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1.2.

2 Amplificador en Emisor Comn El amplificador en Emisor Comn se caracteriza por amplificar la seal, tanto en voltaje como en corriente, adems el voltaje de salida es invertido con respecto al de entrada. Su impedancia de entrada y de salida son altas.

El circuito equivalente de Corriente continua es:

Circuito equivalente de corriente alterna

RB

R L

donde

RB = R1 || R2
' RL = RC || RL

Si Vs es una seal pequea entonces el transistor opera en forma lineal y para efectos de anlisis el transistor tiene un circuito lineal equivalente llamado circuito en parmetros h. Modelo de seal pequea del BJT para la configuracin en Emisor Comn

Modelo del BJT en parmetros h (configuracin en Emisor Comn)

Significado de los parametros h vbe = hieib + hre vce ic = h feib + hoe vce

Estos parmetros h reciben su nombre a partir de las siguientes condiciones A).- Corto circuito en la salida ( Vce = 0 ).

por lo que:

vbe = (hie )ib


ic = ( h fe )ib

hie =

vbe ib VCEQ

h fe =

vce =0

ic ib VCEQ

vce = 0

hie = Impedancia de entrada con la salida en corto.

i = input. e = emisor comn.


h fe = Ganancia de corriente en sentido directo con la salida en corto.

f = forward - directo e =emisor comn B).- Circuito abierto en la entrada ( ib = 0 )

por lo que:

vbe = hre ( vce ) ic = hoe ( vce )

v hre = be vce

hoe =
I BQ ib = 0

ic vce

I BQ ib = 0

hre = Ganancia de voltaje en sentido inverso con la entrada abierta.


r = reverse e = emisor comn
hoe = Admitancia de salida con la salida abierta.

o = output e = emisor comn.

Determinacin de los parmetros h De las curvas de entrada pueden ser determinados grficamente los parmetros hie y hre

ib

VCE = 19V
ib

VCE = 1V

VCE = 20V

vBE

iB vbe vBE hie = = ib ib

VBE = 0 VCEQ

vBE iB

Puede observarse que hie corresponde a la resistencia dinmica del diodo B-E

hie =

VT V V = T = h fe T I CQ I CQ I CQ h fe

VBE

VCE

ib
I BQ

VBE

vBE
Puede observarse que hre corresponde un valor muy pequeo, su valor se encuentra en el rango de 1x10-4 a 3x10-4, y para efectos prcticos puede considerarse cero

hre =

vbe vBE = vce vCE

VBE = 0 I CQ

vBE vCE

Los parmetros hfe y hoe se obtiene a partir de las curvas de salida y como se indican en las mismas ic ic = ib iB iC iB = iC vCE

h fe =

ic 0 VCEQ

hoe =

ic i = C vce vCE

iC 0 ICQ

Se observa que el valor de hoe es muy pequeo, un valor tpico es de aproximadamente de 100 m siemens y para fines prcticos puede considerarse como Admitancia 0 = resistencia infinita. Modelo del Amplificador en Emisor Comn incluyendo el modelo de seal pequea del transistor

Las impedancias de entrada y de salida pueden obtenerse fcilmente mediante observacin del circuito: Z i = R B || hie y Z o = Rc

La ganancia de voltaje puede obtenerse a partir de la multiplicacin de los siguientes factores

AV =

vL v L vce vbe = vs vce vbe vs

vL =1 vCE vce = Rc RL h feib vbe = hieib R R vce = h fe C L vbe hie RB hie vbe = vs RB hie + rs
Av =

RB hie RC R L VL = h fe . VS hie RB hie + rs

Ai =

i L i L ib = . i S ib i s

RC iL = h fe iS RC + RL ib RB = i S RB + rs
Ai = RC iL RB = h fe iS RC + R L RB + rs

VL i RL V rs + z i Ai = L = = L. VS iS VS R L rs + z i

Ai = Av

zi + rs RL

PROBLEMA.- El transistor 2N3904 tiene un h fe de 125 cuando su punto de operacin es I CQ =1mA y VCEQ = 6V . Se pretende polarizar este transistor mediante la tcnica de divisin de tensin. a).- Calcular el valor adecuado de cada uno de los resistores para cumplir con esa condicin de polarizacin y bajo los siguientes datos adicionales; Vcc=12V, RB =
1 1 RE y VE = VCC . 10 10

Una vez polarizado el transistor, el circuito se utilizar como amplificador. La seal a amplificar proviene de una fuente de voltaje con resistencia interna de 50 . la seal amplificada ser suministrada a una resistencia de carga de 1.2 K . b).- Calcular la impedancia de entrada y la de salida del amplificador c).- Calcular la ganancia del voltaje del amplificador. d).- Calcular la ganancia de corriente del amplificador. En los incisos b, c y d suponer que la reactancia de los capacitores es despreciable a la frecuencia de la seal. e).- Calcular el valor mnimo de capacitancia de cada uno de los capacitores de tal manera que en el amplificador se tenga un acoplamiento y desacoplamiento ideal para fines prcticos. Fc = 100 Hz a).VE = 12V 1.2V =1.2V por lo que RE = =1.2 K 10 1mA 125 RB = (1200) = 15 K 10 V VCEQ 12V 6V RC = CC RE = 1.2 K = 4.8 K I CQ 1mA

b).-

hie =

VT 25mV h fe = (125) = 3.212 K I CQ 1mA

Z i = RE || hie =

Z o = RC = 4.8 K

(3.212 K)(15 K) = 2.546 K 18.212 K

c).-

AV =

VL R || RL RB || hie 125(960) 2646 = h fe C = = 36.65 Vs hie rs + RE || hie 3212 2696 iL RC RB 4800 15000 = ( h fe ) = (125) = 82.36 is RC + RL RB + hie 6000 18212

d).-

Ai =

e).- Para poder calcular el capacitor Ci tenemos que encontrar la resistencia de Thvenin que este capacitor mira entre sus terminales

RCi = RB || hie + rs = 2646 + 50 = 2696 1 RCi = 269.6 10 1 Ci = = 5.9 F 2 (100)(269.6) X Ci = Donde RCi es la resistencia vista por el capacitor Ci Para poder calcular el capacitor CO tenemos que encontrar la resistencia de Thvenin que este capacitor mira entre sus terminales RCO = RC + RL = 6 K 1 RCO = 600 10 1 CO = = 2.65 F 2 (100)(600) X Ci = Donde RCO es la resistencia vista por el capacitor CO Para poder calcular el capacitor CE tenemos que encontrar la resistencia de Thvenin vista desde el el desde la fuente de seal. Para esto dibujamos el circuito equivalente visto desde el Terminal del emisor, a este circuito en donde las resistencias de base cambian aparentemente en su valor, se le conoce como circuito de de base reflejado en el de emisor.

rs'/(hfe+1)

ie

hie/(hfe+1)

Vs

RE ie

RTH

Donde rs' = RB || rs

Entonces:

RCE = RE || XC =
CC =

rs' + hie = 25.34 h fe + 1

1 RCE = 2.534 10
1 = 628F 2 (100)(2.534)

RCE =

( rs || RB ) + hie
h fe +1

|| RE =

(50 || 15 K) + 3.2 K || 1200 126

RCE = 25.88 || 1200 = 25.33 = X C CE = 1 = 62.83F 2 (100)(25.33)

Donde RCE es la resistencia Thvenin vista por el capacitor CE

CONSIDERACIONES DE DISEO PARA AMPLIFICADORES DE SEAL PEQUEA: 1. Proponer la ganancia de voltaje a obtener 2. Elegir un tipo de polarizacin y establecer el punto de operacin. El punto de operacin deber estar en la regin activa o lineal. 3. Establecer el grado de estabilidad que deber tener el punto de operacin con respecto de los cambios de 4. Se recomienda seleccionar voltajes de alimentacin que sean estndar. (Mltiplos de 1.5 V) por ejemplo 12V. 5. Se recomienda elegir corrientes de colector 0.5 I CQ 4mA EJEMPLO DE DISEO DE UN AMPLIFICADOR CONFIGURACIN DE EMISOR COMUN. DE SEAL PEQUEA EN

PROPUESTA DE DISEO: Disear un amplificador en E.C. como el que se muestra en la figura de Vce tal manera que se obtenga una ganancia de voltaje de igual a 200. Vbe

SOLUCION: Paso 1 La figura nos sugiere una polarizacin por divisor de tensin Sabemos que la ganancia de voltaje:
Vce R R R = hfe C C C VT Vbe hie hib I CQ

Por lo que

RC = 200(

VT ) I CQ

Seleccionando I CQ =1mA y que VT = 25mV a 25 O C Entonces


RC = 5 K

Siendo su valor comercial ms cercano de RC = 5.1K Paso 2 Proponiendo que el punto de operacin se encuentre a la mitad de la recta de carga, entonces
VCEQ = 1 VCC 2

Eligiendo VCC =12V entonces VCEQ = 6V El anlisis en D.C. para la trayectoria de salida del amplificador tenemos que:
VCC =V RC +VCEQ +V RE

Por lo que

V RE =VCC V RC VCEQ V RE =VCC VCEQ R E I EQ

Como Entonces

I CQ I EQ

V RE 12V 6V 5 K(1mA) V RE 1V

Ahora por la ley de Ohm.


RE = V RE V RE 1V = = 1K I EQ I CQ 1mA

Ahora s; ya tenemos las condiciones de recta de carga en D.C. para que el punto de operacin sea fijado por la malla de la base, es decir, solo nos falta seleccionar los voltajes de R1 y R2 para tal propsito. Para establecer estos valores, primeramente agregaremos un grado de estabilidad que deber tener el punto de operacin con respecto a los cambios de Si se elige un transistor 2N3904, este tiene una tpica de 150 cuando el punto de operacin se establece en I CQ =1mA y VCEQ = 6V Uno de los criterios ms comunes es el de
RB = 1 R E 10

El cual nos permite una buena estabilidad del punto de operacin y nos proporciona adems una no muy baja, lo cual es bueno para aspectos de contar con una ganancia de Corriente. Por lo tanto
1 150(1K ) 10 R B =15 K RB =

Entonces R1 puede calcularse:

R1 =

RB 15 K = = 17.65 K V BB 1.8 1 1 12 VCC

Donde V BB = V BEQ + I CQ (
R1 = 18 K R2 =

Siendo su valor comercial mas cercano:

RB

+ RE )

VCC 12 RB = 15 K VBB 1.8

R2 = 100 K

En resumen, si queremos obtener una ganancia de voltaje de 200 para el circuito mostrado en la figura los elementos debern ser
VCC =12V R1 =18K R2 =100 K R E =1K RC = 5.1K

Transistor 2N3904 PREGUNTAS : Qu sucede con el amplificador en E.C. diseado si la seal a amplificar proviene de una fuente de voltaje con resistencia interna rs y que pasa adems si se conecta una resistencia RL de carga acoplada en A.C.? Qu sucede con la ganancia =-200? Cmo deben ser los valores de rS significativamente? y RL para que la ganancia de 200no se afecte