Fsica de Semicondutores

Segunda aula

Aula anterior:
Classes de semicondutores:
elementos Si, Ge, C compostos III-V (GaAs, InP, GaN,..), II-VI (CdTe,), IV-IV (SiC,), e tambm ligas ternrias (e.g. AlxGa1-xAs) e quaternrias (e.g. AlxGayIn1-x-yAs) xidos ZnO, Cu2O, orgnicos polmeros conjugados, nanotubos de carbono, grafeno, magnticos GaMnAs, CdxMn1-xTe, EuS, em camadas PbI2, GaSe, amorfos a:Si (clulas solares) outros

Aula anterior
estrutura blenda de zinco (zinc blende): ZnS cbico

pode ser vista como duas redes fcc deslocadas de da diagonal do cubo estrutura do GaAs, AlAs, InP, InSb, PbS,

Aula anterior
estrutura diamante: carbono cristalino

estrutura do Si, Ge, diamante,

Aula anterior

estrutura wurtzita: hexagonal

clula primitiva do GaN estrutura usual do GaN, AlN (podem tambm cristalizar na estrutura de blenda de zinco)

Principais processos de crescimento de semicondutores crescimento bulk (cristais volumtricos)

Bridgman

temperatura

Principais processos de crescimento de semicondutores crescimento bulk (cristais volumtricos)

Bridgman

Bridgman horizontal: cristais em forma de D

Principais processos de crescimento de semicondutores crescimento bulk (cristais volumtricos)

Czochralski

Principais processos de crescimento de semicondutores crescimento bulk (cristais volumtricos)

Czochralski
principal mdoto usado para Si

Principais processos de crescimento de semicondutores crescimento bulk (cristais volumtricos)

Czochralski

Principais processos de crescimento de semicondutores crescimento bulk (cristais volumtricos)

Liquid Encapsulated Czochralski - LEC

usado para GaAs, InP,

encapsulamento necessrio devido alta presso de vapor do As (ou do P)

Principais processos de crescimento de semicondutores processos epitaxiais: permitem um elevado controle do crescimento

trs processos principais: epitaxia por feixe molecular (MBE) epitaxia de fase vapor (CVD) epitaxia de fase lquida (LPE) possvel fabricao de hetero-estruturas semicondutoras filmes finos obtidos com altssima qualidade

Principais processos de crescimento de semicondutores Epitaxia de fase lquida - LPE

tcnica barata cristais de alta qualidade interfaces no so abruptas (~ 100 nm)

Principais processos de crescimento de semicondutores Epitaxia por feixe molecular - MBE

tcnica muito cara (mquina: > 1 M, um crescimento: ~ 1 k) crescimento lento (~ 1 m/hora) cristais de alta qualidade interfaces abruptas (1 camada atmica) relativamente fcil de introduzir tcnicas de caracterizao in-situ (RHEED, espectroscopia de massa, Auger, )

Principais processos de crescimento de semicondutores Epitaxia por feixe molecular - MBE

Epitaxia por Feixe Molecular (MBE)

As

Al

Ga

GaAs, substrato

Fabricao de hetero-estruturas semicondutoras

Epitaxia por Feixe Molecular (MBE) As Al Ga

GaAs GaAs, substrato

Fabricao de hetero-estruturas semicondutoras

Epitaxia por Feixe Molecular (MBE) As Al Ga

AlGaAs GaAs GaAs, substrato

Epitaxia por feixe molecular (MBE)

dopagem com silcio As Al Si Ga

n-AlGaAs

GaAs, substrato

Epitaxia por feixe molecular (MBE)

Fsica UFMG

TEM de amostra crescida por MBE

Oscilaes RHEED para monitorar crescimento

S. Martini and A. A. Quivy, Braz. J. Phys. vol.32 (2002)

Principais processos de crescimento de semicondutores Epitaxia de fase vapor VPE (ou CVD)

relativamente barata (mais cara do que LPE) taxas de crescimento relativamente altas (vrios m/hora) problemas com pureza e qualidade do material

Principais processos de crescimento de semicondutores

Epitaxia de fase vapor metalo-orgnico MOVPE (ou MOCVD)

tcnica cara (reator: > 1 M, um crescimento: ~ 1 k) arsina e fosfina altamente txicas cristais de alta qualidade e pureza interfaces abruptas, bem definidas

Epitaxia por deposio de vapor qumico metalo-orgnico (MOCVD)

reator Entrada de gases

substrato Suporte aquecido Gases utilizados Grupo III: TM Ga, TM Al, TM In Grupo V: AsH3, PH3 Dopantes: SiH4, CBr4, Controle de: temperatura fluxos gases

MOCVD

Epitaxia por deposio de vapor qumico (MOCVD)

LabSem, PUC-Rio

Modos de crescimento de hetero-estruturas

(Andreza G. da Silva, Tese de doutorado, UFMG 2008)

Imagem microscopia eletrnica de transmisso de pontos qunticos auto-organizados crescidos por MOVPE

(crescimento: Maurcio P. Pires UFRJ, imagem TEM: Sandra M. Landi INMETRO)