Anda di halaman 1dari 8

1

Experimento: Polarizao de Transistores Bipolares


Daniel do Carmo Floriano Vaz Ra: 120847 Faculdade de Tecnologia, Universidade Estadual de Campinas Tecnologia em Sistemas de Telecomunicaes TT210 Circuitos Eletrnicos l RESUMO Determinar o ponto de trabalho de transistores bipolares e medir o fator hfe; Estudar diferentes circuitos polarizadores de transistores e avaliar suas estabilidades; Estudar a operao do transistor como chave. Polarizar um transistor em diferentes configuraes e encontrar seu ponto quiescente. Palavras chave: fator hfe, polarizao de transistores, ponto de trabalho, transistor como chave,estabilidade.

ABSTRACT Give the working point of bipolar transistors and measure the factor hfe; Studying different polarizing circuits of transistors and assess their stability; Studying the operation of the transistor as a switch. A bias transistor in different settings and find its quiescent point. Keywords: factor hfe, biasing transistor, working point, transistor as key stability.
Materiais: Fonte de alimentao; Multmetro(2); Transistor BC337; Resistores de 100,1K ,470K ,10K ,220 ,2,2K ,3,9K ,56K ,22 ,27K ,560 ,6, 8K (1/4W); Ferro de soldar; Led vermelho. Com estes materiais foram fixados os circuitos no protoboard de acordo com a ordem estabelecida no roteiro do experimento. Ligou-se a fonte de alimentao rede externa, ajustou-se a mesma tenso pedida (+15V) e conectou-se os componentes no protoboard, assim, balizado com o roteiro, foram recolhidas as informaes desejadas. Introduo: Com o passar dos anos, a indstria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um dispositivo formado por trs camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junes. O dispositivo recebeu o nome de TRANSISTOR. O impacto do transistor, na eletrnica, foi grande, j que a sua capacidade de amplificar sinais eltricos permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e consumindo muito menos energia, substitusse as vlvulas na maioria das aplicaes eletrnica. O transistor contribuiu para todas as invenes relacionadas, como os circuitos integrados, componentes opto - eletrnicos e microprocessadores. Praticamente todos os equipamentos eletrnicos projetado hoje em dia usam componentes semicondutores.

2 As vantagens sobre as difundidas vlvulas eram bastante significativas, tais como: Menor tamanho, Muito mais leve,No precisava de filamento,Mais resistente,Mais eficiente, pois dissipa menos potncia,No necessita de tempo de aquecimento,Menores tenses de alimentao. Caractersticas : O emissor fortemente dopado, com grande nmero de portadores de carga. O nome emissor vem da propriedade de emitir portadores de carga. A base tem uma dopagem mdia e muito fina, no conseguindo absorver todos os portadores emitidos pelo emissor O coletor tem uma dopagem leve e a maior das camadas, sendo o responsvel pela coleta dos portadores vindos do emissor. Da mesma forma que nos diodos, so formadas barreiras de potencial nas junes das camadas P e N. O comportamento bsico dos transistores em circuitos eletrnicos fazer o controle da passagem de corrente entre o emissor e o coletor atravs da base. Para isto necessrio polarizar corretamente as junes do transistor.

Figura 1: Transistores tipo NPN e PNP

Transistor Bipolar: O princpio de funcionamento controlar a corrente, montado numa estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas (base, coletor, emissor) recebeu o nome em relao sua funo na operao do transistor. Polarizao: Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas junes, da seguinte forma:

3 1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente; 2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente. Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno bipolar, seja ele npn ou pnp.(Figura 1).

Procedimento: 1) Usando um voltmetro Digital podemos medir o fato hfe do transistor. uma nomenclatura do padro DIM (alem),aqui no Brasil chamamos de DC ou simplesmente "" . Serve p/ indicar o ganho de corrente de um transistor. Basicamente seria o quanto um transistor pode amplificar um sinal. No caso pela medio obtivemos: =350. 2)Montado o circuito abaixo, foi medido valores IB,IC,Vce,para a base do transistor em 15V e, em seguida em 0V.

Figura 2 Quando opera na regio ativa ou regio de amplificao o transistor opera como amplificador, isto , existe linearidade entre as suas correntes valendo a seguinte relao: Ic= IB. . Contudo nesse caso podemos notar que o transistor est na regio de Saturao forte, onde o Ponto Q est prximo ao ponto superior da reta de carga, nisso a corrente no coletor mxima, podendo ento se variar a corrente de IB que IC(SAT) continua igual. Podemos identificar de imediato que est em regio de Saturao, devido Vcc=Vbb(na maioria das vezes) e pelo projeto do circuito onde a resistncia da base aproximadamente 10 vezes maior que a resistncia do coletor. Base= 10K Coletor= 1k . Esse tipo de polarizao de base til em circuitos digitais, por exemplo, onde se projetado para trabalhar na regio de saturao ou de corte. Nisso podemos fazer analogia do Transistor ser usado como chave, Sendo saturado o transistor simula uma chave fechada, corrente de coletor constante, e na regio de corte funcionando como uma chave aberta.

Quando medimos com a tenso de 15V , com polarizao na base obtivemos: IB= 1,40 m A IC(SAT)= 13,16 m A VcE= 12,8m V Onde o LED ascendeu normalmente. Logo aps com 0V em na base. Obtivemos: IB=O IC=0 VcE= 13,39 V Onde o LED no ascendeu. Sendo assim quando a chave abre a corrente da base cai a zero e Ic tambm, sem corrente no resistor de 1k , o LED no ascende e toda tenso de alimentao do coletor aparece nos terminais coletor-emissor,para calcular o Ic Sat devemos considerar toda tenso em Rc e calcular Ic saturado.

3)

Figura 3
Circuito polarizador de base As medies foram: IB=0,2 m A IC=91,1m A Vce= 0,25 V Aps 30 segundos as variaes desses mesmos valores quase no foram detectveis, no entanto, os valores apresentados aps essa mnima passagem do tempo foram: IB=0,2 m A IC=91,1m A Vce=0,24V O ponto de trabalho desse transistor est localizado na regio de saturao.

Figura 4

Aps esses procedimentos, foi utilizado um ferro de soldar para avaliar o comportamento das variaes das tenses e das correntes no circuito analisado: IB=0,345 m A IC=91,2 m A VCE=0,23 V Percebe-se uma pequena variao, onde houve aumento da corrente IC e uma pequena diminuio da tenso coletor-emissor. Este circuito termicamente pouco estvel, ento para uma amplificao precisamos de um ponto Q que no varie. Este circuito o pior para se obter um ponto Q fixo, porque na regio ativa a corrente do coletor muito sensvel ao ganho da corrente.Isso significa que as variaes do ponto Q so diretamente proporcionais as variaes no ganho de corrente. 4)

Figura 5 Circuito polarizador com resistor de emissor


Neste circuito de polarizao inserida uma resistncia RE entre o emissor e a fonte de alimentao. Nesse circuito a idia compensar possveis variaes de ganho devido a mudanas de temperatura. Se houver um aumento de ganho, haver aumento de IC, com aumento de VRC e de VRE e diminuio de VCE. Mas devido ao aumento de VRE a corrente de base diminui, induzindo IC a uma estabilizao. No circuito anterior esta variao de ganho levaria a um aumento de IC e diminuio de VCE tirando o transistor de seu ponto de operao original. Valores medidos: IB= 0,25 m A IC= 82,4 m A VCE= 1,12 V

4-1)

Figura 6 Circuito polarizador com realimentao de coletor Esse circuito foi projetado com intuito de estabilizar o ponto Q com realimentao negativa. Ele consiste na suposio seguinte, se o ganho da corrente aumentar por causa da temperatura, far com que a corrente do coletor aumente e diminuir a tenso no coletor.Uma diminuio na tenso do coletor resultar numa diminuio na corrente da base.Mas uma corrente menor na base significa que a corrente do coletor ser menor.Portanto o resistor entre o coletor e a base est produzindo uma realimentao negativa. Valores medidos: IB=0,192 m A IC= 69,8 m A VCE= 5,56 V

4-2)

Circuito polarizador em divisor de tenso Este circuito projetado de forma a fixar o valor de VRB2. Como VBE praticamente constante com a temperatura, VRE tambm permanece constante. Isto garante a estabilizao de IE e IC, independentemente da variao do ganho.

7 uma forma de realimentao negativa, funciona da seguinte forma: Quando o ganho de corrente aumenta, a corrente no emissor aumenta. Isso faz aumentar a tenso no esmissor. Como a tenso na base fixada pelo divisor de tenso, a tenso base-emissor diminui, fazendo com que a corrente na base dimunua.Assim a realimentaao negativa funciona bem, porque quase todo aumento no ganho de corrente produz uma diminuio proporcional da corrente na base.As correntes do coletor e do emissor apresnetam apenas um ligeiro aumento.Assim o deslocamento do ponto Q quase nulo. Valores medidos: IB=0,101 Ma IC=39,1 Ma VCE= 10,64 V

O Porque da variao da Temperatura

Como sabemos o transistor feito por uma liga semicondutora muito sensvel a temperatura, a elevao da temperatura libera portadores, aumentando assim a condutividade do material. A temperatura age principalmente nos parmetros Ic Ib, Hfe e VBE dos transistores. A figura a seguir mostra a influncia da temperatura nos transistores bipolares.

A elevao da temperatura aumenta o hfe do transistor, que traz como conseqncia o aumento da corrente de coletor, pois IC=beta.IB, mesmo que a corrente de base permanea constante. A corrente de saturao inversa dobra de valor nos transistores de silcio a cada 10C de elevao na temperatura. A tenso VBE diminui 2,5mV a cada grau de elevao na temperatura. Portanto a temperatura influencia enormemente no comportamento dos transistores.
Concluso

Uma das constataes mais relevantes da experincia se refere ao fator da temperatura. Pois em todas as medidas houve variaes, umas vezes podendo perceber, outras pouco visveis, dos valores das correntes e tenses, onde pequenos fatores influenciavam assim como a temperatura ambiente, e principalmente pela fonte maior de calor: o ferro de soldar . No caso houve uma pequena variao, quase insignificante. Em questo em anlise dos clculos , para uma breve comparao entre os valores prticos e tericos, a diferena se deu a partir das perdas naturalmente encontradas no circuito prtico e consideravelmente pela alterao do fator Hfe, pois nos nossos clculos consideramos o fator Hfe medido inicialmente, mais durante as experincia ele foi

alterando, nisso alterando os valores de Ic e Ib, sendo assim algumas variaes nas terica e experimentalmente vo se diferenciar consideravelmente. As aproximaes feitas teoricamente foram ao encontro de aproximar-se dos valores obtidos na prtica, visto que por esse fator Hfe ir se alterando tivemos grandes diferenas em alguns clculos. Importante tambm analizar os tipos de polarizaos e a importancia de manter o ponto Q estavel para determinadas aplicaes,vendo que certas polarizaes do transistor no so as melhores, quando se deseja um ponto Q estvel. Por isso so raramente usadas para amplificar sinais de CA que exigem um ponto Q muito estvel, tipicamente prximo do centro da reta de carga, para que as flutuaes acima e abaixo do ponto quiescente possam ser amplificadas corretamente sem distores. Para aplicaes mais simples, por exemplo, como chave, estes mtodos de polarizaes tm bom desempenho. Quando se requer alto grau de estabilidade do ponto Q, deve-se usar outros mtodos de polarizaes.

Anda mungkin juga menyukai