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Universidade Federal do ABC

Relatrio Aula Prtica 1 Caracterizao de transistores MOS integrados

Disciplina: EN2709 Eletrnica Aplicada

Discentes: Andr Lucas de O. Duarte Daniel Santos de Oliveira Samuel Ribeiro

11058710 11044510 11095909

Turma A1 Diurno

Prof. Dr. Carlos Alberto dos Reis Filho

Santo Andr, 2013

Sumrio
1. Materiais Utilizados..........................................................................................................................2 2. Procedimento Experimental.............................................................................................................2 2.1 Transistor MOS Canal-N...........................................................................................................2 2.2 Transistor MOS Canal-P............................................................................................................5 2.3 Figura de Lissajous....................................................................................................................7 3. Concluses......................................................................................................................................10 4. Referncias.....................................................................................................................................10

1. Materiais Utilizados
Mltimetro de Bancada Mltimetro Portatil Osciloscpio Fonte de alimentao Cabos banana-jacar Fios de cobre Pontas de prova para osciloscpio Pontas de prova para o multmetro Protoboard Circuito Integrado CD4007 Resistores (1k, 10k e 100k) Diodos Capacitor Eletroltico de 470F

Transformador 12V

2. Procedimento Experimental
2.1 Transistor MOS Canal-N
Primeiramente, para analisar o comportamento da corrente Id em funo da tenso Vds num transistor MOS canal-N, foi montado o circuito esquematizado na Figura 1 abaixo:

Figura 1 - Primeiro circuito montado em laboratrio.[1]

Ento, variou-se a tenso Vds de 0 a 5V para Vgs fixo em 1, 2, 3 e 4V, respectivamente, e foi anotado os valores de corrente Id correspondentes. Para Vgs = 1V, a corrente Id era muito pequena e o ampermetro utilizado no possua escala adequada para realizar a medio. Os resultados obtidos para Vgs = 2, 3 e 4V esto apresentados nas tabelas abaixo: Tabela 1 - Valores de Id em funo de Vds para Vgs = 1V.
Vds (V) Id (mA) 0 0 0.1 0 0.2 0 0.3 0 0.4 0 0.5 0 0.7 0 1.0 0 1.5 0 2.0 0 2.5 0 3.0 0 3.5 0 4.0 0 4.5 0 5.0 0

Tabela 2 - Valores de Id em funo de Vds para Vgs = 2V.


Vds (V) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.7 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

Id 0.002 0.124 0.198 0.255 0.271 0.276 0.293 0.300 0.320 0.325 0.330 0.330 0.330 0.331 0.331 0.332 (mA)

Tabela 3 - Valores de Id em funo de Vds para Vgs = 3V.


Vds (V) 0 0.5 0.7 0.9 1.0 1.1 1.3 1.5 1.7 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

Id 0.003 0.974 1.148 1.249 1.277 1.297 1.315 1.325 1.333 1.343 1.355 1.361 1.368 1.373 1.376 1.378 (mA)

Tabela 4 - Valores de Id em funo de Vds para Vgs = 4V.


Vds (V) 0 0.5 0.7 0.9 1.0 1.1 1.3 1.5 1.7 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

Id 0.450 1.745 2.096 2.400 2.492 2.595 2.735 2.848 2.902 2.939 2.973 2.992 3.008 3.020 3.032 3.039 (mA)

Com os dados acima, foram plotadas as curvas Id x Vds (figura2) com auxlio do MATLAB. Os pontos pretos sobre as curvas indicam os pontos coletados experimentalmente e apresentados nas Tabelas de 1 at a 4:

Figura 2 - Curvas Id x Vds para vrios valores de Vgs.

Conforme pode-se observar pelas curvas id x Vds da figura 2 acima, a medida que a tenso de dreno, Vds, ultrapassa um certo valor de tenso Vt, denominada de tenso de limiar ou Threshold , e colocando uma tenso Vgs na porta, o transistor passar a conduzir corrente, conforme demonstra a grfico. Aumentando a tenso de Dreno, Vds, mantendo fixo a tenso da porta, Vgs, num determinado valor, a curva do grfico tende a ficar constante. O que mostra que o transistor MosN entrou na regio de saturao de seu funcionamento. Para estes valores cada vez mais alto de Vds, a profundidade do canal do lado do dreno comea a ficar cada vez menor. Quando atinge este estgio, conforme a teoria, diz-se que o canal est estrangulado ou em Pinched- off.

2.2 Transistor MOS Canal-P


Em seguida, para analisar o comportamento da corrente Id em funo da tenso Vds num transistor MOS canal-P foi montado o circuito indicado na Figura 2 abaixo:

Figura 3 - Circuito para obteno dos pontos de operao do transistor MOS Canal-P.[1] Ento, variou-se Vv de 0 at 5V para cada Vgs fixo em 1, 2, 3 e 4V respectivamente, e mediu-se a corrente Id com auxlio do ampermetro. Os dados coletados seguem nas tabelas 5, 6 , 7 e 8 respectivamente conforme a seguir: Tabela 5 - Valores de Id em funo de Vds para Vgs = 1V. Vv (V) Vds (V) Id (mA) 0 5.087 0 0.5 4.531 0 1.0 3.990 0 1.5 3.529 0 2.0 3.046 0 2.5 2.452 0 3.0 2.052 0 3.5 1.565 0 4.0 1.021 0 4.5 0.528 0 5.0 0.012 0

Tabela 6 - Valores de Id em funo de Vds para Vgs = 2V. Vv (V) Vds (V) Id (mA) 0.1 4.964 0.128 0.5 4.531 0.124 1.0 4.000 0.119 1.5 3.592 0.116 2.0 3.035 0.110 2.5 2.566 0.107 3.0 2.032 0.102 3.5 1.578 0.097 4.0 1.004 0.091 4.5 0.588 0.082 5.0 0.067 0.003

Tabela 7 - Valores de Id em funo de Vds para Vgs = 3V. Vv (V) Vds (V) Id (mA) 0 5.109 0.938 1.5 3.557 0.899 2.0 3.038 0.801 2.5 2.584 0.773 3.0 2.074 0.743 3.5 1.551 0.702 4.0 1.025 0.618 4.5 0.549 0.426 5.0 0.079 0.075

Tabela 8 - Valores de Id em funo de Vds para Vgs = 4V. Vv (V) Vds (V) Id (mA) 0 5.093 2.298 2.0 3.046 2.070 2.5 2.549 1.963 3.0 2.031 1.811 3.5 1.523 1.590 4.0 1.037 1.243 4.5 0.553 0.750 5.0 0.040 0.120

Novamente, com auxlio do MATLAB, plotou-se as curvas (Figura 4) das caractersticas de corrente Id em funo da tenso Vds:

Figura 4 - Curvas Id x Vds para vrios valores fixos de Vgs. Os valores de Vgs no grfico da figura 4 esto em mdulo, pois, na verdade, so valores 6

negativos de tenso que est se colocando na porta, conforme a montagem da figura 3 acima. Pois, o transistor sendo de canal P, utiliza-se lacunas como portadoras de cargas. Ento,conforme pode-se observar pelo grfico, quando Vds aumenta de valores ultrapassando uma certa tenso Vt, denominada de tenso de limiar ou Threshold e colocando uma tenso Vgs na porta, o transistor passar a conduzir corrente, conforme demonstra a figura 4. E, a medida que Vgs decresce de Vgs = -1v at Vgs = -4 v, a corrente Id aumenta de valores. O que est de acordo com o funcionamento tpico de um transistor MOS-P, conforme estudado na teoria. Aumentando a tenso de Dreno, Vds, mantendo fixo a tenso da porta, Vgs, num determinado valor, a curva do grfico tende a ficar constante. O que mostra que o transistor Mos-P entrou na regio de saturao de seu funcionamento. Para estes valores cada vez mais alto de Vds (em mdulo), a profundidade do canal do lado do dreno comea a ficar cada vez menor. Quando atinge este estgio, conforme a teoria, diz-se que o canal est estrangulado ou em Pinched- off.

2.3 Figura de Lissajous


Por fim, utilizando-se o mesmo transistor MOS canal-N utilizado no circuito da Figura 1, foi montado o circuito mostrado na Figura 5 abaixo:

Figura 5 - Terceiro circuito montado em laboratrio.[1] O trimpot (trimmer potentiometer) R2 foi ajustado para que Vgs (tenso entre os terminais 6 e 7) assumisse os valores de 2.0V, 3.0V e 4.0V. Ento, foi conectado os terminais X e Y aos dois canais de entrada do osciloscpio e mude o formato de visualizao de YT para XY para compor uma figura de Lissajous. Seja Vy a tenso medida em V pelo canal Y do osciloscpio, Vx a tenso medida em V pelo canal X do osciloscpio e id em mA a corrente passando pelo resistor de 1k . De acordo com a 7

Figura 5, tem-se: V Y 0 = ( 1k ) i D V Y = i D (1 ) Ainda, da Figura 6:


V DS = V DV S = 0 V S = V S = V X V X = V DS ( 2 )

Portanto, por (1) e (2), a figura de Lissajous indicada que deve aparecer na tela do osciloscpio a curva Id x Vds invertida devido equao (2). Invertendo a curva graas a um comando do prprio osciloscpio, as figuras de Lissajous foram capturadas e foram colocadas escalas aos eixos x e y:

Figura 6 - Figura de Lissajous obtida para Vgs = 2.0V. Note no canto superior esquerdo da Figura 6 que o canal 1 est com uma escala de 5V por diviso. Como, por (2) Vx = -Vds, cada quadrado equivale a 5V em Vds. Analogamente, o canal 2 est com uma escala de 500mV por diviso. Como, por (1), Vy = id, 1V em Vy equivale 1 mA em id. Assim, cada quadrado equivale 0.5mA.

Figura 7 - Figura de Lissajous obtida para Vgs = 3.0V. Note no canto superior esquerdo da Figura 6 que o canal 1 est com uma escala de 5V por diviso. Como, por (2) Vx = -Vds, cada quadrado equivale a 5V em Vds. Analogamente, o canal 2 est com uma escala de 1V por diviso. Como, por (1), Vy = id, 1V em Vy equivale 1 mA em id. Assim, cada quadrado equivale 1mA.

Figura 8 - Figura de Lissajous obtida para Vgs = 4.0V. A forma com que as escala foi colocada se justifica da mesma forma da Figura 7.

3. Concluses
Nas duas primeiras etapas foi caracterizado a curva caractersticas do transistor MOS canal N e MOS canal P do Circuito Integrado CD4007. Na etapa , a fonte distorcia alguns resultados devido ao circuito interno do prprio aparelho , dessa forma foi extrapolado os ltimos valores na curva. J a terceira etapa foi gerado a figura de Lissajous na tela do osciloscpio representando a curva Id x Vds invertida de acordo com o esperado.

4. Referncias
[1] Roteiro da aula prtica 1, disponvel em http://carlosreis.webs.com, acessado em 29/07/2013. [2] http://www.ni.com/white-paper/3736/en/, acessado em 30/07/2013. [3] SEDRA, Adel S. et al. Microeletrnica. 5. ed. So Paulo: PRENTICE HALL BRASIL, 2007. 848 p. ISBN 8576050226.

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