Lograr los objetivos educativos con excelencia y alta calidad acadmica

UNIVERSIDAD MUNDO MAYA

INVESTIGACION WEB

TENDENCIAS DE LA TECNOLOGIAS DE LA INFORMACION

LIC. EN ING. SISTEMAS COMPUTACIONALES
ALUMNO: TEC. EMANUEL ALEJANDRO GURRIA PARDO CATEDRATICO: ING. SANTANA HERNANDEZ SAMUEL

FEBRERO-JUNIO DE 2013

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CLASIFICACIN DE MEMORIAS SEMICONDUCTORAS DE ACCESO ALEATORIO

Las memorias se clasifican, por la tecnologa empleada y, adems segn la forma en que se puede modificar su contenido, A este respecto, las memorias se clasifican en dos grandes grupos: 1.

Memorias RAM:

Son memorias en las que se puede leer y escribir, si bien su nombre (Random access memory) no representa correctamente este hecho. Por su tecnologa pueden ser de ferritas (ya en desuso) o electrnicas. Dentro de stas ltimas hay memorias estticas (SRAM, static RAM), cuya clula de memoria est basada en un biestable, y memorias dinmicas (DRAM, dinamic RAM, en las que la clula de memoria es un pequeo condensador cuya carga representa la informacin almacenada. Las memorias dinmicas necesitan circuitos adicionales de refresco ya que los condensadores tienen muy poca capacidad y, a travs de las fugas, la informacin puede perderse, por otra parte, son de lectura destructiva.

2.

Memorias ROM
ROM

(Read 0nly Memory): Son memorias en las que slo se puede leer. Pueden ser: programadas por mscara, cuya informacin se graba en fbrica y no se puede modificar.

A.

B. PROM, o C.

ROM programable una sola vez.

EPROM (erasable PROM) o RPROM (reprogramable ROM), cuyo contenido puede borrarse
mediante rayos ultravioletas para regrabarlas.

D.

EAROM (electrically alterable ROM) o EEROM (electrically erasable ROM), que son memorias que
est en la frontera entre las RAM y las ROM ya que su contenido puede regrabarse por medios elctricos, estas se diferencian de las RAM en que no son voltiles. En ocasiones a este tipo de memorias tambin se las denomina NYRAM NYRAM (no voltil RAM).

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E.

Memoria FLASH,

denominada as por la velocidad con la que puede reprogramarse, utilizan tecnologa de borrado elctrico al igual que las EEPROM. Las memorias flash pueden borrar-e enteras en unos cuantos segundos, mucho ms rpido que las EPROM.

Bsicamente las memorias ROM se basan en una matriz de diodos cuya unin se puede destruir aplicando sobre ella una sobretensin (usualmente comprendida entre -12.5 y -40 v.). De fbrica la memoria sale con 1's en todas sus posiciones, para grabarla se rompen las uniones en que se quieran poner 0's. Esta forma de realizar la grabacin se denomina tcnica de los fusibles.

MAPEO DE MEMORIA Y BUS DE DATOS

Estructura bsica de buses (Arquitectura Von Newman)

Estructura bsica con circuito decodificador El circuito decodificador nos permite proveer a las memorias y los dispositivos de I/O de una zona exclusiva del mapa de memoria del micro. Cualquier dispositivo que se conecte al microprocesador, debe disponer de una bus de direcciones menor al que provee el micro, de esta manera podemos, para un dispositivo dado, distinguir dos tipos de lneas de direccionamiento. Lneas de direccionamiento externa, son las encargadas de diferenciar el dispositivo del resto (dispositivo 1, 2 o 3 de la Figura 2), de esta forma puedo tener varios en un sistema de buses y acceder a uno en especial por medio de estas lneas y un circuito decodificador. 3

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Lneas de direccionamiento interno, son las que se conectan directamente al dispositivo Por ejemplo en caso del dispositivo 1 de la Figura 2, este grupo de lneas darn la posicin interna del casillero a leer o escribir, estas lneas corresponden a la parte mas baja de la palabra de direccionamiento.

Circuito decodificador de dos memorias (Se omitieron bus de control y dato)

En el circuito de la Figura 3 vemos que las lneas de direccionamiento interno correspondientes a los 12 bits menos significativos del total se comparten entre todos los dispositivos, la seleccin de una de las dos memorias la realiza las lneas externas a travs de sendas compuertas OR de cuatro entradas. El mapa ampliado del circuito queda formado de la siguiente manera: 4

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El microprocesador tendr ubicada dentro de su mapa de direcciones las dos memorias en forma consecutivas.

JERARQUIA DE MEMORIAS
Se conoce como jerarqua de memoria a la organizacin piramidal de la memoria en niveles que tienen los ordenadores. Su objetivo es conseguir el rendimiento de una memoria de gran velocidad al coste de una memoria de baja velocidad, basndose en el principio de cercana de referencias. Los puntos bsicos relacionados con la memoria pueden resumirse en: Cantidad Velocidad Coste

La cuestin de la cantidad es simple, cuanto ms memoria haya disponible, ms podr utilizarse. La velocidad ptima para la memoria es la velocidad a la que el procesador puede trabajar, de modo que no haya tiempos de espera entre clculo y clculo, utilizados para traer 5

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operandos o guardar resultados. En suma, el coste de la memoria no debe ser excesivo, para que sea factible construir un equipo accesible. Como puede esperarse los tres factores compiten entre s, por lo que hay que encontrar un equilibrio. Las siguientes afirmaciones son vlidas: A menor tiempo de acceso mayor coste. A mayor capacidad menor coste por bit. A mayor capacidad menor velocidad. memoria, con rendimiento y un principio mezcla de los memoria ms

Se busca entonces contar con capacidad suficiente de una velocidad que sirva para satisfacer la demanda de con un coste que no sea excesivo. Gracias a llamado cercana de referencias, es factible utilizar una distintos tipos y lograr un rendimiento cercano al de la rpida.

Los niveles que componen la jerarqua de memoria habitualmente son: Nivel 0: Registros Nivel 1: Memoria cach Nivel 2: Memoria principal Nivel 3: Memorias flash Nivel 4: Disco duro (con el mecanismo de memoria virtual) Nivel 5: Cintas magnticas Consideradas las ms lentas, con mayor capacidad. Nivel 6: Redes(Actualmente se considera un nivel ms de la jerarqua de memorias)