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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar.

. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Modelos incrementales del transistor de unin bipolar Cuando un transistor bipolar se lo polariza en la regin activa, o sea JE polarizada directamente y JC polarizada inversamente, el transistor se encuentra en condiciones de amplificar seales alternas dbiles, linealmente. Cuando ingresa una seal alterna entre la base y el emisor (configuracin emisor comn), en la salida, los valores instantneos de corriente de colector y tensin colectoremisor, los encontraremos sobre la recta de carga denominada dinmica que si la carga conectada a travs del colector, (mediante una capacitor de desacople de cc) es muy grande, Coincide con la recta de carga esttica. Mas adelante trataremos este concepto. Si las variaciones incrementales v y i, alrededor del punto de polarizacion o de trabajo (Q) son de pequea magnitud, el funcionamiento del transistor es bastante lineal y por lo tanto, es posible encontrar un circuito elctrico que lo represente para las variaciones o componentes de la seal alterna. Existen varios modelos que representan al transistor bipolar en su funcionamiento con seales incrementales. En general, estos modelos, se modifican, a medida que aumenta la frecuencia de la seal alterna a amplificar. Veremos algunos modelos que representan al transistor bipolar, cuando trabaja con bajas frecuencias (< 1 MHZ). La linealidad de estos modelos se mantiene mientras las amplitudes no superen los 26 mv en transistores bipolares y 200 mv en transistores MOS. Modelo T :

En este modelo el valor de ic / ib representa la ganancia de corriente incremental para la con figuracin emisor comn. Otra denominacin es hfe El valor de re representa la resistencia dinmica de la juntura JE. Su valor esta dado aproximadamente por la expresin re [] = 25 [mv] / IE [ma]. El valor de IE corresponde al punto de polarizacin. En la practica el valor del numerador oscila entre 25 y 50 mv. En el modelo de la figura, si =100 e ib=10a, resulta ic=1ma

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Modelo

Este modelo deriva del modelo T. Se determina, partiendo de las siguientes relaciones: vb= re. ie en el modelo T ze=vb /ib representa la impedancia de entrada en el modelo ze=re.ie / ib como icie y ib= ic / reemplazando nos queda: ze= re. Por ejemplo si ieic=1ma y =100 entonces aplicando la formula re=25 lo cual hace a ze=rb= 25. 100 = 2500 . Modelo hbrido del transistor bipolar para bajas frecuencias Para su determinacin, tomamos en cuenta la teora de los cuadripolos i1 (+) v1 (-)
CUADRIPOLO ACTIVO

i2 (+) v2 (-)

En base a mediciones de tensin y corriente en los circuitos de entrada y salida, podemos obtener los parmetros equivalentes, que relacionan a estos valores elctricos como: v1 = h11.i1 + h12.v2 v2 = h21.i1 + h22.v2 Los parmetros h11, h12, h21, y h22 se denominan hbridos, por no tener las mismas dimensiones. Para el caso de los transistores en baja frecuencia, se utilizan estos parmetros por su conveniencia en su determinacin, mediante mediciones, o a travs de las graficas de las caractersticas VI . Veamos que representan estos parmetros: h11= v1/i1v2=0 resistencia de entrada con la salida en cortocircuito h12= v1/v2i1=0 relacin entre tensin de entrada y salida con el circuito de entrada abierto. Se denomina amplificacin inversa de tensin con el circuito de entrada abierto. ___________________________________________________________________ 2 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------h21 = i2/i1 v2=0 relacin de transferencia de corriente o ganancia de corriente con la salida en cortocircuito h22 = i2/v2 i1=0 conductancia de salida para el circuito de entrada abierto. En el caso del transistor, podemos establecer las siguientes funciones: vB = f1(iB,vC) (valores instantneos) iC = f2(iB,vC) ( ) Si hacemos un desarrollo de Taylor en torno al punto de trabajo Q, definido por las corrientes y tensiones continuas IB, IC, VB, VC y despreciando los trminos de orden superior tenemos: vB = f1/ iB . iB + f1/ vC . vC VC IB iC = f2/ iB . iB + f2/ vC . vC VC IB Prcticamente, los valores vB, iC, iB y vC, representan valores incrementales de las tensiones y corrientes de la base y el colector. Utilizando trminos convenientes, podemos expresar estas relaciones como: hie f1/ iB = vB / iB VC hre f1/ vC= vB / vC IB hfe f2/ iB = iC / iB VC hoe f2/ vC = iC / vC IB Reemplazando en las expresiones de Taylor tenemos : vb = hie.ib + hre.vc ic = hfe.ib + hoe.vc Las derivadas parciales con el subndice e nos definen los parmetros hbridos del transistor operando en la configuracin emisor comn. Veamos el circuito

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------De la misma forma, es posible obtener los parmetros hbridos para las configuraciones base comn y colector comn. Variaciones de los parmetros hbridos Como dijimos, una forma de obtener estos parmetros, es a travs de las curvas caractersticas VI de entrada y salida (si las disponemos). Los valores de estos parmetros, son funcin de la ubicacin del punto de funcionamiento.Por ejemplo, de las caractersticas de salida iC = f (vCE,iB) podramos obtener los valores de hfe y de hoe como: hfe = (iC2iC1) / (iB2iB1) vC=cte hoe = (iC2iC1) / (vCE1vCE2) iB=cte

iB (a) 100

vC1 vC2

iC (mA)

iB2=190(a) IB IC iB1= 90(a) iC1 VBE 1 vBE(v) 0 0,25 VC 8,5 10 vCE(v) iC2 IB=150(a)

De igual forma obtendramos los parmetros hie y hre de las caractersticas de salida. Como las curvas VI no estn igualmente espaciadas, los valores obtenidos de los parmetros son distintos segn donde se ubique el punto de polarizacin. En la aplicacin practica, se recurre a la informacin que suministran los fabricantes mediante grficos o valores tpicos. Los parmetros hbridos, para las distintas configuraciones estn relacionadas entre si por las siguientes formulas aproximadas: Para la configuracin colector comn: hic = hie hrc = 1 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------hfc = --(1+hfe) hoc = hoe Para la configuracin base comn: hib = hie / (1+hfe) hrb =[ (hie.hoe) / (1+hfe)] -- hre hfb = --hfe / (1+hfe) --1 hob = hoe /(1+hfe) Valores tpicos para un transistor de seal polarizado en IC =1,3 mA

parmetros h11=hi h12=hr h21=hf h22=ho 1/ho

emisor comn 1100 2,5x10(-4) 50 24a/v 40k

Colector comn 1100 1 --51 25a/v 40k

base comn 21,6 2,9x10(-4) --0,98 0,49a/v 2,04M

A los fines prcticos, a los fines de facilitar el anlisis o diseo de los circuitos, el valor de hr en la configuracin emisor comn y colector comn, no se lo tiene en cuenta. Adems si la resistencia de carga conectada al colector resulta del orden de los 2 a 3 k, el valor de ho tambin no se la tiene en cuenta. Modelos incrementales del transistor bipolar para altas frecuencias Los modelos incrementales anteriormente tratados, no tienen en cuenta los efectos de las seales elctricas de alta frecuencia. Estos modelos representan bien el funcionamiento del transistor bipolar, hasta frecuencias menores a 1MHZ. El lmite de frecuencias depende de las caractersticas constructivas. Existen varios modelos que representan el funcionamiento en alta frecuencias. Estudiaremos solamente el modelo hibrido y el modelo Y o admitancia. Modelo hibrido para la configuracin emisor comn Para determinar este modelo, debemos partir del modelo hibrido para bajas frecuencias donde no consideraremos el parmetro hre dado su bajo valor.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Adems el parmetro hie lo separaremos en dos componentes: uno que representa la resistencia ohmica de la extensin de la base rbb que representa la resistencia que Ofrece la base al paso de la corriente de base ib. El otro componente es rbe que representa la cada de tensin en la juntura emisor-base (JE); el valor de rbe es alineal. hie = rbb + rbe y hre . vce0

En este circuito, podemos hacer las siguientes transformaciones: ib = vbe / rbe, reemplazando este valor en la expresin de la fuente de corriente: hfe.ib = (hfe/rbe).vbe donde hacemos gm(hfe/rbe). Este ultimo valor se denomina transconductancia del transistor bipolar hfe.ib = gm.vbe Vemos en este caso que la fuente de corriente dependiente del circuito de salida, queda expresada en funcin de vbe. El circuito Transformado queda:

Nota: La resistencia de extensin de la base rbb es un valor que generalmente lo suministra el fabricante en transistores de potencia. Para los de pequea seal, se lo puede obtener, utilizando la teora analtica del transistor bipolar en donde se obtiene: gm 40.IC donde IC es la corriente de polarizacin del punto de trabajo ; luego tendremos: rbe[] =hfe / gm hfe / 40.IC = 25.hfe/IC donde IC se expresa enmA. Luego: rbb = hie rbe = hie 25. hfe/IC.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Los efectos de la alta frecuencia en los transistores, estn asociados con las capacidades de las junturas. A travs de la juntura de colector JC(polarizada en inversa), existe una pequea capacidad denominadas de transicin Cc. A travs de la juntura de emisor JE, tenemos una capacidad mucho mayor siendo la suma de una capacidad de transicin y una capacidad de almacenamiento, representada por Ce. Fsicamente estas capacidades actan juntas como si estuvieran conectadas directamente en la regin activa, en el interior del transistor. Incorporando estas capacidades al modelo incremental hibrido transformado, nos queda:

La resistencia rbc se agrega a los efectos de tener en cuenta la modulacin del ancho de la base; la podemos despreciar. A bajas frecuencias los capacitores Cc y Ce actan como circuitos abiertos y no afectan el funcionamiento del transistor. Para altas frecuencias, los capacitores presentan una impedancia relativamente baja y de este modo reducen la amplitud de la tensin de la seal desarrollada en vbe. Esta reduccin en vbe produce a su vez una reduccin de la corriente de la fuente controlada gm.vbe, en la salida y por ende una reduccin de la corriente de colector ic y con ello una disminucin de la ganancia del transistor en alta frecuencia. Anlisis del circuito

Vamos a analizar el comportamiento del circuito incremental del transistor en alta frecuencia. Para ello, aplicaremos en la entrada una seal con variacin senoidal y calcularemos el valor de la corriente de colector, cuando los terminales de colector y ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------emisor estn cortocircuitados para la corriente alterna. (Por ejemplo colocando un capacitor de valor suficiente entre colector y emisor). Por conveniencia, emplearemos trminos fasoriales (complejos), es decir desarrollaremos las formulas con magnitudes complejas. Designaremos a estas magnitudes complejas (tienen modulo y argumento), con los smbolos V e I para las tensiones y corrientes respectivamente. Vbe=[rbe / (1+jw(Ce+Cc).rbe)] . Ib Cuando se cortocircuita C y E , queda Ce//Cc Como Ce 100 Cc , despreciamos Cc y determinamos la corriente de cortocircuito del colector: Ic = gm . Vbe =[gm.rbe / (1+jwCe.rbe)] . Ib = [ hfe /(1+jw.Ce.rbe)] . Ib Vemos que si mantenemos constante la magnitud de la seal de entrada Iby aumentamos la frecuencia o pulsacin w =2.f, la variable compleja Ic tiende a cero a muy altas frecuencias. Por otra parte el valor 1 / Ce.rbe tiene dimensiones de una frecuencia o pulsacin que llamaremos Whfe1/Ce.rbe. Reemplazando en la ultima expresin: Ic =[ hfe /(1+jw.1/whfe)] . Ib De esta expresin si determinamos su modulo tendremos: ___________ Ic= [ hfe / 1+(w/whfe)2] . Ib Observamos entonces que si introducimos una seal con frecuencia igual a whfe, Icse reduce al valor de Ic/2 respecto a su valor de baja frecuencia. El valor de whfe se lo puede utilizar como una medida de la banda de frecuencia sobre la que el amplificador en cortocircuito, mantiene constante su ganancia de corriente. Al valor whfe se le llama frecuencia de corte superior. Determinemos ahora la frecuencia en donde se produce la situacin Ic=Ib ___________ [ hfe / 1+(w/whfe)2] = Ic/ Ib = 1 ___________ hfe = 1+(w/whfe)2 w /whfe dado que w /whfe >>1 Luego w= wT = hfe. Whfe. El valor de wT es la frecuencia de la seal de entrada donde se produce la ganancia unitaria. Este valor, resultado del producto de la ganancia de corriente en cortocircuito hfe por el valor de whfe (ancho de banda), nos da una cifra de merito del transistor. Circuito incremental del transistor bipolar utilizando los parmetros admitancia El modelo desarrollado anteriormente, es satisfactorio para la mayora de las aplicaciones hasta un valor de wT< 5 o 6 MHZ, dependiendo del tipo de transistor, pero tiene el inconveniente respecto a la representacin del defasaje entre las seales de entrada y salida. Esto se manifiesta a partir de la frecuencia whfe. En los circuitos donde se aplican los transistores que son realimentados, resulta importante definir estos defasajes. Para estos casos resulta mas conveniente aplicar el modelo incremental Y o admitancia.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------i1 (+) v1 (-)
CUADRIPOLO ACTIVO

i2 (+) v2 (-)

Este modelo surge de considerar al transistor como un cuadripolo activo y establecer las siguientes relaciones entre las corrientes y tensiones de entrada y salida del mismo: i1 = Y11.v1 + Y12 . v2 i2 = Y21.v1 + Y22 . v2 En este caso, los parmetros Y se definen como: Y11 = i1 / v1 Admitancia de entrada con salida en cortocircuito V2=0 Y12 = i1 / v2 Admitancia de transferencia inversa con la entrada en cortocircuito V1=0 Y21 = i2 / v1 Admitancia de transferencia directa con la salida en cortocircuito V2=0 Y22 = i2 / v2 Admitancia de salida con la entrada en cortocircuito V1=0 Estos parmetros admitancia los suministran los fabricantes mediante sus manuales de informacin tcnica, utilizando otro tipo de expresiones como las siguientes para la configuracin emisor comn: Y11 Yie = gie + jwCie re Y12 Yre = gre + jwCre = Yre fe Y21 Yfe = gfe + jwCfe = Yfe Y22 Yoe = goe + jwCoe El circuito equivalente que surge de estas ecuaciones, es el siguiente:

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Cabe aclarar que estos parmetros son funcin de la frecuencia y tambin de la ubicacin del punto de polarizacin Q. Daremos a continuacin como simple referencia los parmetros admitancia (Y), para la configuracin emisor comn, tpicos del transistor BF 198., polarizado en el punto Q con valores de IC = 4 ma y VCE = 10 volt. Parmetro Conductancia de entrada Capacitancia de entrada Admitancia de realimentacin Angulo de fase de la admitancia de realimentacin Admitancia de transferencia Angulo de fase de la admitancia de transferencia Conductancia de salida Capacitancia de salida Parmetros S o de dispersin Los parmetros admitancia son utilizados para representar el circuito equivalente del transistor bipolar hasta frecuencias no mayores a 200 MHZ. Para frecuencias mas altas, dado que resulta difcil conseguir un verdadero cortocircuito o un circuito abierto (para medir los parmetros Y), debido a las inductancias y a las capacidades parasitas que tiene un circuito abierto. Esto hace que se utilicen otros parmetros denominados S o de dispersin. Estos parmetros S relacionan las ondas electromagnticas incidentes y reflejadas del cuadripolo. La medicin de estos parmetros, exigen que el transistor este cargado con un valor de impedancia caracterstica. Circuito elctrico equivalente incremental para frecuencias medias para un amplificador bsico discreto Partimos del circuito del amplificador bsico en la configuracin emisor comn, con polarizacin por emisor, por medio de un divisor resistivo. f=35 gie 3,2 Cie 37 yre 47 re 268 yfe 105 fe 340 goe 50 Coe 1,3 f=45 4,8 35 60 268 100 340 60 1,3 MHZ ma/v pF ma/v ma/v a/v pF

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para obtener el correspondiente circuito equivalente incremental, debemos tener en cuenta lo siguiente: 1)- Las fuente de tensin independientes ideales , representan un cortocircuito frente a las seales incrementales. 2)- Las fuentes de corriente independientes ideales, representan un circuito abierto, frente a las seales incrementales. 3)-Si los capacitores de desacoplo de la CC. estn bien diseados, representan un cortocircuito para las seales incrementales, dentro de las frecuencias de trabajo normal del amplificador. Teniendo en cuenta estas consideraciones, podemos deducir lo siguiente: El generador de seal vs esta conectado directamente a la base del transistor. La carga RL esta conectada directamente al colector del transistor. Las resistencias RA y RB estan en paralelo y conectadas a la base del transistor. La resistencia de colector RC queda conectada entre el Terminal comn y el colector, en paralelo con la carga RL. Finalmente la resistencia de polarizacin RE es cortocircuitada por el capacitor CE y por lo tanto no aparece en el circuito. Finalmente, el transistor bipolar es reemplazado por su circuito incremental, que en este caso, utilizaremos el modelo incremental hibrido para bajas frecuencias. El circuito equivalente incremental del amplificador bsico, queda entonces de la siguiente forma:

Presentado el circuito incremental de esta forma, nos permite calcular los parmetros elctricos mas importantes que definen a un amplificador electrnico. Por ejemplo podemos calcular: a)- La impedancia de salida del amplificador, vista por la carga zo b)- La impedancia de entrada al amplificador, vista por la fuente de seal ze c)- La ganancia de corriente del amplificador definida como Ai iL /ie d)- La ganancia de tensin del amplificador definida como Av vL /ve Con estos valores calculados, podemos tener una representacin mas simple del amplificador y poder determinar las variables elctricas para distintas tipo de fuentes de seal y distintas cargas. En la figura siguiente vemos la simplificacin

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Anlisis Gral. de un circuito amplificador bsico con transistor bipolar Un amplificador bsico, en cualquier configuracin, puede quedar simplificado de la siguiente manera:

Calcularemos a continuacin los parmetros elctricos mas importantes que definen al amplificador. Para ello aplicaremos para las tensiones y corrientes notacin fasorial dado que varan senoidalmente. Amplificacin de corriente AI IL / I1 = --I2 / I1 ; IL es positiva porque es entrante a la carga; I2 es saliente Hf.I1 = I2 + V2.ho y V2= I2.ZL reemplazando V2 , despejando I2 y reemplazndolo en la expresin de AI resulta: AI = -- hf / (1+ho.ZL) Impedancia de entrada ZI = V1 / I1 V1 = hi.I1 + hr.V2 Hf.I1 = --V2 / ZL V2.ho ; despejando V2 y reemplazando en V1 y esta ultima en Z1 tendremos: Z1 = hi hr.hf / (1/ZL+ho) Amplificacin de tensin AV V2 / V1 V1 = I1. ZI y V2 = --I2.Zl ; --I2 = AI.I1 reemplazando esta ultima expresin en V2 y luego VI y V2 en AV, tendremos: AV = AI.ZL / ZI Amplificacin de tensin teniendo en cuenta la resistencia de la fuente de seal AVs V2 / VS ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------V2 = AV. V1 V1 = VS.ZI / (ZS+ZI) ; reemplazando este valor en V2 y este ltimo en AVs, tendremos: AVs AV.VS.ZI / VS.(ZS+ZI) Amplificacin de corriente teniendo en cuenta la resistencia de la fuente de alterna En este caso, debemos previamente convertir la fuente de tensin de alterna de la entrada, a una fuente de corriente, aplicando el teorema de Norton, resultando:

AIs IL / IS IL = AI.I1 ; por otra parte anterior: AIs = AI.RS / (ZI+RS) Admitancia de salida Para encontrar este valor, debemos cortocircuitar las fuentes activas de tensin y abrir las fuentes de corrientes activas; las fuentes de tensin y corrientes dependientes, quedan en el circuito. Para nuestro caso, hacemos VS = 0 y aplicamos una tensin de prueba en la salida VP = V2 y medimos la corriente. IL = V2.ho + hf.I1. El valor de I1 lo determinamos en el circuito de entrada, teniendo en cuenta que ahora es saliente, o sea tiene valor negativo. I1 = --hr.V2 /(RS+hi) reemplazando en la expresin de IL tenemos: IL = V2.ho --hr.V2 /(RS+hi) = V2.(ho hr / (RS+hi) finalmente : Yo = 1 / Zo = ho hr / (RS+hi). Clculos aproximados para una etapa amplificadora de tensin con transistor bipolar La resolucin, aplicando las formulas desarrolladas con el modelo hibrido, si bien son mas exactas, no asegura que los valores numricos obtenidos, reflejen las mediciones practicas realizadas sobre el circuito electrnico. Uno de esos factores que incide sobre lo dicho, es la variabilidad del valor de hfe, cuyo valor puede oscilar en una relacin promedio 3:1. Por tal motivo y tambin con la finalidad de encontrar expresiones matemticas mas sencillas (con menos parmetros intervinientes) , que permitan una ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli I1 = IS.RS / (ZI+RS) reemplazando en la expresin

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------interpretacin mas conceptual, resulta conveniente aplicar los modelos Te o . Estos modelos nos darn expresiones, de los parmetros elctricos del amplificador, ms sencillos y fciles de interpretar. Por ello resolveremos un problema que nos aclarara muchos conceptos. Problema. Para el circuito de la figura, utilizando el modelo incremental del transistor bipolar, determinar los siguientes puntos: a)- La impedancia de entrada ze entre base y emisor para la seal incremental b)- La impedancia de entrada ve que v la fuente de seal incremental vo c)- La impedancia de salida que ve la resistencia de carga zo d)- La ganancia de tensin definida como Av vo / ve e)- La ganancia de tensin teniendo en cuenta la resistencia de la fuente de seal RS, definida como Avs vo / vs

ze

ze

zo

Datos: RA=10K ; RB=2.2 K ; RE=1 K ; RC= 3,6 K ; RL=10 K ; RS= 100 hFE=100 ; VBE =0,7 volt ; re= 25mv/IE(ma) hfe= =100 Simplificaremos, haciendo ICIE 1) Determinaremos la corriente de emisor IE; para simplificar despreciaremos la corriente de polarizacin de base IB y calcularemos la tensin de base VB VB = VCC.RB / (RA+RB) = 10 . 2,2 / (10+2,2) = 1,8 volt VE= VB VBE = 1,8 0,7 = 1,1 volt ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------IE = VE / RE = 1,1 / 1 = 1,1 ma NOTA: El clculo mas exacto se obtendra aplicando el teorema de simplificacin de Thevenin entre la base y el Terminal comn, para el circuito de polarizacin de base y luego establecer la ecuacin de malla del circuito de entrada y posteriormente despejar IE. Como IB IE/hFE = 1,1/100 =11a y la corriente que circula por el divisor resistivo vale IA = VCC / (RA+RB) = 10 / (10+2,2) = 0,82 ma = 820 a, vemos que la aproximacin tiene acierto. 2) Calculo del valor de re y del valor rb Estos valores son necesarios para representar el modelo . Para ello usamos la formula aproximada, desarrollada por el inventor del transistor Shockley, obtenida de la ecuacin IE=Is(e (v.q/kT) 1) por derivacin de IE respecto a la tensin. re() = 25 mv / IE(ma) valida para temperatura ambiente Ta = 25C. Para otras temperaturas, se puede utilizar la siguiente formula aproximada: re()= 25mv/ IE(ma) x (T+273)/298 siendo T la temperatura en grados Celsius. re= 25 / 1,1 = 22,7 rb = hfe . re = 100 . 22,7 = 2,27 k El circuito incremental del amplificador nos queda, suponiendo que los capacitores son cortocircuitos frente a la frecuencia de la seal de entrada:

ze

ze

zo

Con este circuito, estamos en condiciones de calcular los valores solicitados. a) ze = rb = hfe.re= 100. 22,7 = 2,27 k b) ze = rb//RA//RB = rb.RA.RB / (RA.RB+rb.Ra+rb.RB) =1k c) zo = RC = 3,6 k (obtenida para vs =0 resultando ic=hfe.ib = 0) ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------d)- Calculo de Av vo / ve Partimos de ib = ve / rb ic = hfe . ib = hfe . ve / rb Hacemos rc RC//RL = rc.RL / (RC+RL) = 3,6 .10 / (3,6+10) = 2,65 K vo = -- rc.ic = -- rc . hfe . ve /rb Luego pasando ve al primer miembro tenemos: Av = vo / ve = -- rc. hfe / rb = -- rc . hfe / hfe . re Av = -- rc / re = -- 2,65 / 22,7 = --117 El signo negativo significa para una seal alterna senoidal en la entrada, que la salida estar desfasada 180 y su amplitud ser 117 veces el valor de la amplitud de ve. e)- calculo de Avs vo / vs Para ello debemos analizar el circuito simplificado:

Vemos que ve = vs . ze / (RS+ze) despejando vs : vs =ve .(RS+ze) / ze luego reemplazando en la expresin de la ganancia: Avs = (vo/ve) .ze / (RS+ze) = Av . ze / (RS+ze) = -- 117 . 1 . /(0,1 +1).22,7 Avs = --106 Como vemos la ganancia disminuye en el factor ze/ (RS+ze). Por ejemplo si RS = ze Entonces ze/ (RS+ze) = 0,5 y por lo tanto Avs = Av.0,5 = 58,5 . De all la importancia que RS << ze para que la amplificacin no disminuya. Estabilidad de la ganancia de tensin en la configuracin emisor comn En el problema desarrollado, pudimos analizar que la ganancia total del amplificador, incluyendo la resistencia de fuente, Avs es dependiente de dos de los parmetros del transistor.: del valor de hfe a travs de la impedancia de entrada ze=rb=hfe. re y del valor de re que interviene en ze y en la expresin de la ganancia Av=rc / re Vemos entonces que como hfe depende de la temperatura y mayormente del tipo de transistor, y re tambin depende de la temperatura y de la corriente de emisor, concluimos que la ganancia de tensin del amplificador estudiado es inestable dada su dependencia de la temperatura, tipo de transistor y ubicacin del punto de polarizacin. ___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Una manera de solucionar este problema, es introducir el concepto de realimentacin negativa para el circuito de la seal incremental, de la misma forma que lo hicimos para la corriente de polarizacin. En este caso agregamos una porcin de la resistencia de emisor RE de tal forma que se genere una cada de tensin en oposicin a la seal de excitacin de entrada, como se muestra en el circuito:

En este caso la resistencia de polarizacin por emisor esta dad por RE=RE+rer = 1k Para comprender esta realimentacin negativa que estabiliza la ganancia, tomemos por ejemplo el caso de reemplazar en el circuito el transistor por otro que tiene un hfe mayor. En principio, para la misma seal de excitacin de entrada ve la corriente de seal del colector ic, aumentara. Provocando un aumento de la tensin de salida vo, y con ello un aumento de la ganancia de tensin Avs o Av. Este aumento de ic, tambin provoca un aumento de ie dado que ie= ib+icic. Esto hace que aumente ver(tensin de realimentacin), provocando una disminucin de vbe=vevre. Al disminuir vbe disminuir ib y con ello se compensara, en gran medida, el aumento de ic, por variacin de hfe. De la misma forma se puede analizar la variacin de los otros parmetros que tienden a inestabilizar, la ganancia de tensin. Calculemos a continuacin la ganancia de tensin Avr o Avsr con realimentacin negativa. Analicemos primero el circuito de seal con el agregado de Rer.

La resistencia re esta conectada en serie con Rer, en el emisor, por lo que esta resistencia, transferida al circuito de la base, se transforma en rbr=hfe. Rer , de igual ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------forma que rb=hfe.re . Ambas resistencias, quedan conectadas en serie en el circuito de seal de la base. El nuevo clculo de Av nos lleva a: Av= -- rc / (Rer+re) = --2,65 / (180+22,7)=13,1. En la nueva expresin de Av, vemos que una variacin de re prcticamente no modifica al valor de la ganancia, dado que Rer >> re. El mismo anlisis se puede hacer para Avs, teniendo en cuenta ahora que la impedancia de entrada ze se incremento en el valor ze= rb+rbr = 2,27 + 18 = 20,7 k, valor mucho mayor que RS. Esta mejora lograda con la realimentacin, se hace a costa de una disminucin efectiva de la ganancia de tensin. La compensacin de esta disminucin se hace colocando ms etapas amplificadoras. La realimentacin negativa, tambin disminuye la distorsin. Recta de carga esttica y dinmica Para comprender este concepto, analicemos un amplificador bsico con BJT.

Cuando introducimos una tensin alterna en su entrada ve, la corriente de base se modificara por arriba y por debajo de su valor de polarizacin fija IB. De la misma manera, se modificara la corriente de colector como lo muestra la grafica, en las caractersticas de salida.

PDmax=iC x cVE iB (a) 100 iC (ma) VCC RC --1/RC//RL Q

iB2 IB iB1 iC2

iB2 IB IC iB1 iC1 VBE 1 vBE(v) 0 vCE2 VCE vCE1


VCC

--1/RC

vCE(v)

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------El punto de polarizacin en la salida, lo encontramos trazando la recta de carga esttica que intersecta al eje de absisas en el valor de VCC y al eje de ordenadas en el valor VCC/RC. Esta recta, tiene una pendiente de valor 1/RC. Cuando no tenemos seal de entrada, en la base tendremos la corriente IB y la tensin VBE. En la salida tendremos, en el eje de ordenadas, la corriente de colector IC que se determina por la interseccin de la curva VI del transistor, para una determinada IB, con la recta de carga esttica. La VCE la obtenemos de la misma interseccin, punto Q, en el eje de absisas. Cuando tenemos seal de entrada ve, la corriente de base aumentara al valor iB2 y disminuir al valor iB1. Esta variacin tambin provocara una variacin en la corriente de colector instantnea iC y en la tensin instantnea de colector vCE. Sus valores, lo encontraremos en la denominada recta de carga dinmica. Para el caso de que RL = oo, esta recta, coincide con la recta de carga esttica, con una pendiente igual a --1/RC. En cambio si RL es un valor finito y , si el capacitor de desacoplo C2 acta como un cortocircuito, entonces nos queda RC//RL. De esta forma la nueva recta de carga tendr un pendiente dada por --1/RC//RL como lo muestra el dibujo anterior (recta azul). Es sobre esta recta, donde se determinaran los valores instantneos de iC y vCE, en concordancia a los valores instantneos de iB ( en la interseccin de las distintas curvas VI en funcin con parmetro iB, con la recta de carga dinmica). Para el caso presentado en la grafica, se observa que el punto de polarizacin se ubico en forma equidistante en la recta de carga esttica; Vemos que este punto Q, en la recta de carga dinmica, no lo esta. Para los amplificadores de seal, como los valores instantneos, estn prximos a Q, la modificacin de la pendiente de la recta, no traera mayores inconvenientes; en cambio para los amplificadores de potencia , y a los efectos de mejorar su eficiencia (concepto que analizaremos mas adelante), los valores instantneos llegan prcticamente, a los limites de corte y saturacin. Al no ser equidistante Q con la recta de carga dinmica, podra ocasionar dos efectos no deseados: 1) Se producira una distorsin de la seal amplificada, en este caso sobre el semiciclo positivo de la componente alterna vo dado que se superaran los limites del corte del transistor. 2) Se podra producir una sobrecarga en el transistor, si la recta de carga dinmica, corta a la hiprbola de mxima disipacin de potencia del transistor (curva con guin rojo). Esta ltima situacin se producira en la zona de saturacin, correspondiente al semiciclo negativo de la componente vo. La solucin de estos inconvenientes, es ubicar la recta de carga por debajo de la hiprbola de mxima disipacin del transistor y Q equidistante con la recta de carga dinmica y no con la esttica iC Recta de carga dinmica Q Hiprbola de mxima disip. IC Recta de carga esttica

0 VCE vCE

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Anlisis de un amplificador de dos etapas En ocasiones una simple etapa amplificadora de tensin no es suficiente para lograr la amplitud, de la seal de salida esperada. En esos casos se recurre a incorporar ms etapas amplificadoras, conectadas como se denomina en cascada

Fuente de seal vs

(+) ve1 (--)

1 etapa Av1= ve2/ve1

(+) ve2 (--)

2 etapa Av2= vo/ve2

(+) vo (--)

RL

Determinaremos a continuacin las ganancias parciales de las distintas etapas, definidas como Av1ve2/ve1 , Av2vo/ve2 y las totales definidas como Avvo/ve1 y Avsvo/vs, utilizando dos etapas amplificadoras de tensin similares a las ya calculadas:

Comenzaremos el clculo comenzando desde la carga RL hasta llegar a la fuente de seal vs. 1) Determinacin de Av2vo/ve2 rc2= RL// Rc2 = 10 . 3,6/(10+3,6) = 2,65 K vo = --rc2 . ic2 = --rc2 . hfe2 . ib2 = --rc2 . hfe2 . ve2/rb2 como rb=re2 .hfe2 Reemplazando y despejando la relacin vo/ve2 tenemos: Av2vo/ve2 = -- rc2/re2 = --2.650/22,7 = --117 2) Determinacin de Av1ve2/ve1 En este caso la resistencia de carga de la 1 etapa resulta la impedancia de entrada de la 2 etapa o sea RL(1E) = ze2. ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------ze2= RA1//RA2//rb2 = 1k (valor calculado en pag.15) rc1 = RC1// ze2 = 3,6 . 1 / (3,6+1) =0,783 k Av1ve2/ve1 = --rc1 / re1 = --783 /22,7 = --34,5 3) Determinacin de la ganancia total Av vo/ve1 vo = ve2 . Av2 y ve2 = ve1 . Av1 vo = ve1 . Av1 . Av2 remplazando en la expresin de la ganancia total y simplificando: Av Av1. Av2 = (--34,5) . (--117) = 4.036,5 Como concepto importante, podemos decir que cuando se acoplan varias etapas amplificadoras de tensin, en cascada, la amplificacin total del conjunto, es igual al producto de las ganancias parciales, calculadas con la resistencia de carga que representa la impedancia de entrada, de la etapa que le precede. Otro concepto interesante es que los defasajes que van sufriendo las seales en su paso por las etapas amplificadoras, se van sumado. Para el caso que estamos tratando de dos etapas amplificadoras, vemos que el defasaje total es de 360 o sea las seales ve1y vo estn en fase. Como aclaracin final al tema defasaje, en la practica puede no ser conveniente defasaje nulo dado que la seal de salida cuya amplitud esta muy amplificada, puede realimentarse en fase, nuevamente en la entrada, provocando la inestabilidad del amplificador. Esta realimentacin podra producirse a travs de la fuente de alimentacin VCC si el comportamiento de esta ltima no es ideal (presenta resistencia interna). 4) Determinacin de la ganancia total teniendo en cuenta RS Avsvo / vs Procedemos en forma similar al clculo que hicimos en pgina 16 resultando: Avs vo/vs = Av . ze1 / (RS+ze1) donde ze1= RA1//RB1//rb1 = 1k Avs = 4.036,5 . 1 / (0,5+1)= 2691 Por ejemplo si vs = 1mv resulta vo = 1mv . 2691 = 2,691 voltios

En la prctica generalmente no se logra esta amplificacin con dos etapas, dado que hay que atender la inestabilidad de los parmetros del transistor (ya analizada) lo cual hace que las etapas parciales tengan realimentacin negativa, y tambin realimentacin negativa el amplificador total; esto hace que la amplificacin parcial y total disminuya. Por ejemplo, si conectamos tres etapas amplificadoras con realimentacin negativa por emisor, como la de la pgina 17 donde Av = --13,1, la amplificacin total de las tres etapas valdra aproximadamente: Av = Av1. Av2 . Av3 (--13,1) . (--13,1) . (--13,1) = -- 2248

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Etapa amplificadora bsica con transistor bipolar en configuracin colector comn La ganancia de tensin de la etapa amplificadora en emisor comn que hemos analizado, puede ser afectada en su valor (o sea disminuida) por dos factores del circuito: a) Si la impedancia de carga ZL o RL resulta baja, en relacin a la resistencia dinmica del emisor re , la ganancia de tensin disminuye, dado que : Avvo/ve = -- rc / re y rc = RC//RL

Vemos que si RL es menor, tambin lo ser rc y de la misma forma lo ser Av. Esto seria el caso de una carga como el caso de un altavoz, donde un valor caracterstico de su impedancia es 8. b) Si la impedancia en serie de la fuente de seal es relativamente alta o equivalente a la impedancia de entrada ze de amplificador, entonces tambin la ganancia de tensin , incluida la resistencia RS , resulta baja, dado que : Avs vo/vs = Av . ze / (RS+ze). Vemos en la formula que cuando RS = ze, el factor de multiplicacin de Av , es 0,5 y la ganancia Avs se reduce a la mitad . Para Rs>> ze se reduce aun mas esta ganancia. Otro efecto perjudicial, es que hay fuentes de seal que no pueden suministrar corriente. Para solucionar los inconvenientes mencionados, debemos por un lado, adaptar la baja impedancia de la carga RL a la salida del amplificador de manera tal que no disminuya el valor de rc = RC//RL. Por otra parte, debemos adaptar la baja impedancia de entrada del amplificador ze, de tal forma que la fuente de seal vea como carga un valor de ze>>RS. Resumiendo, entre el amplificador y la carga se debe colocar otro circuito que adapte a RL; En la entrada, si RS>>ze, debemos tambin colocar otro circuito que adapte a ze para se invierta la relacin de impedancias y sea ze>>RS. El circuito que cumple con ambos cometidos, es utilizar al transistor, en la configuracin colector comn. En el dibujo observamos el circuito:

ze

ze

zo

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------En este circuito vemos que el colector no tiene la resistencia RC, esta conectado a VCC. El emisor esta conectado a masa a travs de la resistencia RE sin capacitor de desacople. La carga RL, no esta conectada al colector, sino al emisor a travs del capacitor C2. Al no tener el capacitor RE, este circuito tiene una fuerte realimentacin negativa con la misma explicacin que hicimos en pgina 16 y 17. De esta forma la tensin incremental de base vb = ve = vbe+vo, es decir que prcticamente la tensin de salida vo, es casi igual a la entrada, disminuida en el valor de vbe. Otra caracterstica es que vb=ve, esta en fase con vo. Por los motivos expuestos, este circuito recibe el nombre de seguidor por emisor porque prcticamente la tensin desarrollada entre el emisor y masa es prcticamente igual a la tensin de entrada en fase y amplitud. Calcularemos a continuacin, la impedancia de entrada, la ganancia de tensin y la impedancia de salida de esta configuracin. Para encontrar el circuito equivalente incremental, debemos reemplazar el transistor por su circuito equivalente Te o y considerar que la fuente de tensin VCC representa un cortocircuito:

ze

ze

Como vemos el Terminal de colector es comn al circuito de salida y al de entrada; de all la denominacin colector comn. Como prcticamente icie e ic=hfe . ib, transformamos entonces la resistencia RE en re= RE.hfe por la que circula parte de la corriente de base ib, produciendo la misma cada de tensin que se produce en RE al circular parte de la corriente de emisor. De la misma forma procedemos con RL. a) Clculo de la impedancia de entrada ze = vb/ib Observando el circuito resulta: ze= rb + re//rL = 25 + 430.1000/(430+1000) =2,5k+300k 300khfe .(RE//RL) El valor de rb= hfe.re lo obtuvimos calculando la corriente de emisor de polarizacin IE= (VBVBE) / RE siendo VB VCC.RB / RA+RB. Reemplazando los valores nos da IE 1mA; luego, aplicando la formula re= 25 mv/IE(mA) = 25 b) Calculo de ze La impedancia que ve la fuente de seal, resulta del paralelo de ze, RA y RB Ze = ze//RA//RB = 4,92 k

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------c) Calculo de la ganancia de tensin de la etapa Av vo/ve Analizando el circuito incremental, calculamos vo como: vo = ve . (re//rL) / (rb+(re//rL)) Haciendo la relacin de tensiones tenemos: Av vo/ve =(430.1000/(430+1000) / ( 2,5 + (430.100/430+1000)) = 0,99 d) calculo de la ganancia de tensin teniendo en cuenta la resistencia de la fuente Avs vs/vo Aplicamos el factor de reduccin calculado en la configuracin emisor comn Avs = Av . ze / (RS+ze) = 0,99 . 4,92 / (0,5+4,92) 0,9 e) Calculo de la impedancia de salida vista por la carga Esta es la que ve la carga en el caso de que se represente el amplificador en su salida como un circuito equivalente de Thevenin. Para determinarla utilizaremos el mtodo de la tensin de prueba vp aplicable entre emisor y colector. Aplicaremos vp y calcularemos ip para las condiciones VCC=0 y vs=0 . La impedancia de salida, la determinaremos como zo= vp / ip. El circuito para realizar el clculo, es el siguiente:

RBRA//RB//RS = 0,455 k ip= iE + ie = iE + ib +ic = iE + ib.(1+hfe) dado que ic=hfe.ib iE = vp / RE ib= vp / ( rb + RB) reemplazando iE e ib en la expresin de ip tendremos: ip = vp.( 1/RE + (1+fhe) / (rb+RB) como rb=hfe.re y (1+hfe) hfe tendremos: ip = vp.( 1/RE + 1 / (re+RB/hfe) finalmente reemplazando en la expresin de zo: zovp / ip = 1/[ 1/RE + 1/ ( re+RB/hfe)] = [ RE . (re+RB/hfe)] / [RE+(re+RB/hfe)] Esta expresin nos dice que zo resulta del paralelo de RE con el resultado de la suma de re con el equivalente de toda la resistencia conectada a la base, transferida al emisor. ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------zo= RE // (re+RB/hfe). Reemplazando valores y para hfe=100 y re=22,7 zo = 4300// (22,7+4,55) = 22,55 re Como puede verse la impedancia de salida es muy baja lo cual hace que la fuente de seal equivalente a la salida de circuito en colector comn se comporte como una fuente prxima a ideal o fuente fija. Aplicaciones de la configuracin colector comn o Circuito seguidor de emisor Como hemos analizado, esta configuracin no tiene ganancia de tensin pero tiene ganancia de corriente y potencia; adems presenta una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo cual lo hace ideal como circuito adaptador de impedancias. Veremos a continuacin, dos aplicaciones que resaltan estas cualidades. Combinacin de una etapa en emisor comn con otra en colector comn Esta combinacin es utilizada generalmente en las etapas finales de un amplificador de potencia, tanto en tecnologa discreta, integrada o hibrida. Se aplica, cuando la carga final de una etapa amplificadora en EC resulta de un valor bajo que provocara una sobrecarga para este ultimo.(lo hemos analizado en pagina 18 y 19). Para estos casos resulta conveniente utilizar una combinacin de dos etapas: Una adaptadora de impedancia (CC) y la otra (CE), como amplificadora de tensin. Veamos un circuito tpico:

En el circuito, el transistor Q2 acta como seguidor por emisor adaptando la carga RL para la etapa amplificadora emisor comn que cumple Q1. En este caso no se necesita capacitor de acoplamiento entre etapas, dado que la tensin de polarizacin de base de Q2 es un valor alto dado por VB2= VBE2 +VE2, lo cual permite conectarse directamente al colector de Q1. Adems tampoco se necesita estabilizacin para Q1 dado que la provee el circuito de polarizacin de Q1. Si suponemos que HFE = 100 para Q2, la resistencia en continua que ve Q1 conectada entre colector y masa, es la resistencia en continua de la etapa CC y vale Re2 HFE. RL = 100 . 270 = 27 k, valor ___________________________________________________________________ 25 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------alto en comparacin con RC1=3,6 k lo que hace que prcticamente no se altere el punto de polarizacin de Q1. Vemos tambin que la recta de carga dinmica de Q1 prcticamente coincide con su recta de carga esttica, dado que la carga en ca que presenta la etapa en CC vale ze2= hfe . (re+ RL) = 100 . (15,5 + 270) = 28,55 k rc = RC1// ze2 = 3,6 . 28,55 / (3,6+28,55) = 3,2 k Pendiente recta carga esttica=--1/RC=--1/3,6 Pendiente recta de carga dinmica = --1/rc =--1/3,2 Problema Para el circuito de la figura anterior se solicita determinar: a) La ganancia incremental de tensin de la etapa en CC. b) L a ganancia incremental de tensin de la etapa en EC. c) La ganancia incremental total de tensin del circuito. d) La ganancia incremental de tensin, teniendo en cuenta la resistencia RS. Problema Determinar la ganancia de tensin de la etapa en emisor comn, si se elimina la etapa en CC y se conecta la carga RL = 270 al colector de Q1 a travs de un capacitor de acoplamiento. Regulacin de tensin con diodo Zener y una etapa en colector comn En el capitulo 1, en el tem correspondiente a diodos especiales, analizamos el regulador de tensin con diodo zener (Pg. 1 a 4). Los diodos zener de uso normal, manejan corrientes del orden de las decenas de miliamperes. De la misma forma, la regulacin de tensin que permite el diodo Zener estar en variaciones de la corriente de la carga del orden de las decenas de miliamperes.

En la figura A vemos el circuito prctico regulador de tensin con diodo Zener, ya estudiado. La figura B , representa el circuito que ve la carga RL, ante variaciones de su valor (variaciones de IL). Cuando la variacin de la carga es del orden de las centenas de miliamperes o amperes, se necesita un diodo zener que pueda manejar tales corrientes. En la prctica se consiguen diodos zener de baja seal. Para mejorar la perfomance de estos diodos Zener ___________________________________________________________________ 26 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------de baja seal, resulta conveniente incorporar una etapa amplificadora en colector comn entre el diodo Zener y la carga. La figura muestra el circuito regulador de tensin mejorado:

En A se muestra el circuito regulador mejorado. En B vemos el circuito equivalente que ve la carga. En este caso, la nueva tensin sobre la carga vale VL = VZVBE . Por otra parte el diodo zener tiene que soportar la variaciones de la corriente de base del transistor y no las variaciones de la corriente de la carga, que en este caso corresponde a la corriente de emisor del transistor IE = IL. Como prcticamente la corriente de emisor e igual a la corriente de la base, multiplicada por la ganancia HFE=, IE. IB, entonces sobre la carga se puede permitir variaciones veces las variaciones de la corriente que soporta el diodo Zener. Por otra parte como la impedancia de salida del circuito CC es baja y dad por zo = re+RZ/hfe hemos tambin mejorado la regulacin de tensin. Como diferencia entre el circuito original y esta modificacin, es que en este ultimo, la tensin de salida se reduce en el valor VBE. Si se deseara mantener el valor de tensin prximo al del primer circuito, se deber utilizar un diodo zener de mayor tensin de ruptura. Problema Para el circuito de la figura se solicita determinar: a) las corrientes IL, IE, IC, IB, IS, Iz, Ie b) La tensin en la carga. c) La resistencia dinmica equivalente que ve la carga.

Datos: HFE== 100 VBE = 0,75 volt ___________________________________________________________________ 27 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Conexiones de transistores bipolares en forma compuesta 1) Conexin Darlington La conexin Darlington es utilizada mucho en la configuracin CC, y bsicamente consiste en dos seguidores de emisor, conectados en cascada, segn muestra la figura:

Los transistores estn conectados por el colector y entre el emisor de Q1 y base de Q2 Analizaremos el circuito partiendo de la expresin: IC = .IB + ICE0 Si despreciamos ICE00 IC = . IB IC1 = 1. IB1 IE1 = IB1+IC1 = IB1.(1+ 1) = IB2 IC2 = 2 . IB2 = 2.IE1= 2 . IB1 . (1+ 1) 1. 2 . IB1 IC = IC1+IC2 = 1 . IB1 + 1 2.IB1= (1+ 1. 2.) .IB1 1. 2.IB1 Como vemos si hacemos las aproximaciones, la conexin Q1 con Q2 es equivalente a otro transistor, en este caso npn, con una ganancia de corriente en cortocircuito igual al producto de sus ganancias parciales. = 1. 2 Como diferencia a un transistor normal es la cada de tensin total que vale VBE= VBE1+VBE2 1,4 volt. Este valor puede resultar excesivo para algunas aplicaciones con voltajes de alimentacin bajos. En el circuito vemos que la impedancia de entrada tiene un valor aproximado de ZE= 1. 2 . RE. si 1= 2= 100 y RE=0,68 k resulta: ZE= 100. 100 . 0,68 = 6800 k valor extremadamente alto. Para las componentes alternas o incrementales, el anlisis es similar. En la prctica, los fabricantes ofrecen dos transistores con esta conexin, en un solo encapsulado. Los pares Darlington se usan extensamente en amplificadores de potencia y en fuentes reguladoras de tensin y corriente. ___________________________________________________________________ 28 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Conexin Darlington

2) par compuesto Es posible obtener un par compuesto con una tensin VBE efectiva de aproximadamente 0,7 volt, combinando un transistor npn (Q1) y un transistor pnp(Q2), de manera tal que la ganancia global de corriente, esta dada por el producto de las ganancias individuales de los transistores. La figura muestra este tipo de conexin:

3) par compuesto Los transistores compuestos PNP con alto, se producen intercambiando los transistores de la figura anterior. Esta tcnica se usa mucho en el diseo de circuitos integrados para mejorar el valor de de los transistores PNP integrados, que son difciles de fabricar en esa tecnologa con alto. Como vemos en el dibujo, el conjunto opera como un circuito Darlington, generando un transistor PNP de alta ganancia de corriente.

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