.74u 0.75u 0.7621u 0.77u 0.78u 0.79u 0.8u 0.8059u 0.825u 0.83u

5.685E+03 5.100E+03 4.585E+03 4.245E+03 3.955E+03 3.685E+03 3.145E+03 3.150E+03 2.895E+03 2.650E+03 2.435E+03 2.255E+03 2.085E+03 1.930E+03 2.000E+03 1.860E+03 1.710E+03 1.400E+03 1.580E+03 1.460E+03 1.340E+03 1.234E+03 1.133E+03 1.039E+03 9.510E+02 8.690E+02 8.300E+02 6.880E+02 6.550E+02

+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +

0.835u 0.8465u 0.86u 0.87u 0.875u 0.8875u 0.9u 0.9075u 0.915u 0.925u 0.93u 0.94u 0.95u 0.955u 0.966u 0.975u 0.985u 1.018u 1.082u 1.094u 1.098u 1.101u 1.128u 1.131u 1.144u 1.178u 1.264u

6.245E+02 5.535E+02 4.830E+02 4.340E+02 4.115E+02 3.890E+02 3.080E+02 2.720E+02 2.555E+02 2.240E+02 2.090E+02 1.820E+02 1.570E+02 1.455E+02 1.240E+02 1.040E+02 8.705E+01 3.990E+01 6.200E+00 4.700E+00 3.500E+00 3.500E+00 2.000E+00 1.5 0.68 0.065 0

66

Anexo 3 : Biblioteca utilizada na fonte PWL para o espectro solar

*am15g.lib * AM1.5G 37tilt angle, global spectral irradiance * (modified trapezoidal integration) + * Total irradiance 962.5W/m2 + * from Hulstrom, R., Bird, R., Riordan,C., Solar Cells * vol. 15, pp. 365-391, (1985) + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 0.295u 0.305u 0.315u 0.325u 0.335u 0.345u 0.350u 0.360u 0.370u 0.380u 0.390u 0.400u 0.410u 0.420u 0.430u 0.440u 0.450u 0.460u 0.470u 0.480u 0.490u 0.500u 0.510u 0.520u 0 9.2 103.9 237.9 376 423 466.2 501.4 642.1 686.7 694.6 976.4 1116.2 1141.1 1033 1254.8 1470.7 1541.6 1523.7 1569.3 1483.4 1492.6 1529 1431 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 0.590u 0.610u 0.630u 0.650u 0.670u 0.690u 0.710u 0.718u 0.724u 0.740u 0.753u 0.758u 0.763u 0.768u 0.780u 0.8u 0.816u 0.824u 0.832u 0.84u 0.86u 0.88u 0.905u 0.915u 0.925u 0.93u 0.937u 0.948u 1344.9 1431.5 1382.1 1368.4 1341.8 1089 1269.0 973.7 1005.4 1167.3 1150.6 1132.9 619.8 993.3 1090.1 1042.4 818.4 765.5 883.2 925.1 943.4 899.4 721.4 643.3 665.3 389 248.9 302.2 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 1.070u 1.1u 1.12u 1.13u 1.137u 1.161u 1.18u 1.2u 1.235u 1.290u 1.32u 1.35u 1.395u 1.443u 1.463u 1.477u 1.497u 1.52u 1.539u 1.558u 1.578u 1.592u 1.61u 1.63u 614.4 397.6 98.1 182.2 127.4 326.7 443.3 408.2 463.1 398.1 241.1 31.3 1.5 53.7 101.3 101.7 167.1 253.1 264.3 265 235.7 238.4 220.4 2.35.6 0.570u 1447.1 + 1.040u 665.5 + + + 0.530u 0.540u 0.550u 1515.4 1494.5 1504.9 + + + 0.965u 0.980u 0.994u 507.7 623 719.7

+ 1.646u 226.3 + 1.678u 212.5 + 1.740u 165.3 + 1.8u 29.2

67

+ 1.86u 1.9 + 1.92u 1.2 + 1.96u 20.4 + 1.985u 87.8 + 2.005u 25.8 + 2.035u 95.9 + 2.065u 58.2 + 2.1u 85.9 + 2.148u 79.2 + 2.198u 68.9

+ 2.27u 67.7 + 2.36u 59.8 + 2.45u 20.4 + 2.494u 17.8 + 2.537u 3.1 + 2.941u 4.2 + 2.973u 7.3 + 3.005u 6.3 + 3.056u 3.1 + 3.132u 5.2

+ 3.156u 18.7 + 3.204u 1.3 + 3.245u 3.1 + 3.317u 12.6 + 3.344u 3.1 + 3.45u 12.8 + 3.573u 11.5 + 3.765u 9.4 + 4.045u 7.2

68

Anexo 4 : Equaes do clculo da densidade de corrente do bloco D do modelo

A equao acima foi utilizada no clculo da densidade de corrente no emissor da clula solar.

A equao acima foi utilizada no clculo da densidade de corrente na base da clula solar.

e A densidade de corrente total da clula solar a soma de JscB() com JscE().

Os significados variveis destas equaes esto na tabela abaixo: Parmetro Descrio

Wb We L_n Lp Dn Dp Se Sb o o espessura da base da juno pn espessura do emissor da juno pn comprimento de difuso de eltrons na base comprimento de difuso de buracos no emissor constante de difuso de eltrons na base constante de difuso de buracos no emissor velocidade de recombinao na superfcie do emissor velocidade de recombinao na superfcie da base Fluxo espectral de ftons na superfcie do emissor Fluxo espectral de ftons na interface emissor-base

Unidade
cm cm cm cm cm2/s cm2/s cm/s cm/s Ftons/(cm2.m) Ftons/(cm2.m)

69

Anexo 5 : Equaes do clculo da eficincia quntica do fotocondutor interna ao bloco E do modelo

A equao acima foi utilizada no clculo da densidade de corrente no fotocondutor.

QE PH =

J SCPH q. PH (1 R)

A equao acima foi utilizada no clculo da densidade eficincia quntica do fotocondutor.

PH = (1 e d )1016

I . 19,8

Os significados variveis destas equaes esto na tabela abaixo: Parmetro Descrio

D Lp Dp Se PH espessura do fotocondutor comprimento de difuso de buracos constante de difuso de buracos velocidade de recombinao na superfcie do fotocondutor Fluxo espectral de ftons no fotocondutor

Unidade
cm cm cm2/s cm/s Ftons/(cm2.m)

70

Anexo 6 : Equaes do modelo de mobilidade MINIMOS 6

=
LI v

min v

vL vmin
Nd 1+ N ref dv

(Equao 1)

Onde:

vLI = mobilidade efetiva (devido ao espalhamento causado pelos tomos da rede e devido ao
espalhamento causado pelas impurezas ionizadas) [cm2/(V.s)]

vmin = mobilidade dos portadores minoritrios [cm2/(V.s)] vL = mobilidade devido ao espalhamento dos tomos da rede [cm2/(V.s)]
Nd
= concentrao de portadores majoritrios (valor da dopagem do material) [cm-3]
ref

Nd v

= concentrao de portadores majoritrios de referncia [cm-3]

Onde:

=
L v

L v , 300

T L 300 K

0 ,v

v = n, p

(Equao 2)

Onde:

vL = mobilidade devido ao espalhamento dos tomos da rede [cm2/(V.s)]

vL,300 = mobilidade devido ao espalhamento dos tomos da rede a 300K [cm2/(V.s)]
TL = Temperatura da rede do material semicondutor [K]

Os parmetros da equao 2 so fornecidos na tabela 1, a seguir:

71

Tabela 1: Parmetros da Equao 2 Material v n (eltrons) p (buracos)

vL,300 [cm2/V.s]
1430 460

0 ,v
-2 -2,18

Si Onde:

Onde:

min v

min v , 300

1, v TL , para T 200 K (Equao 3) 300K

vmin = mobilidade dos portadores minoritrios [cm2/(V.s)]

2 vmin , 300 = mobilidade dos portadores minoritrios a 300K [cm /(V.s)]

TL = Temperatura da rede do material semicondutor [K]

N
Onde:

ref dv

=N

ref d v , 300

T L 300K

3 ,v

(Equao 4)

Nd v

ref

= concentrao de portadores majoritrios de referncia [cm-3]

N d v ,300 = concentrao de portadores majoritrios de referncia a 300K [cm-3]

TL = Temperatura da rede do material semicondutor [K]

ref

T v = v ,300 L 300K
Onde:

4 ,v

(Equao 5)

v = parmetro usado no clculo da mobilidade efetiva

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v ,300 = parmetro usado no clculo da mobilidade efetiva a 300K

TL = Temperatura da rede do material semicondutor [K] Os parmetros das equaes 3, 4 e 5 so fornecidos na tabela 2 mostrada abaixo.

Tabela 2: Parmetros das Equaes 3, 4 e 5

Materi al

vmin , 300
v [cm2/V.s ]

1 ,v

2 ,v

Cvref ,300
[cm-3]

3 ,v

v ,300
0,72 0,72

4 ,v

Si

n (eltrons) p (buracos)

80 45

-0,45 -0,45

-0,15 -0,15

1,12e17 2,23e17

3,2 3,2

0,065 0,065