EL SCR Y SU POLARIZACION ( PARTE A )

OBJETIVO Demostrar el funcionamiento de un Rectificador Controlado de Silicio mediante el uso de una lmpara incandescente y observar su forma de onda de disparo a travs de un osciloscopio. DESCRIPCIN BSICA DEL SCR El tiristor de la Figura 1(SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo semiconductor bi estable formado por tres uniones PN con la disposicin PNPN. Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. El instante de conmutacin, puede ser controlado con toda precisin actuando sobre el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

FIGURA 1.Smbolo electrnico de un Rectificador Controlado de Silicio Caractersticas del SCR: Interruptor casi ideal. Amplificador eficaz (pequea seal de puerta produce gran seal A K). Fcil controlabilidad. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (Memoria). Soporta altas tensiones. Capacidad para controlar grandes potencias. Relativa rapidez.

Figura 2 Circuito bsico de disparo de corriente continua de un SCR.

CARACTERSTICAS DE LA COMPUERTA DE LOS SCR Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta y el ctodo, y sale del SCR por la terminal del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayora de los SCR requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unin pn estndar entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V. En la figura 4 se muestran las condiciones que deben existir en la compuerta para que un SCR se dispare.

Figura 3.Voltaje de compuerta a ctodo (VGK) y corriente de compuerta (IG) necesarios para disparar un SCR. Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de compuerta. Mientras la corriente contine fluyendo a travs de las terminales principales, de nodo a ctodo, el SCR permanecer en ON. Cuando la corriente de nodo a ctodo (IAK) caiga por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de retencin, simbolizada IHO el SCR se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa por cero a su regin negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, la IHO es alrededor de 10 mA. MATERIAL Y EQUIPO 1 Pila cuadrada de 9 volts de corriente continua 1 Rectificador controlado de silicio C 106 D 1 Resistencia de 4.7 kilo ohms a watt 1 Switch de un polo un tiro. 1 Lmpara para 12 volts de corriente continua 1 Protoboard 1m Alambre calibre 22 de una lnea 1 Multmetro digital con puntas de prueba

DESARROLLO DE LA PRACTICA 1. Buscar en el manual de semiconductores ECG la disposicin de terminales del rectificador controlado de silicio C106 D y anotarla en una hoja de especificaciones. 2. Armar en el protoboard el circuito de la figura 2, teniendo cuidado con las conexiones. 3. Mediante el uso del Multmetro Digital, medir el voltaje de la pila de 9 volts para comprobar que est proporcionando el voltaje correcto. 4. Conectar la pila de 9 volts al circuito armado en el protoboard. 5. Cerrar el interruptor para proporcionar un pulso de activacin al SCR, en este caso la lmpara debe encender. 6. Abrir el interruptor y observar el efecto producido en la lmpara 7. Explicar porque la lmpara se mantiene encendida por tiempo indefinido an despus de desactivar el interruptor. 8. Producir un corto circuito momentneo entre el nodo y el ctodo del SCR y observar el efecto producido en lmpara. 9. Hacer las anotaciones necesarias de acuerdo con lo observado durante el desarrollo de la prctica.

OBSERVACIONES _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________ CONCLUSIONES _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________

CONTROL DE FASE CON UN SCR ( PARTE B )

OBJETIVO El alumno debe ser capaz de identificar en la prctica las caractersticas de disparo de un Rectificador Controlado de Silicio, utilizando como carga una lmpara incandescente de 100W. MTODOS DE DISPARO DE UN SCR. Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que corriente de carga, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor corriente de umbral, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo. Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son: Por puerta. Por mdulo de tensin. Por gradiente de tensin Disparo por radiacin. Disparo por temperatura. El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados, por lo que los evitaremos en la medida de lo posible. Disparo por puerta Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo. Disparo por mdulo de tensin Este mtodo podemos desarrollarlo basndonos en la estructura de un transistor: si aumentamos la tensin colector - emisor, alcanzamos un punto en el que la energa de los portadores asociados a la corriente de fugas es suficiente para producir nuevos portadores en la unin de colector, que hacen que se produzca el fenmeno de avalancha. N Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobretensiones anormales en los equipos electrnicos. Disparo por gradiente de tensin Si a un tiristor se le aplica un escaln de tensin positiva entre nodo y ctodo con tiempo de subida muy corto, los portadores sufren un desplazamiento para hacer frente a la tensin exterior aplicada. La unin de control queda vaca de portadores mayoritarios; aparece una diferencia de potencial elevada, que se opone a la tensin exterior creando un campo elctrico que acelera fuertemente a los portadores minoritarios produciendo una corriente de fugas. Disparo por radiacin La accin de la radiacin electromagntica de una determinada longitud de onda provoca la elevacin de la corriente de fugas de la pastilla por encima del valor crtico, obligando al disparo del elemento. Los tiristores fotosensibles (llamados LASCR o Light Activated SCR) son de pequea potencia y se utilizan como elementos de control todo - nada.

 Disparo por temperatura El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (a 1+a 2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta. Condiciones necesarias para el control de un SCR Disparo Polarizacin positiva nodo - ctodo. La puerta debe recibir un pulso positivo (respecto a la polarizacin que en ese momento tengamos en el ctodo) durante un tiempo suficiente como para que corriente del nodo sea mayor que la intensidad de enganche. En el siguiente circuito (Figura 1) se muestra una aplicacin prctica del SCR para el control de intensidad de una lmpara incandescente (control de fase)

FIGURA 1 Circuito de control de fase con un SCR MATERIAL Y EQUIPO 1 lmpara incandescente de 100W a 120 volts corriente alterna 1 R1= resistencia de 22k a 5watt 1 D1= diodo rectificador 1N4004. 1 R2= resistencia de 10k a 1/2watt 1 POT1= potencimetro de 100K 1 C1= capacitor cermico de 0.082 F. 1T1= UJT 2N2646. 1 R3= resistencia de 1k a 1/2watt. 1 R4= resistencia de 100 a 1/2watt. 1 T2= SCR C106D. 1 protoboard 1m de alambre calibre 22 de 1 polo. 1 multmetro digital con puntas de prueba. 1 fuente de corriente alterna a 120v. 1 osciloscopio de doble trazo con puntas de prueba. 1 base para lmpara incandescente.

1 manual de semiconductores ECG. DESARROLLO DE LA PRCTICA 1. Localizar en el manual de semiconductores ECG la disposicin de los tiristores a emplearse. Anotar la configuracin de las terminales en una hoja de especificaciones. 2. Armar el circuito de la figura 1 en el protoboard. 3. Conectar el circuito armado a una fuente de alimentacin de corriente alterna de 120v. 4. Variar el valor del potencimetro para observar la regulacin de intensidad de la lmpara. 5. Mediante el uso del multmetro digital medir el voltaje de la lmpara en el momento que se varia el potencimetro para observar la variacin del voltaje. 6. Conectar el osciloscopio en paralelo con la lmpara para observar la forma de onda de salida y el ngulo de disparo del SCR. (control de fase). Nota: se recomienda revisar cuidadosamente el circuito antes de conectarlo, para evitar que se dae el SCR. ESQUEMAS

OBSERVACIONES _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________ CONCLUSIONES _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________________________________________________________________________ _________________________ CRITERIO DE EVALUACION