Componentes Electrnicos y Medidas

Prctica 7. Amplificador con transistor bipolar.

PRCTICA 7

Diseo de un amplificador con transistor bipolar

1. MODELO PSPICE DEL TRANSISTOR BIPOLAR. El modelo ms simple del transistor bipolar segn PSPICE se representa en la figura 1. Consiste en una modificacin del modelo de Ebers y Moll, ms adecuada para el clculo de circuitos. Se considera que, bsicamente, un transistor es una fuente de corriente controlada por corriente. Las expresiones de IBE1 e IBC1 son: VBE I BE 1 = IS exp V 1 t V BC I BC1 = IS exp V 1 t (1a)

(1b)

I BC1 BR IBE1- IBC1 I BE1 BF

Figura 1. Esquema del modelo PSPICE del transistor bipolar. IS, BF y BR son parmetros PSPICE, mientras que Vt =k BT/q es la tensin trmica (0.025 V). En polarizacin activa VBC es negativa y, dado que IS es muy pequea, se puede considerar despreciable el trmino IBC1 . Ahora nos queda simplemente un diodo que representa a la entrada y una fuente de corriente ideal, cuyo valor es BF veces la corriente de la base. BF se conoce como ganancia en corriente y es el parmetro fundamental del transistor. En general, la ganancia en corriente, tambin conocida como hFE o , se define simplemente como el cociente entre la corriente de colector y la de base: h FE = I C / I B
1

(2)

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En el modelo ideal presentado, BF coincide con hFE y es constante e independiente del punto de operacin. Sin embargo, un anlisis ms detallado en el que se incluyeran las corrientes de recombinacin en la base o el efecto de alta inyeccin, resultara en un valor de hFE menor que BF, y adems su valor dependera del punto de operacin. Las corrientes de recombinacin se modelan en PSPICE aadiendo dos diodos en paralelo con los de la figura 1. En la regin activa del transistor, el trmino ms importante es la corriente de recombinacin en la unin base-emisor (IBE2). Este trmino se aadir a la corriente IBE1/BF en la expresin de la corriente de base. Otro efecto importante de modelar es el efecto Early, o modulacin de la anchura de la base, que implica que la corriente de colector no solamente depende de la tensin base emisor VBE, sino tambin de la tensin colector emisor VCE. PSPICE modela este efecto incluyendo un factor en la expresin de la corriente de colector. Las expresiones finales para las corrientes son las siguientes: IB = I BE 1 IS V + I BE 2 = exp BE 1 + ISE BF BF Vt IC VBE exp NEV 1 = h t FE (3)

VBE V I C = IS 1 + CE exp V 1 t VAF

(4)

2. POLARIZACIN. Se entiende por circuito de polarizacin al conjunto de fuentes y resistencias que proveen al transistor de las tensiones y corrientes de continua que se desean. Los valores de estas tensiones y corrientes se denominan punto de operacin. Un transistor puede tener infinitos puntos de operacin. La eleccin de uno determinado est en funcin de la aplicacin o circuito que se desee obtener. Cind onos al caso de un amplificador, la ganancia, impedancia de entrada e impedancia de salida vienen determinadas casi totalmente por el punto de operacin, como se ver en el desarrollo de la prctica. Hablando en trminos generales y para un circuito en emisor comn, la gana ncia es proporcional a la cada de tensin de continua (de polarizacin) en la resistencia de carga, y las impedancia de entrada y salida son funciones inversas de la corriente de colector. El punto de operacin tiene limitaciones dependiendo del transistor empleado. Como primera medida tenemos que estar en zona activa, es decir, para el caso de un NPN la tensin colector emisor tiene que ser positiva y, consecuentemente, la corriente de colector tiene que ser entrante. Adems la tensin colector emisor debe ser mayor que la tensin colector emisor

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de saturacin, es decir superior a 0.1 o 0.2 V, dependiendo del transistor. Por otra parte no pueden superarse las limitaciones impuestas por el fabricante en cuanto a mxima tensin colector emisor ni mxima corriente de colector puesto que puede dar lugar a la ruptura del dispositivo. Otra limitacin importante es la mxima disipacin en potencia, tambin limitada por el fabricante. La disipacin de potencia en un transistor es muy aproximadamente igual a VCE IC, es decir una hiprbola en las caractersticas de salida. Estas limitaciones se representan en la figura 2.

1.0x10

-2

Zona de saturacin

Hiprbola de 20 mW
Ib=50 A

8.0x10

-3

Ib=40 A

Ic (A)

6.0x10

-3

Ib=30 A

4.0x10

-3

Recta de carga Vcc=4V, R=500

Ib=20 A

2.0x10

-3

Ib=10 A

0.0 0 1 2 3 4 5

Vce (V)

Figura 2. Limitaciones del punto de operacin.

2.1. CIRCUITOS DE POLARIZACIN. Como ya se ha dicho, un circuito de polarizacin es aquel que permite obtener un determinado punto de operacin. En principio, solamente con dos fuentes se puede obtener cualquier punto de operacin; una de ellas determinara la tensin base emisor y la otra la tensin colector emisor. Los valores de las corrientes se determinaran a travs de las caractersticas de entrada y de salida en emisor comn. Un circuito de este tipo, aunque posible, no es til desde un punto de vista de amplificacin. Por una parte no existe carga en el circuito; se supone que si queremos amplificar una seal es para realizar una determinada actuacin, entregando la seal amplificada a un actuador. Pinsese en el caso de un amplificador de audio en el que no
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existieran altavoces. Un razonamiento similar es vlido para la entrada: no hay manera de hacer que la tensin base emisor vare, con lo que no es posible introducir ninguna seal.

Figura 3. Circuito de polarizacin simple.

Figura 4. Circuito de polarizacin con realimentacin.

2.1.1. CIRCUITO DE POLARIZACIN SIMPLE. El circuito ms simple de polarizacin se representa en la figura 3. Obsrvese que se usa solamente una batera. La resistencia RL es la resistencia de carga del circuito. Para resolver este circuito de polarizacin con detalle se pueden usar las ecuaciones de las mallas: VCC = R B I B + VBE VCC = R L I C + VCE (5) (6)

La ecuacin 6 se conoce como recta de carga y se ha representado en la figura 2 para VCC = 4

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V y RL = 500 . Adems de las ecuaciones del circuito de polarizacin, deben satisfacerse las ecuaciones del dispositivo (ecuaciones 3 y 4). El problema directo (calcular las resistencias dado un punto de operacin) es inmediato: conocidas IC y VCE, conocemos VBE e IB, (a partir de las ecuaciones 3 y 4) y por tanto R B y R L de 5 y 6. Se supone que V CC es conocido. El problema inverso (dadas las resistencias y VCC conocer el punto de operacin) requiere un tratamiento numrico. El mtodo anterior requiere conocer los parmetros PSPICE: IS, BF, VAF, ISE y NE, o, en su defecto, IS, VAF y hFE. Una forma aproximada de resolver el problema inverso y en la que solamente es necesario conocer hFE es suponer que la tensin base emisor del transistor es aproximadamente 0.7 V (si el transistor es de Si). La relacin entre la tensin base emisor y la corriente de colector es exponencial (ecuacin 3), por lo tanto, para los mrgenes normales de variacin de IC, las variaciones esperadas de VBE deben ser pequeas. Por otra parte, si VCC es suficientemente grande, la imprecisin en VBE queda dentro de unos lmites tolerables. Segn esta aproximacin: IB = VCC 0.7 RB (7) (8) (9)

I C = h FE I B IC = VCC VCE RL

De estas ecuaciones se deduce de forma inmediata la corriente de colector y la tensin colector emisor, siempre que conozcamos o podamos estimar el valor de hFE. El error de la suposicin de que VBE vale 0.7 V y adems no depende de IC es tanto menor cuanto mayor es VCC y generalmente se supone aceptable si VCC 5 V. El circuito de polarizacin explicado mantiene un valor de IB prcticamente fijo, que se puede determinar a partir de la ecuacin 7. Sin embargo, la determinacin de IC depende del parmetro hFE que en determinados casos no se conoce o viene afectado por grandes dispersiones. Es frecuente que los fabricantes tengan dispersiones en este parmetro superiores al 50%, por lo que la utilizacin de este circuito solamente podr hacerse en el caso de conocer muy bien hFE. Adems, el punto de operacin determinado por este circuito de polarizacin es muy sensible a las variaciones de temperatura.

2.1.2. CIRCUITO DE POLARIZACIN REALIMENTADO. Se pueden realizar circuitos de polarizacin en los que las posibles desviaciones de los

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parmetros de los transistores tengan menor importancia. Todos ellos se basan en la presencia de realimentaciones de continua y el mejor ejemplo es el circuito de la figura 4, que es por otra parte el ms utilizado en circuitos con transistores discretos. Las resistencias R1 y R2 se conocen como resistencias de polarizacin, RE es la resistencia de emisor y la resistencia R L es la resistencia de carga. Resulta cmodo analizar el circuito sustituyendo R1 y R2 por su equivalente Thevenin, tal y como se muestra en la figura 5, donde: RB = R1 R 2 R1 + R 2 VBB = R2 V . R 1 + R 2 CC (10)

Las ecuaciones de las mallas sern ahora: VBB = RBIB + VBE +REIE VCC = RLIC + VCE + REIE, y adems: IE = IC + IB (13) (11) (12)

Estas ecuaciones, junto a las ecuaciones 3 y 4, resuelven tanto el problema directo como el inverso. En el caso del problema inverso se puede obtener una solucin aproximada si se desprecia el efecto Early y se supone VBE = 0.7 V. En este caso: IC = hFEIB VBB 0.7 = RBIB + RE(hFE+1)IB (14) (15)

Figura 5. Equivalente del circuito de polarizacin con realimentacin.

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En el caso del problema directo existen infinitas soluciones para cada punto de operacin y hacen falta ms criterios para definir unvocamente los valores de las resistencias. Para obtener esos criterios es necesario conocer las expresiones de las impedancias de entrada y de salida del circuito, puesto que son factores determinantes del funcionamiento del amplificador y adems muy dependientes de la eleccin de las resistencias. Veremos estas expresiones ms adelante. Otro factor determinante en las resistencias de polarizacin es la estabilidad del circuito, entendiendo por sta las variaciones en el punto de operacin causadas por las variaciones en los parmetros del dispositivo. Estas variaciones se producen por ejemplo entre dispositivos del mismo tipo, ya que sus parmetros nunca sern exactamente iguales (dentro de un tipo dado de transistor y un mismo fabricante hay una dispersin en muchos de los parmetros que puede ser considerable). Por este motivo, en el diseo del circuito de polarizacin se procura que el punto de polarizacin sea lo ms insensible posible a estas variaciones, de modo que cumpla sus especificaciones para cualquier transistor dentro de un margen de dispersin dentro de la tolerancia establecida. Tambin el paso del tiempo, y sobre todo la temperatura, producen cambios en los valores de los parmetros. La estabilidad del circuito de polarizacin realimentado puede estudiarse matemticamente haciendo algunas hiptesis simplificadoras sobre las ecuaciones 3 y 4. No entraremos con detalle en este estudio, pero s podemos hacer una breve discusin cualitativa. Si suponemos I B << IC, es decir, I E IC, la ecuacin 11, correspondiente al circuito de polarizacin, queda como: VBB = RBIB + VBE + REIC (16)

En la ecuacin 16 se puede intuir la funcin de RE como realimentacin de continua. Si consideramos que I C es la salida, RE sirve para tomar un valor proporcional a la salida (REIC) y restarlo de una seal de referencia (VBB RBI B), para dar lugar a una seal de control (VBE) de la cual depende directamente la salida IC, a travs de la ecuacin 4. De este modo, cualquier fluctuacin en IC resultar en una variacin de VBE en sentido contrario, que tender a corregir la fluctuacin original de IC. Los resultados de estudiar matemticamente la estabilidad del circuito de polarizacin realimentado frente a variaciones de los parmetros entre dispositivos y en relacin a la temperatura se pueden resumir de la siguiente forma:

(a) Estabilidad frente a los parmetros PSPICE: La estabilidad mejora aumentando R E y disminuyendo R B puesto que en tales casos
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todos los factores de estabilidad (variaciones de IC frente a variaciones en cada uno de los parmetros PSPICE) disminuyen en modulo. Sin embargo, disminuir RB podra resultar en una disminucin de la impedancia de entrada si se llega a valores muy bajos. As pues, la impedancia de entrada del amplificador suele marcar un lmite al valor mnimo de RB. En cuanto al aumento de R E, debe tenerse en cuenta que la potencia de la batera se distribuye entre el transistor (VCEIC ), la carga RL (RLIC2 ) y la resistencia de emisor RE (REIE2 ), con lo cual si RE es grande o comparable a RL la eficiencia en potencia del amplificador se degradara. Es habitual escoger RE del orden del 10% de RL. En el caso de que no existiera resistencia de emisor, R E = 0, (como en el circuito de polarizacin simple de la figura 3), todos los factores de estabilidad tomaran su valor mximo (mxima variacin del punto de operacin), independientemente del valor de RB. Es decir, un circuito sin RE (sin realimentacin) corresponde al peor caso del circuito realimentado (con RE). (b) Estabilidad frente a la temperatura. Las variaciones de temperatura se reflejarn en variaciones de los parmetros de PSPICE. Desde un punto de vista matemtico, una vez analizada la influencia de la variacin de los parmetros en el punto de operacin, bastara con analizar la dependencia de cada parmetro con la temperatura. El resultado es que un aumento de T produce un aumento de BF, IS e ISE, pero mientras el aumento de BF e IS supone un aumento de IC, el aumento de ISE resulta en una disminucin de IC que compensa en parte el efecto de los otros parmetros. La tendencia general es que la estabilidad trmica mejora aumentando RE y disminuyendo RB (aunque la variacin con RB apenas es significativa). Este resultado coincide con el obtenido para la estabilidad con respecto al cambio de dispositivo. A la vista de los resultados obtenidos, se concluye que la estabilidad del amplificador, tanto ante el cambio del dispositivo como ante variaciones de la temperatura, mejora aumentando RE y disminuyendo RB. 3. MODELOS EQUIVALENTES. El transistor bipolar (como todos los transistores) es un dispositivo fuertemente alineal, como queda de manifiesto en el modelo PSPICE. Sin embargo, este dispositivo surge como respuesta a la necesidad de amplificar pequeas seales elctricas, es decir, para resolver una necesidad lineal. Pensemos que el amplificador ideal no hace ms que
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multiplicar una seal por una constante, independiente de la frecuencia. Para resolver el problema de la amplificacin se introducir el modelo equivalente lineal del transistor, vlido para pequea seal. Las ecuaciones en los diversos modelos (Ebers y Moll, PSPICE, etc.) representan al transistor bipolar en toda su generalidad y con cualquier tipo de polarizacin. Pero su fuerte carcter no lineal hace que cualquier circuito que se pretenda analizar necesite la utilizacin de mtodos de clculo numrico y el uso de ordenador. Sin embargo, dado un punto de operacin y una zona de funcionamiento restringida en torno a este punto, puede ser posible encontrar un modelo de funcionamiento lineal que facilite el anlisis de los circuitos. Desde un punto de vista formal, encontrar un modelo equivalente lineal implica la linealizacin matemtica de las ecuaciones no lineales descriptivas del modelo. Dado que, en cualquier modelo, las relaciones que ligan la corriente con la tensin son del tipo Iexp(V/Vt), donde V es la tensin de excitacin, la linealizacin corresponde al desarrollo en serie de esta expresin en el entorno de cero, de la forma I 1+V/Vt + 1/2(V/Vt)2 +... donde se conservarn nicamente los trminos lineales. La linealizacin puede realizarse bien en las ecuaciones que describen al dispositivo desde un punto de vista fsico (relaciones entre potenciales, corrientes, concentraciones de portadores, movilidades etc.) o bien a posteriori, sobre el modelo de gran seal. La primera opcin correspondera a un curso de fsica de dispositivos, donde se demostrara la existencia del circuito equivalente con ciertas restricciones sobre la frecuencia de trabajo. Sin embargo en nuestra asignatura de componentes electrnicos y medidas no podemos abordar ese enfoque, por lo que analizaremos la segunda posibilidad. En cualquiera de las dos opciones, se plantea el problema de la validez del modelo en funcin de la magnitud de la seal de excitacin. En el caso de que las seales excedan del margen de comportamiento lineal aparecer el fenmeno de distorsin no lineal, es decir, que la seal de salida ya no puede referirse a la de entrada a travs de una operacin lineal. La operacin lineal esencial desde un punto de vista electrnico es la multiplicacin por una constante (amplificacin). Es claro que no es posible realizar esta operacin para todas las frecuencias del espectro, pues existe una limitacin de la respuesta en frecuencia debida a las capacidades internas, pero esta limitacin no afecta a la linealidad del modelo y por ello se denomina distorsin lineal. Sin embargo, la superacin de las tensiones vlidas para aceptar el modelo lineal del transistor har que aparezca la distorsin no lineal, es decir, que dada una determinada frecuencia la salida no podr ponerse como mltiplo de la entrada. Desde un punto de vista del dominio de la frecuencia esto implica la aparicin, en la salida, de
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frecue ncias que no existan en la entrada.

3.1. MODELO EQUIVALENTE EN PEQUEA SEAL BASADO EN PSPICE. A partir de ahora, se utilizarn letras maysculas para designar magnitudes continuas correspondientes al punto de operacin y letras minsculas para las variaciones con respecto a este punto, que sern dependientes del tiempo (alternas) y se supondrn suficientemente pequeas para que el modelo en pequea seal sea vlido. PSPICE utiliza el modelo equivalente Giacoletto, que se deduce por diferenciacin directa del modelo de gran seal. Supondremos que el transistor estar polarizado en la regin activa y en configuracin de emisor comn, de modo que el transistor se modela mediante las ecuaciones 3 y 4. Tomaremos como variables independientes la tensin base-emisor y la tensin colector-emisor. Derivando las ecuaciones 3 y con 4 con respecto a estas variables obtenemos: ib = dI B = I B I B dVBE + dV = g vbe V BE VCE CE I B 1 g = = VBE Vt I B =0 VCE i c = dI C = I C I C dVBE + dVCE = g m v BE + g o vCE V BE VCE I C IS gm = = e V BE Vt
V BE Vt

(17)

IS VBE ISE VBE e Vt + e NEVt BF NE

(18)

(19)

(20)

VCE 1 + = VAF IC VAF

IC Vt

(21)

I C IS go = = e VCE VAF

V BE Vt

(22)

Adems, tendremos que incluir el efecto de las capacidades parsitas correspondientes a la unin base-emisor (C ) y a la unin base-colector (C ). Estas capacidades son muy pequeas y solo tendrn influencia en la respuesta a altas frecuencias, de modo que en el caso de frecuencias bajas pueden eliminarse (sustituirse por circuitos abiertos). La respuesta en frecuencia del amplificador basado en el transistor bipolar se estudiar ms adelante. Las ecuaciones correspondientes al modelo equivalente corresponden al circuito de la figura 6, en el que tambin se han incluido las capacidades C y C.
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gmvBE

go

Figura 6. Modelo equivalente del transistor bipolar en pequea seal.

3.2. MODELO HBRIDO. Otro modelo equivalente habitual se basa en tomar como variables independientes ib y vce, en vez de vbe y vce. Este modelo se conoce con el nombre de modelo hbrido. Las ecuaciones correspondientes a este modelo seran las siguientes: vbe = hie ib + hrevce ic = hfe ib + hoevce (23a) (23b)

El trmino hre puede considerarse nulo, de la misma manera que en el modelo PSPICE hemos despreciado la corriente IBC1 . Utilizando estos modelos simplificados, y considerando un anlisis para bajas frecuencias (las capacidades parsitas se desprecian), el modelo giacoletto presentado y el modelo hbrido son prcticamente idnticos, relacionndose sus parmetros de la siguiente manera: h ie = h re = h fe = h oe = VBE 1 = = r I B g VBE 0 VCE I C = g m r I B I C = go VCE (24)

(25) (26)

(27)

4. AMPLIFICADOR CON BIPOLAR. La figura 7 muestra un circuito amplificador tpico utilizando un transistor bipolar. La alimentacin VCC y las resistencias R1 , R2 , RL y RE corresponden al circuito de polarizacin. VS es un generador de alterna con una impedancia de salida RS, que suministrar la seal de entrada. El condensador C1 impide el paso de continua con el fin de que la presencia del
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generador VS no modifique el punto de operacin. CE se introduce para que el transistor est de forma eficaz (a efectos de la seal) en emisor comn.

Figura 7. Circuito amplificador con bipolar

La figura 8 muestra el modelo equivalente para pequea seal de alterna del amplificador de la figura 7. El transistor se ha sustituido por su modelo equivalente.

Rs

iin +

ib

Base

Colector

ic

io vo

vs

RB

gmv = hfe ib

ro = 1/go

RL

RB = R1 ||R2 Emisor

Figura 8. Circuito equivalente en pequea seal del amplificador. Las capacidades no se han incluido. Se considerar un rango de frecuencias suficientemente alto para que C1 y CE (capacidades de acoplo) puedan considerarse cortocircuitos, pero suficientemente baja como para que C y C (capacidades parsitas del transistor) puedan tomarse como circuito abierto. Esta suposicin es perfectamente razonable ya que C y C son siempre mucho menores que C1 y CE de modo que existe un rango de frecuencias en el que las impedancias asociadas a C y C son muy altas mientras que las correspondientes a C1 y CE son muy bajas. Posteriormente se estudiar con detalle la

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respuesta en frecuencia del circuito y se introducir el concepto de ancho de banda del amplificador, que corresponder justamente a este rango de frecuencias. Los parmetros que caracterizan el funcionamiento del amplificador son la ganancia en tensin, las impedancias de entrada y de salida y el ancho de banda. A continuacin se explica cada uno de ellos.

GANANCIA EN TENSIN. La ganancia en tensin es el cociente entre la tensin de salida y la de entrada. Se pueden distinguir dos ganancias, segn consideremos como entrada la tensin v (tensin a la entrada del amplificador) o la tensin vs (tensin suministrada por la fuente): Av = A vs = vo g R = m L v 1+ go R L vo R B || r = A v s R S + R B || r v (28a) (28b)

La ganancia Avs es la que realmente mide la amplificacin producida. En la prctica, es difcil medir Avs, pues para poder medir la entrada vs es necesario medir la tensin de la fuente de alimentacin en vaco, es decir, desconectndola del resto del circuito.

IMPEDANCIA DE ENTRADA. La impedancia de entrada se define como el cociente entre la tensin de entrada y la intensidad de entrada. Podemos distinguir entre la impedancia de entrada del transistor Zin,t y la impedancia de entrada del amplificador (Zin ), que es la que realmente determinar la calidad del amplificador: Zin,t = Zin = v = r ib (29a)

v r R = r || R B = B i in r + R B

(29b)

Normalmente se escoge RB >> r de modo que la impedancia de entrada viene determinada esencialmente por r. IMPEDANCIA DE SALIDA. La impedancia de salida es el cociente entre la tensin y la intensidad de salida anulando la tensin de entrada. Nuevamente podemos considerar la impedancia de salida del

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transistor (Zout,t ) y la del amplificador (Zout ): Zout,t = vo ic = ro

v =0

(30a) RL 1 + g o RL

Z out =

vo ic

= RL || 1 / g o =
v = 0

(30b)

Es conveniente que la impedancia de entrada sea alta y la de salida baja. De esta m anera se consigue aprovechar la mxima tensin de la etapa anterior y se consigue transmitir la mxima tensin a la etapa posterior.

ANCHO DE BANDA. El ancho de banda corresponde al rango de frecuencias en que el amplificador se comporta como tal, es decir, mantiene su ganancia independiente de la frecuencia. El ancho de banda est limitado a bajas frecuencias por las capacidades de acoplo (C 1 y CE) y a altas frecuencias por las capacidades parsitas del transistor (C y C), que son de un valor mucho menor. La respuesta en frecuencia se discute con detalle en la siguiente seccin.

4.1. RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR CON BIPOLAR. 4.1.1. RESPUESTA A BAJA FRECUENCIA. CAPACIDADES DE ACOPLO. Entendemos por rango de bajas frecuencias aquel para el cual las impedancias asociadas a C y C pueden considerarse circuitos abiertos. Adems, en este anlisis vamos a suponer 1/go suficientemente grande como para que la corriente que la atraviesa sea despreciable frente a la fuente hfe ib. En estas condiciones, el circuito amplificador de la figura 7 se reduce al equivalente mostrado en la figura 9.

Figura 9. Circuito equivalente del amplificador a bajas frecuencias. Para analizar este circuito, es conveniente aplicar una tcnica conocida como mtodo de

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reflexin de impedancias con objeto de evitar que haya un elemento (ZE = RE || CE) comn a la entrada y a la salida. De esta forma podremos aplicar la ley de mallas a la salida y a la entrada independientemente, como habamos hecho antes. As, el circuito de la figura 9 es equivalente al de la figura 10, con AI = ic/ib.

Figura 10. Circuito equivalente a baja frecuencia reflejando la impedancia ZE. Analizando el circuito de la figura 10 podemos obtener la ganancia y la impedancia de entrada vistas desde la base, es decir, desde el punto marcado con v1 : A V1 = vo h feR L = , v1 r + (1 + h fe )Z E con Z E = R E || C E = Z1 = v1 = R B || (r + Z E (1 + h fe )) i in RE 1 + sR E C E (31a)

(31b)

(32)

La ganancia total vendr dada por: A VS = v o vo v1 Z1 vo = = vS v1 vS Z + R + 1 v1 1 S sC 1 (33)

Desarrollando la ecuacin 33, se llega a la siguiente expresin de la ganancia Avs : s a 0 s 1 + z 2 = 1 + a 1s + a 2 s 2 a0 = a1 = R B R L h fe C1 r + R B + R E (1 + h fe )

A VS

(34a)

(34b) (34c)

C1 [(R B + R S )(r + R E (1 + h fe )) + R B R S ] + C E R E [r + R B ] r + R B + R E (1 + h fe )

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a2 = z2 =

C1C E R E [r (R B + R S ) + R B R S ] r + R B + R E (1 + h fe ) 1 R ECE

(34d)

(34e)

De la ecuacin 34 se deduce claramente que la ganancia presenta dos ceros a las frecuencias: z1 = 0 z2 = z2 = 1/RECE (35a) (35b)

Adems, tendremos dos polos al ser el denominador de segundo orden. Si llamamos p1 y p2 a las frecuencias correspondientes a estos polos y suponemos p1 << p2 (aproximacin del polo dominante), puede comprobarse que estas frecuencias vendrn dadas por: p1 = 1/a1 p2 = a1 /a2 en baja frecuencia del amplificador. (36a) (36b)

Puede comprobarse que cuanto mayores sean las capacidades C1 y CE, mejor ser la respuesta

Una manera alternativa de obtener la ganancia Avs para bajas frecuencias del circuito de la figura 11 se describe a continuacin. Puede comprobarse que la presencia de la resistencia de emisor RE resulta en una disminucin de la ganancia. Para s = 0, la impedancia ZE = RE || CE es mxima, tomando el valor R E. A medida que la frecuencia aumenta, la impedancia asociada al condensador (1/sC E) disminuye, de modo que tambin lo hace ZE y la ganancia aumenta. Este comportamiento corresponde a un cero, que se dar para la frecuencia en que RE = 1/sC E, coincidiendo este resultado con la ecuacin 35b. En cuanto a C1 , es evidente que para s = 0, su impedancia ser infinita y el cociente v1 /vs ser nulo y por tanto la ganancia tambin. A medida que s aumenta, disminuye la impedancia de C1 y la ganancia aumenta. Este comportamiento corresponde a un cero en el origen, tal y como se encontr anteriormente. Por otro lado, al haber dos condensadores independientes, podemos concluir que habr dos polos. As, podramos escribir directamente la ganancia en la forma de la ecuacin 34a, conociendo z2 . La determinacin de los coeficientes a1 y a2 puede hacerse utilizando un mtodo de anlisis de circuitos denominado mtodo de las constantes de tiempo. As, obtenemos:
0 0 a1 = RE C E + R1 C1

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0 a 2 = RE C E R1E C1 0 donde RE es la resistencia que ve CE a frecuencia 0 (con todas las capacidades en circuito 0 abierto), R1 es la resistencia que ve C1 a frecuencia 0, y R1E es la resistencia vista desde C1

cuando CE est en cortocircuito. Los valores que se obtienen son los mismos que los obtenido en las ecuaciones 34c y 34d, (siempre que se haga la misma aproximacin de despreciar el efecto de 1/go ). 4.1.2. RESPUESTA A ALTA FRECUENCIA. CAPACIDADES PARSITAS. La respuesta en alta frecuencia del amplificador bipolar est determinada por las capacidades parsitas de las uniones base-emisor (C ) y base-colector (C ). En la figura 11 se muestra el equivalente del circuito amplificador de la figura 7 para el rango de altas frecuencias, donde se han definido: R = RB || r y RL = RL || 1/go . Se considera que C1 y CE son cortocircuitos al ser la frecuencia suficientemente alta.

RS vS R

v
C

vo
RL

gmv

Figura 11. Circuito equivalente del amplificador para alta frecuencia.

Para facilitar el anlisis del circuito, y con el fin de separar la malla de entrada de la malla de salida, es conveniente aplicar un teorema de anlisis de circuitos denominado teorema de Miller a la capacidad C, por el cual el circuito es equivalente al que se muestra en la figura 12 con: K = vo / v La ganancia, sin tener en cuenta la resistencia de la fuente viene dada por: K= v o g m R' L +sR ' L C = v 1 + sR ' L C (37)

Se observa la presencia de un cero y un polo. La frecuencia del cero es gm/C y es siempre mucho mayor que la frecuencia del polo 1/(RLC), por lo que puede despreciarse el cero. De esta forma la ganancia queda:

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K=

vo g m R' L = v 1 + sR ' L C

(38)

C (1-K)

C (1-1/K)

Figura 12. Aplicacin del teorema de Miller al circuito de la figura 11.

Si estamos interesados en la expresin de la ganancia considerando la resistencia de la fuente, tenemos que considerar la presencia de los condensadores C y C(1-K) que estn en paralelo en la entrada. El problema es difcil puesto que, como hemos visto, K es un nmero complejo, por lo que realmente C(1-K) no es realmente un condensador. Habitualmente la frecuencia del polo del circuito de la entrada es mucho ms baja que la frecuencia del polo asociado al colector. Para estimar este valor podemos suponer que K es real y de valor -gmRL. Entonces la relacin entre vs y v viene dada por: v R' / (R' + R S ) = v S 1 + s(R' || R S )(C + C (1 + g m R' L )) de donde es evidente que el polo aparece en: = 1/[(R || RS)(C + C(1 + gmRL))] (40) (39)

La aproximacin consistente en suponer que el polo de la entrada aparece antes que el polo de la salida se llama aproximacin del polo dominante y debe ser comprobada. En caso de que se est midiendo el cociente vo /v es evidente que el nico polo que aparece es el de la salida. La capacidad total que aparece en la entrada, es decir C+C(1+gmRL) se llama capacidad de Miller y se suele designar como Ct .

5. DISEO DE UN AMPLIFICADOR CON BIPOLAR. Siempre el diseo de un amplificador deber llevarse a cabo teniendo en cuenta unas especificaciones. Estas especificaciones afectarn, en general, a: - La ganancia - Las impedancias de entrada y de salida

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- El ancho de banda - La estabilidad Es necesario escoger el punto de operacin y el circuito de polarizacin adecuados para satisfacer las especificaciones. Por supuesto, tambin ser necesario utilizar un dispositivo adecuado. En general, resulta cmodo expresar los parmetros fundamentales en trminos de los valores de los parmetros del punto de operacin o de parmetros del transistor fcilmente medibles o que se especifiquen en las hojas de datos de los fabricantes. Otro criterio de diseo habitual es polarizar el transistor en el centro de la recta de carga, de modo que se garantice la mxima excursin posible del punto de operacin y se pueda obtener la mxima ganancia sin distorsin de la salida. As, en general tomaremos: VCE = VCC/2 (41)

Como ya se discuti en el apartado de estabilidad, sta es mejor cuanto mayor es R E, pero aumentarla mucho supone la prdida de eficiencia en potencia. Un criterio habitual es escoger: RE RL/10 (42) Utilizando las ecuaciones 41 y 42 y suponiendo IC IE podemos reescribir la ecuacin de la malla de VCC del circuito de polarizacin (ecuacin 12) de la siguiente manera: VCC = 2.2 RLIC (43) Por otro lado, recordamos las expresiones de los parmetros del circuito equivalente: gm = IC/Vt go = IC/ VAF hfe = gmr puede escribirse como: AV = g m RL = 1+ go R L R LI C R I Vt 1 + L C VAF = VCC V Vt 2.2 + CC VAF (44) r = hfeVt / IC (21) (22) (26)

Teniendo en cuenta estas expresiones y la ecuacin 43, la ganancia del amplificador

La ecuacin 44 relaciona directamente la ganancia con la polarizacin. Este resultado es importante ya que implica que una vez fijada la tensin de polarizacin, tambin lo est la ganancia. (Puede aumentarse reduciendo RE o acercando VCE a la zona de saturacin, pero en cualquier caso, la ganancia est limitada).

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6. REALIZACIN PRCTICA. 6.1. ELECCIN DEL PUNTO DE OPERACIN Y DETERMINACIN DEL CIRCUITO DE POLARIZACIN. Se realizar el circuito amplificador de la figura 7. Se emplear el transistor bipolar 2N2222, cuya hoja de datos se puede consultar en la pgina Web de la asignatura o en internet. La eleccin del circuito de polarizacin y del punto de operacin se realizar con las siguientes especificaciones:

6.1.1. Eleccin de VCC y VCE. (Especificacin de la ganancia AV). Se seguir el criterio habitual: VCE = VCC/2 RE = RL / 10 Con esto, la ganancia viene dada por la ecuacin 44. Escoger VCC para que la ganancia sea: AV = -200 Para ello es necesario determinar el parmetro VAF. Se puede tomar el valor por defecto de PSPICE o medirlo en las caractersticas de salida del transistor que se registraron en la prctica anterior. En el primer caso, segn PSPICE: VAF = 74.03 V. Si se opta por la segunda posibilidad, a partir de las caractersticas de salida y teniendo en cuenta la ecuacin 4, se escogen dos puntos (V CE1, IC1 ) y (VCE2, IC2 ) con IB constante y la tensin Early ser: VAF = I C1 VCE 2 I C2 VCE 1 I C 2 I C1

De este modo, quedan determinadas VCC y VCE = VCC /2. 6.1.2. Eleccin de IC y RB . (Especificacin de la impedancia de entrada, estabilidad). Sabemos que la impedancia de entrada viene dada por: Zin = RB || r, r = hfeVt /IC. La impedancia de salida de los generadores de seal del laboratorio es RS = 600 . Para que la ganancia AVS sea prcticamente igual que AV, es necesario que Zin >> RS. Vamos a escoger: Zin 10 RS = 6 K . RB se escoger mayor que r, de modo que ser r quien determine principalmente el

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valor de Zin . Como el paralelo de r y RB ser menor que r, escogeremos: r > 6 K , (por ejemplo r = 7.5 K , aunque otro valor puede ser vlido). Como r depende de hfe, es necesario conocer este parmetro. Puede obtenerse a partir de las caractersticas de salida medidas en la prctica anterior como: h fe = I C I B

V =cte. CE

El problema es que hfe depende, en general, de VCE y de IC. VCE en el punto de operacin ya es conocido, pero IC no. Existen varias posibles formas de proceder para encontrar una solucin. Una posibilidad es partir de un valor inicial de hfe del orden de 170. Con este valor, se determinara IC haciendo r = 7.5 K . A continuacin, se debe medir hfe para la corriente IC encontrada, lo cual conducir a un nuevo valor de IC ms exacto. Este proceso iterativo puede repetirse hasta alcanzar un valor de IC estable. En nuestro caso, con objeto de simplificar el desarrollo de la prctica buscaremos un punto ms o menos centrado en las caractersticas de salida (recurdese que el valor de VCE ya est fijado) tal que IC y hfe verifiquen aproximadamente la condicin impuesta sobre r. Una vez determinada IC, a partir de las caractersticas de salida tenemos tambin determinada la IB correspondiente al punto de operacin. Tambin es conveniente medir la tensin VBE que corresponde al punto de operacin calculado. Para ello tendremos que usar la caracterstica de entrada medida en la prctica anterior. La eleccin de RB se har teniendo en cuenta el criterio de estabilidad (es decir, que RB sea lo menor posible) y la limitacin de la impedancia de entrada Zin 6K . Ahora ya se habr determinado completamente el punto de operacin IC, VCE, IB y VBE. Adems, se conocern los parmetros del modelo equivalente hfe, go y r y tambin la tensin de alimentacin VCC y la resistencia RB del equivalente Thevenin. 6.1.3. Eleccin de RL, RE, R1 y R2 . Estas resistencias vendrn determinadas por las ecuaciones de malla del circuito de polarizacin, (se supone IE IC ): VCC = VCE + IC (RL + RE); con RE = RL/10 VBB = IB RB + VBE + ICRE; donde VBB = R2 VCC/(R1 +R2 ) y RB = R1 R2 /(R1 +R2 ) 6.1.4. Eleccin de los condensadores de acoplo C1 y CE.
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Aunque en beneficio del ancho de banda C1 y CE deben ser lo ms grandes posibles, el objetivo de esta prctica ser observar su influencia en la respuesta a bajas frecuencias. Para ello, se escogern de forma que los polos y los ceros estn separados en el diagrama de Bode, aunque se mantendr un mnimo ancho de banda para el amplificador. Recordamos que el diagrama de Bode presenta dos polos y dos ceros situados a las siguientes frecuencias: Ceros: fz1=0 y fz2=1/2 RECE Polos: fp1 =1/2 a1 y fp2 =a1 /2 a2 Los coeficientes a1 y a2 se dan en las ecuaciones 34c y 34d. Tngase en cuenta en este diseo que se medir la ganancia AV, en vez de la ganancia AVS. Esto es equivalente a tomar RS = 0. Escoger fp1 120 Hz y f z210fp1 1.2 KHz. Estos valores fijan a f p 2 aproximadamente una dcada por encima de fz2. 6.2. CARACTERIZACIN DEL AMPLIFICADOR. 6.2.1. Comprobar que el punto de operacin obtenido al montar el circuito es el esperado y comprobar que la presencia de las capacidades de acoplo y el generador de alterna no lo modifican. 6.2.2. Medir experimentalmente el diagrama de Bode del amplificador. Con objeto de simplificar la prctica, puede ser suficiente con medir la ganancia Av en funcin de la frecuencia. Si se decide medir la ganancia Avs recurdese que para ello es necesario medir la tensin de la fuente VS en vaco, desconectndola del resto del circuito. Comprobar que la ganancia obtenida en el rango de frecuencias medias es la esperada. Discutir los resultados obtenidos. 6.2.3. Simular el circuito con el programa PSPICE y comparar la simulacin con los resultados experimentales.

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ANEXO: EJEMPLO DE RESULTADO OBTENIDO EN UN DISEO SIMILAR Se indican las frecuencias de los polos y el cero introducidos por los condensadores de acoplo. La cada de la ganancia que se inicia a altas frecuencias es debida a un polo adicional introducido por la capacidad de la instrumentacin de medida (el osciloscopio). Poniendo la sonda en modo 10 este polo se desplaza a una frecuencia mayor.

f1 =118.8 Hz

fz=1.2 kHz

f2 =35 kHz

40 30 20 10 0 10
1

Ganancia (dB)

10

10

10

10

Frecuencia (Hz)

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