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UNIVERSIDAD CARLOS III DE MADRID

ESCUELA POLITCNICA SUPERIOR.


Departamento de Fsica
POLARONES EN HETEROESTRUCTURAS
SEMICONDUCTORAS:
EFECTOS DE GEOMETRA Y TAMAO EN PUNTOS
CUNTICOS.
POR
Clment Kanyinda-Malu Kabiena
Memora presentada para optar al grado de
DOCTOR EN CIENCIAS FSICAS
DIRECTORA: Dra. ROSA MARA De La CRUZ
FERNNDEZ
Universidad Carlos III de Madrid.
Legans, 2003.
To My wife Maria S. Leocadia Bulakali Nyota Kanyinda
To our children: Jean Michel Kanyinda Malu,
Maria Goreti Kanyinda Dionge,
Maria Judith Kanyinda Nyota
and Joseph Arthur Kanyinda Ngalamulume,
you deserve better.
ndice
ndice i
Notas ix
Resumen xiii
Summary xv
Agradecimientos xvii
Glosario de Acrnimos xix
1. Introduccin 1
1.1. Crecimiento por epitaxia de puntos cunticos . . . . . . . . . . . 2
1.2. Los fonones en puntos cunticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3. Antecedentes y objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2. Interaccin Electrn-Fonn: Conceptos bsicos 11
2.1. Fonones pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.1.1. Ecuacin de movimiento y los modos propios de fo-
nones pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.1.2. Aplicacin del modelo DC en las heteroestructuras . 13
2.1.3. Modelo DC: tensiones y aleaciones . . . . . . . . . . 14
2.2. El Hamiltoniano de Frhlich . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.2.1. Mtodo perturbativo y auto-energa del polarn . . 22
2.2.2. Los mtodos variacionales y auto-energa del polarn 23
2.3. Polarn y propiedades pticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.4. Conclusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3. Fonones de intercara en puntos cunticos 29
3.1. Modos de vibracin en puntos cunticos esfricos . . . . . . . . 30
3.2. Modos de vibracin en puntos cunticos cilndricos . . . . . . . 36
3.3. Modos de intercara en puntos cunticos cnicos . . . . . . . . . 42
3.3.1. Modos BSO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.3.2. Modos SSO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.3.3. Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.4. Comparacin entre las tres geometras . . . . . . . . . . . . . . 53
3.5. Conclusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
i
ii CONTENTS
4. Niveles de energa en puntos cunticos 63
4.1. Niveles de energa en puntos cunticos esfricos . . . . . . . . . 63
4.1.1. Niveles de energa en la aproximacin del potencial
innito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
4.1.2. Niveles de energa en la aproximacin del potencial
nito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
4.1.3. Niveles de energa en la aproximacin del potencial
parablico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.2. Niveles de energa en puntos cunticos cilndricos . . . . . . . . 73
4.2.1. Niveles de energa en la aproximacin del potencial
innito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.2.2. Niveles de energa en la aproximacin del potencial
nito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.2.3. Niveles de energa en la aproximacin de potencial
parablico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4.3. Niveles de energa en puntos cunticos cnicos truncados . . . . 81
4.3.1. Modelizacin terica del punto cuntico cnico en
aproximacin de potencial innito . . . . . . . . . . 81
4.3.2. Solucin numrica y aplicaciones . . . . . . . . . . . 84
4.4. Conclusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
5. Polarones en puntos cunticos 93
5.1. Polarones en puntos cunticos esfricos . . . . . . . . . . . . . . 94
5.1.1. Hamiltoniano de interaccin electrn-fonn . . . . . 94
5.2. Polarn en puntos cunticos cilndricos . . . . . . . . . . . . . . 109
5.2.1. Hamiltoniano de interaccin electrn-fonn . . . . . 110
5.3. Polarn en puntos cunticos cnicos . . . . . . . . . . . . . . . . 126
5.3.1. Hamiltoniano de Frhlich para los fonones connados 126
5.4. Conclusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
6. Conclusiones y perspectivas 135
A. Modos gap y local en los cristales mixtos 141
A.1. Modos gap y local para los fonones transversales (TO) . . . . . 142
A.2. Modos gap y local para los fonones longitudinales (LO) . . . . . 142
B. Auto-energa y masa efectiva del polarn 145
B.1. Auto-energa y masa efectiva en la teora de perturbacin . . . . 145
B.2. Auto-energa y masa efectiva en el modelo LLP . . . . . . . . . 146
C. El funcional de energa en estructuras con forma arbitraria 151
C.1. Cono truncado en la aproximacin del potencial innito . . . . . 152
D. Algunos datos importantes de semiconductores III-V y II-VI. 153
E. Ortogonalidad de la funcin T
l
(x) 155
Bibliografa 157
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
CONTENTS iii
Publicaciones y Ponencias en Congresos 161
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
iv CONTENTS
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
ndice de guras
1.1. Evolucin de la densidad de estados en funcin de connamiento ... 2
1.2. Energa del gap frente al parmetro de red ... . . . . . . . . . . . . 3
1.3. Foto AFM en 3D de puntos cunticos InAs/GaAs ... . . . . . . . 4
1.4. Foto AFM en 2D de puntos cunticos InAs/GaAs ... . . . . . . . 5
2.1. Dependencia de los fonones pticos con la composicin ... . . . . . 19
3.1. Dependenca de las frecuencias de intercara con l nmero . . . . . 31
3.2. Dependencia de las frecuencias de los fonones connados con el
radio en los puntos cunticos esfricos . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.3. Dependencia de las frecuencias de fonones de intercara con el radio
en los puntos cunticos esfricos de GaAs/AlAs . . . . . . . . . . 35
3.4. El esquema del punto cuntico cilndrico y denicin de los par-
metros utilizados en los clculos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.5. Dependencia de las frecuencias de fonones de supercie con el radio
en puntos cunticos cilndricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.6. Dependencia de las frecuencias de intercara TSO con el radio en
puntos cunticos cilndricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.7. Dependencia de las frecuencias de fonones SSO con el radio del
cilindro en puntos cunticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.8. Dependencia de las frecuencias de fonones TSO y SSO con el radio
del cilindro en puntos cunticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.9. El cono, el cono truncado y el sistema de coordenadas utilizado:
R
1
y R
2
representan los radios de la base superior e inferior res-
pectivamente, h es la altura total del cono, mientras h
0
representa
la altura de la base superior a la base inferior del cono truncado. El
semi-ngulo polar est denido con respecto al eje polar del cono
truncado cuyo origen coincide con el pex del cono. . . . . . . . . 43
3.10. Dependencia de frecuencias de intercara con la altura en puntos
cunticos de InAs/InP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.11. Dependencia de frecuencias de intercara con la altura en puntos
cunticos de InAs/GaAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.12. Dependencia de las frecuencias de intercara con . . . . . . . . . 51
3.13. Dependencia de las frecuencias de intercara con el ngulo polar en
puntos cunticos de InAs/InP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.14. Dependencia de las frecuencias de intercara con el ngulo polar en
puntos cunticos de InAs/InP con simetra cnica para r=0.5 . . 54
3.15. Dependencia de la relacin de dispersin de fonones TSO con el
radio del cilindro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
v
vi ndice de guras
3.16. Dependencia de la relacin de dispersin de fonones SSO con el
radio del cilindro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.17. Relacin de dispersin de fonones de intercara en funcin de la
altura en puntos cunticos cnicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.18. Relacin de dispersin para los ngulos arbitrarios . . . . . . . . . 58
4.1. Diagrama de modelizacin de propiedades electrnicas y pticas en
puntos cunticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
4.2. Dependencia de la energa de connamiento con el radio en puntos
cunticos esfricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
4.3. Dependencia de la energa de connamiento con el radio para (a)
electrones y (b) huecos en la aproximacin de potencial nito . . . 68
4.4. Parmetros adimensionales en funcin de para puntos cunti-
cos esfricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
4.5. Dependencia de los cuatro primeros niveles excitados con el radio
en puntos cunticos esfricos en aproximacin de potencial nito . 71
4.6. Niveles de energa en puntos cunticos esfricos en la aproximacin
de potencial parablico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
4.7. Dependencia de los cuatro primeros niveles de energa de conna-
miento con el radio para electrones en la aproximacin de potencial
innito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
4.8. Dependencia de la energa del estado fundamental con el radio en
puntos cunticos cilndricos de InAs/GaAs en la aproximacin de
potencial nito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.9. Dependencia de la energa de los niveles excitados con el radio en
puntos cunticos cilndricos de InAs/GaAs en la aproximacin de
potencial nito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.10. El esquema del cono truncado y los parmetros en el modelo . . . 82
4.11. Dependencia de la energa de connamiento con el radio para las
cuatro primeras sub-bandas y para s=1 en puntos cunticos cnicos 85
4.12. Dependencia con el radio de la energa de connamiento en puntos
cunticos cnicos truncados de InAs en la aproximacin de poten-
cial innito: solucin exacta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
5.1. Dependencia de la energa del polarn con el radio en puntos cun-
ticos esfricos de (a) ZnSe, (b) GaAs,y (c) InAs: aproximacin del
potencial innito. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
5.2. Dependencia de la energa del polarn con el radio en puntos cun-
ticos esfricos de InAs/GaAs en la aproximacin del potencial nito109
5.3. Dependencia con el radio de las distintas contribuciones de los fo-
nones a la auto-energa del polarn en puntos cunticos cilndricos
de InAs/GaAs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
5.4. Dependencia con el radio de las distintas contribuciones de los fo-
nones a la auto-energa del polarn en puntos cunticos cilndricos
de InAs/InP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
5.5. Dependencia con el radio de las distintas contribuciones de los fo-
nones a la auto-energa del polarn en puntos cunticos cilndricos
de ZnSe/CdSe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
ndice de guras vii
5.6. Dependencia con el radio de las contribuciones de los fonones TSO
y SSO a la auto-energa del polarn en puntos cunticos cilndricos
de InAs/GaAs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
5.7. Dependencia de la contribucin de los fonones LO a la auto-energa
del polarn con la altura en puntos cunticos cnicos InAs. . . . . 131
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
viii ndice de guras
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
ndice de tablas
2.1. Datos de algunos semiconductores III-V . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.1. Frecuencias de fonones de intercara (
IF
) en puntos cunticos es-
fricos en el formalismo DC clsico. El parmetro l es un buen
nmero cuntico y los valores de
IF
se expresan en cm
1
. . . . . 31
D.1. Parmetros utilizados en clculos de polarn: la constante de Frh-
lich ha sido calculada asumiendo que la banda es parablica y las
masas efectivas se expresan en unidades de la masa del electrn. . 153
ix
x ndice de tablas
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Nota sobre trminos y
convenios
La evolucin de la nanociencia ha supuesto una modicacin tremenda en los
conceptos bsicos de la Fsica moderna, acompaada de una cada vez ms fuerte
introduccin de terminologas nuevas. Aunque el esfuerzo de adaptar los distintos
trminos a los distintos idiomas ha sido importante, existe todava muchos con-
ceptos que pierden su signicado cuando se pasa de un idioma a otro. Adems, en
algunos idiomas, existe todava una divergencia en las distintas traducciones. Como
ejemplo, el trmino "gap" se traduce indistintamente por "anchura de banda pro-
hibida", banda prohibida, brecha o zanja, siendo algunas traducciones agradables
al oido, pero susceptibles de introducir confusiones cuanto a la fenomenologa que
lo acompaa. Lo mismo ocurre con algunas tcnicas utilizadas en el crecimiento de
nanoestructuras. El ejemplo ms evidente es el de MBE (molecular beam epitaxy)
que es traducido de diferentes maneras.
Ante la dicultad de encontrar los trminos equivalentes, sin por ello desna-
turalizar el fondo de los signicados fsicos, en este trabajo hemos adoptado de
mantener lo mnimo posible los trminos ingleses, cuando no es posible traducir con
exactitud el concepto en espaol. Para ello, se ha procurado, en la medida de lo posi-
ble, evitar introducir el anglicismo, manteniendo pequeas y oportunas concesiones.
Por ejemplo, hemos preferido el trmino "dot" al genrico punto cuntico para re-
ferirnos al material connado, ya que el trmino espaol contiene tanto el material
que sufre el connamiento como el substrato sobre el cual se crece. Tambin, preferi-
mos la expresin "modos barrera" para referirnos a los modos fonnicos asociados
con el material antrin en contraposicin de los "modos dot" asociados con el
material connado. El trmino "Interface"se ha traducido por "intercara", preferi-
ble a "interfase"que se presta ms bien a las aplicaciones informticas. Incluso se
ha utilizado indistintamente algunos trminos ingleses y espaoles para no dar la
impresin de desprecio de un idioma respecto a otro.
Respecto a los acrnimos, se han empleado los ingleses por su brevedad y
su claridad, y cuando no se prestan a confusin, utilizamos tambin los espaoles.
Para ms claridad, hemos recogido en una lista los distintos acrnimos, para paliar
la perplejidad al lector no avisado.
Para evitar la confusin en las dimensiones de puntos cunticos, empleamos
el smbolo R para referirnos al radio de la esfera, mientras que en casos de puntos
cunticos cilndricos y cnicos, nos inclinamos por R
0
. Aunque en muchos traba-
jos, los trminos "geometras" "formas" se emplean tambin cuando se quiere
describir un tipo especco de potencial, en nuestro caso, preferimos el trmino "ti-
po" para el potencial y as reservar los dos trminos "geometras" o formas a los
aspectos puramente geomtricos de los puntos cunticos.
xi
xii Trminos y Convenios
Finalmente, hemos de advertir a los lectores que, en este trabajo tratamos
el connamiento espacial. Existe otro tipo de connamiento, como puede ser el
obtenido por los campos elctricos aplicados en una regin nanodimensional que se
suele utilizar para estudiar las propiedades de transporte en nanocristales.
Por ltimo, debido a las obligadas referencias a muchos trabajos anteriores,
hemos adoptado terminar cada captulo con una lista de referencias, para despus
resumir en una sola lista al nal del trabajo todas las referencias empleadas en el
mismo.
Resumen
Los puntos cunticos son las heteroestructuras en las que los portadores de
carga se encuentran connados en tres dimensiones. Su descubrimiento ha abier-
to camino a una intensa y fructfera investigacin debido a las posibilidades que
ellos ofrecen tanto en las ciencias fundamentales como en el diseo de nuevos dis-
positivos. Conceptualmente, los puntos cunticos son similares a tomos articiales
contenidos en substratos semiconductores o aislantes, conteniendo un nmero de
electrones que pueden variar a voluntad. Como en los tomos reales, los electrones
en puntos cunticos estn sometidos a potenciales creados por el band-oset por
campos externos aplicados. Las caractersticas fsicas de puntos cunticos dieren
considerablemente de las de los tomos reales. Por ejemplo, como los puntos cunti-
cos son ms grandes que los tomos reales, la separacin espacial entre electrones es
mucho mayor, y la energa de Coulomb procedente de la repulsin entre electrones
decrece. Consecuentemente, muchas propiedades fsicas de puntos cunticos vara
continuamente con el cambio de tamaos y de formas en los puntos cunticos.
El inters de nuestro trabajo responde al deseo de resaltar el papel de la
geometra y de dimensiones de los puntos cunticos en las propiedades pticas. Por
ello, nos centramos en la interaccin electrn-fonn, que de un cierto modo afecta
a las propiedades pticas. En este trabajo se ha podido demostrar que los modos
fonnicos son sensibles a los cambios de geometra de puntos cunticos. Para ello,
consideramos una heteroestructura como un medio dielctrico continuo, en el cual
los movimientos de los tomos vienen descritos por dos fuerzas importantes: la fuerza
mecnica, que describe los movimientos a corta distancia de vibracin entre los iones
constituyentes del sistema, y una fuerza electrosttica que acta a larga distancia
y representa el efecto de la polarizacin inducida por el movimiento de cargas.
Mediante las muy conocidas ecuaciones de Maxwell y las ecuaciones de movimiento
de Born-Huang, el clculo de los fonones de intercara se reduce a la resolucin de la
ecuacin de LAPLACE aplicndose las condiciones de contorno electromagnticas
en las intercaras. Los resultados de este trabajo demuestran que tanto el nmero de
modos de intercara, como la dependencia de los mismos con el tamao de puntos
cunticos dependen fuertemente de la geometra del sistema. Por ejemplo, hemos
obtenido que los modos de fonones de intercara son insensibles al tamao del punto
cuntico en una geometra esfrica, mientras que en las cilindrcas y las cnicas, los
fonones de intercara cambian con las dimensiones de puntos cunticos. Adems, para
estas dos ltimas geometras, se observa dos tipos diferentes de modos de intercara:
los modos TSO (o BSO), referidos a las bases del cilindro (cono) y los modos SSO,
correspondientes a la supercie lateral del cilindro. En los puntos cunticos cnicos,
observamos que los modos SSO cambian bruscamente, yndose de valores cercanos
al material dot hacia los valores de frecuencias propias de la barrera para valores
especcos del ngulo del cono. Atribuimos este fenmeno a una posible localizacin
xiii
xiv Resumen
en las zonas de mayor curvatura del cono.
Una vez calculadas las frecuencias de intercara, hemos determinado los niveles
de energa para tres geometras distintas: esfrica, cilndrica y cnica, mediante el
formalismo de la aproximacin de masas efectivas. Asimismo, hemos calculado para
las mismas geometras los niveles excitados en las distintas geometras tanto en
la aproximacin de potencial innito como en la aproximacin de potencial nito.
Adems se ha demostrado que la aproximacin de potencial innito sobre-estima los
valores de la energa de connamiento. Tambin, se ha demostrado que la geometra
del dot afecta los valores de energas de connamiento, siendo stas ms realistas en
geometras cilndricas y cnicas. Hemos deducido una expresin analtica que pueda
ayudar a determinar con gran facilidad los valores de energa de connamiento de
puntos cunticos, llegndose a demostrar que para el potential nito, el nmero de
estados connados est limitado por la profundidad del potential de connamiento y
por el tamao del sistema. Estas expresiones son aplicables a los tres tipos conocidos
de connamiento: unidimensional, bidimensional y tridimensional. Sin embargo, en
el caso de la geometra cnica, la aplicacin de la tcnica variacional a la desviacin
de las geometras regulares, da lugar a un potencial topolgico, cuyas soluciones
originan nuevas caractersticas. Para enfatizar sobre este efecto, analizamos este
potencial efectivo en desarrollo de serie de potencia, y comparamos estos resultados
con los de la solucin exacta del potencial inverso al cuadrado. Ambos mtodos, dan
lugar a resultados similares para valores jos de la altura y del ngulo al apex. Al
contrario de lo que se observa en la geometra cilndrica, las energas de los electrons
connados aumentan con la altura anlogamente al efecto que produce un campo
elctrico aplicado en un pozo cuntico.
El formalismo de dielctrico continuo permite dar cuenta de las energas del
polarn, una partcula que da cuenta de la interaccin del electrn con una nube de
fonones. En efecto, siguiendo el formalismo de Frhlich, hemos calculado para las
tres geometras, la contribucin a la energa de la interaccin electrn-fonn, tanto
en el caso de aproximacin de potencial innito como en el caso de la aproximacin
de potencial nito. Se ha tenido en cuenta la contribucin de todos los fonones de
intercara en puntos cunticos cilndricos y esfricos. Se ha observado que la energa
del polarn depende del tamao, siendo muy signicativa para tamaos pequeos.
Al mismo tiempo, observamos que la contribucin de los fonones de intercara es ms
dbil en puntos cunticos esfricos que en los cilndricos. De hecho, en la geometra
esfrica, la polarizacin electrosttica puede cancelarse, dejando a los fonones bulk
como fuentes importantes de la energa del polarn. En los puntos cunticos ciln-
dricos, encontramos para algunos casos investigados III-V, como InAs/GaAs que la
contribucin de los fonones de intercara al polarn es ms pequea que en los II-VI.
Sin embargo, para GaAs/AlAs, la energa de polarn presenta caractersticas simi-
lares a las de ZnSe/CdSe. Atribuimos este hecho a las diferencias de gap dielctricos
y electrnicos en las heteroestructuras. Por tanto, aunque el tamao sea importante
para algunas geometras, cuando se tiene en cuenta los fonones IF, la composicin
de la heteroestructura puede conducir a diferentes comportamientos. En los puntos
cunticos cnicos, restringimos los resultados a la contribucin de los fonones bulk.
Al contrario de lo que se ve en la energas de connamiento, no se observa ningn
cambio en la energa de polarn al cambiar el ngulo. Esto nos conduce a postular
que la correlacin entre los movimientos tanto en el plano xy, como con la direccin
z se compensan. Por ello, concluimos que es dcil observar un efecto especial en el
polarn para este tipo de geometra.
Summary
Quantum dots are semiconductor heterostructures in which the charge carriers
are conned in three spacial directions. Its discovery has open a very large and
fruitfull eld of investigations, both in theory as in design of new opto-electronical
devices. Conceptually, QDs are similar to articial atoms contained in semiconduc-
tor or insulator substrates, holding a number of electrons that may varied at will.
As in real atoms, electrons in QDs are trapped by potential wells created either by
conduction band-osets or externally applied elds. The physical characteristics of
QDs dier considerable from that of natural atoms. For example, as QDs are much
large than real atoms, the average spacing between electrons is much bigger and
the Coulomb energy arising from the repulsion between electrons decreases. Con-
sequently, many physical properties of QDs scale with continuously changing sizes
and shapes in quantum dots.
The aim of this work consists in analyzing the role of the sizes and geome-
try of quantum dots, basically with respect to their eect on optical applications.
For this, we base all our work on the electron-phonon interaction, which in some
sense aects optical properties of semiconductors. The results of this work have
demonstrated that phonon modes are very sensitive to changes in the geometry of
the quantum dots. To perform this work, semiconductor heterostructures are con-
sidered as continuum media where, the motion of their atoms are governed by two
important forces: the mechanical coupling, which acts at short distance leading to
the vibration of ions of the system, and the long-range electrostatic force induced
by the polarization of the medium by the charge carriers. Using the well know Max-
well equations and the Born-Huang equations of motion, the calculation of interface
phonon modes reduces to the solution of LAPLACE equation using the standard
electromagnetic boundary conditions. Our results show that both the number of op-
tical interface modes and their behaviour with respect to the quantum dot sizes are
strongly dependent on the geometry of the system. For example, we observed that,
in spherical quantum dots, only two interface (IF) phonon modes can be observed
and those are size-independent. While, in the cylindrical and conical geometry, we
distinguish two IF modes: the top-surface optical (TSO) modes and side-surface
optical (SSO) phonons, both with a distinct size dependence, accordingly. In the
conical shaped quantum dots, surface-side optical modes are seen to switch from
dot-like to barrier-like and vice-versa at specic values of the angle at the apex. We
associate this behaviour to the phonon localization in the zones of strong curvature
of the cone.
After we obtain the IF modes, we calculate the electronic structures of the
above-mentionned quantum dots, using the eective mass approximation. Both,
the fundamental state as well as the excited levels are investigated using the innite
and nite connement potential approximations. It is clearly demonstrated that, in
xv
xvi Summary
all investigated geometries, the innite potential approximation over-estimates the
electronic energies of the dot. Also, the geometry of the dot aects the values of
connement energies, being realistic the cylindrical and conical shapes. To help in
future applications, we set-up analytic expressions in order to derive the connement
energies of quantum dots, provided the size and geometry of the dot. These analytic
expressions have demonstrated that the size and geometry of the dot dierently
limited the number of energy levels in the heterostructure. Those expressions are
applicable to the three-dimensional connement as well as to the one and two-
dimensional connement. However, in the case of conical dots, the application of
the variation-perturbation technique to the deviation from regular geometry gives
rise to a topological potential, whose solutions entailed new features. To emphasize
on this eect, we analyze this eective-like potential in power-law expansion and
compare our results with the exact solution of the inverse-square-like potential. Both
methods present similar behaviour for xed values of the height and the angle at
the apex of the cone. In contrast to the cylindrical geometry, the electron conned
energies are seen to increase with the height, similarly to the eect of the applied
electric eld on a 1D quantum well.
The dielectric continuum model was also used to investigate the electron-
phonon interaction contribution to the electronic energy of the quantum dots. Using
the Frhlich formalism, we calculate the polaron energy for both spherical, cylindri-
cal and conical geometries, through the innite and nite potential approximations.
The contribution of all the interface phonons was taken into account in speherical
and cylindrical dots. Accordingly, the polaron energy is size dependent and is very
relevant for small size quantum dots. At the same time, we observe that interface
phonons contribution is weaker in spherical dots than it is in cylindrical quantum
dots. In fact, in spherical geometry, the electrostatic polarization can cancel, leaving
bulk-like phonons as important source of electron-phonon interaction to the polaron
energy. In cylindrical dots, we found that for some investigated III-V dots, like In-
As/GaAs, the IF contribution to the polaron is smaller than it is in the II-VI ones.
However, for GaAs/AlAs (III-V), the polaron energy presents similar charcteristics
with the ZnSe/CdSe (II-VI). We attribute this feature to the dierent dielectric and
electronic gaps in the heterostructures. We claim that, even the size is important,
for some geometries, when the IF phonons are invloved, the material composition
of the heteroestructures can lead to dierent behaviour. In the conical quantum
dots, we restrict our results to the bulk-like phonon contribution. In contrast to
the connement energy, the polaron correction does not change with the change of
the angle. This leads us to postulate that the inter-dependent correlation between
the in-plane and z-like motions cancel each other, so that no special eect can be
observed.
Acknowledgements
I would like to thank Rosa Maria de la Cruz, my supervisor, for her many
suggestions and constant support during this research. She believed on me and
gives me all support I needed. I am thankful to Prof. Roberto Gonzalez, Ramiro
Pareja and Luis Garca, former and actual directors of Department who accept me
in this kind and compact group where I ll at home since the rst day.
Professor C.I. Ballesteros expressed her interest in my work and supplied me
with some preprints and books of experimental works and does not hesitate to
discuss practical aspects of my work. Many questions I face during interminable
week-ends with Miguel M. Tardio help me to improve my skill in experimental
interests in quantum dots.
I had the pleasure of meeting the AECI sta. They are wonderful people and
their support makes research like this possible. The Agencia Espaola de Coopera-
cin internacional Scholarship, which was awarded to me for the period 19962000,
was crucial to the successful completion of this project. I do not forget the last eort
by Fundacin Carlos III who granted me for a two-months stay in Pavia (Italy) and
for the special nancial support in the last six months of writing.
Of course, I am grateful to my family for her patience and love. Even far
from my daily pain, they do not forget to send me lovely words which sustain my
faith and help me to stand away during cold winters and extremely hot summers of
Madrid.
Mam! Where you are, your words sound like today "Son, use your head to
learn,... and dont forget to share whatever you can with others".
Dad! "A man has never to abandon what he lovely started till his body can
permit him. Responsibility and duties: dont forget that, you said".
I would like to lovely thank my oce-mates: Dr. M.A. Monge, Dra. B. Savoini,
Dr. A. Muoz, ... for special moments of jocks, loughts and talks. To Prof. I. Colera,
for your support, many thanks. To all the "pea" of the Department of Physics,
my feathful thanks!
I wish to thank all the etc..., those who believed on me and those who not. In
the struggle to make me useful, I learn a lot. Finally I wish to thank the followings:
Prof. Dr. Charles Dauwe (my maestro. He initiates me in the art of thinking and
investigating in Physics of Positron), Prof. Dr. Jean-Pierre Mbungu ("today Physics
needs fresh blood and ideas": thank you for our hot discussions late in the night
round " un bon pot de SKOL.
a
fter "annihilating some "POSITRONS"); Prof. Dr.
Philipe Badibanga Mudibu (for introducing me in Quantum eld theory); Georgina
Alberti (even if she is not Physicist, she wonders why people has to do so complicated
theory, Thanks!); to my uncle Trudon Tshibuabua (I need a prof. in our family, you
said), Z. Kasuku (Pili-pili), J.P. Bekambo (my friend), Dr. Etienne Triaille, s.j.
(special thanks for your help toward my family).
xvii
xviii Acknowledgements
All members of IMCI (International Movement of Catholic Intellectuals), spe-
cial thanks. Last but not the least! To all my former students: Ing. Blaise Kanga,
Dr. Claude Mvuama, Dr. Albert Kazadi, Dr. Charle Mutamba ... stand up and
continue to believe in Science. To Silvia N. Santalla, Quantum Dots really exist! ...
Legans, Madrid Clement Kanyinda-Malu
September 2003.
Glosario de acrnimos
AFM Atomic Force Microscopy Miscrocopa de fuerzas tomicas
ALMBE Atomic layer MBE Epitaxia por haces moleculares de capas
atmicas
BIE Boundary Integral Equation Ecuacin integral de contorno
BSO Base Side Optical phonons Modos de fonones relativos a las bases
DC Dielectric continuum Modelo de dielctric continuo.
EMA Eective Mass Approximation Aproximacin de masa efectiva
FEMA Finite Eective Mass Approximation Approximacin de masa efectiva
para un potencial nito.
HH Heavy hole Hueco pesado
IEMA Innite Eective Mass Approximation Approximacin de masa
efectiva para potencial innito.
IF Interface Frequency Frecuencia de intercara
ISP Inverse Square Potencial Potencial que vara con el inverso
de la distancia al cuadrado
LH Light hole Hueco ligero
LLP Low-Lee-Pines Mtodo variacional de Low, Lee y Pines
LO Longitudinal Optical Frequency Frecuencia ptica longitudinal
MBE Molecular Beam Epitaxy Epitaxia por haces moleculares
MOCVD Metal Organic Chemical Vapor Deposition Deposicin qumica en fase vapor a partir
de descomposicin de compuestos
organometlicos
MREI Modied Random Element Isodisplacement
PL Photoluminescence Fotoluminiscencia
RSPT Rayleigh-Second Perturbation Theory
SK Stranski-Krastanov Crecimiento por Stranski-Krastanov
SSO Surface Side Optical phonon modes Modos de fonones para
supercie lateral
SO Surface Optical phonons Fonones de supercie
TO Transversal Optical Frequency Frecuencia ptica transversal
TSO Top Surface Optical phonon modes Fonones pticos en las bases
VW Volmer-Weber Crecimiento por mtodo de Volmer-Weber
VFFM Valence Force Field Model
xix
xx Acknowledgements
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Captulo 1
Introduccin
Las heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad han sido ob-
jeto de estudio y desarrollo durante las ltimas dcadas [16]. El xito conseguido
con las estructuras bidimensionales como pozos cunticos (quantum wells: QWs)
y superredes (superlattices), ha servido de estmulo para reducir la dimensionali-
dad de los sistemas semiconductores. Desde entonces, sistemas monodimensionales,
hilos cunticos (quantum wires: QWIs), y sistemas de dimensin cero, puntos
cunticos (quantum dots: QDs) estn siendo producidos a nivel de laboratorio.
El crecimiento por epitaxia de capas altamente tensadas ha crecido en inters
ltimamente, debido a la posibilidad de obtener islas de puntos cunticos con una
distribucin bastante homognea de tamaos (del orden de 5 a 50 nm). Aunque es
posible crecer puntos cunticos a partir de diferentes materiales, la utilizacin de
semiconductores presenta una gran ventaja por el hecho de que pueden incorporarse
a la tecnologa ya conocida del silicio. En la prctica, para connar los portadores
de carga, se usan los materiales de menor gap que se entierran en otros de mayor
gap. Debido a esto, los puntos cunticos de semiconductor son en la actualidad
los mejores candidatos para el connamiento electrnico en todas las direcciones
espaciales. Este connamiento de los portadores de carga permite obtener estados
ligados discretos, cuyo espectro de energa es similar al de un tomo. De ah, que un
punto cuntico se comporte como un pseudo-tomo, donde la densidad de estados
consiste en funciones . En la gura 1.1 se muestra la evolucin de la densidad de
estados a medida que aumenta el connamiento. Como en el caso de tomos reales,
el carcter discreto de los niveles de energa proporciona fuertes restricciones en las
transiciones posibles entre los niveles. De este modo, la vida de los portadores de
carga en un nivel excitado se ve limitada por la probabilidad de transicin radiativa.
Desde un punto de vista histrico, la idea de punto cuntico data de los aos
ochenta y est basada en los espectros pticos obtenidos por Ekimov y colaborado-
res [7]. Estos autores propusieron que el calentamiento de muestras de vidrio con
impurezas de CdS y CdSe provocaba la formacin de precipitados de pequeos na-
nocristales de CdS y CdSe, en los que se connan los electrones dando lugar a un
comportamiento inusual en los espectros pticos del vidrio. El concepto de punto
cuntico tal y como se conoce en la actualidad se debe a Arakawa y Sakaki [8],
quienes demostraron que no existe ensanchamiento con la temperatura de un lser
basado en un connamiento en 3D.
Dos tipos de materiales (InAs y GaAs) han presentado un inters particular en
el crecimiento de puntos cunticos, debido principalmente a dos razones. Primero, se
ha demostrado recientemente que las monocapas de InAs crecidas sobre un substrato
de GaAs y cubiertas con GaAs se desarrollan en estructuras tridimensionales con
1
2 Captulo 1. Introduccin
Densidaddeestados
TipodeConfinamiento
3D
2D
1D
0D
Figura 1.1. La evolucin de la densidad de estados a medida que aumenta
el connamiento. La notacin nD corresponde a las dimensiones en que los porta-
dores estn libres: 3D para el material volmico, 2D para el pozo cuntico, 1D para
el hilo cuntico y 0D para el punto cuntico.
menos defectos. Segundo, estas estructuras presentan picos de luminiscencia ms
estrechos [9, 10], lo que signica que la distribucin de tamaos de islas es bastante
homognea. Adems, en las medidas de fotoluminiscencia de los puntos cunticos
no se ha observado un ensanchamiento de la seal de emisin con la temperatura,
cuando los portadores son excitados trmicamente [11]. Un mayor recubrimiento
de capas altamente tensadas origina la formacin de estructuras auto-organizadas
en forma de conos o pirmides, que dan lugar a numerosas aplicaciones. Estas
aplicaciones cubren un abanico muy amplio. Desde los lseres de punto cuntico y
las celdas fotovoltacas hasta los dispositivos ms complicados como los transistores
y las memorias pticas, los puntos cunticos siguen revolucionando tanto la fsica
fundamental como la fsica aplicada.
Para jar las ideas sobre los puntos cunticos, presentamos muy brevemente
algunos modos de fabricacin.
1.1. Crecimiento por epitaxia de puntos cunticos
En el crecimiento de puntos cunticos por epitaxia, podemos distinguir dos
procesos
i ) el crecimiento epitaxial de una estructura bidimensional (pozo cuntico)
seguido de ataques qumicos (etching) sucesivos hasta reducir las tres dimen-
siones y as conseguir un punto cuntico,
ii ) el crecimiento por epitaxia aprovechando la auto-organizabilidad y la for-
macin de islas una vez depositadas las primeras monocapas.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
1.1 Crecimiento por epitaxia de puntos cunticos 3
Durante el etching, se recubre el pozo cuntico de material resistivo (material "re-
sist" ) sensible a los electrones, luego el pozo cuntico se expone a un haz de elec-
trones o de iones. La exposicin modica la estructura qumica y la solubilidad
del material "resist". El conjunto se somete a unos procesos de secado y recorte
hacindose mscaras en el resist. Con este procedimiento se pueden obtener subes-
tructuras del orden de 25 a 100 nm. El proceso puede repetirse si se quiere enterrar
un semiconductor bajo otro, de modo que el potencial de connamiento de los por-
tadores de carga provenga de la diferencia de energa entre las bandas de conduccin
de los dos materiales. Como se puede imaginar, estos recortes producen daos en
las supercies laterales del punto cuntico, lo que limita su rendimiento de cara a
las aplicaciones tecnolgicas. De hecho, los daos y defectos introducidos durante
el proceso de etching dominan las propiedades pticas en las dimensiones de inters
[3,4]. Ejemplos de puntos cunticos obtenidos por "etching" han sido citados en
la literatura tanto para los semiconductores de tipo III-V
1
como para los de tipo
II-VI [1215].
En el crecimiento auto-organizado, la formacin de puntos cunticos se debe
a una transicin de una estructura bidimensional (wetting layer) a una estructura
tridimensional [modelo de Stranski-Krastanov (SK)] o a una nucleacin directa en
islas al comienzo del proceso de crecimiento y a medida que avanza la deposicin
[modelo de Volmer-Weber(VW)]. El crecimiento predominante ser de tipo SK o
VW dependiendo de la magnitud del desajuste de los parmetros de red entre el
substrato y el material que se quiere crecer (lattice mismatch), as como de la rugo-
sidad del substrato y de su temperatura, de las constantes elsticas de los materiales
utilizados y de la energa supercial de la forma del nanocristal obtenido [16].
Figura 1.2. Energa del gap frente al parmetro de red para Ge, Si y los
principales semiconductores III-V y II-VI.
1
La denominacin proviene de la posicin en la tabla peridica de los elementos qumicos que
constituyen el compuesto semiconductor.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4 Captulo 1. Introduccin
En la gura 1.2 se muestran las energas de gap y los parmetros de red
correspondientes a Ge, Si y una serie de semiconductores de tipo III-V y II-VI.
Aunque algunos semiconductores tienen parmetros de red muy parecidos, muchos
de ellos presentan un desajuste considerable en los parmetros de red. En pelculas
muy nas, el desajuste puede acomodarse a travs de tensin elstica. Cuando el
tamao de la pelcula supera un cierto espesor llamado espesor crtico, la pelcula
se rompe produciendose as defectos o dislocaciones. Pero, se ha observado que
si el tamao de la pelcula no supera demasiado el espesor crtico, el crecimiento
puede producirse sin defectos, es lo que se llama crecimiento coherente. Pese a
la mejora respecto a los defectos de estructura, los mtodos de crecimiento por
epitaxia todava no han resuelto la problemtica de distribucin de tamaos. Muchos
trabajos quedan por hacer con el fn de conseguir puntos cunticos con una densidad
elevada por unidad de supercie y una distribucin cuasi-homognea de tamaos.
Figura 1.3. Foto AFM en 3D de puntos cunticos InAs/GaAs. Se puede
comprobar que los tamaos de puntos cunticos son distintos.
En las imgenes 1.3 y 1.4 se representan las fotos AFM (atomic force miscroscopy)
en dos y tres dimensiones de puntos cunticos de InAs/GaAs, crecidos por ALMBE
(Atomic Layer Molecular Beam Epitaxy). A partir de estas fotos se observa, no
slo el carcter tridimensional de las islas, sino tambin una distribucin de puntos
cunticos con tamaos diferentes. Dentro de los mtodos utilizados en el crecimiento
por epitaxia, podemos destacar el MBE (Molecular Beam Epitaxy) con su variante
ALMBE y el MOCVD (Metal Oxide Chemical Vapor Deposition).
1.2. Los fonones en puntos cunticos
Los fonones pticos juegan un papel importante en la fsica de la materia
condensada. Son muchas las propiedades fsicas de los cristales que se ven afectadas
por la presencia de fonones. Por ejemplo, los estudios de movilidad de portadores
de carga en semiconductores o el coeciente Hall han demostrado la importancia
de las vibraciones de la red a medida que aumenta la temperatura de la muestra
[17, 18]. En los experimentos de fotoluminiscencia, absorcin ptica o en las medidas
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
1.2 Los fonones en puntos cunticos 5
Figura 1.4. Foto AFM en 2D de puntos cunticos de InAs/GaAs. Se
puede observar que los tamaos de puntos cunticos en esta muestra son distintos.
de Raman, se aprecia el papel que juegan los fonones a la hora de interpretar los
resultados. Por otro lado, si en algunas aplicaciones tecnolgicas como es el caso
de los detectores, los fonones pueden parecer tiles, su presencia en los dispositivos
basados en la emisin (como son los lseres) resulta ser un inconveniente. De ah la
importancia de conocer a fondo el papel de los fonones sobre el entorno del portador
de carga en estructuras como son los puntos cunticos.
La fsica de fonones, y con ella la espectrocopa ptica, han cobrado un prota-
ganismo sin precedente desde el descubrimiento de las superredes semiconductoras
por Esaki y Tsu [19]. Las superredes son sistemas en los que los portadores de carga
pueden connarse a lo largo de una direccin espacial en una regin comparable a
la longitud de onda de de Broglie. Muchos estudios tericos y experimentales de la
interaccin electrn-fonn abundan en la literatura sobre los pozos, hilos y puntos
cunticos [2023].
El concepto de polarn fue introducido por Frhlich [24] para describir de ma-
nera cuantitativa el conjunto de electrones de conduccin rodeados de fonones. Fue
Landau [25] quien determin por primera vez en los aos treinta que un electrn
puede estar auto-atrapado en el campo de deformacin de un cristal. As, cuando
una partcula cargada (un electrn o un hueco) penetra en el campo inico de un
cristal, su campo elctrico (creado por interaccin coulombiana) polariza el cristal.
Y adems, como los iones del cristal son ms pesados que el electrn (hueco), esta
polarizacin afecta ms a las propiedades del electrn (hueco). De esta forma, es
evidente que el polarn se vea como un "conjunto de electrones en una nube de
fonones". El estudio de la interaccin electrn-red cristalina ha proporcionado una
gran cantidad de informacin sobre los distintos fenmenos de scattering en los di-
versos materiales. En la actualidad, a este concepto de polarn - llamado tambin
polarn de Frhlich- se aaden otros tipos de polarones como son: polarn de pe-
queo radio, piezopolarn, magnetopolarn, polarn hidratado, etc... Todos estos
conceptos traducen la interaccin de fermiones con bosones [20].
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
6 Captulo 1. Introduccin
1.3. Antecedentes y objetivos
Aunque las propiedades pticas de las nanoestructuras se estn estudiando
tanto a nivel experimental como a nivel terico [26], nuestro inters en el estudio
del efecto de la geometra viene dictado por varios motivos. Como es bien sabido, los
puntos cunticos crecidos por el mtodo de Stranski-Krastanov, se auto-organizan
en islas con tamaos diferentes. Esta distribucin de tamao da lugar a un ensan-
chamiento de los picos de luminiscencia. Aparte del tamao, la topologa del punto
cuntico tiene una importancia relevante. En la literatura han aparecido puntos
cunticos cuyas formas van desde esferas, pirmides, pirmides truncadas, lentes
planas convexas, conos truncados o "domes"[16, 27, 28]. Para apreciar la importan-
cia de la geometra, Feyrrera y Proetto [29] determinaron los niveles de energa de
los excitones en puntos cunticos cbicos y esfricos. De su trabajo se desprende
que la energa coulombiana de interaccin electrn-hueco presenta una dependencia
dbil con la forma del punto cuntico, siendo esta diferencia de 5 %. Cabe resal-
tar que en sus clculos, estos autores utilizaron los potenciales aproximados ante la
dicultad matemtica de manejar los potenciales exactos. Por otro lado, Kumagai y
Ohno [30] han observado que la topologa del espacio en que se resuelve la ecuacin
de Schrdinger juega un papel relevante en la estructura electrnica de los hilos
cunticos. Por ello, compararon un hilo cuntico con base circular con un hilo cun-
tico de base rectangular. Las conclusiones a las que llegaron fueron espectaculares.
Respecto a los hilos cunticos rectangulares
2
, la distribucin espacial de electrones
quedaba constante mientras sus niveles de energa son degenerados. Respecto a los
hilos cunticos circulares
3
, todos los niveles de energa son doblemente degenerados,
sin ninguna cuantizacin. Este estado llamado frozen state parece no depender de las
restricciones estructurales inducidas por el "zero-point energy". Adems, la sepa-
racin entre los niveles de energa es ms grande en los hilos cunticos rectangulares
que en los circulares.
Por otro lado, en los experimentos de fotoluminiscencia (PL) en puntos cun-
ticos, Bissiri y colaboradores han podido demostrar la evidencia del polarn en
sus espectros [21, 22]. Al medir el ratio entre dos de las rplicas de fonones en
un punto cuntico de InAs/GaAs, estos autores consiguen determinar el factor de
Huang-Rhys (S) que mide la interaccin entre los excitones y fonones. Segn este
resultado, el factor S cambia dependiendo de qu estado excitado est involucra-
do en la transicin as como del tamao y forma (geometra) del punto cuntico.
Adems, ellos observaron que el valor de S no es el doble del ratio de la primera y
segunda rplicas de fonones en los espectros PL, como est establecido comnmente
en la aproximacin adiabtica. Por ello, llegaron a la conclusin de que es nece-
sario introducir la morfologa del punto cuntico en un tratamiento no-adiabtico
para una mejor estimacin del factor de Huang-Rhys que est en acuerdo con los
resultados experimentales. Garca-Cristbal y co-autores [31], sealan tambin una
discrepancia entre el valor experimental de S con los valores calculados en el forma-
lismo adiabtico. Obtienen que los valores experimentales y tericos son del mismo
orden de magnitud cuando se desprecia la interaccin electrn-fonn en el Hamilto-
niano de interaccin excitn-fonn, lo que corresponde a un electrn completamente
deslocalizado en el espacio. Asmismo, sugieren que las transiciones que involucran
a los niveles excitados seran una va para adecuar los resultados tericos a los
experimentales.
2
La denominacin se relaciona con la forma de la base del hilo cuntico.
3
Idem por la denominacin.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
1.3 Antecedentes y objetivos 7
Por tanto, nuestro objetivo es analizar en profundidad los efectos de geometra
y tamao en los puntos cunticos poniendo un nfasis particular en el papel que
juegan los tamaos en las propiedades pticas en la intercara de los materiales
constituyentes del punto cuntico. Por ello hemos elegido tres geometras distintas:
esfrica, cilndrica y cnica truncada.
Este trabajo se divide en seis captulos. Aparte de la introduccin que consti-
tuye el primer captulo, en que se resumen los conceptos de connamiento junto con
el papel de fonones en puntos cunticos y los antecedentes, en el segundo captulo,
se describen los conceptos bsicos necesarios para entender el modelo de dielctrico
continuo (DC), base de nuestro estudio y su relacin con la energa del polarn. El
tercer captulo presenta la aplicacin del modelo DC para la obtencin de los modos
fonnicos en los puntos cunticos. En el cuarto captulo calculamos en la aproxi-
macin de masa efectiva (AME) las energas de los portadores en puntos cunticos
en las aproximaciones de pozo innito y pozo nito, siendo ste ltimo ms realista
para los materiales estudiados en este trabajo. Para poner nfasis en los efectos que
conllevan la geometra sobre los niveles de energa, hemos elegido tres formas dis-
tintas de puntos cunticos: esfricos, cilndricos y cnicos. Asimismo, para las dos
primeras geometras, se presentan los resultados para otros tipos de potencial de
connamiento, en concreto en la aproximacin de potencial armnico. En cuanto al
ltimo caso, debido a la complejidad del tratamiento matemtico, hemos restringi-
do los clculos al caso de puntos cunticos conicos aislados. En el captulo cinco se
determinan las correcciones de energa debidas a la interaccin electrn-fonn con
mtodos perturtativos y variacionales. En concreto, hemos calculado la correccin
de energa para cada tipo de fonn que aparece en las tres geometras estudiados.
Por ltimo, en el captulo seis de conclusin general, se encuentran resumidos los
resultados ms relevantes de nuestro trabajo, as como las perpectivas de futuro.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
8 Captulo 1. Introduccin
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Bibliografa
[1] G. Bastard. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures. Les
ditions de Physique, Ulis Cedex, France, 1988.
[2] C. Weisbuch add B. Winter. Quantum Semiconductor Structures: Fundamental
and Applicatipns. Academic Press, London, U.K., 1991.
[3] M.J. Kelly. Low-Dimensional Semiconductors: Materials, Physics, Technology
and Devices. Oxford Science Jublications, London, UK, 1995.
[4] U. Woggon. Optical Properties of Semiconductor Quantum Dots. Springer-
Verlag, Berlin, Germany, 1996.
[5] R. Ntzel, J. Temmyo, T. Tamamura, T. Fukui and H. Hasegawa. Europhysics
News, 87:148, 1996.
[6] T. Ogawa and Y. Kanemitsu. Optical Properties of Low-Dimensional Materials,
page 416. Interscience, New York, 9957.
[7] Y. Kushwaha. Surface Science Reports, 41:1, 2001.
[8] Y. Arakawa and H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40:149, 1982.
[9] R. Leon, D. Leonard, J.L. Merz, and P.M. Petro. Phys. Rev. B, 50:8086, 1995.
[10] R. Leon, P.J. Poole and S. Fafard. Science, 267:1966, 1995.
[11] M. Raymond and N. Tzoar. Phys. Rev. B, 5(2):233, 1995.
[12] C. Gourgon, Le Si Dang, H. Mariette, C. Vieu and F. Muller. Appl. Phys.
Lett., 66:1635, 1995.
[13] F. Daiminger, A. Schmidt, K. Pieger, F. Faller and A. Forchel. Semicond. Sci.
Technol., 9:896, 1994.
[14] M. Illing, G. Bacher, T. Kmmel, A. Forchel, T.G. Andersson, D. Hommel, B.
Jobst and G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 67:127, 1995.
[15] Y. Wang and N. Herron. Chem. Phys. Lett., 200:71, 1992.
[16] D. Leonard, K. Pond and P.M. Petro. Phys. Rev. B, 50:11687, 1994.
[17] B.K. Ridley, B.E. Foutz and L.F. Eastman . Phys. Rev. B, 61(24):16862, 2000.
9
10 BIBLIOGRAFA
[18] S. Madhavi, V. Venkataraman, J.C. Sturm and Y.H. Xie . Phys. Rev. B, 61
(24):16807, 2000.
[19] L. Esaki and R. Tsu. IBM J. Res. Develop, 14:61, 1970.
[20] J.T. Devreese. Encyclopedia of Applied Physics, 14:383, 1996.
[21] M. Bissiri, G. Baldassarri, A.S. Bhatti, M. Capizzi, A. Frova, P. Frigeri and S.
Franchi. Phys. Rev. B, 62:4642, 2000.
[22] M. Bissiri, G. Baldasyarri, M. Capizzi, V.M. Fomin, V.N. Gladilin and J.T.
Devreese. Phys. Status Solidi (b), 224:629, 2001.
[23] C. Trallero-Giner, F. Garca-Moliner, V.R. Velasco and M. Cardona. Phys.
Rev. B, 45:1194, 1994.
[24] J.T. Devreese. Polarons in Ionic Crystals and Polar Semiconductors. North
Holland Publishing Company, Amsterdam, 1972.
[25] W. Jones and N. H. March. Theoretical Solid State Physics. Wiley-Interscience,
New York, USA, 1973.
[26] M. Grundmann, O. Stier and D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52:11969, 1995.
[27] S. Ruvimov et al. Phys. Rev. B, 11:18766, 1995.
[28] K. Zhang, Ch. Heyn, W. Hansen, Th. Schmidt and J. Falta. Appl. Phys. Lett.,
79:2229, 2000.
[29] J.M. Feyrrera and C.R. Proetto. Phys. Rev. B, B 60:10679, 1999.
[30] M. Kumagai and T. Ohno. Solid State Comm., 83:837, 1992.
[31] A. Garca-Cristobal, A.W.E. Minnaert, V.M. Fomin, J.T. Devreese, A. Yu.
Silov, J.E.M. Haverkort and J.H. Wolter. Phys. Status Solidi (b), 215:331,
2001.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Captulo 2
Interaccin
Electrn-Fonn:
Conceptos bsicos
2.1. Fonones pticos
Los modos pticos en semiconductores polares juegan un papel importante en
muchas propiedades fsicas debido a que la interaccin electrn-fonn afecta a di-
versos mecanismos de scattering. La movilidad de portadores de carga, los tiempos
de relajacin de los electrones, las transiciones intra- e inter-bandas, y los tiempos
de vida de los excitones son algunas de las caractersticas que estn afectadas por
el scattering de electrones debido a los fonones pticos. Aunque existan modelos
microscpicos bien establecidos como ab-initio o pseudo-potencial, los estudios te-
ricos de mecanismos de scattering por fonones recurren al tratamiento continuo de
la vibracin de la red. La razn de recurrir a un tratamiento continuo estriba en
la necesidad de reducir la complejidad del problema que conlleva el tratamiento
microscpico.
La mayora de los materiales semiconductores empleados en las heteroestruc-
turas de baja dimensionalidad, tales como pozos, hilos o puntos cunticos son al-
tamente polares. Por tanto, en estas estructuras existe una carga local que provoca
una fuerte interaccin coulombiana con la red. La presencia del electrn en el cam-
po inico del cristal polariza este ltimo y la polarizacin acta sobre el electrn,
modicando as sus propiedades. La densidad de polarizacin generada por las vi-
braciones da lugar a un campo elctrico E y a un campo de desplazamiento elctrico
D. Estas cantidades estn relacionadas entre s a travs de las ecuaciones de Max-
well.
Habitualmente, en el estudio del polarn, el sistema investigado es considera-
do continuo, as como el campo de polarizacin inducido por el movimiento de los
iones. Uno de los modelos ms destacados es el propuesto por Born y Huang [1]
y denominado modelo de dielctrico continuo (DC). A lo largo de muchos aos,
este modelo ha dado lugar, al establecimiento de los Hamiltonianos de interaccin
electrn-fonn mediante la cuantizacin de los campos de polarizacin y de despla-
zamiento, y a partir de estos Hamiltonianos se calcula un nmero importante de
parmetros fsicos. En las heteroestucturas, la aplicacin del modelo continuo exige
que las magnitudes fsicas (como el campo de desplazamiento inico o el campo
de polarizacin) que describen el movimiento del electrn en el medio polarizado
sean continuas en las regiones de separacin entre los dos medios (intercara). As,
11
12 Captulo 2. Interaccin Electrn-Fonn: Conceptos bsicos
para estudiar el comportamiento del polarn en las heteroestructuras, es necesario
conocer los distintos modos de fonones.
2.1.1. Ecuacin de movimiento y los modos propios de
fonones pticos
En este apartado, resumiremos los principios utilizados para estudiar los mo-
dos fonnicos mediante el modelo DC.
Base del modelo clsico de dielctrico continuo
Segn Born y Huang, el desplazamiento inico u se relaciona con el desplaza-
miento real de los tomos w por u =
_
/ w, siendo la masa reducida y el
volumen del cristal.
La base del modelo de dielctrico continuo radica en el establecimiento de
un Hamiltoniano que describa el estado de un electrn al ser perturbado por un
potencial de deformacin de la red, consecuencia de la polarizacin de la misma. En
el marco del formalismo de Born-Huang, el campo de desplazamiento relativo de
los iones del cristal se acopla con el campo elctrico E y el campo de polarizacin
P a travs de un conjunto de ecuaciones bsicas que son: (i) la ecuacin de Newton
que describe el movimiento de los iones bajo la inuencia de la fuerza mecnica del
oscilador y la fuerza elctrica, fruto de la polarizacin del medio; (ii) la relacin
entre la polarizacin, el campo de desplazamiento inico y el campo elctrico. Para
las vibraciones pticas, estas ecuaciones se escriben como
u =
2
TO
u +
_
(

4
)
TO
E (2.1)
P =
_
(

4
)
TO
u +

1
4
E. (2.2)
Aqu
TO
es la frecuencia transversal del material volmico (bulk material ), es
la masa reducida por unidad de volumen, mientras
0
y

son, respectivamente,
las constantes dielctricas a baja y alta frecuencias. En ausencia de carga libre,
es sabido que .D = 0 y teniendo en cuenta que D = E+ 4P = ()E y que
E = , se obtiene
()
2
= 0 (2.3)
donde es el potencial electrosttico. La relacin de dispersin de la constante
dielctrica viene denida por
() =

2
LO

2
TO

2
(2.4)
mientras las frecuencias LO y TO estn acopladas a travs de la relacin de Lyddane-
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
2.1 Fonones pticos 13
Sachs-Teller [2]

2
LO
=

0

2
TO
. (2.5)
La ecuacin (2.3) ofrece dos posibilidades: o bien () = 0 y
2
,= 0 () ,= 0
y
2
= 0. De (2.4), se deduce que si () = 0, =
LO
que corresponde a la
componente longitudinal del fonn ptico en el material volmico. En el caso de
que () ,= 0, la solucin de la ecuacin de Laplace junto con las condiciones de
contorno permite hallar los modos fonnicos en la supercie. Es este ltimo caso
el que permite obtener el efecto de geometra en los fonones pticos, ya que la
solucin de la ecuacin de Laplace diere de acuerdo con el sistema de coordenadas
utilizado. En el captulo 3, calcularemos los modos de fonones en la supercie de
puntos cunticos para tres geometras: la esfrica, la cilndrica y la cnica truncada.
Slo podemos adelantar que la solucin de la ecuacin (2.3) proporciona un potencial
electrosttico, a partir del cual se deduce la interaccin entre los electrones y fonones
a travs del llamado "Hamiltoniano de Frhlich".
2.1.2. Aplicacin del modelo DC en las heteroestructuras
Las heteroestructuras semiconductoras son sistemas formados por dos mate-
riales volmicos polares con constantes dielctricas distintas. Aunque las heteroes-
tructuras son sistemas en que los portadores de carga se encuentran connados en
una regin de dimensiones pequeas en comparacin con los tamaos de los ma-
teriales volmicos, hay motivos sucientes para que el tratamiento de sus modos
fonnicos se parezca al de material bulk en primera aproximacin. Pese a la nece-
sidad de un modelo microscpico que determine los modos de fonn en estructuras
de baja dimensionalidad, un tratamiento macroscpico como es el modelo DC da
cuenta en buena medida de los fonones tanto connados como de los de supercie (o
de intercara) en las heteroestructuras. El tratamiento macroscpico es vlido, siem-
pre y cuando las longitudes de onda de los fonones sean mayores que los parmetros
de red. Debido a la peculiaridad de los modos de supercie en los pozos, hilos o
puntos cunticos frente a los modos connados, es necesario que las anchuras de los
pozos de potencial sean tambin superiores a los parmetros de red. Las razones a
favor de la aplicacin de un tratamiento macroscpico en las heteroestructuras son
esencialmente las siguientes: (i) los dos tipos de fuerza en juego (la de Newton y
la elctrica) son separables respecto a sus alcances. La fuerza de Newton (en este
caso la del oscilador) es de corto alcance, mientras la elctrica (que es de naturaleza
coulombiana) es de largo alcance; (ii) las propiedades generales de los modos de
supercie como son la polarizacin o la localizacin en distintas capas de materiales
se aprecian mejor a partir de un tratamiento macroscpico que desde un tratamien-
to microscpico; (iii) los campos de desplazamiento macroscpicos de modos de
intercara pueden ser utilizados para hallar los operadores de creacin y de aniqui-
lacin de estos modos y construir el Hamiltoniano de interaccin entre los fonones
de intercara y los electrones; (iv) el tratamiento microscpico se halla fcilmente
una vez conocido el resultado macroscpico [Para ms detalles, leer por ejemplo
Einderlein [3] y las referencias ah citadas]. Por tanto, la solucin de la ecuacin
de Laplace exige que se tenga en cuenta el grado de connamiento segn el tipo
de heteroestructuras a tratar. Por ejemplo, en los pozos cunticos, la solucin en
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
14 Captulo 2. Interaccin Electrn-Fonn: Conceptos bsicos
la direccin de connamiento tendr que ser empalmada en la intercara de los dos
materiales, mientras que en las dos otras direcciones, la solucin ser una onda pla-
na. Para los hilos y puntos cunticos, estas condiciones de empalme se impondrn
en las dos o tres direcciones de connamiento, respectivamente. Adems, la forma
de la heteroestructura dicta en qu sistema de coordenadas se tiene que resolver la
ecuacin de Laplace. La solucin en la supercie se obtiene aplicando las condiciones
de contorno electrostticas, que son la continuidad del potencial electrosttico en
la intercara que separa los materiales constituyentes y la continuidad de la compo-
nente normal del vector desplazamiento elctrico D. Si representamos por material
1 el que est connado y por material 2, el que sirve de barrera, las condiciones
anteriores se traducen en:
1
=
2
,
1
()
1
=
2
()
2
. Cabe resaltar que en el
caso de que uno o ambos semiconductores sean absorbentes, la funcin dielctrica
incluir una parte imaginaria, as se tendr

i
() =
,i

2
LO,i

2
TO,i

2
i
; i = 1, 2 (2.6)
donde representa el "damping"del fonn.
2.1.3. Modelo DC: tensiones y aleaciones
El modelo aqu descrito se aplica con xito al sistema diatmico bien cono-
cido como cadena diatmica lineal. Sin embargo, los experimentos de crecimiento
de heteroestructuras seguidos de la caracterizacin de las mismas han revelado que
los componentes (por ejemplo GaAs, AlAs, InAs) que entran en la fabricacin de
heteroestructuras pueden mezclarse en una cierta proporcin y formar un array
de tomos, dando as lugar a un cristal mixto o aleacin ternaria. En la aleacin
Al
x
Ga
1x
As por ejemplo, la constante de la red vara linealmente con la concen-
tracin de Al, y su valor est comprendido entre los valores de GaAs y AlAs. Para
tener en cuenta la composicin, se suelen usar unas relaciones empricas que descri-
ben la variacin de las frecuencias pticas, constantes dielctricas y masas efectivas
en funcin de la composicin [4, 5]. Pero estas relaciones no estn a menudo de-
nidas para todos los materiales que componen las heteroestructuras. Adems, para
las heteroestructuras cuyas especies constituyentes tienen un desajuste apreciable
en el parmetro de red, las tensiones juegan un papel importante [6]. Estas tensio-
nes pueden modicar los modos de vibracin en la medida que afectan tanto a los
parmetros de red como a las constantes de fuerza entre los iones de los compuestos.
Como se puede hacer notar, el modelo clsico de dielctrico continuo no tiene en
cuenta estos dos efectos de forma explcita. En las siguientes secciones, explicare-
mos los dos modelos ms empleados para describir los modos de vibracin en las
aleaciones y en los sistemas tensados.
A. Tensin en el modelo DC: modelo hidrodinmico o
fenomenolgico
Una forma de tener en cuenta las tensiones en el clculo de los modos de vibra-
cin consiste en incorporar en el modelo de Born y Huang [1] los trminos adicionales
que representan estas tensiones. Einderlein [3] ha desarrollado un modelo que des-
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
2.1 Fonones pticos 15
cribe las distintas variaciones del campo de desplazamiento en un cristal ditomico.
Si designamos por u = u
+
- u

el campo de desplazamiento relativo, donde u


+
(u

)
se reere al ion positivo (negativo), nos encontramos con las siguientes situaciones:
Si u se anula en un punto x de la red, esto no signica necesariamente que
ambos u
+
y u

sean nulos en el mismo punto x.


Si u es funcin de la posicin en la red (u(x)), puede que u
+
o u

vare con la
posicin, o que los dos varen a la vez. El cambio de los campos atmicos (u
+
,
u

) con la posicin hace que las subredes atmicas sufran tensiones. Estas
tensiones pueden ser diferentes en las dos subredes, de forma que una de ellas
est estirada y la otra comprimida. Esta situacin se da para los fonones LO
con vector de onda no nulo.
Si u no cambia con la posicin, pero los campos atmicos u
+
y u

cambian,
se generan tambin tensiones internas en las subredes. Esta situacin se da
para los fonones acsticos longitudinales.
La mejor forma de expresar los efectos de tensiones en los modos de vibra-
cin consiste en introducir en la ecuacin de movimiento (2.1) adems de la fuerza
elctrica, la fuerza mecnica a travs de un tensor de tensiones (stress) . De esta
manera, la ecuacin modicada de Born-Huang se escribe como [7]


2
t
2
u =
2
TO
u . (2.7)
donde los elementos del tensor vienen denidos por

ij
= (
2
LO

2
TO
)(.u)
ij
2
2
TO
u
ij
. (2.8)
representa la masa reducida por unidad de volumen de la celda, mientras es
la constante de acoplo entre el campo elctrico y el desplazamiento atmico y se
expresa por = [(
0

)/4]
1/2

TO
. En la ecuacin (2.8), el trmino u
ij
puede
considerarse como un tensor de deformacin (strain) denido por la expresin
u
ij
=
1
2
(
j
u
i
+
i
u
j
). (2.9)
Los parmetros fenomenolgicos
TO
y
LO
se obtienen ajustando las relaciones de
dispersin para los fonones del material bulk y sus valores son prximos a las velo-
cidades del sonido en el medio. contiene todas las propiedades del tensor rigidez
("stiness") para un medio istropo. Es sabido que la componente transversal del
fonn ptico conduce a un campo elctrico nulo (.u
TO
= 0), mientras la compo-
nente longitudinal da lugar a un campo elctrico diferente de cero (u
LO
= 0).
De la resolucin del sistema de ecuaciones formado por la ecuacin (2.7) y la ecua-
cin de campo de polarizacin (2.2), se deduce los modos de vibracin. Para la
resolucin de la ecuacin (2.7) se requiere que se cumplan los criterios de continui-
dad del campo de desplazamiento en todo el sistema estudiado. De tal forma que,
si consideramos dos regiones del espacio con materiales 1 y 2, las condiciones de
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
16 Captulo 2. Interaccin Electrn-Fonn: Conceptos bsicos
contorno a cumplir sern
u[
S

= u[
S
+
(2.10a)
.n[
S

= .n[
S
+
(2.10b)
D.n[
S

= D.n[
S
+
(2.10c)
donde S es la supercie de contacto entre los dos materiales y n un vector unitario
normal a la supercie. En caso de oscilaciones libres en que el material est rodeado
de vaco, las condiciones de contorno anteriores se convierten en
.n [
S

= 0, (2.11a)
D
N
continuo en la supercie. (2.11b)
Debido a la introduccin en la ecuacin de movimiento de trminos mecnicos a tra-
vs de tensores de rigidez y de deformacin, el modelo hidrodinmico predice tanto
los modos pticos (connados y de intercara) como los modos mecnicos (acsti-
cos). Esto condujo a Trallero-Giner y colaboradores [8] a predecir el acoplo entre los
modos pticos connados y los de intercara en los hilos y puntos cunticos. Aunque
el modelo DC se presta al clculo en los sistemas macroscpicos, Born y Huang han
demostrado que este formalismo puede extenderse a los desplazamientos atmicos
en cristales polares, como son los semiconductores III-V o II-VI, con la salvedad de
que el campo elctrico macroscpico es sustituido por el campo local, fruto del mo-
vimiento de los iones respecto a sus posiciones de equilibrio. Este campo local viene
denido a travs de la relacin de Lorentz E
loc
= E+ 4P/3. Para los fonones pti-
cos longitudinales (LO), se tiene que E
loc
= 8P/3, mientras E
loc
= 4P/3 para
los fonones pticos transversales (TO). En los estudios de los modos de vibracin
en las aleaciones, por ejemplo, es costumbre utilizar las magnitudes locales, como
campo elctrico local, en lugar de las magnitudes macroscpicas. La ventaja de ese
uso viene de la facilidad de relacionar estas magnitudes con los parmetros micros-
cpicos, como por ejemplo la polarizabilidad electrnica, en los Hamiltonianos de
interaccin electrn-fonn.
B. Fonones pticos en las aleaciones: modelo MREI
Las aleaciones ternarias pueden compararse a sistemas con defectos cuyos
modos local y gap (ver Apndice A) inducidos por una impureza en proporcin to-
dava pequea, provoca un ensanchamiento de estos modos en bandas vibracionales
al aumentar la concentracin. De los muchos mtodos empleados para estudiar los
modos pticos en las aleaciones, presentamos el modelo de Chen y colaboradores [9],
luego modicado por Chang y Mitra [10], llamado MREI (Modied Random Ele-
ment Isodisplacement). En este modelo, una aleacin AB
1x
C
x
es considerada bajo
dos hiptesis:
Iso-desplazamiento: los cationes y aniones de especies similares vibran como
unidades rgidas, con la misma fase y amplitud.
Aleatoriedad: los iones B y C estn aleatoriamente distribuidos a lo largo de
la sub-red aninica. As, cada tomo est sujeto a las fuerzas creadas por
una media estadstica de sus vecinos. En este modelo, una fraccin (1-x) de
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
2.1 Fonones pticos 17
iones B y una fraccin x de iones C estn considerados como primeros vecinos
de los iones A. De este modo, la interaccin coulombiana a largo alcance
viene dada a travs del campo local. As, el MREI depende de la simetra del
cristal, puesto que hay que tener en cuenta el nmero de primeros vecinos.
La ventaja de este modelo estriba en que no requiere a priori las frecuencias
de los modos local y gap, y adems depende de algunas constantes fsicas
como: masas de los iones y frecuencias de los fonones de los end-materials
4
.
A continuacin, desarrollaremos este modelo para los cristales con simetra
cbica; pues, muchas de las heteroestructuras estudiadas poseen esta simetra.
En MREI, las ecuaciones de movimiento de los iones A, B y C en el cristal AB
1x
C
x
se expresan
m
A
u
A
= (1 x)
AB
(u
A
u
B
) x
AC
(u
A
u
C
) +e
A
E
loc
, (2.12a)
m
B
u
B
=
AB
(u
B
u
A
) x
BC
(u
B
u
C
) e
B
E
loc
, (2.12b)
m
C
u
C
=
AC
(u
C
u
A
) (1 x)
BC
(u
C
u
B
) e
C
E
loc
, (2.12c)
donde m
A
, m
B
, m
C
son las masas de A, B, C; u
A
, u
B
, u
C
representan los vectores
desplazamientos y
AB
,
BC
,
AC
son las constantes de fuerza interatmica entre
los primeros vecinos. Designando por e
A
, e
B
y e
C
las cargas de los distintos ele-
mentos constituyentes de la aleacin, la condicin de neutralidad del cristal exige
que
e
A
(1 x)e
B
xe
C
= 0 (2.13)
donde las dos cargas efectivas e
B
y e
C
se consideran como parmetros ajustables.
Con motivo de conectar el modelo MREI con las propiedades de transporte u p-
ticas, se debe encontrar las expresiones del campo de polarizacin y aplicar el for-
malismo de Born-Huang para hallar el Hamiltoniano de Frhlich correspondiente.
Para los fonones pticos transversales de longitud de onda grande, se puede utilizar
la aproximacin E 0. Entonces, el campo de polarizacin viene dado por
P = N[e
A
u
A
(1 x)e
B
u
B
xe
C
u
C
] +NE
loc
(2.14)
donde N es la densidad de pares de iones. La polarizabilidad electrnica est
relacionada con la constante dielctrica a alta frecuencia a travs de la frmula de
Clausius-Mossoti [2]
4
3
N =

+ 2
. (2.15)
Realizando el cambio de variables w
1
= u
A
- u
B
y w
2
= u
A
- u
C
y utilizando
la ecuacin (2.15), se puede combinar las ecuaciones MREI (2.12a)-(2.12c) en un
4
En una aleacin ternaria AB
1x
C
x
, se denominan end-materiales (materiales extremos) a los
compuestos binarios con x = 0 (AB) y x = 1 (AC). A lo largo del texto, utilizamos el trmino
"material antrin"para describir el material receptor de la impureza, en el caso de la aleacin
AB
1x
C
x
, el antrin es el material AB.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
18 Captulo 2. Interaccin Electrn-Fonn: Conceptos bsicos
sistema de dos ecuaciones;
w
1
=
_
(1 x)

AB
m
A

AB
m
B
x

BC
m
B
_
w
1

_
x

AC
m
A
x

BC
m
B
_
w
2
(2.16a)
w
2
=
_
x

AC
m
A

AC
m
C
(1 x)

BC
m
C
_
w
2
(1 x)
_

AB
m
A

BC
m
C
_
w
1
(2.16b)
siendo

AB
=
AB

4
3
Ne
A
e
B
(

+ 2
3
) (2.17a)

AC
=
AC

4
3
Ne
A
e
C
(

+ 2
3
) (2.17b)

BC
=
BC
+
4
3
Ne
B
e
C
(

+ 2
3
) (2.17c)
donde N y

dependen linealmente de la composicin segn las leyes


N = (1 x)N
AB
+xN
AC
(2.18)

= (1 x)
,AB
+x
,AC
. (2.19)
Aqu, N
AB
y N
AC
denen las densidades de compuestos AB y AC, mientras que

,AB
y
,AC
representan sus constantes dielectricas a alta frecuencia. Si se supone
que las soluciones de las ecuaciones (2.16a)-(2.16b) se escriben en trminos de onda
plana; w
1
= A
1
e
it
y w
2
= A
2
e
it
para q 0, las frecuencias propias pueden
ser determinadas a partir de la ecuacin

4
(K
1
+K
2
)
2
+ (K
1
K
2
K
12
K
21
) = 0 (2.20)
donde
K
1
= (1 x)

AB
m
A
+

AB
m
B
+x

BC
m
B
(2.21a)
K
2
= x

AC
m
A
+

AC
m
C
+ (1 x)

BC
m
C
(2.21b)
K
12
= x

AC
m
A
x

BC
m
B
(2.21c)
K
21
= (1 x)

AB
m
A
(1 x)

BC
m
C
. (2.21d)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
2.1 Fonones pticos 19
En el caso de fonones LO, la determinacin de las frecuencias propias se hara de
forma anloga al caso de los fonones TO, sin ms que usar la relacin de Lorentz
relativa a los modos LO. Mediante la misma ecuacin que los fonones TO [ec. (2.20)]
se calculan las frecuencias propias, siendo las constantes de fuerza

reemplazadas
por

AB
=
AB
+
8
3
Ne
A
e
B
_

+ 2
3
_
(2.22a)

AC
=
AC
+
8
3
Ne
A
e
C
_

+ 2
3
_
(2.22b)

BC
=
BC

8
3
Ne
B
e
C
_

+ 2
3
_
. (2.22c)
La solucin de la ecuacin (2.20) exige que las constantes de fuerza cumplan unas
condiciones de contorno que se obtienen resolviendo la ecuacin de auto-valores
(2.20) para x = 0 y para x = 1. Estas condiciones conducen a la existencia de los
modos gap (x = 0) y los modos locales (x = 1) (ver Apndice A). En la gura 2.1,
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
200
240
280
320
360
TO InAs
LO InAs
TO InP
LO InP
InP
1-x
As
x


(
c
m
-
1
)
Contenido de Arsenio (x)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
240
400
450
TO GaAs
LO GaAs
TO AlAs
LO AlAs
Ga
x
Al
1-x
As

(
c
m
-
1
)
Contenido de Galio (x)
Figura 2.1. Dependencia de los fonones pticos con la composicin en las
aleaciones Ga
x
Al
1x
As e InP
1x
As
x
.
se representan las frecuencias de los fonones pticos en funcin de la composicin
para las aleaciones de Ga
x
Al
1x
As y InP
1x
As
x
. En ambas aleaciones, la masa
del in sustituido (Al en el caso de Ga
x
Al
1x
As y P en el caso InP
1x
As
x
) es
inferior a la masa reducida del compuesto formado por los dos materiales restantes.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
20 Captulo 2. Interaccin Electrn-Fonn: Conceptos bsicos
Como consecuencia, se observan dos modos distintos de fonones que asociamos a los
llamados end materials para los dos ternarios. Adems, m
Ga
>
AlAs
y m
As
>
InP
.
Los dos criterios de masa (ver apndice A.) se cumplen, lo que da lugar a la existencia
de los modos local y gap en los dos extremos de las aleaciones estudiadas. Existen
otros tipos de aleaciones para los que los modos fonnicos presentan un solo modo.
Es el caso de aleaciones de tipo In
x
Ga
1x
N o Al
x
Ga
1x
N donde el nitrgeno inuye
mucho en los modos de vibracin. En efecto, la masa atmica de N es inferior a la
de Al, In o Ga, por lo que las masas reducidas de AlN, InN o GaN sern del mismo
orden de magnitud. Debido a la poca diferencia entre las masas reducidas de los end-
materials en las aleaciones de nitruro, las energas de los fonones son ms prximas
en ambos compuestos, lo que destruye el comportamiento de dos modos para los
fonones. La inexistencia de dos modos implica que no existe ni modo local ni modo
gap en estos ternarios. Adems de los casos considerados anteriormente, existen
sistemas para los que los modos de vibracin tienen un comportamiento mixto.
Este es el caso del ternario Ga
x
In
1x
As. Para esta aleacin, se tiene m
Ga
>
InAs
y m
In
>
GaAs
. Los criterios que gobiernan la existencia de modos mixtos, an
no estn claros. En la tabla 2.1, las constantes dielctricas vienen expresadas con
Tabla 2.1. Parmetros ms utilizados en nuestros clculos: las frecuencias
estn expresadas en cm
1
y las masas efectivas, con respecto a la masa del electrn.
Los valores han sido extrados de referencas bilbiogrcas [11, 12]


0

LO

TO
m

e
a ()
AlAs 8.16 10.06 404.1 360.4 0.15 5.6611
GaAs 10.89 13.18 292.0 268.7 0.067 5.6419
InAs 11.7 15.15 241.0 218.0 0.023 6.0784
InP 12.61 9.61 345.0 303.7 0.073 5.8687
respecto a la constante de vaco.
2.2. El Hamiltoniano de Frhlich
En este apartado, se expondr de forma breve cmo se consigue el Hamiltonia-
no de Frhlich. En la sub-seccin 2.1.1 ya hemos adelantado que el formalismo de
Born-Huang relaciona los campos de desplazamiento con el potencial electrosttico
, que a su vez interacta con los electrones a travs del acoplo de Frhlich. Con
frecuencia, en la literatura sobre el estudio del polarn aparecen unos Hamiltonianos
denidos en trminos de operadores de creacin y de aniquilacin. Por este motivo,
el formalismo que aqu describimos seguir esta regla. En los materiales volmicos,
partiendo de las ecuaciones de Maxwell para los fonones pticos, se puede compro-
bar que las transformadas de Fourier (T.F.) del vector campo de polarizacin y del
campo elctrico se escriben como
.D(r) = .(
0
E(r) +P(r)) = 0 E(q) = P(q)/
0
(2.23)
(r) = E(r) iq(q) = E(q). q (2.24)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
2.2 El Hamiltoniano de Frhlich 21
De ah, que el potencial electrosttico se escribe en trminos de la amplitud del
vector campo de polarizacin
iq(q) = q.P(q)/
0
(2.25)
donde q es un vector unitario en la direccin del vector de onda del fonn. En trmi-
nos microscpicos, q.P(q) representa la polarizacin dipolar en caso de q pequeo
P(q) P
dipolo
, entonces
q.P
dipolo
=
e

LO
u. q

(2.26)
donde e

LO
es la carga efectiva dipolar asociada con el fonn ptico longitudinal.
Usando la bien conocida relacin de Lyddane-Sachs-Teller, se obtiene que
(e

LO
)
2
=
0

2
LO
_
1

_
(2.27)
donde
s
es la constante dielctrica esttica, y

es la constante dielctrica a alta


frecuencia.
La ecuacin (2.27) nos proporciona la relacin entre la carga efectiva y los
parmetros experimentales que son las constantes dielctricas (
s
,

), la masa re-
ducida () y la frecuencia LO del material. Escribiendo el desplazamiento inico en
trminos de sus modos propios, u = q (b
q
e
iq.r
+ b
+
q
e
iq.r
), y el hecho de que el Ha-
miltoniano de interaccin electrn-fonn sea igual a H
eph
= e(q), se comprueba
que el Hamiltoniano de interaccin electrn-fonn toma la forma
H
eph
= ie

_
1

LO

q
1
q
_
b
q
e
iq.r
+b
+
q
e
iq.r
_
(2.28)
El Hamiltoniano de la ecuacin (2.28), junto con los Hamiltonianos del electrn
libre y de los fonones libres, constituye el punto de partida para el estudio de los
polarones, al cual se puede aadir otros efectos como
El potencial de connamiento de los portadores de carga;
El potencial de interaccin electrn-hueco en los estudios de fotoluminiscencia;
Los efectos de tensiones, a travs de la presin hidrosttica;
Los efectos de fonones acsticos, etc ...
La complejidad del problema crece con el nmero de trminos aadidos. A conti-
nuacin, se expondrn dos tcnicas para resolver el Hamiltoniano de Frhlich para
el caso de material bulk. Las aplicaciones al estudio de puntos cunticos se darn
en el captulo 5.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
22 Captulo 2. Interaccin Electrn-Fonn: Conceptos bsicos
2.2.1. Mtodo perturbativo y auto-energa del polarn
Los semiconductores III-V presentan una constante de Frhlich inferior a 1,
de modo que las energas del polarn se pueden calcular utilizando el mtodo per-
turbativo. De forma genrica y para simplicar las notaciones, podemos escribir el
Hamiltoniano total del sistema electrn-fonn como
H
tot
=

2
2m
e

2
+

a
+
q
a
q
+

q
(V

q
e
iq.r
a
q
+H.c), (2.29)
donde
V
q
= i
_

q
__
4
V
_
1/2
_

2m
e

_
1/4
, (2.30)
y
=
_
e
2
2

__
2m
e

_
1/2
_
1

0
_
(2.31)
es la constante de Frhlich. Mediante la teora de perturbaciones, el Hamiltoniano
total se puede descomponer en los trminos
H = H
0
+H
1
, (2.32)
con
H
0
=

2
2m
e

2
+

a
+
q
a
q
, (2.33)
y
H
1
=

q
_
V

q
e
iq.r
a
q
+H.c.
_
, (2.34)
que se supone pequeo y, por tanto, sus efectos podrn ser analizados por teora
de perturbaciones. Los estados del sistema electrn-fonn son funciones propias del
momento del electrn y del nmero de fonones; es decir, la funcin de onda del
sistema se escribe como
[k) =
el
[ n). (2.35)
El estado no perturbado de este sistema corresponde al estado fundamental del
electrn en el que ningn fonn ha sido excitado, es decir sin la presencia de fono-
nes, i.e. [k) =
el
[ 0). La teora de perturbaciones aplicada al estado fundamental
reproduce todos los estados con un fonn en la nube de electrones. El elemento de
matriz involucrado en esta teora es nulo, de modo que la correccin de energa no
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
2.2 El Hamiltoniano de Frhlich 23
es de primer orden. Por tanto, la primera contribucin a la correccin de energa
provendr de la perturbacin en segundo orden, la cual se determina como
E
2
=

i
0[H
1
[i)i[H
1
[0)
E
0
E
i
, (2.36)
donde [i > es un estado intermedio caracterizado por el momento P=p - q; siendo
E
i
su energa dada por
E
i
=
(p q)
2
2m
e
+

. (2.37)
Si adems suponemos que el momento lineal p es sucientemente pequeo, el
denominador de la ecuacin (2.36) puede ser desarrollado en serie de p. Al denir
el estado fundamental por una onda plana, como suele ocurrir muchas veces, se
comprueba que la energa del polarn viene expresada por [13] (ver Apndice B)
E
2
=

+
p
2
2m

pol
, (2.38)
donde m

pol
= m
e
(1/6)
1
es la masa efectiva del polarn; siendo la constante de
Frhlich. Se obtiene que el electrn conlleva la polarizacin de la red y conduce a que
la masa efectiva del polarn sea superior a la del electrn en estado no perturbado.
2.2.2. Los mtodos variacionales y auto-energa del polarn
El mtodo perturbativo es vlido para un sistema electrn-fonn donde la dife-
rencia en energa de los estados electrnicos es inferior a la energa del fonn, lo que
corresponde a un acoplamiento dbil entre el electrn y el fonn. Este acoplo puede
cambiar por ejemplo bajo los efectos de un campo elctrico o un campo magntico.
Tambin, existen materiales cuya interaccin electrn-fonn es fuerte. Los mtodos
variacionales se han revelado como los ms poderosos a la hora de evaluar los espec-
tros de energa tanto para el acoplamiento dbil como para el acoplamiento fuerte.
Estos mtodos tratan de calcular las energas mediante un funcional a minimizar
con respecto a un parmetro bien elegido segn el problema. Despus de una serie
de transformaciones cannicas en el Hamiltoniano, ste se modica de modo que el
momento lineal del polarn sea una constante de movimiento.
Existen algunas variantes de los mtodos variacionales para la resolucin del
Hamiltoniano de Frhlich. En nuestro caso, comentaremos slo el mtodo de Low,
Lee y Pines (LLP) porque es el que trata tanto el acoplamiento dbil como el
acoplamiento fuerte
5
.
5
El mtodo LLP ha sido tradicionalmente utilizado para los casos de 1 < < 5; pero en la
actualidad, se ha comprobado que este mtodo se aplica con xito a los casos de acoplo dbil.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
24 Captulo 2. Interaccin Electrn-Fonn: Conceptos bsicos
Mtodo de Low, Lee y Pines
Para tratar los casos de acoplamiento intermedio entre electrn y fonn, Low,
Lee y Pines [13, 14] han considerado el polarn como una distribucin de carga
extendida sobre una distancia del orden de (/m
e
)
1/2
. En efecto, la emisin de
un fonn provoca un movimiento hacia atrs del electrn, de modo que el momento
lineal total del sistema se trata como una constante de movimiento. Para tener
en cuenta el momento total del polarn, se aplica una transformacin unitaria al
Hamiltoniano de Frhlich
H

= U
1
HU, (2.39)
donde el operador U es
U = Exp
_
i

q
a
+
q
a
q
_
. (2.40)
As, el Hamiltoniano queda transformado en
H

=
_
p

q
q a
+
q
a
q
_
2
2m
e
+

a
+
q
a
q
+

q
_
V

q
a
q
e
iq.r
+V
q
a
+
q
e
iq.r
_
. (2.41)
Esta transformacin permite eliminar los operadores relativos al electrn dentro del
Hamiltoniano de Frhlich. Se ha comprobado que esta transformacin no modica
la fsica del problema, puesto que el Hamiltoniano de Frhlich es invariante frente a
las operaciones de traslacin y de rotacin. La segunda etapa consiste en aplicar una
segunda transformacin S al Hamiltoniano transformado, de modo que el polarn
se trate como una distribucin de carga extendida. El Hamiltoniano de Frhlich se
transforma en e
S
H

e
S
, donde
S =

q
_
V
q

a
q

a
+
q
_
, (2.42)
donde

q
=
1
e
_
(r)e
iq.r
dr, (2.43)
representa la transformada de Fourier de la densidad de carga y se considera como
un parmetro variacional a determinar. La energa se halla minimizando el Hamil-
toniano transformado, entre los estados fundamentales, es decir
0[e
S
H

e
S
[0) = 0. (2.44)
Aplicando esta segunda transformacin y despus de un poco de lgebra (ver
Apndice B), se obtiene la expresin siguiente
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
2.3 Polarn y propiedades pticas 25
0

e
S
H

e
S

0) =

2
K
2
2m
e
+

q
(V
q
f
q
+V

q
f

q
) +

2
2m
e
_
[f
q
[
2
q
_
2
+

q
[f
q
[
2
_

q.K
m
e
+

2
q
2
2m
e
_
(2.45)
con f
q
=
V

.
Por tanto, el sistema electrn-fonn queda denido por el momento lineal
total K y una funcin de onda transformada [

N) = e
S
[N), donde N es el nme-
ro de fonones. En otras palabras, el estado del sistema electrn-fonn es [

N
ph
) =
e
iK.r
[N)/
1/2
, siendo el volumen del cristal. El mnimo de la energa se alcanza
cuando
V
q
+f

q
_

q.K
m
e
+

2
q
2
2m
e
+

q
[f
q
[
2
q.q/
_
= 0. (2.46)
En el apndice B, deduciremos la expresin de f
q
y obtendremos la expresin de la
masa del polarn. Finalmente, la energa viene expresada por
E = +
K
2
2m

e
_
1 +

6
_
1
. (2.47)
La ecuacin anterior es similar a la expresin (2.38) obtenida por mtodos pertur-
bativos; lo que conrma la validez de las transformaciones realizadas.
En el captulo 5, nos dedicaremos a la resolucin del Hamiltoniano de Frhlich
para las tres geometras de puntos cunticos que hemos elegido. Tambin se discutir
la validez de las distintas soluciones que se proponen.
2.3. Polarn y propiedades pticas
Uno de los temas clave de nuestro trabajo consiste en estudiar cmo el polarn
afecta a las propiedades pticas. Por ello, es preciso anunciar a partir de aqu las
grandes lneas que vamos a desarrollar a lo largo de esta tesis. Siguiendo la misma
tendencia que hemos diseado desde el principio, nos dedicaremos a calcular la
correccin ene energa de los polarones en tres geometras de puntos cunticos,
dado que este estudio servir de base para la determinancin de algunos parmetros
pticos como coecientes de Huang-Rhys y coeciente de absorcin entre otros.
De entrada, es necesario precisar que para el clculo de los coecientes ante-
riormente mencionados, el tratamiento de la interaccin de la luz con la materia
utiliza la regla de oro de Fermi que determina la transicin entre los estados. En
un sistema electrn-fonn, la probabilidad de que una transicin de un electrn del
estado [i) al estado [f) est acompaada de una emisin o una absorcin de un fonn
viene determinada por
W =
2

[f[H
int
[i)[
2
(E
f
E
i
). (2.48)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
26 Captulo 2. Interaccin Electrn-Fonn: Conceptos bsicos
En este caso, H
int
es el Hamiltoniano de Frhlich que hemos descrito anteriormente.
Cuando un punto cuntico es perturbado por un campo electromagntico ex-
terno (por ejemplo la luz lser), se crean pares electrn-hueco que se propagan en
presencia de la interaccin coulombiana y del potencial de connamiento. Tanto los
electrones como los huecos pueden polarizar su entorno, por lo que los espectros
electrnicos se ven afectados por la interaccin excitn-fonn. En este ltimo ca-
so, el Hamiltoniano de interaccin de la ecuacin (2.48), representa la interaccin
excitn-fonn. Es este el Hamiltoniano que se suele usar para calcular el factor de
Huang-Rhys. Si por el contrario se quiere estudiar el efecto de un campo magntico
aplicado, es preciso usar el Hamiltoniano
H
int
=
e
mc
p.A(r) (2.49)
donde p es el momento del electrn y A es el potencial vector. De la probabilidad de
transicin con un Hamiltoniano de interaccin apropiado, se puede deducir muchos
otros parmetros fsicos como son el tiempo de relajacin, el coeciente de absorcin,
etc...
2.4. Conclusin
En este captulo, hemos querido resumir los distintos formalismos tericos que
vamos a usar a lo largo de este trabajo. Los modos de fonones de intercara son de
mxima importancia para apreciar el efecto de geometra de los puntos cunticos.
El efecto de estos fonones de intercara se determinar a travs de las correcciones
de energa. Tambin, hemos resaltado la importancia de la forma geomtrica en
la resolucin del Hamiltoniano electrn-fonn (Hamiltoniano de Frhlich), puesto
que la topografa juega un papel importante en los niveles de energa, como lo han
demostrado Kumagai y Ohno [15]. Adems, los niveles de energa son de extrema
importancia cuando se quiere estudiar los espectros pticos. Cabe sealar que en
los clculos de coeciente de absorcin o de coeciente de Huang-Rhys mediante la
regla de oro de Fermi, es preciso determinar las energas del estado fundamental,
as como los correspondientes a los niveles intermedios que aparecen en el trmino
de conservacin de energa.
Al mismo tiempo, hemos presentado un clculo de los modos fonnicos en
las aleaciones, como una herramienta para apreciar la importancia del efecto de la
composicin, ya que sirve en lo que se llama "ingeniera de banda en las heteroes-
tructuras", debido a que es una de las formas ms utilizadas para variar la profun-
didad de los potenciales de connamiento en las heteroestructuras. En los captulos
siguientes, utilizaremos las teoras desarrolladas en este captulo, adaptndolas al
problema dado.
Existen otros mtodos para estudiar, tanto los niveles de energa como los
modos fonnicos en las heteroestructuras de baja dimensionalidad. Como en los
casos de los materiales volmicos, hay autores que han utilizado un tratamiento
atomstico para calcular los modos fonnicos y los niveles de energa en las hete-
roestructuras semiconductoras [16]. Estos mtodos estn fuera de nuestro objetivo,
puesto que queremos estudiar el efecto de geometra, que no se encuentra discutido
en los mtodos atomsticos.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Bibliografa
[1] M. Born and K. Huang. Dynamical Theory of Crystal Lattices. University
Press, Oxford, UK, 1958.
[2] Neil W. Ashcroft and N. David Mermin. Solid State Physics. Saunders College
Publishing, New York, USA, 1976.
[3] R. Enderlein. Phys. Rev. B, 43(18), 1991.
[4] S. Adachi. Properties of Aluminium Gallium Arsenide. INSPEC, The Institu-
tion of Electrical Engineers, London, UK, 1993.
[5] P. Bhattachraya. Properties of Lattice-Matched and Strained Indium Gallium
Arsenide. London, UK, 8093.
[6] S.C. Jain, M. Willander, K. Pinardi and H.E. Maes. Physica Scripta, T69:65,
1997.
[7] C. Trallero-Giner, R. Prez-Alvarez and F. Garca-Moliner. Long Wave Polar
Modes in Semiconductor Heterodtructures. Pergamon, Kidlington, UK, 1992.
[8] C. Trallero-Giner, F. Garca-Moliner, V.R. Velasco and M. Cardona. Phys.
Rev. B, 45:1194, 1994.
[9] M.H. Chen and N. Tzoar. Phys. Rev. B, 5(2):233, 1972.
[10] I. F. Chang and S.S. Mitra. Phys. Review, 182:924, 1968.
[11] O. Madelung, M. Schuktz and H. Weiss. Semiconductors:Physics of Group IV
Elements and III-V Elements. Landolty-Bornstein, London, UK, 1982.
[12] G. Zanelatto, Yu A. Pusep, N.T. Moshegov, A.I. Toropov, P. Basmaji and J.C.
Galzerani. J. Appl. Phys., 86:4387, 1999.
[13] J.T. Devreese. Polarons in Ionic Crystals and Polar Semiconductors. North
Holland Publishing Company, Amsterdam, 1972.
[14] T.D. Lee, F.E. Low and D. Pines. Phys. Review, 90:1383, 1953.
[15] M. Kumagai and T. Ohno. Solid State Comm., 83:837, 1992.
[16] A. Zunger and Williamson. Phys. Rev. B, 59:685, 2000.
27
28 BIBLIOGRAFA
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Captulo 3
Fonones de intercara en
puntos cunticos
La intercara entre dos materiales es de una importancia capital en los semi-
conductores. Su papel se pone de maniesto en las zonas de acumulacin de carga
entre un semiconductor y un aislante, donde la funcin de onda del portador de car-
ga penetra dbilmente en el aislante. Tambin en las heteroestructuras formadas a
partir de materiales con un desajuste apreciable en los parmetros de red, se puede
observar la aparicin de tensin en la intercara entre el substrato y el material de-
positado. Estas tensiones afectan tanto a los niveles de energa como a los modos de
vibracin de fonones en las heteroestructuras. El inters en los estudios de fonones
ha crecido desde que se descubri que en un gas bidimensional de electrones, los
fonones de intercara pueden provocar un scattering de los portadores en las regiones
cercanas a la intercara, del mismo orden de magnitud que el scattering originado
por los fonones bulk. Ponomarev y colaboradores [1] describieron las oscilaciones
de la magneto-resistencia en una heteroestructura de GaAs/Al
x
Ga
1x
As como re-
sultado de la resonancia magneto-fonnica cuyo origen es la interaccin entre el
gas bidimensional de electrones con los modos trmicamente excitados de fonones
acsticos en la intercara.
En el captulo anterior, se ha demostrado que a los fonones pticos se les puede
asociar un campo local, que a su vez est relacionado con el potencial electrosttico
a travs de la ecuacin de Laplace. Tambin hemos visto que la extensin del mo-
delo DC a heteroestructuras recomienda que se tenga en cuenta las condiciones de
contorno en la intercara. La razn fsica es que la polarizacin supercial en la in-
tercara entre los medios que constituyen la heteroestructura modica la interaccin
coulombiana entre los electrones y los iones. De este modo, se comprueba que los
fonones de intercara dependen de la simetra del problema y del tamao del punto
cuntico. Los puntos cunticos tienen diversas formas que van desde las cbicas
hasta las piramidales, pasando por las esfricas y cilndricas. En este captulo, nos
centramos en los efectos de la geometra del punto cuntico en los modos de fonones
a la intercara de dicha heteroestructura. Trataremos de aplicar el modelo DC en los
casos de tres geometras tpicas de puntos cunticos que aparecen frecuentemente
en la literatura y calcular las frecuencias de intercara.
A lo largo de este captulo, supondremos que el punto cuntico de funcin
dielctrica
1
(), o bien se encuentra enterrado en un substrato semiconductor de
funcin dielctrica
2
() que acta de barrera para los portadores de carga o bien
est rodeado de vaco, caso para el que
2
() = 1. Para el primer caso, hablaremos
de heteroestructura de punto cuntico, mientras que en el segundo caso utilizaremos
29
30 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
la expresin punto cuntico aislado, (free-standing quantum dots). Adems, asumi-
remos que las funciones dielctricas no dependen del vector de onda del fonn, por
lo que se despreciar los efectos de retardo. Por ltimo, admitimos que no existe
carga libre dentro del punto cuntico, de modo que el potencial electrosttico es
solucin de la ecuacin de Laplace.
3.1. Modos de vibracin en puntos cunticos
esfricos
Partiendo de la expresin del Laplaciano en coordenadas esfricas, podemos
escribir la solucin de la ecuacin de Laplace en la forma
(r, , ) =
_
(
r
R
)
l
Y
lm
(, ) r R
(
R
r
)
l+1
Y
lm
(, ) r > R
(3.1)
donde Y
lm
(, ) con m = - l,...,l son los armnicos esfricos, y R
0
es el radio de la
esfera. Aplicando las condiciones de contorno electrostticas, se obtiene

1
()

2
()
= 1
1
l
; l = 1, 2, 3... (3.2)
donde
i
() (i=1,2) satisface la relacin (2.4). Por otra parte, si en (3.2) sustituimos
() por la ecuacin (2.4), obtenemos un polinomio de cuarto grado, cuya solucin
proporciona las frecuencias de intercara en trminos de
LO
y
TO
de los materiales
bulk constituyentes de la heteroestructura y del parmetro l. Por tanto, se puede
armar que, en esta aproximacin, las frecuencias de fonones de intercara no de-
penden del tamao de la esfera, ni tampoco del nmero cuntico m. Esto se debe
al carcter istropo de la simetra esfrica. En la tabla 3.1, presentamos los valo-
res calculados de frecuencias de intercara para algunas heteroestructuras de puntos
cunticos. Como se podra esperar, los valores de frecuencia
IF
estn comprendi-
dos entre las frecuencias TO y LO de los distintos compuestos. Adems, a medida
que l aumenta, las frecuencias asociadas a los modos de tipo dot crecen, mientras
las de tipo-barrera disminuyen, obtenindose as una convergencia hacia los valo-
res de frecuencias de intercara de dos lminas planas, (l ). En la gura 3.1,
se muestra la dependencia de las frecuencias de intercara con el nmero cuntico l
para puntos cunticos de InAs/GaAs e InAs/GaAs. En ambos casos se observa la
tendencia anteriormente descrita: disminucin de los valores de
IF
para los modos
barrera a medida que aumenta l y aumento de los valores
IF
para los modos dot.
Esta tendencia ha sido corroborada por Pusep y colaboradores [2] en las medidas de
Raman. Estos autores han observado que, en los puntos cunticos de InAs/GaAs,
para los modos de tipo barrera (GaAs), las frecuencias de intercara de mayor ndice
tienen valores menores, sin embargo, no comentan sobre los posibles modos de inter-
cara asociados al InAs. Pero, en este mismo trabajo, aparece otro tipo de fonones,
cuyas frecuencias se sitan entre los valores lmites de fonones pticos de InAs y
los de GaAs. Por otro lado, Knipp y Reinecke [3], atribuyen la ausencia de modos
de intercara de tipo dot para l = 0, a la conservacin de carga. Por tanto, slo
un modo de intercara de tipo-barrera puede existir en este caso. La independencia
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.1 Modos de vibracin en puntos cunticos esfricos 31
de las frecuencias de intercara con el tamao ha sido observada en las superredes
de CdS/ZnSe [4]. Estos autores distinguen los modos de intercara extendidos del
nico modo de intercara puro. Los primeros estn comprendidos entre los modos
acsticos y los modos pticos de las superredes, mientras que el segundo es de na-
turaleza ptica. Este ltimo no cambia con el aumento del nmero de monocapas
en las superredes de CdS/ZnSe y es atribuido al par Zn-S en la cadena atmica de
la superred.
Tabla 3.1. Frecuencias de fonones de intercara (
IF
) en puntos cunticos
esfricos en el formalismo DC clsico. El parmetro l es un buen nmero cuntico
y los valores de
IF
se expresan en cm
1
.
l =1 l =2
Materiales
IF
tipo dot
IF
tipo barrera
IF
tipo dot
IF
tipo barrera
InAs/GaAs 224.7 286.0 226.0 284.6
GaAs/AlAs 275.5 389.0 277.4 386.1
InAs/InP 225.1 331.7 226.0 329.0
0 2 4 6 8 10
224
226
228
282
284
286
288
0 2 4 6 8 10
224
226
228
326
328
330
332
334


(
c
m
-
1
)
l (numero cuntico orbital)
(b) InAs/GaAs


(
c
m
-
1
)
l (numero cuntico orbital)
(a) InAs/InP
Figura 3.1. Dependenca de las frecuencias de intercara con el nmero
cuntico orbital para puntos cunticos esfricos.
En el marco del modelo hidrodinmico, varios autores [5, 6] han demostrado
que los fonones totalmente connados presentan una dependencia con el radio de la
esfera. Adems, existe la posibilidad de que los modos connados se acoplen a los
modos de intercara. En efecto, para calcular los modos de vibracin en el modelo
fenomenolgico estos autores resolvieron las ecuaciones de Helmholtz [6] para dos
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
32 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
funciones auxiliares y denidas como = .u y = u, donde u representa
el campo de desplazamiento relativo de los iones. Aplicado al caso de la esfera, el
potencial electrosttico fue expresado como
(r, , ) = Y
lm
(, )
_

4
1

1,
Q
2
LO,1
A
1
j
l
(Q
LO,1
r) +C
1
r
l
r R

4
2

2,
Q
2
LO,2
A
2
h
l
(Q
LO,2
r) +C
2
r
l1
r > R
(3.3)
donde
i
, i =1,2 es el coeciente de acoplo entre el campo elctrico y el campo de
desplazamiento, denido en el captulo 2, mientras
Q
2
LO,i
=

2
LO,i

2
LO,i
; i = 1, 2. (3.4)
A
1
, A
2
, C
1
y C
2
son constantes que se determinan tras aplicar las condiciones de
contorno y los criterios de normalizacin del vector campo de polarizacin, mientras
j
l
y h
l
son las funciones de Bessel y de Hankel esfricas, respectivamente. Partiendo
de la ecuacin de movimiento (2.7), se puede comprobar que al aplicar el operador
rotacional, y despus de realizar algunas operaciones algebricas, se obtiene
(
2
+Q
2
TO
) = 0 (3.5)
donde
Q
2
TO,i
=

2
TO,i

2
TO,i
; i = 1, 2. (3.6)

2
LO,i
y
2
TO,i
tienen el mismo signicado que en el captulo 2. La solucin de la
ecuacin de Helmoltz (3.5) no es del todo sencilla para algunas geometras. Aqu nos
limitamos a dar las soluciones en coordenadas esfricas. Para r R
0
, las soluciones
son
u
1
=
_

A
1
Q
2
LO
d
dr
(j
l
(Q
LO
r)) +
B
1
l(l + 1)
rQ
2
TO
j
l
(Q
TO
r)

C
1
l

2
TO
Q
2
TO
lr
l1
_
Y
lm
(, ), (3.7a)
u
2
=
D
1
Q
TO
_
l(l + 1)j
l
(Q
TO
r), (3.7b)
u
3
= i
_
l(l + 1)
r
_


1
C
1

2
TO
Q
2
TO
r
l

A
1
Q
2
LO
(j
l
(Q
LO
r))
_
+
B
1
Q
2
TO
d
dr
(rj
l
(Q
TO
r))
_
(3.7c)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.1 Modos de vibracin en puntos cunticos esfricos 33
donde las constantes A
1
, B
1
, C
1
y D
1
estn determinadas por las condiciones de
contorno electrostticas. Para la solucin fuera del dot; r > R; basta sustituir r
l
por r
l 1
y j
l
por h
l
en las ecuaciones (3.7a)-(3.7c). Al aplicar las condiciones
(2.10a)-(2.10c), se obtiene dos tipos de modos: los modos desacoplados y los modos
acoplados. Con la condicin u[
R
= 0 para u
2
, se obtiene
j
l
(Q
TO
R =
n
) = 0; n = 1, 2, ... (3.8)
donde
n
es la n-sima raz de la funcin de Bessel j
l
. De (3.6) y (3.8), se deduce
los modos transversales cuyas frecuencias estn denidas por

2
=
2
TO

2
TO
_

n
R
_
2
. (3.9)
Debido a su carcter puramente transversal, estos modos no estn asociados con
ningn potencial electrosttico [6, 7]. Las soluciones de u
2
= 0 estn totalmente
desacopladas de las otras dos componentes u
1
y u
3
; por tanto, los modos fonnicos
correspondientes son tambin desacoplados. Los modos acoplados se obtienen apli-
cando las condiciones de contorno sobre las otras dos componentes de u
1
y u
3
. De
esta manera, se halla un sistema de ecuaciones lineales para las constantes A
1
, B
1
,
C
1
y C
2
. La ecuacin caracterstica de estos modos se puede escribir como
j

l
()F
l
() = l(l + 1)j
l
()G
l
(), (3.10)
donde
F
l
() =

2
LO

2
TO

2
TO
_
R

_
2
l[j

l
() lj
l
()] +
_

1,

2,
(l + 1) +l
_
[j

l
() +lj
l
()], (3.11a)
G
l
() =

2
LO

2
TO

2
TO
_
R

_
2

1,

2,
[lj
l
() j

l
()]
+
_
l +

1,

2,
(l + 1)
_
j
l
(), (3.11b)
con = Q
TO
R, = Q
LO
R. Para l = 0, la ecuacin secular (3.10) resulta

1,

2,
_
cos()
sen()

__
cos()
sen()

_
= 0 (3.12)
lo que implica
tan(
n
) =
n
; n = 1, 2, ... o tan(
n
) =
n
; n = 1, 2, ... (3.13)
La amplitud de vibracin viene expresada como
u(r) = Aj
1
(
n
r
R
)e
r
(3.14)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
34 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
cuyos modos de vibracin son puramente longitudinales, i.e;

2
=
2
LO

2
LO
(

n
R
)
2
. (3.15)
Para el caso lmite de R grande (, 1), la ecuacin caracterstica se reduce a
j

l
(Q
LO
R)j

l
(Q
TO
R)
_

2
LO

2
TO

2
LO
1
Q
TO
+Q
TO
_
l +

2,

1,
(l + 1)
__
= 0. (3.16)
De aqu, se deduce los modos de vibracin para los fonones de intercara,

2
=
2
TO

1,0
l +
2,
(l + 1)

1,
l +
2,
(l + 1)
. (3.17)
Como se puede ver, en el caso de radio grande, el modelo fenomenolgico conduce
a una conclusin similar a la obtenida en el formalismo DC clsico para los puntos
cunticos esfricos: las frecuencias de fonones de intercara no dependen del tamao
del punto cuntico, ni tampoco del nmero cuntico m. Sin embargo, para los puntos
cunticos aislados (free-standing quantum dots) cuyos modos transversales satisfa-
cen la relacin (3.13), los modos desacoplados son funcin del tamao de la esfera.
Esta dependencia ha sido observada en las medidas de Raman por Krauss [8] en
PbS y predicha tericamente por Trallero y colaboradores. Krauss y colaboradores
atribuyen el modo observado en PbS a la cuarta raz de la ecuacin trascendental
(3.13) para l = 0, o bien, al modo de supercie correspondiente a l 1 asumiendo
que el punto cuntico tiene una simetra esfrica. Sin embargo, estos autores conclu-
yen que los modos de supercie son independientes del radio del punto cuntico, lo
que conrmara la aproximacin de gran radio discutido en el modelo hidrodinmico
o las previsiones del modelo DC clsico. Adems de predecir la dependencia de los
modos desacoplados con las dimensiones del punto cuntico, el modelo hidrodin-
mico predice la existencia de los fonones de intercara de tipo dot o barrera para
l = 0, mientras el nico modo activo en el modelo DC clsico que corresponde a l
=0 es de tipo barrera [3]; por lo que en este ltimo modelo, los modos de intercara
requieren que l ,= 0. En efecto, en el modelo DC, slo el modo correspondiente a l
= 1 es pticamente activo y tiene una fuerza del oscilador diferente de cero. Esto
condujo a Rho y Jackson [9], mediante las medidas de Raman resonante, a atribuir
la frecuencia de 245 cm
1
observada en puntos cunticos de CdSe/ZnSe a un fonn
de intercara. Estos autores concluyen que el pico de 245 cm
1
, coincide con los
clculos tericos si se considera que l = 1 y que los puntos cunticos tienen una
simetra esfrica en el modelo DC clsico.
En la gura 3.2 se presentan las frecuencias de fonones connados en puntos
cunticos esfricos en el caso de la aplicacin de las condiciones de contorno mec-
nicas y electrostticas para l = 0 y n = 1. Las frecuencias de fonones connados
aumentan de manera montona con el radio de la esfera hasta saturar para valores
mayores de radio, quedndose por debajo de las frecuencias mximas del material
bulk. Este comportamiento ha sido tambin observado en los modos de fonones de
mayor simetra para un punto cuntico esfrico de InAs calculados por el mode-
lo VFFM (Valence Force Field Model ) [10]. Para los modos de baja simetra, las
frecuencias de fonones disminuyen a medida que aumenta el radio de la esfera. Al
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.1 Modos de vibracin en puntos cunticos esfricos 35
0,0 2,0 4,0 6,0 8,0 10,0
303,0
303,3
303,6
303,9
390
400
410
0,0 2,0 4,0 6,0 8,0 10,0
268,0
268,8
291,5
292,0
292,5
TO
LO
AlAs

(
c
m
-
1
)
Radio del punto cuntico (nm)
TO
LO


GaAs

(
c
m
-
1
)
Radio del punto cuntico (nm)
Figura 3.2. Dependencia de las frecuencias de los fonones connados con
el radio en los puntos cunticos esfricos de GaAs y AlAs segn el modelo hidrodi-
nmico para l = 0 y para la primera raz de la ecuacin transcendental.
Figura 3.3. Dependencia de las frecuencias de fonones de intercara con el
radio en los puntos cunticos esfricos de GaAs/AlAs segn el modelo hidrodinmico
para l = 1.[Ver Referencia [6]]
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
36 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
contrario de los resultados del modelo hidrodinmico, los autores de este trabajo
reproducen unos valores de frecuencias ms grandes que los valores lmites del ma-
terial volmico para radios mayores. En la gura 3.3, las frecuencias de fonones de
intercara presentan un acoplo entre los TO y los LO. Este acoplo ha sido corro-
borado en las medidas Raman por Krauss y Wise [11] en los puntos cunticos de
PbS crecidos sobre vidrio. Pese a las numerosas evidencias experimentales sobre la
existencia y el papel de los fonones de intercara en los puntos cunticos, los modelos
tericos discrepan unos de otros en cuanto a la determinacin exacta de los modos
activos en las heteroestructuras. Recientemente, los trabajos de Li y Arakawa [12]
contradicen los resultados del modelo hidrodinmico tal y como es aplicado por
Trallero-Giner y colaboradores, en cuanto a la existencia de los modos de intercara.
En efecto, en los trabajos de Trallero-Giner [13], y posteriormente los de Comas
[5], las condiciones de contorno mecnicas asemejan la intercara a una pared rgida,
lo que conduce a considerar las funciones dielctricas de ambos materiales, dot y
barrera, como constantes y no dependientes de las frecuencias de vibracin, sus-
tituyendo as las funciones dielctricas de cada material por sus valores lmites a
alta frecuencia. Sin embargo, utilizando las funciones dielctricas dependientes de
la frecuencia junto con las condiciones de continuidad de la componente normal de
la velocidad de vibracin, de la presin hidrosttica, del potencial elctrico y del
vector desplazamiento elctrico en la intercara, Li y Arakawa [12] concluyen que no
existen fonones de intercara en los puntos cunticos esfricos; por tanto, no puede
existir el acoplo entre los modos TO y los LO anunciado por Trallero y colabora-
dores y observado por Krauss. Al mismo tiempo, conrman la dependencia de los
fonones connados con el radio del punto cuntico. Al contrario de los resultados
del modelo hidrodinmico puro, en los trabajos de Li y Arakawa se deduce que el
nmero de modos connados es nito y disminuye con el momento angular l. Ade-
ms, estos autores establecen un criterio de existencia de los modos connados en
un punto cuntico esfrico.
Con motivo de poder comparar nuestros resultados y resaltar el efecto de la
geometra para los distintos parmetros que vamos a calcular a lo largo de esta
tesis, utilizaremos el modelo DC clsico cuando se trata de incorporar los fonones
de intercara en nuestros modelos.
3.2. Modos de vibracin en puntos cunticos
cilndricos
Consideramos un punto cuntico cilndrico de radio R
0
y de altura 2d enterra-
do en un substrato de un segundo semiconductor. Para facilidad de clculo, elegimos
un sistema de coordenadas como se indica en la gura 3.4, donde situamos el origen
de coordenadas en el centro del cilindro.
Utilizando la separacin de variables, la solucin de la ecuacin de Laplace en
coordenadas cilndricas , z, se escribe como
(r) = e
im
()Z(z). (3.18)
Debido a su simetra, la solucin de la ecuacin de Laplace en las bases inferior
y superior del cilindro es diferente de la solucin en la supercie lateral, lo que
indica que existen dos tipos de modos de fonones de intercara en esta geometra.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.2 Modos de vibracin en puntos cunticos cilndricos 37
z
x
y
R
0
2d
o
Figura 3.4. El esquema del punto cuntico cilndrico y denicin de los
parmetros utilizados en los clculos: R
0
es el radio del cilindro y d es la mitad de
su altura.
Para distinguir los dos tipos de solucin, los denominamos TSO (top-surface optical
modes) y SSO (side surface optical modes) de acuerdo con los trabajos de Li y Chen
[14] y extendidos al caso de heteroestructuras [15]. En este formalismo, la solucin
(3.18) para las bases superior e inferior, es decir para los modos TSO, viene dada
por
() =
_
J
m
(q) ( R
0
)
_
1
N
m
(qR
0
)
J
m
(qR
0
)
_
J
m
(q) +N
m
(q) ( > R
0
)
(3.19)
y
Z(z) =
_
_
_
A
+
e
qz
(z < d)
Acosh(qz) +Bsenh(qz) ([z[ < d)
A

e
qz
(z > d),
(3.20)
donde J
m
y N
m
son funciones de Bessel y de Neumann de orden m, respectivamente
[16]. Las constantes A, B, A
+
y A

se determinan tras aplicar las condiciones de


contorno electrostticas y la normalizacin de los campos de polarizacin. De la
aplicacin de las condiciones de contorno electrostticas en z = d, obtenemos
una relacin de dispersin
1
()/
2
() = - tanh(qd) para las soluciones simtricas
(
1
()/
2
()= - cotanh(qd) para las antisimtricas). En el caso de que
2
= 1,
recuperamos los resultados de Li y Chen, donde la relacin entre las frecuencias de
intercara, las constantes dielctricas del punto cuntico y la altura del mismo se
reduce a

=
2
TO
(
0
+ 1) (
0
1)e
2q

d
(

+ 1) (

1)e
2q

d
(3.21)
con los vectores de onda q

denidos por la ecuacin transcendental


2mJ
m
(q

R
0
)
q

R
0
= (1 e
2q

d
)J
m+1
(q

R
0
)
+
(1 e
2q

d
)J
m
(q

R
0
)[J
m+1
(q

R
0
) +N
m+1
(q

R
0
)]
J
m
(q

R
0
) +N
m
(q

R
0
)
(3.22)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
38 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
obtenida al aplicar las condiciones de contorno en = R
0
. Los signos +/- corres-
ponden a las soluciones simtricas y antisimtricas del potencial electrosttico. Para
el caso de una heteroestructura,
2
() ,= 1, el uso de la relacin (2.4) conduce a dos
relaciones bi-cuadrticas [15] entre las frecuencias y los parmetros de los materiales
_

+,

,
e
2q

d
_

_
(
+,

,
e
2q

d
)(
2
1,TO
+
2
2,TO
)
+

1
(1 +e
2q

d
)
2
1,TO
+

2
(1 e
2q

d
)
2,TO
_

2
+
_
(
+,

,
e
2q

d
)
+

1
(1 e
2q

d
) +

2
(1 e
2q

d
)
_

2
1,TO

2
2,TO
= 0 (3.23)
donde los signos +/ corresponden a los modos simtricos y antisimtricos, con

,
=
2,

1,
, y

i
=
i,0

i,
, i=1,2. La ec. (3.23) representa la ecuacin
trascendental de las frecuencias de los modos TSO para cualquier valor de m. Para la
supercie lateral, las soluciones simtrica y antisimtrica del potencial electrosttico
que denen los modos SSO vienen dadas por

+
(r) = D
+
I
m
(
n
2d
) cos(
nz
2d
)e
im
n = 2, 4, 6, ... (3.24a)

(r) = D

K
m
(
n
2d
)sen(
nz
2d
)e
im
n = 1, 3, 5, .... (3.24b)
Como en el caso TSO, las frecuencias de los modos SSO se calculan tras aplicar las
condiciones de contorno en z = d y en = R
0
. Entonces, para
2
= 1 se tiene que

2
SSO
= [1 +

0

]
2
TO
(3.25)
donde el parmetro se da por
=
I
m
(
n
2d
R
0
)
_
mK
m
(
n
2d
R
0
) (
n
2d
R
0
)K
m1
(
n
2d
R
0
)

K
m
(
n
2d
R
0
)
_
mI
m
(
n
2d
R
0
) + (
n
2d
R
0
)I
m+1
(
n
2d
R
0
)
. (3.26)
En el caso de heteroestructuras, obtenemos una relacin similar en la que se susti-
tuye por
1
()/
2
(). Al igual que en el clculo de los TSO, al aplicar las condiciones
de contorno para las heteroestructuras, se halla una ecuacin bi-cuadrtica,
_

1,
K
0
(R
0
) +
2,
I
0
(R
0
)K
1
(R
0
)
_

_
K
0
(R
0
)I
1
(R
0
)(
2
2,TO

1,
+
1,0

2
1,TO
) +I
0
(R
0
)K
1
(R
0
)(
2
2,TO

2,
+
2,0

2
1,TO
)
_

2
+
2
1,TO

2
2,TO

1,0
K
0
(R
0
)I
1
(R
0
) +
2,0
I
0
(R
0
)K
1
(R
0
)
_
= 0 (3.27)
donde = n/2d y cuya solucin nos proporciona los fonones de intercara para la
supercie lateral para el caso de m = 0. Para ilustrar nuestros clculos, aplicamos
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.2 Modos de vibracin en puntos cunticos cilndricos 39
el formalismo a tres puntos cunticos aislados: InAs, GaAs y AlAs, as como a dos
heteroestructuras de puntos cunticos InAs/GaAs y GaAs/AlAs. Adems, hemos
supuesto que los fonones ocupan el estado fundamental denido por m=0. Los pa-
rmetros fsicos utilizados se encuentran agrupados en la tabla 2.1. Para la altura
del punto cuntico, hemos jado el valor de 1.6 nm. En la gura 3.5 representamos
los fonones de intercara en dos puntos cunticos cilndricos aislados: AlAs e InAs
en funcin del radio del cilindro. Aunque no reproducido aqu, hemos observado
2 4 6 8 10 12 14
368
376
384
392
400
2 4 6 8 10 12 14
215
220
225
230

SSO

A,TSO

S,TSO
(a)


(
c
m
-
1
)
Radio (nm)

SSO

A,TSO

S,TSO
(b)


(
c
m
-
1
)
Radio (nm)
Figura 3.5. Dependencia de las frecuencias de fonones de supercie con el
radio en puntos cunticos cilndricos aislados de AlAs (a) y de InAs (b).
un comportamiento similar en el punto cuntico aislado de GaAs. En estas guras,

S,TSO
y
A,TSO
representan los modos simtricos y antisimtricos para los fonones
TSO. Estos modos han sido calculados tomando para el vector de onda del fonn el
correspondiente a la primera raz de la ecuacin transcendental (3.22), mientras que
para los SSO, hemos jado n = 1 en la ecuacin (3.26). Para todos los puntos cun-
ticos investigados, los modos simtricos
S,TSO
presentan una fuerte dependencia
con el radio del cilindro. Mientras
S,TSO
disminuye con el radio del cilindro has-
ta R
0
6 nm, para luego acercarse al valor del bulk,
A,TSO
aumenta ligeramente
hasta mantenerse constante para R
0
8 nm. Sin embargo, los modos laterales SSO
permanecen prcticamente insensibles al cambio de radio del punto cuntico. Esto
es parecido al comportamiento observado en puntos cunticos esfricos en la apro-
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
40 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
ximacin de DC clsico, donde la relacin de dispersin no depende explcitamente
del tamao del punto cuntico. En la gura 3.6, se presentan las frecuencias de
intercara de los fonones TSO para las heteroestructuras GaAs/AlAs e InAs/GaAs
de puntos cunticos cilndricos. Al contrario de lo visto en los puntos cunticos
2 4 6 8 10 12 14
260
280
360
380
400
2 4 6 8 10 12 14
210
220
230
260
270
280

A,TSO-

S,TSO-
Frecuencias tipo dot
Frecuencias tipo barrera

S,TSO+

A,TSO+


(
c
m
-
1
)
Radio (nm)
(a)

A,TSO-

S,TSO-

S,TSO+

A,TSO+
Frecuencias tipo dot
Frecuencias tipo barrera


(
c
m
-
1
)
Radio (nm)
(b)
Figura 3.6. Dependencia de las frecuencias de intercara TSO con el radio
en puntos cunticos cilndricos de GaAs/AlAs (a) e InAs/GaAs (b).
aislados (free-standing quantum dots), tanto los modos simtricos como los antisi-
mtricos dependen del radio en el rango de R
0
5 nm. Adems, cada uno de estos
modos tiene dos ramas que corresponden al material dot (
S,TSO
y
A,TSO
) y al
material barrera (
S,TSO+
y
A,TSO+
). Los modos de la misma simetra y de signos
opuestos evolucionan de manera complementaria. Por ejemplo,
S,TSO+
disminuye
en el rango arriba mencionado, mientras
S,TSO
aumenta en el mismo rango. En
la gura 3.7 se presentan las frecuencias de intercara de los fonones SSO para las
heteroestructuras GaAs/AlAs e InAs/GaAs. Al igual que en el caso de los puntos
cunticos esfricos y en el caso de los cilndricos aislados (free-standing), no se ob-
serva dependencia apreciable con el radio del cilindro. Por otro lado, tanto en los
puntos cunticos aislados como en las heteroestructuras de puntos cunticos, las
frecuencias TSO y SSO satisfacen el criterio de restrahlen discutido por Knipp y
Reneicke [3] que estipula que los modos de fonones de intercara estn comprendidos
entre las frecuencias TO y LO de los materiales volmicos constituyentes de los
puntos cunticos.
Para ilustrar los clculos, comparamos nuestros resultados con las medidas
Raman de la Ref. [2], en las cuales las dimensiones de los puntos cunticos son 2d
= 7 nm y R
0
=18 nm. Por ello, tomamos como valores de q

, las races de (3.22)


de mayor ndice, en concreto la segunda raz de la ecuacin transcendental. La -
gura 3.8 contiene las frecuencias de fonones de intercara en puntos cunticos de
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.2 Modos de vibracin en puntos cunticos cilndricos 41
2 4 6 8 10 12 14
220
240
260
280
300
370
380
390

A,SSO
(InAs/GaAs)

A,SSO
(GaAs/AlAs)

S,SSO
(InAs/GaAs)

S,SSO
(GaAs/AlAs)


(
c
m
-
1
)
Radio (nm)
Figura 3.7. Dependencia de las frecuencias de fonones SSO con el radio
del cilindro en puntos cunticos de InAs/GaAs y GaAs/AlAs.
InAs/GaAs para mayor ndice en la solucin de la ecuacin transcendental. Para
R
0
< 2d, todos los modos TSO son degenerados, luego se desacoplan y recuperan
un comportamiento similar al de las primeras races de la ecuacin transcendental,
cuando R
0
> 2d. As pues, los valores de frecuencia TSO de mayor ndice que-
dan comprendidos entre los valores correspondientes a la primera raz; es decir;

TO,barrera
<
S,TSO+,1
<
S,TSO+,2
<
A,TSO,1
<
A,TSO+,2
<
LO,barrera
donde
los subndices 1 y 2 representan la primera y la segunda raz, respectivamente. Para
el material dot, basta intercambiar los ndices A y S por un lado, y sustituir + por
- por el otro, para conseguir el orden de los modos fonnicos. Al mismo tiempo,
observamos modos de intercara en el rango comprendido entre los LO de tipo dot
y los TO del material barrera que atribuimos a los fonones asociados con los SSO.
Estos modos han sido observados en muestras de InAs/GaAs mediante las medidas
Raman [2]. Fu y colaboradores [17] predicen, para puntos cunticos de GaP, la exis-
tencia de modos fonnicos de supercie situados entre los modos acsticos y pticos,
as como modos de supercie entre los valores lmites TO y LO del material.
En efecto, reproducimos los modos de 247, 257, 270 y 285 cm
1
para In-
As/GaAs observados en la Ref. [8] que no podran ser explicados en la aproximacin
de puntos cunticos esfricos. Se espera que con las distintas races de la ecuacin
(3.22) se pueda recuperar los valores de frecuencias de intercara comprendidas entre
245 y 285 cm
1
. De este modo, podemos suponer que los modos de fonones com-
prendidos entre 250-255 cm
1
pueden asignarse a los modos SSO si se considera que
los puntos cunticos estudiados tienen una geometra cilndrica. Adems, podemos
adelantar que sus valores no se vern afectados por el cambio de tamao.
El comportamiento de los modos de fonones de intercara tiene una consecuen-
cia inmediata en las medidas basadas en la polarizacin de la luz. En efecto, se
puede esperar que la luz incidente sobre un punto cuntico cilndrico active de ma-
nera distinta los fonones pticos segn la direccin de la polarizacin. Asumiendo
que el eje z del cilindro es la direccin de crecimiento del punto cuntico, una luz
polarizada paralelamente a z afectar ms a los modos de tipo TSO, mientras la luz
perpendicular al eje z, inuir sobre los SSO. Esto ser ciertamente de mxima im-
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
42 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
5.0 10.0 15.0 20.0 25.0
220
230
240
250
260
270
280
290
d=3.5 nm
SSO
InAs-TSO
GaAs-TSO

(
c
m
-
1
)
Radio (nm)
Figura 3.8. Dependencia de las frecuencias de fonones TSO y SSO con
el radio del cilindro en puntos cunticos de InAs/GaAs para los modos de mayor
ndice.
portancia en los cristales con simetra de wurtzita, en que la polarizacin se desva
ligeramente de la relacin de Lorentz y tiene dos componentes diferentes. Adems,
es conocido que en el estudio de tensiones, la componente transversal tiene un com-
portamiento distinto de la componente paralela. Cabe destacar tambin el efecto
del connamiento sobre los modos de fonones. El comportamiento de los fonones de
intercara en los puntos cunticos aislados se distingue del correspondiente al caso
de las heteroestructuras tanto en nmero como en la evolucin con las dimensiones
del punto cuntico. Esto es una indicacin de la importancia de los fonones en la
caracterizacin ptica del material, ya que las vibraciones de la red juegan un papel
importante en algunos procesos de scattering en las medidas pticas.
3.3. Modos de intercara en puntos cunticos
cnicos
Si en lugar de un punto cuntico esfrico o cilndrico, consideramos un pun-
to cuntico cnico, la solucin de la ecuacin de Laplace, y con ella los modos de
fonones de intercara cambian radicalmente. La geometra cnica tiene un inters
particular, ya que se considera como una mejor aproximacin de las formas reales
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.3 Modos de intercara en puntos cunticos cnicos 43
observadas en los experimentos de Atomic Force Microscopy (AFM). En esta seccin
intentaremos discutir en detalle los modos de intercara en los puntos cunticos cni-
cos. Desde el punto de vista terico, esta geometra presenta una riqueza particular
en las soluciones debido a la complejidad del caso y a la posibilidad de estudiar el
efecto de los vrtices sobre los modos de vibracin. Distinguiremos la solucin para
ngulos pequeos de la correspondiente a ngulo arbitrario. Para ilustrar nuestros
clculos, discutiremos los resultados en trminos de un factor geomtrico llamado
aspect factor, que traduce la relacin entre la altura y la base inferior del punto
cuntico. En concreto, el aspect factor o factor de forma se dene como la razn
entre la altura y la anchura de la base inferior del punto cuntico.
q
q
0
r
h
0
R
2
R
1
h
f
Figura 3.9. El cono, el cono truncado y el sistema de coordenadas utili-
zado: R
1
y R
2
representan los radios de la base superior e inferior respectivamente,
h es la altura total del cono, mientras h
0
representa la altura de la base superior a
la base inferior del cono truncado. El semi-ngulo polar est denido con respecto
al eje polar del cono truncado cuyo origen coincide con el pex del cono.
En la gura 3.9 se representa el cono y el sistema de coordenadas empleado
en nuestro clculo. Elegimos el eje polar segn la direccin de crecimiento del punto
cuntico, tal como se indica en la gura. La supercie del cono viene denida por
la ecuacin paramtrica =
0
, ya que la regin situada fuera del cono se repre-
senta por
0
< < . Debido a la simetra axial, podemos resolver la ecuacin de
Laplace en coordenadas esfricas. Por tanto, usando la separacin de variables, si
(r, , ) = f(r)g()Exp(im), es la solucin de la ecuacin de Laplace, obtenemos
dos ecuaciones diferenciales desacopladas, i.e.
r
2
d
2
f
dr
2
+ 2r
df
dr
+ ( +
1
4
)f = 0 (3.28)
y
sen()
d
2
g
d
2
+ cos()
dg
d

_
( +
1
4
)sen() +
m
2
sen()
_
g = 0 (3.29)
donde es la constante de separacin de variables a determinar mediante las con-
diciones de contorno. Knipp y Reinecke [3] han usado un esquema similar de se-
paracin de variables para resolver la ecuacin de Laplace en puntos cunticos con
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
44 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
cups. Debido a la naturaleza de esta geometra, se espera la existencia de dos mo-
dos superciales. Por analoga con los puntos cunticos cilndricos, llamaremos BSO
(base- surface optical modes) a aquellos modos relacionados con la ecuacin radial y
SSO (side-surface optical modes) a los modos relacionados con la ecuacin angular.
3.3.1. Modos BSO
En la ecuacin (3.28), los puntos r=0 y r = son puntos singulares. Para
forzar que la solucin sea analtica en el dominio arriba descrito, elegimos un punto
r
0
llamado "turning point" [16], de modo que la solucin de la ecuacin radial viene
determinada por
f(r) =
1
r
1/2
Exp
_
i
_
r
r
0

dr

_
(3.30)
o de manera explcita
f(r) = r
1/2
Exp
_
i ln
r
r
0
_
. (3.31)
donde r
0
= h h
0
( ver gura 3.9). Al ser la ecuacin (3.28) de segundo orden, el
complejo conjugado de (3.31) es tambin solucin de (3.28). Debido a la naturaleza
particular de la geometra cnica, las condiciones de contorno electromagnticas
standard no son aplicables en la solucin radial. Por tanto, adoptamos la ecuacin
integral de contorno (Boundary Integral Equation (BIE)) en las bases superior e
inferior del cono para analizar los modos BSO en esta geometra. Suponiendo que
el potencial electrosttico es una funcin real de r, entonces la parte imaginaria de
f(r) es cero y en la base inferior del cono se tiene
sen
_
ln
_
h h
0
h
__
= 0. (3.32)
La relacin anterior dene de forma unvoca los valores de para valores dados de
h y h
0
, as se deduce
= / ln
_
h h
0
h
_
. (3.33)
Para encontrar los modos de fonones en las bases del cono truncado, suponemos que
el potencial electrosttico es idntico en ambas bases. Esta hiptesis est basada en
dos hechos: (i) el punto cuntico est rodeado por el mismo material y (ii) en el
modelo DC, aspectos microscpicos como el efecto de rugosidad en las intercaras
no se puede tratar de forma adecuada; por tanto, todas las intercaras se comportan
como paredes rgidas. Entonces, el teorema de Green permite escribir un potencial
local para cualquier punto en un dominio dado en trminos del potencial y de su de-
rivada normal para cualquier punto localizado en la frontera de este dominio. Sareni
et al. [18] han usado este teorema para analizar la constante dielctrica efectiva de
materiales compuestos, usando un balance de ujo del vector desplazamiento elc-
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.3 Modos de intercara en puntos cunticos cnicos 45
trico. Siguiendo este modelo y con la hiptesis de potencial idntico en las bases, se
tiene

1
()
_
S
1
f
n
dS +
2
()
_
S
2
f
n
dS = 0, (3.34)
donde S
1
y S
2
son las supercies superior e inferior, respectivamente y n es un
vector unitario normal a la supercie. A partir de esta condicin, encontramos

1
()
_
h h
0
h
_
3/2
=
2
() cos
_
ln
_
h h
0
h
__
. (3.35)
Sustituyendo la ecuacin (3.33) en la ecuacin (3.35), se obtiene

1
()

2
()
= (3.36)
con
=
_
h h
0
h
_
3/2
. (3.37)
La ecuacin anterior junto con la relacin de la funcin dielctrica constituye la
ecuacin transcendental para los fonones de intercara BSO en las bases del cono
truncado.
3.3.2. Modos SSO
Para hallar la solucin de la parte angular [(3.29)], supondremos que la cons-
tante de separacin de variables es positiva ( > 0), dejando apartado el caso de
< 0 que corresponde a un esferoide cuyas soluciones son sobradamente conocidas.
Entonces, podemos denir una nueva constante
2
= + 1/4 y hallar la solucin
angular g() para
2
> 0. Si el ngulo es sucientemente pequeo, y suponiendo
que x = , la ecuacin (3.29) puede trasformarse en
x
2
d
2
g
d
2
+x
dg
dx
(x
2
+m
2
)g = 0. (3.38)
La ec. (3.38) es una ecuacin caracterstica cuyas soluciones son funciones modi-
cadas de Bessel [16] de primera y segunda especie de orden m. De ah, la solucin
se reduce a
g() =
_
A
m
I
m
() (para
0
)
B
m
K
m
() (para >
0
)
(3.39)
con A
m
y B
m
las constantes a determinar por las condiciones de contorno y de
normalizacin. La existencia de fonones de intercara requiere que la solucin (3.39)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
46 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
sea continua en todo el dominio, de modo que a partir de las condiciones de contorno
electrostticas en =
0
, se obtiene

1
()

2
()
=

x
0
[ln[K
m
(x
0
)]]

x
0
[ln[I
m
(x
0
)]]
; x
0
=
0
. (3.40)
Representamos por
m
, el trmino de la derecha de la ecuacin (3.40); en particular,
para m = 0 y m = 1, obtenemos

0
=
K
1
(
0
)I
0
(
0
)
K
0
(
0
)I
1
(
0
)
; (3.41)

1
=
I
1
(
0
) [
0
K
0
(
0
) +K
1
(
0
)]
K
1
(
0
)[
0
I
0
(
0
) I
1
()]
. (3.42)
A partir de la ecuacin (3.40), al igual que en el caso del punto cuntico ciln-
drico, se verica que, las frecuencias de los modos de fonones de intercara dependen
del nmero cuntico m y de las dimensiones del cono. Para el caso
0
1, y de
acuerdo con los desarrollos lmites de las funciones de Bessel K
m
e I
m
[16, 19], las
expresiones (3.41) y (3.42) se convierten en

0
=
2
(
0
)
2
Log
_
1

0
_; (3.43)

1
= (
0
)
2
Log
_
1

0
_
+ 1. (3.44)
Para poder comparar estos resultados con los clculos posteriores, adoptamos la
denicin de un parmetro adimensional
() =

1
() +
2
()

1
()
2
()
, (3.45)
independiente de las constantes fsicas de los materiales empleados en las hete-
roestructuras. Este parmetro de carcter general, ha sido empleado por Knipp y
Reinecke [3] para describir los modos de fonones de intercara en puntos cunticos.
Los dos parmetros y satisfacen la relacin = ( + 1)/( 1); por tanto, en
el anlisis del comportamiento de los fonones de intercara, se puede elegir uno u
otro de estos dos parmetros, indistintamente. Para los casos m = 0 y m=1, la
sustitucin de las expresiones (3.43) y (3.44) en la ecuacin (3.45) proporciona las
siguientes relaciones de dispersin

0
=
2 (
0
)
2
Log(
2

0
)
2 + (
0
)
2
Log(
2

0
)
(3.46)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.3 Modos de intercara en puntos cunticos cnicos 47
y

1
=
2 (
0
)
2
Log(
1

0
)
(
0
)
2
Log(
1

0
)
. (3.47)
En el caso general de arbitrario, la solucin de la ecuacin (3.29) se da en trminos
de polinomios de Legendre asociados [20, 21]. Utilizando la transformacin de
Mehler [22], la solucin angular de la ecuacin de Laplace para un arbitrario se
da por
g() =
_
A
m,
P
m
1/2+i
(cos )P
m
1/2+i
(cos
0
), 0
0
B
m,
P
m
1/2+i
(cos
0
)P
m
1/2+i
(cos ),
0

(3.48)
donde A
m,
y B
m,
son constantes a determinar por las condiciones de contorno
y de normalizacin; y P
1/2+i
(cos ) es la funcin cnica, la cual es una cantidad
puramente real y cuyo desarrollo en serie tiene la forma siguiente [16]
P
1/2+i
(cos ) = 1 +
4
2
+ 1
2
2
sen
2

2
+
(4
2
+ 1)(4
2
+ 3
2
)
2
2
4
2
sen
4

2
+... (3.49)
La funcin cnica de argumento (cos ) se dene como
P
1/2+i
(cos ) =
cosh

[Q
1/2+i
(cos ) +Q
1/2i
(cos )] (3.50)
con
Q
1/2i
(cos ) = isenh
_

0
cos (t) dt
_
2(cosh t + cos )
. (3.51)
La expresin (3.50) requiere un clculo riguroso si se quiere obtener una so-
lucin analtica. En primer lugar, los puntos = 0 y = son puntos singula-
res para la ecuacin diferencial (3.29). Babich y colaboradores [21] representaron
P
1/2+i
(cos ) = e

() y calcularon primero P
1/2+i
(cos ) y luego, susti-
tuyendo P
1/2+i
(cos ) en la ecuacin diferencial, evaluaron numricamente la
nueva funcin W

() alrededor de = 0, y = . Para nosotros, es interesante


construir una expresin analtica. Por tanto, recurriendo a la trigonometra, pode-
mos expresar la funcin cnica P
1/2i
(cos ) en serie de potencia de cos . Por
ello, procedemos al cambio e
i
cos = cos

en la relacin (3.50). Si expresamos


P
1/2i
(cos ) = P
1/2+i
(e
i
cos ) , siendo

= , y utilizando la denicin
de P
1/2i
(cos ) para la nueva variable

, obtenemos una expresin similar a la


ecuacin (3.49) en funcin de cos , es decir
P
1/2+i
(cos ) = 1+
4
2
+ 1
2
2
cos
2

2
+
(4
2
+ 1)(4
2
+ 3
2
)
2
2
4
2
cos
4

2
+... (3.52)
Al igual que en el caso de ngulos pequeos, la relacin de dispersin independiente
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
48 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
del material para los fonones de intercara SSO se determina a partir de las derivadas
logartmicas del potencial electrosttico, es decir

m


1
(
m
) +
2
(
m
)

1
(
m
)
2
(
m
)
=

x
_
ln
_
P
m
1/2+i
(x)P
m
1/2+i
(x)
__

_
ln
_
P
m
1/2+i
(x

)/P
m
1/2+i
(x

)
__

x=x

=cos
0
. (3.53)
De la ec. (3.53) podemos deducir que los modos de fonones de intercara SSO en
puntos cunticos cnicos dependen de las dimensiones del cono, a travs del ngulo

0
, de la constante de separacin de variables y del nmero cuntico m. Entonces,
para los casos particulares de m = 0 y m = 1, se obtiene

0


1
(
0
) +
2
(
0
)

1
(
0
)
2
(
0
)
= 1 +
4
2
+ 3
2
2
[
9 + 2(4
2
+ 1
2
)(4
2
+ 3
2
)
8
] cos()
42 +
3(4
2
+ 1)
8
+
(4
2
+ 1)(4
2
+ 3
2
)
4
3
[1 + (1 +
(4
2
+ 3
2
)
2,4
2
) sen
2
()]
1
; (3.54)
y

,1
=
_
5 cos() +
4
2
+ 3
2
8
[cos
4
(

2
)
13
4
sen
2
() + 22sen
2
(

2
)]
+ [
3
4
sen
2
(

2
)(2 + cos
2
(

2
)) + sen() cos
4
(

2
)
[cos() 2 sen
2
(

2
)]](4
2
+ 9)
2
_

_
7 cos() +
4
2
+ 9
8
[24 sen
2
(

2
) 2 sen
2
() cos() cos
2
(

2
)]
+
3(4
2
+ 9)
2
4
3
[sen
2
(

2
)(2 + cos
2
(

2
)) sen() cos
4
(

2
)
(cos() 2 sen
2
(

2
))]
_
1
. (3.55)
Los modos fonnicos de intercara se obtienen reemplazando las funciones die-
lctricas de la expresin (2.4) en (3.53). Sin embargo, si en el desarrollo de las
funciones cnicas, despreciamos los trminos en sen
4
(/2) o de orden superior, las
relaciones de dispersin para m=0 y m= 1 se reducen a

0
=
1
2
3
_
cos
(1
(4
2
+1)
2
3
)
_
(3.56)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.3 Modos de intercara en puntos cunticos cnicos 49
y

1
= 0. (3.57)
3.3.3. Resultados
A continuacin, discutiremos los comportamientos de los modos BSO y SSO
en funcin de la altura, el ngulo polar y el factor de forma para puntos cunticos
de InAs/InP y InAs/GaAs. En la gura 3.10 se muestra la dependencia de las
frecuencias BSO con la altura para puntos cunticos de InAs/InP para dos rangos
de h
0
: (a) 8-15 nm y (b) 8-18 nm. En los calculos, hemos utilizado dos valores jos
para la altura del cono exterior: h = 15 nm y h= 18 nm. De esto modo, h
0
vara
entre 8 nm y los valores lmites de la altura. En estos dos rangos, las frecuencias de
tipo barrera decrecen para alturas crecientes, mientras que para las frecuencias de
tipo dot se tiene un comportamiento inverso. Ambas frecuencias de intercara para
los casos (a) y (b) alcanzan un valor constante cuando la altura tiende al valor de
la altura total h del cono externo.
8,0 10,0 12,0 14,0 16,0 18,0
240
250
260
270
280
290
300
310


(
c
m
-
1
)
h
0
(nm)
h = 18 nm
h = 15 nm
h = 15 nm
h = 18 nm
Figura 3.10. Dependencia de frecuencias de intercara con la altura en
puntos cunticos de InAs/InP con factor de forma r = 0.3.
En la gura 3.11 se muestra la dependencia de las frecuencias BSO con la al-
tura para puntos cunticos de InAs/GaAs. En ambos puntos cunticos, valores ms
grandes de h implican valores mayores de los modos barrera y valores menores de
los modos dot, independientemente de cul sea el valor inicial de h
0
. Para los puntos
cunticos de InAs/GaAs, las frecuencias de tipo barrera y de tipo dot estn com-
prendidas en las regiones reststrahl de estos materiales; i.e.,
j,TO
<
j,IF
<
j,LO
(j
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
50 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
2.5 5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5
225
228
279
282
285
h = 18 nm
h = 15 nm
h = 18 nm
h = 15 nm

(
c
m
-
1
)
h
0
(nm)
Figura 3.11. Dependencia de frecuencias de intercara con la altura en
puntos cunticos de InAs/GaAs con factor de forma r = 0.21.
= 1,2) (ver valores de la tabla 1.1). Sin embargo, en los puntos cunticos de In-
As/InP, los modos IF no estn restringidos a la regin reststrahl de los materiales
constituyentes. Una posible explicacin de esta diferencia de comportamiento se-
ra la siguiente. Clculos tericos y medidas Raman en el semiconductor InP (110)
han mostrado que las capas atmicas ms exteriores de InP presentan frecuencias
de fonones superciales localizadas en el gap de fonones de este material. Adems,
algunas de estas frecuencias son cercanas a las frecuencias LO del semiconductor
InAs [23]. Debido a las caractersticas de los fonones superciales, es posible que
las vibraciones de estos modos sean similares a las correspondientes a los modos de
intercara; por tanto, se puede esperar que los modos IF tomen valores en el rango
de los modos superciales. As, el modo de tipo barrera en los puntos cunticos de
InAs/InP presenta valores desde la regin de reststrahl de InP hasta las frecuencias
superciales encontradas para el semiconductor InP [23]. Los modos de tipo dot
crecen desde la regin de reststrahl (para valores ms pequeos de h
0
no mostra-
dos aqui, las frecuencias de intercara toman valores en el reststrahl ) hasta valores
mayores que son cercanos a los fonones superciales de InP. Otra diferencia entre
los puntos cunticos de InAs/InP y InAs/GaAs es el menor ritmo de crecimiento (o
decrecimiento) de los modos IF en el caso de InAs/GaAs frente a InAs/InP. Para
InAs/GaAs, los materiales dot y barrera tienen el mismo catin (As), mientras que
en InAs/InP, el anin (In) es el mismo en ambos materiales. Tambin, el gap de fo-
nones entre los materiales dot y barrera es superior en InAs/InP que en InAs/GaAs.
Este alto gap en los puntos cunticos de InAs/InP, junto con la pequea diferencia
en las constantes dielctricas entre InAs y GaAs podra explicar el comportamiento
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.3 Modos de intercara en puntos cunticos cnicos 51
diferente observado en los modos BSO para los puntos cunticos de InAs/GaAs con
respecto a los puntos cunticos de InAs/InP a medida que cambia la altura.
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
220
240
320
340
InP-like
InAs-like

(
c
m
-
1
)

Figura 3.12. Dependencia de las frecuencias de intercara con en un


punto cuntico de InAs/InP: aproximacin de ngulo pequeo.
La gura 3.12 muestra la dependencia de las frecuencias SSO con el par-
metro para puntos cunticos de InAs/InP en la aproximacin de ngulo polar
pequeo. Se observa que las frecuencias de los modos m = 0 y m = 1 satisfacen las
condiciones de las frecuencias de intercara; i.e.,
j,TO
<
j,IF
<
j,LO
(j = 1,2) (ver
valores de la tabla 1.1). Para los modos de tipo barrera, las frecuencias del modo
fundamental (m = 0) son mayores que las correspondientes al modo excitado (m =
1), mientras que este comportamiento es inverso para los modos de tipo dot. Este
fenmeno tambin ha sido observado en puntos cunticos esferoidales, donde los mo-
dos de ndices mayores presentan frecuencias ms pequeas [24]. Por otro lado, para
valores crecientes de , parece que los modos m = 0 y m = 1 de tipo barrera (dot)
tienden a converger a un nico valor de intercara cercano a
j,LO
+
j,TO
/2 (j=1,2).
Este efecto tambin fue observado en pozos cunticos asimtricos de semiconducto-
res III-V donde diferentes ramas de modos IF convergen a valores asintticos [25].
La separacin de las frecuencias de los modos m=0 y m=1 es pronunciada para
valores ms pequeos de . Se ha encontrado una dependencia similar de las fre-
cuencias SSO (modos m=0 y m=1) con el parmetro para puntos cunticos de
InAs/GaAs. La razn por la que los modos SSO en puntos cunticos de InAs/GaAs
y InAs/InP no presenten un comportamiento diferente como en el caso de los modos
BSO puede ser atribuido a la simetra rotacional que deja invariante la morfologa
del punto cuntico.
Adems de la altura y el ngulo polar, otro parmetro geomtrico relevante
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
52 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
es el factor de forma, denido como r = h
0
/2R
2
. Valores tpicos de este parmetro
son 0.1-0.3 [2628]. Grassi y colaboradores [29] dan valores de r en el rango de
0.1 a 0.6. Para investigar la inuencia de este parmetro en los modos de intercara,
se ha calculado las frecuencias SSO como funcin del ngulo polar para factores de
forma entre 0.1 y 0.7. En las guras 3.13 y 3.14 se muestran los resultados para r=
0.1- 0.4 (g. 3.13) y 0.5 (g. 3.14) como casos representativos de las caractersticas
principales observadas; sin embargo, se discutirn todos los casos investigados. Para
el modo fundamental (m = 0), la dependencia de las frecuencias dot y barrera con
el ngulo es similar para r < 0,4. Las frecuencias de tipo barrera aumentan para
ngulos polares crecientes, mientras que se obtiene un comportamiento inverso para
las frecuencias de tipo dot. Para factores de forma entre 0.4 y 0.7, hay un salto brus-
co entre estas dos ramas; es decir, el modo de tipo dot pasa a ser de tipo barrera
y viceversa para valores especcos del ngulo polar. Por ejemplo, para r = 0.6, el
cambio brusco ocurre en 32
o
, mientras que para r = 0.7, el cambio se produce
en 26
o
. Respecto al primer modo excitado (m = 1), no hay intercambio entre
las ramas dot y barrera para ninguno de los factores de forma investigados. Sin
embargo, la dependencia de estos modos con el ngulo polar cambia para diferentes
valores de r. De hecho, para r = 0.1, las frecuencias de tipo barrera decrecen para
ngulos crecientes, mientras que las frecuencias de tipo dot aumentan para ngulos
crecientes. Cuando r = 0.2, las frecuencias de tipo dot y barrera son prcticamente
constantes y para pequeos ngulos, alcanzan los valores del modo m = 0. Para
r 0,3, las frecuencias de tipo barrera son funciones crecientes del ngulo, mientras
que las frecuencias de tipo dot son funciones decrecientes. A partir de estos resulta-
dos, se puede decir que los modos fundamental y primer excitado son muy sensibles
con el factor de forma. Un posible origen de las caractersticas diferentes entre estos
modos sera que la relacin de dispersin es distinta para m = 0 y m = 1 en la
aproximacin de ngulo polar arbitrario. Se darn ms detalles sobre las relaciones
de dispersin en la seccin siguiente de comparacin entre las tres geometras. Pa-
ra ilustrar el intercambio entre las ramas dot y barrera del modo fundamental, se
muestra en la gura 3.14 las frecuencias SSO para r = 0.5 y varios valores iniciales
de h
0
. Se observa que el cambio brusco (los modos dot pasan a los modos barrera y
viceversa) ocurre para 38
o
, independientemente de h
0
. Para antes y despus del
cambio, las frecuencias de tipo barrera aumentan para ngulos crecientes, mientras
que las frecuencias de tipo dot son funciones decrecientes del ngulo. Adems, las
frecuencias de tipo barrera (dot) del modo excitado son superiores (inferiores) a las
frecuencias del modo fundamental para h
0
= 2 nm. Este efecto se observa hasta un
valor de 25
o
donde el modo excitado de tipo barrera (dot) recupera valores in-
feriores (superiores) que los correspondientes al modo fundamental. La dependencia
de las frecuencias SSO para el mismo rango de factores de forma es similar para
puntos cunticos de InAs/InP, aunque no se ha mostrado aqu. Dado que los modos
de fonones son dependientes del tamao en formas geomtricas no regulares como el
caso cnico, las medidas pticas dependientes de la polarizacin pueden ser usadas
para determinar las formas y tamaos de los puntos cunticos. En concreto, para
el caso que acabamos de analizar, se puede esperar que la luz incidente paralela
al parmetro radial del cono slo excite las vibraciones BSO, mientras que la luz
incidente perpendicular a este eje excite principalmente los modos SSO.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.4 Comparacin entre las tres geometras 53
68,0 70,0 72,0 74,0 76,0 78,0 80,0
220,0
320,0
340,0
52,0 54,0 56,0 58,0 60,0 62,0 64,0 66,0 68,0 70,0
220,0
320,0
340,0
40,0 42,0 44,0 46,0 48,0 50,0 52,0 54,0 56,0 58,0 60,0
220,0
320,0
340,0
32,0 34,0 36,0 38,0 40,0 42,0 44,0 46,0 48,0 50,0 52,0
200,0
220,0
240,0
320,0
340,0
360,0
(a)
m = 0
m = 1
m = 1
m = 0


I
n
A
s
/
I
n
P


(

c
m

-
1

)
Angulo polar
(b) a
m = 0
m = 1
m = 1
m = 0
I
n
A
s
/
I
n
P


(

c
m

-
1

)
Angulo polar
(c)
m = 0
m = 1
m = 1
m = 0


I
n
A
s
/
I
n
P


(

c
m

-
1

)
Angulo polar
(d)
m = 0
m = 1
m = 1
m = 0


I
n
A
s
/
I
n
P


(

c
m

-
1

)
Angulo polar
Figura 3.13. Dependencia de las frecuencias de intercara con el ngulo
polar en puntos cunticos de InAs/InP con simetra cnica: caso de conos truncados:
(a) r = 0.1, (b) r = 0.2, (c) r = 0.3, (d) r = 0.4.
3.4. Comparacin entre las tres geometras
Para concluir este captulo, discutiremos la evolucin de la relacin de dis-
persin de los fonones de intercara, a travs del parmetro adimensional en las
tres geometras investigadas. Las guras siguientes resumen los modos de fonones
de intercara en puntos cunticos esfricos, cilndricos y cnicos. Se puede observar
que los modos l = 0, estn prohibidos en el punto cuntico esfrico, por lo que
(l) = 1/(2l + 1). (3.58)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
54 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
200
220
240
260
280
300
320
340
360
380
26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46
200
220
240
260
280
300
320
340
360
380
20 25 30 35 40 45
200
220
240
260
280
300
320
340
360
380
32 34 36 38 40 42 44 46
200
220
240
260
280
300
320
340
360
380


(
c
m

-
1
)
ngulo polar
(a)
m=0
m=0
m=1


(
c
m

-
1
)
ngulo polar
(c)
m=0
m=0
m=1
m=1


(
c
m

-
1
)
ngulo polar
(b)
m=0
m=0
m=1
m=1


(
c
m

-
1
)
ngulo polar
(d)
m=0
m=0
m=1
m=1
Figura 3.14. Dependencia de las frecuencias de intercara con el ngulo
polar en puntos cunticos de InAs/InP con simetra cnica para r=0.5: (a) h
0
= 2
nm, (b) h
0
=6 nm ,(c) h
0
= 8 y (d) h
0
= 10 nm y h = 15 nm.
Adems, para cada valor de l, se obtiene un valor constante de los modos de in-
tercara; lo que demuestra que el tamao de la esfera no afecta a estos modos en
esta aproximacin. Sin embargo, en la aproximacin de la combinacin de condi-
ciones mecnicas y electrostticas, existen modos de fonones acoplados que tienen
una dependencia con el tamao de la esfera. Para los puntos cunticos cilndricos,
la relacin de dispersin depende explcitamente tanto del radio del cilindro como
de la altura del mismo. Al igual que en la solucin de la ecuacin de Laplace, aqu
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.4 Comparacin entre las tres geometras 55
distinguimos dos ramas para la relacin de dispersin

TSO
=
_
e
2q
+
d
para los modos simtricos
e
2q

d
para los modos anti-simtricos
(3.59)
en el caso de los fonones TSO. Para los modos SSO, la relacin de dispersin es

SSO
=
I
0
(
n R
0
2d
)K
1
(
n R
0
2d
) K
0
(
n R
0
2d
)I
1
(
n R
0
2d
)
I
0
(
n R
0
2d
)K
1
(
n R
0
2d
) +K
0
(
n R
0
2d
)I
1
(
n R
0
2d
)
. (3.60)
En la gura 3.15 se representa la dependencia con el radio de la relacin de dis-
persin para los modos TSO. La gura 3.15 (a) corresponde a los modos para los
cuales el vector de onda q es la primera raz de la ecuacin transcendental (3.22).
Los resultados han sido obtenidos para tres valores de la altura con el n de analizar
el comportamiento de en funcin de la altura. Concretamente, para la rama si-
mtrica, la curva ms alejada corresponde a la altura ms pequea, mientras que la
situacin inversa se observa para la rama antisimtrica (los tres valores de la altura
son d=0.5 nm, 1.5 nm y 4.5 nm). En la gura 3.15 (b), se muestra el comporta-
miento de correspondiente a la segunda raz de la ecuacin trascendental. Una vez
ms, hemos calculado para dos valores de la altura (d = 1.6 nm, d=2.5 nm). Los
modos correspondientes a grandes valores de la altura, se encuentran comprendidos
entre las soluciones simtrica y anti-simtrica de los modos relacionados con alturas
pequeas. La gura 3.16 muestra la relacin de dispersin para los modos SSO.
Como en el caso de TSO, calculamos la relacin entre la relacin de dispersin y la
altura. Por ello, hemos elegido dos valores (d=1.5 nm y d=3.5 nm) para la primera
y la segunda raz de la ecuacin transcendental correspondiente. Los modos corres-
pondientes a la primera raz y mayor altura se aproxima al modo de menor altura
de la segunda raz.
El efecto de connamiento, que se traduce en la dependencia de las frecuencias
de fonones con las dimensiones de los puntos cunticos, es pronunciado en el rango
de tamaos pequeos, para todos los modos y distintas alturas.
La relacin de dispersin (3.59) toma valores siempre negativos para los modos
simtricos (positivos para los anti-simtricos) en todo el rango de variacin de d,
la semialtura del punto cuntico. Para q 0, = -1 (1). Los modos fonnicos
correspondientes a estos valores de denen los lmites de las zonas restrahlen.
Estos modos se hallan tambin cuando la altura tiende a cero. En caso de que d
, = (
TO
+
LO
)/2, valor que se acerca a los modos pticos de una intercara
entre dos dielctricos planos.
En el caso de puntos cunticos cnicos, la relacin de dispersin es ms com-
pleja. En la gura 3.17 se representa la variacin de en funcin de la altura del
cono
6
. Para la aproximacin de pequeo ngulo, es negativo en toda la regin
investigada. En la gura 3.18 se muestra la relacin de dispersin para el modo
fundamental en la aproximacin de ngulo arbitrario en funcin de . Se observa
que la relacin de dispersin es independiente del ngulo polar
7
para 10. En
aproximacin de ngulo arbitrario, la relacin de dispersin del modo fundamental
6
Para representar la ley de dispersin en funcin de la altura, hemos utilizado la relacin
trigonomtrica entre el ngulo polar y la altura.
7
Aqu nos hemos limitado a cortar al segundo trmino los desarrollos en serie de las funciones
cnicas P
1/2+i
.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
56 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
0,0 5,0 10,0 15,0 20,0
-0,6
-0,4
-0,2
0,0
0,2
0,4
0,0 5,0 10,0 15,0 20,0
-0,8
-0,4
0,0
0,4
0,8


R
e
l
a
c
i

n

d
e

d
i
s
p
e
r
s
i

n

Radio (nm)
(b)


R
e
l
a
c
i

n

d
e

d
i
s
p
e
r
s
i

n

Radio (nm)
(a)
Figura 3.15. Dependencia de la relacin de dispersin de fonones TSO con
el radio del cilindro para distintos valores de la altura y (a) para q como primera
raz, mientras (b) para q de mayor ndice en la ecuacin transcendental. Las alturas
van de mayor a menor mientras las frecuencias varan de menor (mayor) a mayor
(menor) para la barrera (dot).
cambia de signo con la altura, mientras que la dispersin del modo excitado es una
funcin creciente de la altura. El hecho de que sea positivo o negativo afectara
considerablemente el comportamiento de las frecuencias IF; de aqu, la dependencia
tan diferente obtenida para las frecuencias de los modos fundamental y excitado
en la seccin anterior. El cambio de signo revela ya la importancia que tiene la
geometra en los modos de vibracin. En este caso, el cambio de signo se interpreta
en trminos de la posibilidad de localizacin en las zonas de mayor curvatura.
El nmero de modos activos aumenta a medida que la geometra del punto
cuntico se hace menos simtrica. El modelo DC no predice una correlacin entre
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.4 Comparacin entre las tres geometras 57
0.0 5.0 10.0 15.0 20.0 25.0
-0.35
-0.30
-0.25
-0.20
-0.15
-0.10
-0.05
0.00

(
a
.
u
)
Radio (nm)
Figura 3.16. Dependencia de la relacin de dispersin de fonones SSO con
el radio del cilindro: y corresponden a d=1.5 y 3.5 nm respectivamente y n=1,
mientras y se reeren a d=1.5 y 3.5 nm y n= 2.
los modos de vibracin y las dimensiones del punto cuntico, en el caso esfrico. En
cambio, los puntos cunticos cilndricos y cnicos presentan una dependencia con
el tamao de manera general, y en particular en los TSO para puntos cunticos
cilndricos. Adems, en el caso de puntos cunticos aislados (free-standing), los SSO
presentan una ligera dependencia con el radio del cilindro. En el caso de los cnicos,
adems de la dependencia con el connamiento, las puntas o vrtices se convierten
en zonas de fuerte concentracin, produciendo as una localizacin de los modos
de vibracin. Knipp y Reinecke interpretan el cambio de signo en trminos del
aumento de la densidad de carga en las cercanas de la punta del cono. Por otro
lado, Bennett y colaboradores [30] predicen, adems de la localizacin en las zonas
de mayor curvatura, una gran posibilidad de acoplo entre los fonones de intercara de
mayor ndice con los electrones del estado fundamental en un hilo cuntico elptico.
En efecto, para estos autores, el hecho de que los modos de intercara tengan un
< 0, les convierten en anlogos de huecos y se presten a fuertes interacciones con
los electrones. A partir de estos resultados se puede decir que para puntos cunticos
de geometras complejas, los modos IF muestran comportamientos anmalos tales
como el intercambio brusco entre los modos barrera y dot que acabamos de observar
en los puntos cunticos cnicos . Este fenmeno ocurre para factores de forma en el
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
58 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
2,0 4,0 6,0 8,0 10,0 12,0
-1,0
-0,8
-0,6
-0,4
-0,2
0,0
0,2
0,4


R
e
l
a
c
i

n

d
e

d
i
s
p
e
r
s
i

n
h (nm)
Figura 3.17. Relacin de dispersin de fonones de intercara en funcin de
la altura en puntos cunticos cnicos. representa la relacin de dispersin para
m=0; corresponde a m=1; es la dispersin en la aproximacin de ngulos
pequeos.
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
-0,002
0,000
0,002
0,004
0,08
0,10
0,12


=100.
=10.
=1.
=0.5
R
e
l
a
c
i

n

d
e

d
i
s
p
e
r
s
i

n
ngulo polar (en radian)
Figura 3.18. Relacin de dispersin para los ngulos arbitrarios: el des-
arrollo de las funciones cnicas ha sido cortado al segundo trmino.
rango de 0.4-0.7 que representan formas menos suaves. Otro tipo de anomalas son
frecuentes en geometras con baja simetra. Por ejemplo, los modos IF localizados en
puntos cunticos con vrtices muy pronunciados presentan un espectro vibracional
continuo, mientras que aquellos con vrtices ms suaves, el espectro es discreto [3].
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
3.5 Conclusin 59
Pese a la abundante literatura sobre los modos fonnicos, la cuestin de los
modos de intercara en los puntos cunticos sigue sin resolverse. Salvo en determina-
dos casos, las medidas Raman que discuten los modos de fonones de intercara estn
lejos de zanjar la naturaleza de los modos observados. La complejidad del problema
estriba en la dicultad que encuentran los experimentadores a la hora de fabricar
puntos cunticos con tamaos y formas pre-determinados. Adems, otros factores
como son las tensiones o la composicin en caso de las aleaciones son susceptibles de
originar valores de frecuencias parecidos a algunas de las frecuencias de intercara.
Por ello, en muchos de los trabajos, la aparicin de nuevos modos de fonn, aparte
de los valores lmites de materiales bulk se ha interpretado en trminos de defectos.
3.5. Conclusin
En este captulo hemos analizado los efectos de la geometra de puntos cun-
ticos en los modos de vibraciones. Tres geometras ms caractersticas: esfrica,
cilndrica y cnicas nos han servido de base para estos objetivos.
Mediante las muy conocidas ecuaciones de Maxwell y las ecuaciones de movi-
miento de Born-Huang, el clculo de los fonones de intercara se reduce a la resolucin
de la ecuacin de LAPLACE aplicndose las condiciones de contorno electromagn-
ticas en las intercaras. Estos resultados demuestran que tanto el nmero de modos
de intercara, como la dependencia de los mismos con el tamao de puntos cunticos
dependen fuertemente de la geometra del sistema. Por ejemplo, hemos obtenido
que los modos de fonones de intercara son insensibles al tamao del punto cuntico
en una geometra esfrica, mientras que en las cilndricas y las cnicas, los fonones
de intercara cambian con las dimensiones de puntos cunticos. Adems, para estas
dos ltimas geometras, se observan dos tipos diferentes de modos de intercara: los
modos TSO ( o BSO), referidos a las bases del cilindro (del cono) y los modos SSO,
correspondientes a la supercie lateral del cilindro (del cono). Para una misma geo-
metra, observamos que el entorno de puntos cunticos tiene un efecto importante
en el comportamiento de modos de vibracin. Este hecho se ha visto reejado en
los modos TSO y SSO en puntos cunticos cilndricos aislados, donde la variacin
de modos TSO simtricos es ms pronunciada que en las heteroestructuras. En los
puntos cunticos cnicos, observamos que los modos SSO cambian bruscamente,
yndose de valores cercanos al material dot hacia los valores de frecuencias propias
de la barrera para valores especcos del ngulo del cono. Atribuimos este fenmeno
a una posible localizacin en las zonas de mayor curvatura del cono.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
60 Captulo 3. Fonones de intercara en puntos cunticos
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Bibliografa
[1] I.V. Ponomarev, A.L. Efros, M.A. Zudov, R.R. Du, J.A. Simmons and J.L.
Reno. Bull. Am. Phys. Soc., 45:361, 2000.
[2] Yu A. Pusep, G. Zanelatto, S.W. da Silva, J.G. Gamzerani, A.Y. Toropov and
P. Basmaji. Phys. Rev. B, 38:R1070, 1998.
[3] P.A. Knipp and T. Reinecke. Phys. Rev. B, 46:10310, 1992.
[4] A. Dinger, M. Goppert, R. Becker, M. Grun, S. Petillo and C. Klinshirm. Phys.
Rev. B, 64:2453101, 2000.
[5] F. Comas and C. Trallero-Giner. Physica B, 192:394, 1993.
[6] C. Trallero-Giner, R. Prez-Alvarez and F. Garca-Moliner. Long Wave Polar
Modes in Semiconductor Heterodtructures. Pergamon, Kidlington, UK, 1992.
[7] R. Enderlein. Phys. Status Solidi (b), 150:85, 1988.
[8] T.D. Krauss, F.W. Wise and D.B. Tanner. Phys. Rev. Lett., 76:1376, 1996.
[9] H. Rho, H.E. Jackson,S. Lee, M. Dobrowolska and J.K. Furdyna. Phys. Rev.
B, 61:15641, 2000.
[10] S.-F. Ren, D. Lu and G. Qin. Phys. Rev. B, 63:195315, 2001.
[11] M.H. Krauss and F. Wise . Phys. Rev. B, 63(2):233, 2001.
[12] X.-Q. Li and Y. Arakawa. Solid State Comm., 109:351, 1999.
[13] C. Trallero-Giner, A. Debernardi, M. Cardona, E. Menendez-Proupin and A.I.
Ekimov. Phys. Rev. B, 57(8):4634, 1998.
[14] C.-Y. Chen, W.-S. Li, X.-Y. Teng and S.-D. Liang. Physica B, 245:92, 1998.
[15] C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Phys. Rev. B, 59:1621, 1999.
[16] Handbook of Mathematical Functions, 9th edition. edited by M. Abramowitz
and I.A. Stegun, Dover Publications, New-York, USA, 1972.
[17] Huaxiang Fu, V. Ozolins, and A. Zunger. Phys. Rev. B, 59:2881, 1999.
[18] B. Sareni, L. Krahenbuhl, A. Beroual and C. Brosseau. J. Appl. Phys., 86(3):
1688, 1996.
61
62 BIBLIOGRAFA
[19] N.N. Lebedev. Special Functions and Their Applications. Translated and edited
by R.A. Silverman, Dover Publication, N.Y., USA, 1974.
[20] J.D. Jackson. Classical Electrodynamics. John Wiley and Sons, Inc., London,
UK, 1975.
[21] V. Babich, D. Dementev, and B. Samokish. Wave Motion, 21:203, 1995.
[22] N. M. Temme. Special Functions: An Introduction to the Classical Functions
of Mathematical Physics . John Wiley & Sons, New York, USA, 1996.
[23] N. Esser, K. Hinrichs and W. Richter. http://pcos.org/ico-
rsxm/paper/richter.pdf.
[24] F. Comas, C. Trallero-Giner, N. Studart and G.E. Marques. Phys. Rev. B, 65:
073303, 2002.
[25] P. Kinsler, R.W. Kelsall and P. Harrison. Physica B, 263-264:507, 1999.
[26] M. Bissiri, G. Baldassarri, A.S. Bhatti, M. Capizzi, A. Frova, P. Frigeri and S.
Franchi. Phys. Rev. B, 62:4642, 2000.
[27] M. Bissiri, G. Baldasyarri, M. Capizzi, V.M. Fomin, V.N. Gladilin and J.T.
Devreese. Phys. Status Solidi (b), 224:629, 2001.
[28] P. Miska, C. Paranthoen, J. Even, N. Betru, A. Le Corre and O. Dehaese.
J.Phys.: Condens. Matter, 14:12301, 2002.
[29] M. Grassi Alessi, M. Capizzi, A.S. Bhatti, A. Frova, F. Materlli, P. Frigeri, A.
Broacchi ans S. Franchi. Phys. Rev. B, 59:7620, 1999.
[30] C.R. Bennett, N.C. Constantinou, M. Babiker and B.K. Ridley. J.Phys.: Con-
dens. Matter, 7:9819, 1995.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Captulo 4
Niveles de energa en
puntos cunticos
El potencial de connamiento que sufre un electrn (o hueco) en los puntos
cunticos, proviene del alineamiento de las bandas de conduccin (o de valencia) de
los semiconductores que componen la heteroestructura. El estudio de la estructura
de bandas o propiedades electrnicas en las heteroestructuras ha sido ampliamente
referido en la literatura [15]. Existen muchos mtodos diferentes para estudiar las
propiedades electrnicas de puntos cunticos, entre ellos citaremos: la aproximacin
de masa efectiva, el modelo k.p multibandas, tight binding, y el clculo pseudopo-
tencial. Todos estos modelos tienen en comn las etapas necesarias para modelizar
las propiedades electrnicas y pticas. El diagrama 4.1 resume en grandes lneas
las tres etapas esenciales en la descripcin de las propiedades electrnicas.
En este trabajo, nos centramos en la aproximacin de masa efectiva (AME),
donde las propiedades electrnicas se denen a partir de la ecuacin de movimien-
to de un electrn dentro del campo de otros electrones e iones que constituyen
el material. Muchos trabajos basados en AME aproximan el potencial de con-
namiento a una barrera con paredes innitas [6] (IEMA: Innite Eective Mass
Approximation). Consecuentemente, los niveles de energa del punto cuntico salen
sobre-evaluados en comparacin con los valores experimentales. Sin embargo, con
la eleccin de un potencial nito (FEMA: Finite Eective Mass Approximation),
Feyrrera y colaboradores [7] han logrado disminuir la discrepancia entre los valores
tericos y experimentales de la energa de gap. Adems, el mtodo de AME es exi-
ble y fcil de desarrollar; ello permite tener en cuenta algunos aspectos cruciales en
el estudio de heteroestructuras como pueden ser la geometra de puntos cunticos,
la no-parabolicidad o la mezcla en la estructura de bandas de materiales utilizados
en la fabricacin de la heteroestructura. Otra ventaja de AME es que se puede
sustituir los valores de los componentes del tensor de masa efectiva por sus valores
cerca de puntos extremos en la estructura de banda.
4.1. Niveles de energa en puntos cunticos
esfricos
Los primeros estudios tericos de los niveles de energa en puntos cunticos
estaban basados en nanoestructuras esfricas inmersas en un potencial innito, asu-
63
64 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
Definicin de la estructura
(geometra, tamao, composicin (caso de aleaciones),
materiales,tensin)
Modelizacin
Funcin de onda, potencial,
Las Interacciones
(e-e, e-h,e-ph)
E
tot
= E
PT
+E
SC
+E
corr
+E
e-ph
Perturbaciones, MONTE CARLO,
Self-consistent,Variacional,
EMA
k.p multibandas
Tight-binding
pseudopotencial
Figura 4.1. Diagrama de modelizacin de propiedades electrnicas y pti-
cas en puntos cunticos: E
PT
es la energa calculada por mtodo de perturbaciones,
E
SC
es la correccin obtenida por self-consistent, E
corr
es la energa de correlacin,
E
eph
la energa de interaccin electrn-fonn.
miendo que los electrones y huecos poseen una dispersin parablica en sus bandas
respectivas. En la aproximacin de masa efectiva, el movimiento de un electrn (o
hueco) en un potencial V
conf
puede escribirse como
H =

2
2m

2
+V
conf
(4.1)
donde el primer trmino de la derecha representa la energa cintica del electrn
(o hueco) con una masa efectiva m

. La solucin de este Hamiltoniano se presenta


como el producto de la funcin envolvente por la funcin de Bloch de la banda de
conduccin (o de valencia) del electrn (o hueco). Debido a la periodicidad de la
funcin de Bloch, el papel tanto de la geometra de las heteroestructuras como de
los parmetros fsicos que describen los materiales quedan implcitamente incluidas
en la funcin envolvente.
Para un potencial cualquiera V(r); en la aproximacin de la funcin envolven-
te, el Hamiltoniano electrnico en coordenadas esfricas puede resolverse en sepa-
racin de variables, con la parte radial escrita como
1
r
2
d
dr
_
r
2
1
m(r)
d
dr

l
(r)
_

l(l + 1)
r
2

l
(r)
m(r)
+
2

2
[E V (r)]
l
(r) = 0; (4.2)
siendo m(r) la masa efectiva en funcin de la posicin. La solucin de esta ecuacin
depende fuertemente del tipo de potencial V (r) como vamos a ver a continuacin.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.1 Niveles de energa en puntos cunticos esfricos 65
En AME, una heteroestructura o intercara viene caracterizada a travs de las condi-
ciones de contorno. Aunque en general, la eleccin de condiciones de contorno parece
arbitraria, hay un acuerdo sobre estas condiciones en el caso de intercaras planas. Se
trata de que la funcin de onda, junto con la componente normal de la corriente de
probabilidad deben ser continuas en la intercara. Estos criterios constituyen lo que
se llama condiciones de contorno convencionales o condiciones de Daniel-Duke [1].
Otros tipos de condiciones de contorno muy utilizadas en la literatura consisten en
exigir que la funcin de onda, junto con su derivadla sean continuas en la intercara,
obvindose de paso el desajuste entre las masa fectivas (eective mass mismatch).
A lo largo de este captulo, salvo mencin especial utilizaremos las condiciones de
contorno convencionales.
4.1.1. Niveles de energa en la aproximacin del potencial
innito
Considerando el potencial de connamiento
V
conf
=
_
0 r R
r > R,
(4.3)
y despreciando la interaccin Coulombiana, la solucin de la ecuacin (4.1) nos
proporciona la funcin de onda del electrn que podemos expresar en trminos de
la funcin de Bessel esfrica y de los armnicos esfricos

nlm
(r) =
_ _
2
R
3
j
l+1
(k
ln
R)
j
l
(k
ln
r)Y
m
l
(, ) r R
0 r > R.
(4.4)
El auto-valor del Hamiltoniano o la energa del electrn se da por
E
nl
=

2
k
2
ln
2m

, (4.5)
donde k
ln
=
ln
/R, y
ln
es la n-sima raz de la funcin de Bessel esfrica, i.e.
j
l
(
nl
) = 0. Por tanto, en la aproximacin del potencial innito, los estados se
clasican con respecto al momento angular orbital l (l = 0,1,2, ...), su proyeccin
m(m = 0, 1, 2, ...) y el nmero cuntico n que contabiliza los estados de la mis-
ma simetra. Estos niveles de energa se miden a partir del nivel ms bajo de la
banda de conduccin ( de valencia) para los electrones (o huecos), y se encuen-
tran degenerados con respecto al nmero cuntico m. Para el estado fundamental
(1,0,0),
10
= . La funcin de onda y la energa correspondiente tienen expresiones
sencillas

100
(r) =
_ _

2R
3
j
0
(r/R) r R
0 r > R,
(4.6)
E
100
=

2

2
2m

R
2
. (4.7)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
66 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
Si designamos por 1S el estado fundamental del electrn en el punto cuntico,
los estados de energa podran denirse de la manera siguiente: 1P (l = 1, n = 1),
1D (l = 2, n = 1), 2S (l = 0,n = 2) etc. siguiendo la misma notacin que en Ref. [8].
5.0 10.0 15.0 20.0 25.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5


E
n
e
r
g

a

d
e

c
o
n
f
i
n
a
m
i
e
n
t
o

(
e
V
)
Radio de la esfera (nm)
1S (l=0,n=1)
1P (l=1,n=1)
1D (l=2,n=1)
2S (l=0,n=2)
Figura 4.2. Dependencia de la energa de connamiento con el radio en
puntos cunticos esfricos en la aproximacin de potencial innito para los cuatro
primeros niveles de energa.
En la gura 4.2 se muestra los cuatro primeros niveles de energa para un
punto cuntico esfrico de InAs en la aproximacin del potencial innito. De estos
resultados, se aprecia que todos los niveles de energa decrecen a medida que aumen-
ta el tamao del punto cuntico. Para los valores de R superiores a 20 nm, todos
los niveles de energa se aproximan entre s. Adems, para un tamao especco
(R < 20nm), los niveles de energa crecen en este orden: 1S, 1P, 1D, 2S ..., lo que
se aproxima a la notacin habitual en ese campo, es decir: nS,nP, nD, , ... donde n
representa el nmero cuntico radial, (2l +1) veces degenerados respecto al nmero
cuntico orbital l.
4.1.2. Niveles de energa en la aproximacin del potencial
nito
La aproximacin del potencial nito debe su origen al viejo problema de "quan-
tum box", que representa una partcula encerrada en una caja tri-dimensional de
paredes nitas. La traslacin a los tratamientos de niveles de energa en los puntos
cunticos parte de la analoga que se establece entre el pozo cuntico, estructura en
que los electrones estn connados en una dimensin por una barrera de potencial
producida por una diferencia entre las bandas de conduccin (o de valencia) (con-
duction band-oset) de los materiales constituyentes de la heteroestructura. Si en la
ecuacin (4.2) sustituimos V(r) por V
conf
, siendo ste el potencial de connamiento
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.1 Niveles de energa en puntos cunticos esfricos 67
denido por
V
conf
=
_
V
0
(r R)
0 (r > R),
(4.8)
la funcin de onda del electrn se expresar como

nlm
(r) =
_
A
lmn
j
l
(k
ln
r)Y
m
l
(, ) r R
B
lmn
h
+
l
(i
ln
r)Y
m
l
(, ) r > R
(4.9)
donde A
lmn
y B
lmn
son las constantes de normalizacin y se determinan por las
condiciones de contorno y de normalizacin de la funcin de onda, y j
l
y h
+
l
son
funciones de Bessel y de Hankel esfricas, respectivamente. De las condiciones de
contorno de Daniel-Duke [1], se deduce una ecuacin transcendental
[j
l
(k
ln
R)]

/j
l
(k
ln
R) =
m

1
m

2
[h
+
l
(i
ln
R)]

/h
+
l
(i
ln
R) (4.10)
donde
k
ln
=
_
2m

1
E
ln
/ (4.11)

ln
=
_
2m

2
(E
ln
V
0
)/. (4.12)
m

1
y m

2
denotan las masas efectivas en la regin 1 y 2 que representan el material
dot y barrera, respectivamente. Las primas en la ec. (4.10) se reeren a la deriva-
da con respecto al argumento de la funcin de Bessel. La solucin de la ecuacin
transcendental (4.10) nos proporciona las energas del punto cuntico. Debido al
carcter oscilatorio de las funciones involucradas en la ec. (4.10), utilizamos el al-
goritmo ZBRENT [9], desarrollado por Wijngarrden y colaboradores, que combina
el mtodo de biseccin y la interpolacin cuadrtica inversa para determinar las
races de una funcin, cuyas derivadas cambian suavemente en la vecindad de la
raz. En la gura 4.3 se presenta la energa del estado fundamental del electrn
(hueco) en funcin del radio de la esfera para puntos cunticos de InAs/GaAs en
la aproximacin del potencial nito (FEMA). Asimismo, representamos la ener-
ga correspondiente para la aproximacin de potencial innito (IEMA). Para este
clculo, V
conf
0,69 eV , denido a partir de la discontinuidad de las bandas de
conduccin al borde del dot. Se observa que la energa disminuye con el tamao del
punto cuntico en ambos casos. Sin embargo, para un tamao dado, la energa del
portador en la aproximacin de potencial innito es superior a su valor en la apro-
ximacin de potencial nito. Solo mencionar a partir de aqu, que como los huecos
pesados que intervienen en las transiciones pticas, tienen masas efectivas mayores
a las masas efectivas de los electrones, la separacin entre los niveles de energa es
ms pequea para los huecos.
Debido a la eleccin de nuestra funcin de onda, se aprecia que las constantes
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
68 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
0 10 20 30 40
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
5.0 10.0 15.0 20.0 25.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
(b)
I
n
A
s
/
G
a
A
s


IEMA
FEMA
E
n
e
r
g

a

d
e

c
o
n
f
i
n
a
m
i
e
n
t
o

(
e
V
)
Radio (nm)
(a)


IEMA
FEMA
I
n
A
s
/
G
a
A
s
E
n
e
r
g

a

d
e

c
o
n
f
i
n
a
m
i
e
n
t
o

(
e
V
)
Radio (nm)
Figura 4.3. Dependencia de la energa de connamiento con el radio para
(a) electrones y (b) huecos en la aproximacin de potencial nito en puntos cunticos
de InAs/GaAs. Para comparar, se muestra tambin la energa de connamiento en
la aproximacin de potencial innito.
de normalizacin para el estado fundamental vienen determinadas por
A
2
=
k
2
0n

2
0n
_
R/2
sen(2k
0n
R)
4k
0n
+
e
2
0n
2
0n
_
1
(4.13)
y
B
2
=
_
R/2
sen(2k
0n
R)
4k
0n
+
e
2
0n
2
0n
_
1
. (4.14)
Estas constantes sern tiles en el clculo de la correccin de energa y los tra-
tamientos posteriores. Para determinar el papel del potencial nito en los niveles
excitados, primero volveremos al la ec. (4.1) que determina los energas para un
potencial innito. Podemos, sin duda alguna, construir un parmetro adimensional
que da cuenta de toda la fsica de los sistemas envueltos en un potencial nito. Bsi-
camente, para una heteroestructura de dimensin, R
8
el potencial de connamiento
8
R representa por ejemplo la semi-anchura en un pozo cuntico, la dimensin radial en un hilo
cuntico o las dimensiones laterales y/o verticales en los puntos cunticos.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.1 Niveles de energa en puntos cunticos esfricos 69
puede expresar como
V
conf
=

2

2
2m

R
2
0
(4.15)
donde es el nuevo parmetro que representa el connamiento en unidades re-
ducidas. De hecho, para una barrera innita, . De esta manera, se deduce
que una barrera entre dos semiconductores puede parecer profunda o dbil segn
la extensin del connamiento. As pues, cuando ms grande en la extensin, me-
jor es la aproximacin de potencial innito. Dicho de otra forma, la aproximacin
de potencial nito se presta mejor a los sistemas fuertemente connados (menor
dimensin). Para determinar los valores lmites de energa de connamiento en un
potencial nito, escribimos esta energa en trminos de V
conf
, i.e.;
E
conf
=

2

2
2m

R
2
= V
conf


2

2
2m

R
2
(4.16)
con
2
+
2
=
2
. Los estados de energa en esos casos vienen determinados por
los valores de y reales y positivos. De la etc. (4.16), se comprueba que para
= 0, la energa de connamiento se acerca al valor lmite superior del potencial de
connamiento (techo del potencial ), mientras que para , la energa es igual a
cero (el fondo del potencial), por tanto los niveles de energa estn profundamente
anclados en el fondo del pozo del potencial. En el caso de puntos cunticos esfricos,
las soluciones de la ec. de Schrdinger se escriben como
f
l
() =
A

J
l+1/2
(
l
) < 1 (4.17a)
f
l
() =
A

J
l+1/2
(
l
)
K
l+1/2
(
l
)
K
l+1/2
(
l
) > 1 (4.17b)
en coordenadas reducidas, i.e.

= ([ r [ /R, , ), donde A es la constante de norma-
lizacin, J
l+1/2
y K
l+1/2
son las funciones de Bessel de primer orden y modicada,
respectivamente. La aplicacin de las condiciones de contorno de Daniel-Duke en
= 1, da lugar a la siguiente relacin transcendental

l
J
l1/2
(
l
)
J
l+1/2
(
l
)
= (l + 1/2)
_
1
m

1
m

2
_

l
_
m

1
m

2
_
K
l1/2
(
l
)
K
l+1/2
(
l
)
. (4.18)
Es evidente, que para y
l
nito,
l
es innito. Sin embargo, si
l
0 y
l
es nito, el segundo trmino de la parte derecha de la ec. (4.18) tiende hacia cero,
como
2
l
/(2l 1). Entonces la ec. (4.18) se convierte en

l
J
l1/2
(
l
)
J
l+1/2
(
l
)
= (l + 1/2)
_
1
m

1
m

2
_

2
l
_
m

1
m

2
_
/(2l 1). (4.19)
Las races de esta ecuacin nos proporcionan los valores asintticos de la energa
de connamiento. Otra forma de resolver esta cuestin consistira en buscar una
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
70 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
relacin de recurrencia que determine los valores de energa de connamiento en
funcin de unos parmetros adimensionales dependientes del tipo de connamiento
y/o de la geometra. Por ello, en vez de aplicar las condiciones de contorno de Daniel-
Duke, ampliamente referidas en las secciones anteriores, utilizaremos la continuidad
de la derivada en = 1. Con ello, el desarrollo del inverso del trmino a la izquierda
de la ec. (4.18) tiende hacia (
l
z
(n)
l+1/2
)/z
(n)
l+1/2
, de tal forma que
l=0
z
(n)
l+1/2
/(l +

1
)
9
, para el caso de ,
l
nito y
l
innito. Sin embargo, para
l
0,

l
nito, mientras que el segundo miembro de la ec. (4.18) tiende hacia cero
segn
2
l
/(2l 1),
l
se acerca al cero de J
l1/2
. Esto implica que
l=0
z
(n)
l1/2
+
( z
(n)
l1/2
)/(l + 1/2). Entonces, podemos deducir que la energa de connamiento
de puntos cunticos esfricos en un potencial nito se dan a travs de una funcin
[11]
() =
_
+ 1 +
(
max

min
1)
2
(
max

min
1) + (
min
)(1 + ( 1)
max
/
min
)
_
1

max
. (4.20)
En este caso de puntos cunticos esfricos, para l = 0,
min
= (n1/2),
max
= n
y = 1, mientras que para l ,= 0,
min
= z
(n)
l1/2
,
max
= z
(n)
l+1/2
y = 1/(l + 1/2).
0 5 10 15 20 25 30
2
4
6
8
10

=
1S (n=1,l=0)
1P (n=1,l=1)
1D (n=1,l=2)
2S (n=2,l=0)
1F (n=1,l=3)

Figura 4.4. Parmetros adimensionales en funcin de para puntos


cunticos esfricos en aproximacin de potencial nito.
La gura 4.4 presenta la relacin entre los dos parmetros adimensionales y
para distintos niveles de energa (n,l ), obtenidos a partir de la ec. anlitica (4.20).
9
Para deducir esta expresin utilizamos la denicin de la derivada de la funcin de Bessel, as
como los desarrollos asintticos de las mismas [10]. Aqu, z
(n)
l+1/2
representa la n-esima raz de la
funcin de Bessel J
l+1/2
.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.1 Niveles de energa en puntos cunticos esfricos 71
La recta = dene el limite superior para las energas de connamiento.
5,0 10,0 15,0 20,0 25,0
0,00
0,34
0,68
1,02
1,36
1,71
2,05
5,0 10,0 15,0 20,0
0,00
2,00
4,00
6,00
8,00
10,00
12,00


E
n
e
r
g

a

d
e

c
o
n
f
i
n
a
m
i
e
n
t
o

(
e
V
)
Radio (nm)
1S (n=1,l=0)
1P (n=1,l=1)
1D (n=1,l=2)
2S (n=2,l=0)
V
conf
V
conf
= 0.69 eV
(b)


E
n
e
r
g

a

d
e

c
o
n
f
i
n
a
m
i
e
n
t
o

(
e
V
)
Radio (nm)
1S (n=1,l=0)
1P (n=1,l=1)
1D (n=1,l=2)
2S (n=2,l=0)
V
conf
V
conf
= 5 eV
(a)
Figura 4.5. Dependencia de los cuatro primeros niveles excitados con el
radio en puntos cunticos esfricos en aproximacin de potencial nito. Las gs.
(a) y (b) demuestran el papel del potencial cuanto a nmero de estados posibles.
Los datos corresponden a puntos cunticos de InAs/GaAs con band-oset como
potential o un potencial arbitrario.
Para ilustracin, calculamos los cuatro primeros niveles excitados en puntos
cunticos esfricos de InAs/GaAs. Los resultados se muestran en la gura 4.5 para
dos potenciales de connamiento; V
conf
= 5 eV y V
conf
= 690 meV, este ltimo
representa el band-oset debido a la discontinuidad de las bandas de valencia y
de conduccin. El uso del band-oset como potencial nito en estos clculos tiene
como objetivo de reproducir el efecto de tensiones sobre los niveles de energa. En
este caso, consideramos que V
conf
0,8E
g
. Como cabe de esperar, las energas
de connamiento disminuyen con el aumento del radio del punto cuntico. En la
gura 4.5, se puede observar que existen soluciones esprias (Spurious Solutions)
para algunos valores de radio de la esfera. En efecto, si asumimos que V
conf
limita
los valores de energa que puede tener un electrn (hueco) en el sistema, esto supone
que existe un tamao por debajo del cual, un estado ligado no puede existir. Con
ello, las dimensiones del dot limitan el nmero de estados posibles que se puede
observar. En la g. 4.5, hemos marcado con una lnea discontinua los valores de
V
conf
para distinguir los niveles de energa superior de los que caen debajo del valor
limite determinado por V
conf
. Leyronas y Combescot [11] han demostrado que para
un mismo material, el nmero de estados posibles depende del tipo y del alcance del
connamiento. Por ejemplo, para una heteroestructura de GaAs/Ga
x
Al
1x
As en
un potential nito de 400 meV y un tamao de 4 nm, esta heteroestructura presenta
dos estados ligados cuando est connado en pozo o hilo cuntico, y slo un estado
en connamiento tridimensional (o punto cuntico).
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
72 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
4.1.3. Niveles de energa en la aproximacin del potencial
parablico
La aproximacin del potencial parablico se debe, probablemente, a los efec-
tos de anclaje ("pinning") del nivel de Fermi, como consecuencia de la reaccin
altamente anistropa de los iones de los materiales semiconductores. Este anclaje
("pinning") provocara una curvatura de bandas ("band-bending") y una zona de
vaciado en las inmediaciones de la intercara entre los semiconductores. Para im-
plementar este hecho en los clculos tericos, se recurre a una aproximacin del
potencial parablico, de modo que el potencial de connamiento sufrido por el por-
tador tiene la forma siguiente
V (r) = E
F
_
1 (R r)
W
_
2
(4.21)
donde E
F
es el nivel de Fermi, R la dimensin del punto cuntico, r la coordenada
radial y W la anchura de la zona de vaciado. Supongamos el Hamiltoniano del
electrn en el potencial parablico istropo, expresado como
H
el
=

2
2m

2
+
1
2
m

2
0
r
2
(4.22)
donde
0
es la fuerza del acoplamiento o potencial de connamiento, que puede
denirse como
0
= (2E
F
/m

)
1/2
/R [12]. Esta ecuacin es igual a la del oscilador
armnico tridimensional, cuya funcin de onda es

nlm
(r, , ) = N
nlm
r
l
e

2
r
2
/2
M(n + 1, l + 3/2,
2
r
2
)Y
m
l
(, ) (4.23)
siendo M(n + 1, l + 3/2,
2
r
2
) la funcin de Kummer [10, 13] denida por
M(a, b, z) =

n=0
(a)
n
z
n
(b)
n
n!
(4.24)
y =
_
m

0
/. N
nlm
es la constante de normalizacin denida por
N
nlm
=
_
2
2l+3
(l +n + 1/2)
(n 1)!
2
(l + 3/2)
_
2
. (4.25)
La funcin de onda del estado fundamental se da por

100
= N
10
e

2
r
2
/2
Y
00
(4.26)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.2 Niveles de energa en puntos cunticos cilndricos 73
con N
2
10
=
8

3
. Podemos comprobar que los niveles de energa de connamiento
son
E
nl
=
0
[2(n 1) +l + 3/2] (4.27)
donde n (n=1,2,3 ...) es el nmero cuntico principal, mientras l (l=0,1,2,3,...) es
el nmero cuntico azmutal. Los distintos niveles siguen la notacin del atmo de
hidrgeno. A la vista de esta relacin, se espera que los niveles de energa sean
equidistantes unos respecto a otros.
3/2
n=1 n=2 n=3 n=4 n=5
E
/

o
Figura 4.6. Niveles de energa en puntos cunticos esfricos en la aproxi-
macin de potencial parablico.
En la gura 4.6 se muestra los cinco primeros niveles de energa en la apro-
ximacin de potencial parablico. En esta aproximacin,
0
puede interpretarse
como la energa de separacin entre los distintos niveles de energa. Debido a su
dependencia con el radio del punto cuntico, la separacin entre niveles disminuye
para los tamaos mayores. En las heteroestructuras de GaAs/AlGaAs por ejemplo,
esta separacin es del orden de 25 meV, para E
F
= 0.8 eV y R = 50 nm.
4.2. Niveles de energa en puntos cunticos
cilndricos
En coordenadas cilndricas, el Hamiltoniano de un electrn (o un hueco) en
un potencial de connamiento se escribe
H =

2
2
_
1

(, z)

+

z
1
m

(, z)

z
+
1
m

(, z)
1

2
_
+V (, z) (4.28)
donde hemos asumido que la masa efectiva vara con las posiciones en el sistema
de coordenadas. Como en el caso del punto cuntico esfrico, la solucin de este
Hamiltoniano depende igualmente del tipo de potencial. A continuacin, daremos las
soluciones en las que el Hamiltoniano puede ser tratado en separacin de variables.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
74 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
4.2.1. Niveles de energa en la aproximacin del potencial
innito
Para un potencial innito, denido por
V (, z) =
_
0 para < R
0
, [z[ < d
fuera,
(4.29)
la funcin de onda de un electrn en un punto cuntico cilndrico viene dada por
(r) =
_
J
l
(
n

R
0
) cos(k
z
z)e
im
para R
0
, [z[ d
0 fuera.
(4.30)
El movimiento en el plano est cuntizado, por lo que el espectro de energa de un
electrn en el estado fundamental se dene a partir de los ceros de las funciones
de Bessel. La funcin de onda anterior puede expresarse tambin en trminos de
la funcin seno para la solucin en z. Entonces, el nivel ms bajo de energa de
connamiento en el punto cuntico se denir como
E =

2

2
1
2m

R
2
0
+

2

2
n
2
8m

d
2
(4.31)
con
1
la primera raz de la funcin de Bessel J
0
. En la gura 4.7 se presenta la
energa de connamiento de los primeros niveles para puntos cunticos de InAs en
funcin del radio para d = 2.5 nm. Los niveles de energa estn denidos por los
nmeros cunticos (n,l,m), donde n es el nmero cunticos radial, l dene el orden de
la funcin de Bessel y m es el nmero cuntico azimutal. Como el movimiento en la
direccin z tiene una solucin simtrica y antisimtrica, hemos designado por (n,l,+)
los estados correspondientes a la solucin simtrica, y (n,l,-) las correspondientes a
la solucin antisimtrica. Los niveles de energa disminuyen a medida que aumenta
el tamao del punto cuntico. Al igual que en el caso esfrico, estos niveles estn
degenerados con respecto al momento angular m. Sin embargo, la regla de seleccin
en este caso es distinta. A diferencia de los puntos cunticos esfricos, el tercer nivel
excitado corresponde a 2S mientras que su homlogo en caso esfrico es 1D. Este
hecho puede tener consecuencias importantes cuanto a las transiciones permitidas
en las medidas pticas.
4.2.2. Niveles de energa en la aproximacin del potencial
nito
Debido a la peculiaridad del connamiento en las tres direcciones espaciales
en un punto cuntico, resulta difcil tratar la ecuacin de movimiento (2.29) por
separacin de variables cuando se trata del caso cilndrico. Le Go y Steb [14],
en su trabajo en aproximacin de potencial nito, han demostrado que el estado
fundamental puede caracterizarse por un producto de una funcin de onda que
dene el movimiento en el plano (x,y) y una segunda funcin para el movimiento
en la direccin z. Esta aproximacin se justica por el hecho de que las dimensiones
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.2 Niveles de energa en puntos cunticos cilndricos 75
4,0 8,0 12,0 16,0 20,0
0,82
1,24
1,65
2,06
2,47
2,88
3,30
3,71
4,12
4,53
4,95
5,36


E
n
e
r
g

a

d
e

c
o
n
f
i
n
a
m
i
e
n
t
o

(
e
V
)
Radio (nm)
(n=1,l=0,+)
(n=1,l=1,+)
(n=2,l=0,+)
(n=1,l=2,+)
(n=1,l=0,-)
(n=1,l=1,-)
(n=2,l=0,-)
(n=1,l=2,-)
Figura 4.7. Dependencia de los cuatro primeros niveles de energa de con-
namiento con el radio para electrones en la aproximacin de potencial innito para
puntos cunticos cilndricos de InAs.
laterales del punto cuntico suelen ser diferentes de su altura. Sin embargo, para
dar cuenta del acoplo entre el movimiento en el plano y el movimiento en z, el
potencial de connamiento est sometido a una correccin. De hecho, se considera
que el potencial de connamiento en la direccin z viene denido por el band-
oset, luego se aplica una correccin para hallar el valor correspondiente en el plano
(x,y), correccin que proviene de la probabilidad de que el portador se encuentre
en el plano, haciendo uso de las funciones de onda del portador que describen su
movimiento. Por otra parte, siguiendo el mismo planteamiento, Lelong y Bastard
[15] utilizaron un potencial efectivo para desacoplar el movimiento en el plano (x,y)
del movimiento en la direccin z para dos tipos de geometra del punto cuntico:
el cono y la semiesfera; adems, introdujeron unas expresiones analticas para los
potenciales de connamiento.
Por otro lado, Peeters y Schweigert [16] calcularon los estados de energa en
la direccin de crecimiento, para luego tratar el connamiento en el plano como un
potencial efectivo V
eff
que traduce la probabilidad de encontrar un electrn con-
nado en el plano, dadas las funciones de onda del mismo en z. La masa efectiva
tambin se ve afectada, segn este formalismo por el acoplo entre el movimiento en
el plano y el movimiento en la direccin de crecimiento. Otros autores, como Cali-
fano y Harrison [17], para solucionar el problema de la dependencia espacial, tanto
de la masa efectiva como del potencial de connamiento, denieron el espacio del
sistema dot/barrera como un cubo de dimensiones L
x
,L
y
y L
z
, en cuyo interior se
encuentra connado el punto cuntico en forma de pirmide. Obviando la continui-
dad de la funcin de onda en la intercara dot/barrera, estos autores convirtieron la
ecuacin de movimiento en una ecuacin matricial, multiplicando toda la ecuacin
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
76 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
de Schrdinger por el complejo conjugado de la funcin de onda para luego integrar
en todo el volumen del cubo. Para hallar los auto-valores, primero integraron la
ecuacin del movimiento en todo el volumen del cubo manteniendo constante la
masa efectiva igual a la masa del material barrera. Luego, la misma integral se efec-
tu en la regin del punto cuntico, con la masa efectiva igual a la masa del dot. A
la suma de estas dos contribuciones, se resta una tercera contribucin obtenida de la
integracin en la regin del dot, con la masa efectiva igual a la masa de la barrera. El
mismo procedimiento es aplicado al potencial de connamiento. Este mtodo tiene
la ventaja de ser aplicable a distintos tipos de potencial de connamiento. Korku-
sinski y colaboradores [18] han separado el Hamiltoniano de un disco cuntico en
dos trminos: uno en el plano xy y el otro en la direccin de crecimiento (z ). Al
contrario de Peeters y colaboradores [16], estos autores mantienen constantes las
masas efectivas a lo largo de todos los clculos.
Puesto que en general, la altura del punto cuntico es inferior a sus dimen-
siones laterales, el movimiento en la direccin de crecimiento es ms connado. Por
lo tanto, se puede utilizar la aproximacin adiabtica a la hora de denir el po-
tencial de connamiento. Por consiguiente, podemos pues, describir el potencial de
connamiento de la manera siguiente
V (, z) =
_
V
0
para [[ < R
0
, [z[ < d
0 fuera del dot
(4.32)
de modo que la funcin de onda puede escribirse como
(, z, ) =
1

2
e
im
g

(z)f
m
(). (4.33)
El ndice en la ec. (4.33) indica que la solucin del Hamiltoniano en la direc-
cin z se determina para un radio jo. Con ello, el Hamiltoniano puede analizarse
por separacin de variables y las funciones g

(z) y f
m
() satisfacen las ecuaciones
siguientes
_


2
2m

2
z
2
+V (, z)
_
g

(z) = E()g

(z), (4.34)
_

2
2
1

2
_

_

m

()

m
2
__
+E()
_
f
m
() = Ef
m
(). (4.35)
Para hallar los niveles de energas, primero calculamos E() para el potencial de
connamiento V(, z). Su valor se sustituye en la ecuacin radial, jugando as el pa-
pel de un potencial efectivo. Como en el caso del punto cuntico esfrico, escribimos
la funcin de onda del electrn en la aproximacin de masa efectiva, teniendo en
cuenta la geometra cilndrica. En el plano xy, la funcin de onda del electrn puede
expresarse en trminos de las funciones de Bessel, es decir
(, ) =
_
A
n
J
n
(k
1
)e
im
( R
0
)
B
n
K
n
(
2
)e
im
( > R
0
).
(4.36)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.2 Niveles de energa en puntos cunticos cilndricos 77
Aqu los ndices 1 y 2 se reeren al material dot y barrera, respectivamente. Si-
guiendo el mismo procedimiento que en la seccin anterior, comprobamos que las
constantes de normalizacin se escriben como
A
n
= (K
n
(
2
R
0
)/S
1/2
)
_
J
2
n
(k
1
R
0
)K
n+1
(
2
R
0
)K
n1
(
2
R
0
)
K
2
n
(
2
R
0
)J
n+1
(k
1
R
0
)J
n1
(k
1
R
0
)

1/2
(4.37)
y
B
n
= (J
n
(k
1
R
0
))/K
n
(
2
R
0
)A
n
= a
n
A
n
; (4.38)
expresiones obtenidas a partir de la normalizacin y de la continuidad de la funcin
de onda para = R
0
. Aplicando las condiciones de contorno de Daniel-Duke, obte-
nemos una ecuacin transcendental, cuya solucin determina la energa del electrn,
es decir
J
n
(k
1
R
0
)K

n
(
2
R
0
) (m

2
k
1
/m

2
)J

n
(k
1
R
0
)K
n
(
2
R
0
) = 0. (4.39)
En todas estas ecuaciones, k
1
= [(2m

1
/
2
)E

]
1/2
;
2
= [(2m

2
/
2
)(V
0
E

)]
1/2
.
Las primas en ec. (4.39) se reeren a las derivadas con respecto al argumento. La
solucin en z, es la solucin tpica correspondiente a un pozo de potencial cuadrado
en una dimensin, cuya funcin de onda se escribe como
(z) =
_
A cos(k
1z
z); [z[ d
B Exp(k
2z
([z[ d)); [z[ > d.
(4.40)
Aplicando de nuevo las condiciones de contorno de Daniel-Duke se obtienen los
valores de E
z
, resolviendo la ecuacin transcendental
tan(k
1z
d) =
m

1
k
2z
m

2
k
1z
(4.41)
donde k
1z
=

2m

1
E
z

y k
2z
=

2m

2
[E
z
V
0
]

. Una vez calculada E


z
, se sustituyen sus
valores en la ec. (4.34) para calcular la energa de la minibanda E

. De este modo,
queda reejado el acoplo entre el movimiento en la direccin de crecimiento con el
movimiento en el plano. Al igual que en los puntos cunticos esfricos, la solucin
de las ecuaciones transcendentales se obtiene numricamente mediante el mtodo
de Wijngarrden [9]. Una vez ms, la solucin del Hamiltoniano en z puede expre-
sarse en trminos de la funcin seno, la llamada solucin antisimtrica. Aplicando
de nuevo las condiciones de contorno a esta solucin, se obtienen las ecuaciones
transcendentales correspondientes, cuyas races dan lugar a otros valores de E
1z
.
Asociamos el menor valor de la raz en ambas ecuaciones (soluciones simtrica y an-
tisimtrica) al estado fundamental y al primer nivel excitado, respectivamente. En
la gura 4.8 representamos la energa total (E
T
) del electrn en un potencial nito,
para puntos cunticos cilndricos de InAs/GaAs. Se puede apreciar la disminucin
de E
T
en funcin del radio del cilindro. A diferencia de los esfricos, los puntos
cunticos cilndricos tienen un grado ms de libertad respecto a sus niveles de ener-
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
78 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
5.0 10.0 15.0 20.0 25.0
0.04
0.08
0.13
0.17
0.21
0.25
0.30
E
el
para d = 4.5 nm
E
h
para d = 4.5 nm
E
el
para d = 2.5 nm
E
h
para d = 2.5 nm


I
n
A
s
/
G
a
A
s
E
n
e
r
g

a

d
e

c
o
n
f
i
n
a
m
i
e
n
t
o

[
E

+
E
z
]

(
e
V
)
Radio (nm)
Figura 4.8. Dependencia de la energa del estado fundamental con el radio
en puntos cunticos cilndricos de InAs/GaAs en la aproximacin de potencial nito
para d = 2.5 y 4.5 nm. E
el
corresponde a la energa del electrn y E
h
es para el
hueco.
ga. En efecto, el factor de forma, denido aqu como la razn entre la altura y el
dimetro de la base determina los valores de niveles de energa en un punto cuntico
cilndrico. Este factor tiene un signicado relevante en la espectrscopa de puntos
cunticos, como se ha demostrado en muchas experiencias. Debido a la diferencia
entre el potencial de connamiento en el plano con respecto al connamiento en la
direccin de crecimiento, se espera que la separacin entre niveles de energa se vea
afectada. Hens y colaboradores [19] explicaron los grandes valores de la energa del
gap en puntos cunticos cbicos de PbS distinguiendo el connamiento fuerte en el
plano comparado con el connamiento dbil en la direccin de crecimiento.
Para los niveles excitados, aplicamos el mismo formalismo de bsqueda de
valores extremos como en el caso esfrico. Primero, cabe observar que los niveles
de energa para puntos cunticos cilndricos se dividen en un movimiento en la
direccin z y un movimiento en el plano (x,y). Del movimiento en la direccin
z, se comprueba que los niveles excitados se dan por E
n
(z) = 2v
0
E
(z)
0
donde
v
2
0
= 2m

V
conf
d
2
/
2
. Para el movimiento en el plano, la funcin de onda puede
tomar expresiones semejantes a las de la ec. (4.17), en donde la funciones de Bessel
cilndricas sustituyen a las esfricas. Con el mismo razonamiento, se comprueba que
la continuidad de la funcin de onda en = 1, nos da la ecuacin trascendental
siguiente

m
J
m1
(
m
)
J
m
(
m
)
=

m
K
m1
(
m
)
K
m
(
m
)
. (4.42)
Para , los valores lmites de
m
corresponden a . Como en el caso ante-
rior, el trmino a la derecha de ec. (4.42) tiende hacia 1, por tanto J
m
(
m
)/
m
J
m1

1/ 0. Los valores de
m
en este limite estn cerca del cero de J
m
. Esto conduce
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.2 Niveles de energa en puntos cunticos cilndricos 79
a que
m
z
(n)
m
/(1+
1
)
10
. Para los estados cercanos al top del potencial,
m
0
y
m
. En estos casos lmites, el trmino de la derecha de la ec. (4.42) tiende
hacia 1/ ln(
m
) para m=0,
2
m
ln(
m
) para m=1, y
2
/2(m1) para m 2. Otra
vez, podemos concluir que
m
tiende hacia la raz de J
m1
. Entonces, para m 1,

m
z
(n)
m1
+( z
(n)
m1
)/m. Los niveles de energa de connamiento, una vez ms
satisfacen la ec. (4.20), donde
max
= z
(n)
m
,
min
= z
(n)
m1
, para m ,= 0, z
(n1)
1
para
m=0, n ,= 1, y 0 para el estado fundamental m=0, n=1. Si consideramos el desa-
3,0 4,5 6,0
2,4
3,6
4,8
6,0
12,0 16,0 20,0 24,0 28,0
0,02
0,04
0,06
0,08

(b)
(m=1,n=1)
(m=1,n=2)
(m=2,n=1)
(m=2,n=2)
(m=3,n=1)
(m=1,n=3)
(m=3,n=2)


E
n
e
r
g

a

d
e

c
o
n
f
i
n
a
m
i
e
n
t
o

(
e
V
)
Radio (nm)
(a)
Figura 4.9. (a) Dependencia de la energa de los niveles excitados con el
radio en puntos cunticos cilndricos de InAs/GaAs en la aproximacin de potencial
nito para d = 2.5 nm; (b) Relacin entre el parmetro y en puntos cunticos
cilndricos para los niveles excitados.
juste de las masas efectivas a travs de las condiciones de contorno de Daniel-Duke,
la ecuacin transcendental sera

m
J
m1
(
m
)
J
m
(
m
)
= m
_
1
m

1
m

2
_

2
m
_
m

1
m

2
_
K
m1
(
m
)
K
m
(
m
)
. (4.43)
En la gura 4.9 se muestran los niveles excitados en funcin del radio del cilindro,
10
z
(n)
m
es la n-sima raz de la funcin de Bessel J
m
.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
80 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
as como la relacin entre el parmetro en funcin del connamiento, denido a
travs de . En la gura 4.9 (a), los ndices han sido elegidos para designar el orden
de la funcin de Bessel (m) y la n-sima solucin de la ecuacin transcendental. Los
resultados de la g. 4.9 han sido obtenidos teniendo en cuenta el desajuste en la
masa efectiva. Al igual que el caso de potencial innito, los valores de la energa
disminuyen con el aumento del tamao de puntos cunticos. Sin embargo, como se
demuestra en la gura 4.9 (b), para algunos valores de R
0
, el nmero de estados
excitados disminuye. Eso se traduce en la no existencia de una solucin real en la
ecuacin trascendental. Adems, los distintos niveles de energa satisfacen la regla
de seleccin establecida para la aproximacin de potencial innito. En estos clcu-
los, el potencial de connamiento efectivo en el plano (x,y) se ha calculado a partir
de la solucin de la ecuacin de Schrdinger en la direccin z. Puesto que no exis-
te una correspondencia unvoca entre las distintos auto-valores en la direccin de
crecimiento (eje-z), a cada solucin en z, corresponden valores distintos en el plano
(x,y), dando lugar a posibles mezclas de niveles en la sub-banda (x,y). Como cabe
esperar, los valores de energa en esta aproximacin son pequeos, comparados con
sus correspondientes en la aproximacin de potencial innito. Este hecho, se puede
interpretar como una indicacin de que la funcin de onda se extiende en el interior
del material barrera, como consecuencia del carcter nito del potencial. Se puede
constatar que una pequea modicacin en el valor del potencial de connamiento
entraa consigo un cambio importante en la energa del sistema. Se ha demostrado
en la literatura que un cambio de 0.1 eV en el potencial de connamiento pue-
de ocasionar una variacin de hasta 25 meV en la energa total de connamiento.
Debido a esta sensibilidad, podemos concluir que la modelizacin correcta del po-
tencial de connamiento, la geometra de puntos cunticos, junto con el desajuste
de masas efectivas son parmetros claves en los clculos de los niveles de energa en
heteroestructuras semiconductoras.
4.2.3. Niveles de energa en la aproximacin de potencial
parablico
En este apartado dividiremos el potencial de connamiento en dos partes: el
connamiento en el plano (x,y) y la contribucin en la direccin de crecimiento,
de forma que V (x, y, z) = V (x, y) + V (z). El connamiento en el plano (x,y) ser
considerado parablico, mientras que el movimiento en z es asimilado a un pozo
cuntico con potencial nito. Por tanto, la ecuacin de movimiento en el plano es
la ecuacin de un oscilador armnico en coordenadas polares. De este modo, las
funciones de onda vienen expresadas como
(, , z) =
e
im

n,l
()(z) (4.44)
de donde podemos deducir
n,l
() en trminos de funcin hipergeomtrica, i.e.
R
n,l
() = N
n,l
e
/2
F(n, [l[ + 1, ). (4.45)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.3 Niveles de energa en puntos cunticos cnicos truncados 81
(z) es la funcin de onda del conocido pozo cuntico, y =
0
m

2
/; las energas
vienen determinadas por
E
n,l,k
z
=
0
(2n +[l[ + 1) +

2
k
2
z
2m

. (4.46)
Los niveles de energa se clasican con respecto al nmero cuntico radial n (n =
0,1,2,...) y al nmero cuntico azimutal l (l = 0, 1, 2, 3, ...). La contribucin
en z se obtiene a partir de los clculos similares a los de un pozo cuntico, en un
potencial nito.
4.3. Niveles de energa en puntos cunticos
cnicos truncados
Los distintos estudios experimentales han demostrado que el punto cunti-
co crecido segn el proceso de Stranski-Krastanov presenta una forma piramidal.
El clculo de los niveles de energa de stos, continua siendo un motivo de deba-
te. Despus de los intentos de Marzin y Bastard [5] que trataron la pirmide en
una aproximacin cilndrica, varios autores se inclinan hacia los mtodos numri-
cos (como mtodo de elementos nitos) para determinar los niveles de energa en
el punto cuntico piramidal. Observando de cerca la pirmide, y rerindonos al
trabajo de Marzin, podemos considerar que una de las mejores maneras de tratar
analticamente un punto cuntico piramidal es de aproximarlo a un cono trunca-
do. Sin embargo, la solucin del Hamiltoniano en una simetra cnica no se presta
fcilmente al mtodo de separacin de variables. Por ello, recurrimos a un clculo
muy usual en geometra diferencial para determinar los potenciales en la supercie
en una estructura irregular. Este mtodo ha sido utilizado por da Costa [20], y lue-
go por Buonocore y colaboradores [21] para determinar las energas en estructuras
irregulares.
4.3.1. Modelizacin terica del punto cuntico cnico en
aproximacin de potencial innito
Consideremos un cono de radio R
0
en su base inferior, de altura d y de ngulo
al pex [ver gura 4.10]. Supongamos que el eje z est orientado a lo largo
del eje de revolucin del cono. Este caso es similar al clculo de los niveles de
energa en un dominio cuyo volumen es arbitrario. Con ello, el manejo adecuado
de las condiciones de contorno permite determinar en buena medida el efecto de la
forma sobre los distintos estados dentro del volumen estudiado. Para facilitar los
clculos, modelizamos el cono truncado como un cilindro cuya supercie lateral est
deformada. Utilizaremos las coordenadas cilndricas, considerndose el radio de la
base inferior del cono como una funcin de z. En la aproximacin de masa efectiva,
retomamos la ecuacin de Schrdinger (4.28) en coordenadas cilndricas para los
electrones (huecos) connados en un potencial V
conf
. Primero, consideramos z como
un parmetro por determinar y denimos por
n
la auto-energa correspondiente al
Hamiltoniano en el plano (x,y). De esta manera, la ecuacin (4.28) puede escribirse
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
82 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
R
0
R
1

z
x
y
d
Figura 4.10. El esquema del cono truncado y los parmetros en el modelo.
R
0
y R
1
son radios de las bases inferior y superior respectivamente; es la mitad
del ngulo al pex, y d es la altura del punto cuntico.
en separacin de variables, con la parte radial expresada por
_


2
2m

_

2

2
+
1

+
1

2
_
+V
conf
_
=
n
, (4.47)
donde = R(z). Ntese que la ecuacin (4.47) es una ecuacin paramtrica en z y
que su solucin depende de z. En el caso de un potencial innito, y utilizando las
condiciones de contorno (, , z)[
=R(z)
= 0, las funciones de onda de los electrones
son

n,
(r) =
1

[J
+1
(
n,
)[ R(z)
J

,n

R(z)
_
e
i
(4.48)
de donde se deduce que
n
=
2

2
n,
/(2m

R
2
(z)). Como el radio vara con z, po-
demos elegir una funcin f
,n
(z) por determinar, de modo que el clculo de las
energas totales pueda satisfacer al llamado mtodo de separacin de variables. La
eleccin que es consistente con la aproximacin precedente es la que mantiene la
simetra rotacional, de modo que la ecuacin (4.47) no mezcle los estados con dife-
rentes valores de . Entonces, la funcin de onda del Hamiltoniano total se escribe
como
(r) =

n
(, z)f
n
(z) (4.49)
con

n
(, z) =
1

[J
1
(
n
)[ R(z)
J
0
_

R(z)
_
(4.50)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.3 Niveles de energa en puntos cunticos cnicos truncados 83
para = 0. Si ahora multiplicamos a la derecha de los dos miembros del Hamilto-
niano total por
n
(, z) y con la ayuda de las ecuaciones (4.47) y (4.49), se halla
un sistema de ecuaciones acoplado [ver el apndice C] para f
n
(z), es decir
_

2
z
2

1
R
2
(z)
_

2
n
+
1
3
_
1 +
2
n

_
R

2
(z)
__
f
n
(z) +

n=n

W
n

,n
f
n
(z)
= E
2m

2
f
n
(z) (4.51)
donde la matriz de acoplamiento W
n,n
(z) viene dada por
W
n

,n
(z) =
R

2
(z)
R
2
(z)

2
n
Q
n

,n

_
3
R

2
(z)
R
2
(z)

R

(z)
R(z)
_

n
P
n

,n
+ 2
n
R

(z)
R(z)
P
n

,n

z
. (4.52)
Aqu tenemos que los trminos Q
n

,n
y P
n,n
estn denidos por las expresiones
siguientes
Q
n,n
=
8
n

(
2
n

2
n
)
2
(4.53)
y
P
n,n
=
2
n

2
n

2
n

. (4.54)
Introducimos la deformacin de la supercie lateral deniendo la dependencia del
radio de la base inferior con z
R(z) = R
0
_
1
z
R
0
tan()
_
. (4.55)
Esta relacin dene la desviacin del cono truncado con respecto al cilindro. Si
adems, en primera aproximacin, despreciamos los trminos cruzados W
n

n
, la
ecuacin (4.51) se reduce en
_

2
z
2

1
R
2
(z)
_

2
n
+
1
3
_
1 +
2
n

_
R

2
(z)
__
f
n
(z) = E
2m

2
f
n
(z). (4.56)
Al sustituir la ec. (4.55) en la ec. (4.56), y despus de reagrupar los trminos, se
obtiene una ecuacin de tipo
[H

+V
eff
] f(z) = f(z) (4.57)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
84 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
donde el operador H


d
2
dz
2
, V
e
=
1
R
2
(z)
_

2
n
+
1
3
_
1 +
2
n

_
tan
2
()

acta como
un potencial efectivo, y =
2m

2
. Antes de discutir los resultados, es obvio co-
mentar el papel del trmino entre corchetes en la ecuacin (4.56). En esta ecuacin,
si el radio es constante, la solucin de la ecuacin diferencial en z se reduce a la
solucin de un pozo cuntico en un potencial innito. Entonces, podemos deducir
que ese trmino es el que dene la correlacin entre el movimiento del portador de
carga en el plano con su movimiento en la direccin de crecimiento, en este caso el
eje z. Dicho de otro modo, el segundo trmino de la ecuacin (4.56) acta como un
potencial efectivo. El concepto de potencial efectivo fue introducido por Marzin y
Bastard [5] en un intento de calcular los niveles de energa en un punto cuntico
cnico por separacin de variables. En su trabajo, el potencial efectivo se debe a
la evaluacin del valor esperado del potencial de tipo escaln dentro y fuera del
dot, habiendo tenido en cuenta la funcin de onda del electrn en la direccin de
crecimiento. A continuacin, analizamos los diferentes tratamientos para resolver la
ec. (4.56), as como las consecuencias de los mismos.
4.3.2. Solucin numrica y aplicaciones
Aqu presentamos dos formas para resolver la ec. (4.56) y los auto-valores para
el cono truncado.
Resolucin por desarrollo en serie de V
eff
En general, las dimensiones laterales del punto cuntico son superiores a su
dimensin transversal (i.e. su altura). Por ello, podemos desarrollar el potencial
efectivo, V
eff
en serie de Taylor de (1 x)
2
, con x = z tan()/R
0
, hasta el primer
trmino del desarrollo. Cuanticando los distintos trminos de la ecuacin (4.56),
se obtiene una ecuacin de tipo
_

2
z
2
( +z)
_
f(z) = 0 (4.58)
donde
=
1
R
2
[
2
n
/ +
1
3
(1 +
2
n
) tan
2
()]
2m

2
, (4.59a)
=
2 tan()
R
3
[
2
n
+ 1/3(1 +
2
n
) tan
2
()], (4.59b)

2
=
3
. (4.59c)
Realizando un cambio de variables z

= ( +z)/, la ec. (4.58) se convierte


en una ecuacin de tipo-Airy [10], cuya solucin es
f(z

) = AAi(z

) +BBi(z

) (4.60)
donde Ai y Bi son las funciones de Airy de primera y segunda especie. De las
condiciones de contorno, podemos deducir que B=0 y f (z )=0 cuando z = d en la
supercie del punto cuntico. Los niveles de energa vienen dados a partir de los
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.3 Niveles de energa en puntos cunticos cnicos truncados 85
ceros de la funcin de Airy, obtenindose que
E
tot
=

2

2
n
2m

R
2
0
_
1 +
(1 +
2
n
) tan
2
()
3
2
n
[1 + tan()d/R
0
]
ai
s
2 tan()
_

2
n
+ (1 +
2
n
) tan
2
()/3

2/3

2
n
_
, (4.61)
siendo ai
s
los s-simos ceros de la funcin de Airy [22]. Con esta formulacin, los
distintos niveles de energa vienen denidos por el nmero cuntico m, el nmero
cuntico radial n y la s-sima raz de la funcin de Airy.
5,0 7,5 10,0 12,5 15,0 17,5 20,0
0,00
0,31
0,62
0,94
1,25
1,56
1,87
n=1,l=2,s=1
n=2,l=0,s=1
n=1,l=1,s=1
n=1,l=0,s=1


E
n
e
r
g

a

d
e

c
o
n
f
i
n
a
m
i
e
n
t
o

(
e
V
)
Radio de la base mayor (nm)
Figura 4.11. Dependencia de la energa de connamiento con el radio para
las cuatro primeras sub-bandas y para s=1 en puntos cunticos cnicos truncados
de InAs en la aproximacin de potencial innito.
La gura 4.11 presenta la dependencia con el radio de los cuatro primeros
niveles de energa para puntos cunticos cnicos de InAs, para d = 2.5 nm y = 30
o
.
Debido a que los ceros de la funcin de Airy son negativos, los niveles de energa
en la ec.(4.61) sern positivos. Para una altura ja y un ngulo jo, la energa de
connamiento disminuye con el radio de la base inferior. Sin embargo, si jamos
el radio de la base y hacemos variar la altura del cono, la energa aumenta con la
altura. Cabe observar que la ecuacin (4.58) es similar a la ecuacin de un portador
en un pozo nito, en presencia de un campo elctrico aplicado. Se ha demostrado
que los niveles de energa en este ltimo caso aumentan con el campo elctrico
aplicado. En la gura, los distintos niveles vienen descritos a partir de las races de
la funcin de Bessel cilndrica.
Solucin exacta
Si en vez de suponer que V
eff
es una perturbacin, realizamos un cambio di-
recto de variables, = R
0
z tan(); despus de reagrupar los trminos, la ecuacin
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
86 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
(4.56) puede convertirse en una ecuacin de tipo

2
+
_


2
1/4

2
_
= 0 (4.62)
donde
2
= 2m

E
tot
/(
2
tan
2
()) y
2
= 1/4 +
_

2
n
+ (1 +
2
n
) tan
2
()/3

. Vista
de esta manera, la ec. (4.62) corresponde a la ec. de Schrdinger para un potencial
atractivo llamado inverse square potential (ISP): potencial que vara con el inverso
de la distancia al cuadrado. Cabe resaltar que la formulacin de ISP recobra una
importancia capital en la fsica molecular, donde ste aparece en una formulacin
modicada del potencial dipolar [? ]. Las soluciones de la ec. (4.62) tienen la forma
siguiente: f() =
1/2
Z

() donde Z

(x) representa una combinacin lineal de


funciones de Bessel de orden . Las condiciones de contorno y la denicin del
problema limitan la eleccin de la funcin de onda a la nica funcin de Bessel que
es nita en el origen. Por tanto, la solucin adecuada en este caso se puede escribir
como
f() = A

1/2
J

() (4.63)
con A

representando la constante de normalizacin. Aplicando las condiciones de


contorno, se comprueba que los auto-valores de la ec. (4.62) se determinan a partir
de los ceros de J

() en z = d. Al ser el ndice un nmero real, los distintos ceros


de J

() se denen a travs del desarrollo en serie de Mc Mahon [10]. De este


modo, la energa de connamiento del cono truncado ser expresado por
E
tot
=

2
j
2
,s
tan
2
()
2m

2
[
z=d
(4.64)
donde j
,s
es la s-isima raz de la funcin de Bessel de orden . Con est solucin,
el acoplo entre el movimiento en el plano xy con el movimiento en la direccin z se
reeja en el ndice de la funcin de Bessel J

, que a su vez determina los valores de


energa total, de acuerdo con el desarrollo asinttico de Mc Mahon [10].
Los resultados de este clculo se representan en la gura 4.12. En esta gura
(g. 4.12), la energa de connamiento disminuye a medida que aumenta el radio
del cono, como en la aproximacin de tratamiento en serie del potencial efectivo.
En efecto, de acuerdo con el desarrollo asinttico, los ceros de la funcin de Bessel
con ndice real grande se relacionan con los ceros de la funcin de Airy [10]. Esto
conrma en cierto modo la validez del desarrollo de la seccin anterior.
Si comparamos las expresiones de energa total en el cono truncado con su
correspondiente en el cilindro, observamos que un portador de carga en puntos
cunticos cnicos se mueve con una masa efectiva que depende de la curvatura o
de la desviacin respecto al cilindro. Esta situacin ha sido observada por Cantele
y sus colaboradores [23] en puntos cunticos esferoidales, tanto por el tratamiento
variacional como en los tratamientos topolgicos.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.4 Conclusin 87
9,0 12,0 15,0 18,0 21,0 24,0
0,00
0,62
1,25
n=1, s=1, d = 2.5 nm
n=1, s=1, d = 5.0 nm
n=2, s=1, d = 2.5 nm
n=2, s=1, d = 5.0 nm



E
n
e
r
g

a

d
e

c
o
n
f
i
n
a
m
i
e
n
t
o

(
e
V
)
Radio de la base mayor (nm)
Figura 4.12. Dependencia con el radio de la energa de connamiento en
puntos cunticos cnicos truncados de InAs en la aproximacin de potencial innito:
solucin exacta.
4.4. Conclusin
En este captulo hemos querido demostrar el efecto de la geometra en los
niveles de energa de los puntos cunticos. Por ello, tres geometras de puntos cun-
ticos han sido estudiadas en diferentes aproximaciones con respecto al potencial de
connamiento. Los niveles de energa en puntos cunticos esfricos y cilndricos dis-
minuyen con las dimensiones del dot, tanto en la aproximacin de potencial innito
como en el nito. Asimismo, el carcter nito del potencial de connamiento se
maniesta a travs de la reduccin importante de los valores de energa de con-
namiento en estos dos casos. En ambas geometras, hemos calculado los primeros
niveles excitados y hemos demostrado que el potencial de connamiento, junto con
la geometra del sistema limitan el nmero de estados excitados posibles. Por ello,
hemos utilizado una expresin que permite deducir, a partir de las dimensiones
de puntos cunticos y su potencial de connamiento, los valores de la energa de
connamiento del portador, sin necesidad de un clculo laborioso.
Comparando estos dos casos, observamos que la geometra cilndrica aade
un nuevo grado de libertad en los valores de energa de los portadores respecto
al movimiento en el punto cuntico esfrico. Tambin se observa que el potencial
de connamiento est sujeto a la correlacin entre el movimiento en el plano y
el movimiento en la direccin de crecimiento. En este trabajo, hemos elegido la
aproximacin de Peeters y Schweiger [16] que consiste en calcular primero la energa
de connamiento en la direccin de crecimiento, para luego introducirla como un
potencial de connamiento efectivo en la ecuacin de movimiento en el plano. De
la misma forma, la masa efectiva del portador en el plano se ve modicada por la
probabilidad de encontrar el portador en la direccin de crecimiento. Este hecho
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
88 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
modica sustancialmente los valores de energa en los puntos cunticos cilndricos
sometidos a un potencial nito.
Con la geometra, las reglas de seleccin tambin sufren un cambio importante
al pasar de una geometra esfrica a una cilndrica. Si para puntos cunticos esfricos
la secuencia de orbitales es 1S < 1P < 1D < 2S, en los puntos cunticos cilndricos,
por el contrario, la secuencia viene a ser 1S < 1P < 2S < 1D, ya que en la
geometra cilndrica los nmeros cunticos principales estn ligados al movimiento
en la direccin de crecimiento. Consecuentemente, las transiciones pticas sufrirn
un cambio. En efecto, en algunos casos, la separacin entre niveles es bastante
pequea en la geometra cilndrica si se compara con la geometra esfrica.
Sin embargo, en el cono truncado, la energa del estado fundamental presenta
una peculiaridad debida al acoplo entre el movimiento en la direccin de crecimiento
con su homlogo en el plano. En efecto, hemos demostrado que existe una correla-
cin entre ambos movimientos. El tratamiento topolgico de la supercie del cono
introduce un potencial efectivo, llamado "potencial supercial topolgico". El po-
tencial de esta naturaleza ha sido introducido tanto en hilos cunticos deformados
como en puntos cunticos elipsoidales para calcular los niveles de energa, y as sor-
tear la dicultad que presentan estas geometras respecto a la resolucin anlitica
de la ecuacin de movimiento. En estos casos, debido a la curvatura, los niveles
de energa sufren una localizacin dependiente de los parmetros geomtricos que
describen la desviacin con respecto a las geometras regulares.
En general, la energa de connamiento en un volumen V vara como V
2/3
si
nos situamos en la aproximacin de potencial innito y asimilamos el punto cuntico
a una esfera. Para un mismo volumen y para un valor jo de la altura de un pun-
to cuntico cilndrico, se espera que la energa de connamiento cambie con V
1
,
siendo V el volumen equivalente al correspondiente a la esfera. Consecuentemente,
la energa en el plano del cilindro ser menor que la de la esfera. Eso implica que
para conseguir los valores de energa comparables para un electrn en una esfera,
es necesario una altura mucho ms grande para un punto cuntico cilndrico. Por
ejemplo, para un volumen equivalente de una esfera de radio R = 10 nm, se nece-
sitara un cilindro de radio R
0
= 16 nm, si la altura del mismo es de 5 nm. Esto
conduce a una disminucin importante en los valores de energa de connamiento.
Existen trabajos que sitan la energa de portadores de carga en puntos cunticos
esfricos entre los valores de esferoides y elipsoides.
Si los volmenes pueden explicar los valores de energa de connamiento, no
es del todo cierto respecto al comportamiento de esta energa en algunas geome-
tras particulares. En efecto, la forma externa es de una importancia capital, como
acabamos de ver en el caso del cono truncado. As, la anisotropa geomtrica intro-
duce un grado de libertad ms en la interpretacin de los autovalores de energa de
connamiento. Por ejemplo, las desviaciones con respecto a las formas geomtricas
regulares
11
pueden introducir una localizacin o deslocalizacin de los portadores
de carga, que se traduce tanto en un cambio de signos en los auto-valores de la ener-
ga de connamiento, como en la existencia de mnimos y/ mximos para zonas
restringidas de las dimensiones geomtricas del punto cuntico irregular. Es el caso
de los puntos cunticos elipsoidales o paraboloides. En nuestro caso, el tratamiento
variacional del cono truncado ha dado lugar a la existencia de un potencial que vara
con el inverso de la distancia al cuadrado. En la literatura, este potencial ha sido
atribuido, por ejemplo, a la interaccin entre un dipolo y una carga elctrica, dando
11
Denominamos puntos regulares, aquellos cuyas formas permiten una solucin exacta de las
ecuaciones de movimiento en separacin de variables.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
4.4 Conclusin 89
lugar a lo que se llama anomala cuntica [24]. La aparicin de estados ligados en
este tipo de potencial est asociada con la existencia de una cierta regin acotada
del espacio, en la cual el potencial que sufre el portador en el sistema es innito.
El tratamiento de esta cuestin revela la existencia de un acoplo crtico que puede
dar lugar a la existencia de estados ligados. Cabe pensar, que trabajos ulteriores
podran demostrar la existencia de regiones de puntos cunticos que se prestan a la
existencia de estados ligados, producidos por los potenciales topolgicos. Pensamos
en este caso, en la resolucin completa de la ecuacin de movimiento en la direccin
z, con el trmino de acoplo W
n,n
,= 0.
Para concluir, como los niveles de energa inuyen en las propiedades pticas
de los puntos cunticos, esto implica que, segn sea la forma de un punto cuntico,
los procesos de absorcin o de emisin se vern fuertemente alterados, tanto por
las dimensiones como por el carcter local o no local del portador que participe
en el mecanismo. Este hecho pone de maniesto la importancia tanto de un mejor
control de formas a la hora de fabricar los puntos cunticos, como de medidas
experimentales que relacionen los efectos estructurales con las propiedades pticas
de portadores de carga en los puntos cunticos.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
90 Captulo 4. Niveles de energa en puntos cunticos
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Bibliografa
[1] G. Bastard. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures. Les
ditions de Physique, Ulis Cedex, France, 1988.
[2] M.J. Kelly. Low-Dimensional Semiconductors: Materials, Physics, Technology
and Devices. Oxford Science Jublications, London, UK, 1995.
[3] T.K. Mitra, A. Chatterjee and S. Mukhopadhyay. Physics Reports, 153(2):91,
1987.
[4] T. Ando, A.B. Fowler and F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54(2):437, 1982.
[5] J.-Y. Marzin and G. Bastard. Solid State Comm., 92:437, 1994.
[6] K. Oshiro, K. Akai and M. Matsuura . Phys. Rev. B, 58:7986, 1998.
[7] J.M. Feyrrera and C.R. Proetto. Phys. Rev. B, B 60:10679, 1999.
[8] Victor I. Klimov. Linear and Nonlinear Optical Spectroscopy of Semiconductor
Nanocrystals. In Nanostructured Materials and Nanotechnology, page 566. Hari
S. Nalwa Edition, Academic Press, San Diego, USA, 2002.
[9] W. H. Press, B. P. Flannery, S. A. Teukolsky and W.T. Vetterling. Numerical
Recipes: Fortran Version. Press Syndicate of the University of Cambridge, New
York, USA, 1992.
[10] . Handbook of Mathematical Functions, 9th edition. edited by M. Abramowitz
and I.A. Stegun, Dover Publications, New-York, USA, 1972.
[11] X. Leyronas and M. Combescot. Solid State Comm., 119:631, 2001.
[12] M.A. Reed, J.W. Sleight and M.R. Deshpande. Electronic Transport Properties
of Quantum Dots. In Nanostructured Materials and Nanotechnology, page 445.
Hari S. Nalwa Edition,Academic Press, San Diego, USA, 2002.
[13] A. Galindo y P. Pascual. Mecanica Cuntica II. EUDEMA UNIVERSIDAD,
Madrid, Espaa, 1989.
[14] S. Le Go and B. Stebe. Phys. Rev. B, 47:1383, 1993.
[15] Ph. Lelong and G. Bastard. Solid State Comm., 98:819, 1996.
[16] F.M. Peeters and V.A. Schweigert . Phys. Rev. B, 53:1468, 1996.
[17] M. Califano and P. Harrison. Phys. Rev. B, 61:10959, 2000.
91
92 BIBLIOGRAFA
[18] M. Korkusinski and P. Hawrylak. Phys. Rev. B, 63:1953111, 2001.
[19] Z. Hens, D. Vanmaekelbergh, E.A.A.J. Stoels and H. van Kempen. Phys. Rev.
Lett., 88:236803, 2002.
[20] R. C. T. da Costa. Phys. Rev. A., 23:1982, 1981.
[21] F. Buonocore, D. Ninno and G. Iadonisi. Phys. Status Solidi (b), 225:343, 2001.
[22] M. Neher. Validated bounds for the zeros of airy functions. ZAMM, 79:S813
S814, 1999.
[23] H.E. Camblong, L. N. Epele, H. Fanchioti and C. A. Garca-Canal. Phys. Rev.
Lett., 87:220402, 2001.
[24] F. Camblong et al. Phys. Rev. B, 62:10914, 2001.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Captulo 5
Polarones en puntos
cunticos
Uno de los factores determinantes en los fenmenos de transporte o en las pro-
piedades pticas en semiconductores polares es el scattering de electrones por los
fonones pticos. Para los puntos cunticos de tipo InAs por ejemplo, la separacin
entre niveles de energa es comparable a la energa de fonones pticos, pero bastan-
te mayor que la energa de los fonones acsticos. Esto conlleva unas consecuencias
importantes respecto a la interaccin electrn-fonn. Primero, se ha demostrado
que los fonones LA (longitudinal acoustic phonons) son poco ecientes [? ] en la
relajacin de los electrones excitados a travs de la emisin de uno o varios fonones.
Segundo, debido al carcter poco dispersivo de los fonones pticos, muchos autores
han sugerido que la interaccin electrn-fonn ocurre en rgimen de acoplo fuerte [?
? ]. Sin embargo, la idea muy extendida segn la cual, un electrn en un estado
excitado se relaja emitiendo uno o varios fonones, cuando la separacin entre los
niveles de energa coincide con la energia del fonn LO, no resulta del todo cierta
para los puntos cunticos. Excepto en los semiconductores III-V, donde el acoplo
electrn-fonn es dbil, se ha demostrado que los electrones y fonones forman esta-
dos mixtos, llamados estados del polarn, a partir de los cuales opera la relajacin.
Existen evidencias tericas y experimentales que demuestran la relajacin de elec-
trones a travs de polarones [1? ]. A pesar de estos trabajos, persisten problemas
a la hora de interpretar correctamente la contribucin de polarones en los puntos
cunticos. La mayor dicultad proviene del desconocimiento de los espectros de
fonones debido a los errores sobre las formas geomtricas y la composicin en los
puntos cunticos. Adems, muchos resultados experimentales analizan la interac-
cin electrn-fonn solamente a travs de los fonones LO, ignorando la contribucin
de los fonones de intercara.
Existen muchos modelos para calcular los estados electrnicos de heteroes-
tructuras en presencia de interaccin electrn-fonn [2, 3]. Para el caso en que esta
interaccin sea relativamente dbil, es decir cuando los procesos de scattering pue-
den considerarse como independientes, el uso de la regla de oro de Fermi permite
obtener resultados en buen acuerdo con los experimentos. Cuando esta interaccin
aumenta por diversos motivos (como puede ser la aplicacin de un campo elctrico
externo o un campo magntico) o por la naturaleza misma de los materiales utiliza-
dos, los efectos de polarn vuelven a ser predominantes debido a la autolocalizacin
del electrn en el campo de polarizacin del cristal. En este caso, el tiempo entre dos
colisiones es inferior a la duracin misma de la colisin. Los fenmenos se complican
93
94 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
enormemente y dan lugar a efectos no lineales. En los casos de puntos cunticos, la
validez de uno u otro mtodo viene dictada por el valor de la constante de Frhlich,
que determina la fuerza de acoplo entre el electrn y el fonn. En caso de interac-
cin dbil, con constante de Frhlich inferior a 1, se aplica el mtodo perturbativo,
considerndose la interaccin electrn-fonn como una perturbacin a la energa del
estado fundamental del electrn. Cuando la constante de Frhlich es superior a 1, se
ha podido distinguir dos rangos: 1 < < 5 , y >> 5. En el primer caso, el clculo
de energa de transicin se efecta mediante mtodos variacionales, mientras que
en el ltimo caso se suele aplicar el mtodo de camino-integral de Feynman [2, 3].
Tanto el mtodo perturbativo como el variacional presentan muchas variantes. El
mtodo perturbativo, por ejemplo, se presta a casos cuyos Hamiltonianos pueden
resolverse en trminos de funciones ortogonales. En la prctica, este mtodo ha sido
utilizado para calcular la energa del polarn en potencial parablico, en concreto
para la interaccin del electrn con los fonones connados. La variante ms utilizada
en este caso es el Rayleigh-Second Perturbation Theory (RSPT). A continuacin,
utilizaremos los mtodos perturbativos y variacionales para calcular las correcciones
a la energa debidas a la interaccin electrn-fonn, teniendo en cuenta los distintos
modos de fonones discutidos en el captulo tres. Empleamos los clculos perturba-
tivos para analizar la interaccin electrn-fonn en los puntos cunticos cnicos,
en cuyo caso slo trataremos los fonones connados. Por otro lado, los mtodos
variacionales se emplearn para los puntos cunticos esfricos y cilndricos. Aunque
la interaccin electrn-fonn en los materiales bajo estudio responden al caso de
acoplo dbil ( < 1), nos guiaremos por los trabajos recientes [4? ] que han de-
mostrado que los mtodos variacionales pueden cubrir todos los rangos de acoplo
electrn-fonn.
5.1. Polarones en puntos cunticos esfricos
En esta seccin, desarrollaremos los distintos pasos importantes para escribir
los diferentes trminos del Hamiltoniano de interaccin electrn-fonn en puntos
cunticos esfricos. Asimismo, presentaremos el modelo empleado para calcular la
energa del polarn. Por ello, utilizaremos la formulacin variacional utilizada por
Melnikov y Fowler [5] y que permite tratar el polarn en todos los diversos rangos de
acoplamiento electrn-fonn. A lo largo de este trabajo, nos referiremos a R como
radio de la esfera.
5.1.1. Hamiltoniano de interaccin electrn-fonn
En general, el Hamiltoniano de Frhlich que dene la interaccin entre una
carga puntual (electrn o hueco) situada en r
e
con la polarizacin P(r) se da por
H
eph
= e
_
d
3
r
r
1
[r r
e
[
.P(r). (5.1)
Para obtener la expresin del Hamiltoniano de interaccin en un punto cuntico
esfrico, distinguiremos el caso de fonones connados con el de fonones de supercie
o fonones de intercara. En la aproximacin del potencial innito, se ha considerado
siempre que el electrn est en el punto cuntico. Pero, como en general, los puntos
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.1 Polarones en puntos cunticos esfricos 95
cunticos se constituyen de un semiconductor enterrado en otro semiconductor de
caractersticas distintas, un electrn en la barrera puede interactuar con el fonn
bulk del material barrera. Por lo tanto, el estudio de la interaccin electrn-fonn
requiere tener en cuenta, tanto los fonones de intercara, como los fonones connados
en las dos regiones de la heteroestructura.
A. Hamiltoniano de Frhlich para los fonones connados
Para los fonones connados en el punto cuntico, el potencial electrosttico
tiene la forma
(r) =
_
klm
A
klm
j
l
(kr)Y
lm
(, ) r R
0 r > R
(5.2)
donde A
klm
es la constante a determinar por las condiciones de contorno y de norma-
lizacin. De la continuidad del potencial electrosttico en la supercie, se halla que
j
l
(kR) = 0 que especica el espectro de valores permitidos de k; k k
ln
=
ln
/R,
donde
ln
es la n-sima raz de la funcin de Bessel j
l
. El vector de polarizacin en
cualquier zona dentro del punto cuntico se escribe como
P(r) =

klm

1
(
1LO
)
4
A
klm
[j
l
(kr)Y
lm
(, )] (5.3)
donde
1
(
1LO
) es la susceptibilidad del punto cuntico. De la ortogonalizacin del
vector polarizacin, obtenemos la constante A
klm
, en concreto
A
klm
=
4

1LO
R
2
nl
j
l+1
(
nl
)
1

2
1
(
1LO
)
1
(
1LO
)
(5.4)
con
(
1LO
)
2
1
(
1LO
) =
1
1
(
2
1LO

2
1TO
)
. (5.5)
Por el contrario, si consideramos los fonones connados en la barrera, el potencial
electrosttico tendr la forma
(r) =
_
0 r R

klm

A
klm
f
l
(kr)Y
lm
(, ) r > R
(5.6)
y su vector de polarizacin se escribe como
P(r) =

klm

2
(
2LO
)
4

A
klm
[f
l
(kr)Y
lm
(, )] (5.7)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
96 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
donde
f
l
(kr) = j
l
(kr) +

B
klm
n
l
(kr) (5.8)
con n
l
la funcin de Neumann esfrica de orden l. Debido a la continuidad del po-
tencial a la supercie del punto cuntico, f
l
(kr) = 0. Para determinar la constante

B
klm
, elegimos un punto R
2
fuera del dot, tal que f
l
(kR
2
) = 0. Estas dos condi-
ciones determinan el espectro de valores de k y los valores de

B
klm
. Utilizando la
ortogonalidad del vector campo de polarizacin, obtenemos

A
klm
=
2

2LO
R1
nl
1

2
2
(
2LO
)
2
(
2LO
)
(5.9)
donde 1
nl
representa una integral de normalizacin en la supercie del punto cun-
tico, i.e.
1
nl
=
2
nl
_
1
drr
2
[f
l
(
nl
r)[
2
. (5.10)
La integral se efecta en el dominio del material 1, de ah el ndice 1 en la expresin.
El Hamiltoniano de interaccin puede hallarse recurriendo primero al desarrollo
1
[r r
e(h)
[

r=R
=
4
2l + 1
_

lm
1
R
_
r
e(h)
R
_
l
Y

lm
(, )Y
lm
(
e(h)
,
e(h)
), r
e(h)
< R

lm
1
r
e(h)
_
R
r
e(h)
_
l
Y

lm
(, )Y
lm
(
e(h)
,
e(h)
), r
e(h)
> R
(5.11)
y luego, utilizando la primera identidad de Green que estipula que,
_
d
3
r =
_
d
3
r
2
+
_
ds

r
(5.12)
siendo y dos funciones denidas en el espacio tridimensional d
3
r. Con las
expresiones (5.11), (5.12) y (5.3), obtenemos que
H
(LO)
eph
= e

klm
A
klm

1
(
1LO
)
4
1
2l + 1
j
l
(kr)Y
lm
(, )[a
lm
+a
+
lm
]. (5.13)
Sustituyendo A
klm
en la ec. (5.13) y utilizando la relacin de Lyddane-Sachs-Teller,
el Hamiltoniano de interaccin electrn-fonn se convierte en
H
(1LO)
eph
=

lmn

(1)
ln
_
V
(1)
lmn
(r)a
lmn
+H.c.
_
(5.14)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.1 Polarones en puntos cunticos esfricos 97
con

(1)
ln
=
_
4e
2
R

1LO

2
ln
j
2
l+1
(
ln
)
_
1

10
__
1/2
(5.15)
y
V
(1)
lmn
= j
l
(k
ln
r)Y
lm
(, ) (5.16)
para los fonones connados en el punto cuntico. Operando de manera anloga,
obtenemos
H
(2LO)
eph
=

lmn

(2)
ln
_
V
(2)
lmn
(r)a
lmn
+H.c.
_
(5.17)
con

(2)
ln
=
_
2e
2
R

2LO
1
ln
_
1

20
__
1/2
, (5.18)
y
V
(2)
lmn
(r) = f
l
(k
ln
r)Y
lm
(, ) (5.19)
para los fonones connados en la barrera.
B. Hamiltoniano de Frhlich para los fonones de intercara
En el caso de fonones de intercara, adoptaremos el potencial electrosttico
standard en puntos cunticos esfricos, resultado de la aplicacin del modelo DC
[6], que viene dado por
(r) =
_

lm
C
lm
_
r
R
_
l
Y
lm
(, ) r R

lm
C
lm
_
R
r
_
l+1
Y
lm
(, ) r > R
(5.20)
con los vectores campos de polarizacin denidos por
P
1
(r) =

lm

1
(
l
)
4
C
lm

__
r
R
_
l
Y
lm
(, )
_
(r R) (5.21a)
P
2
(r) =

lm

2
(
l
)
4
C
lm

__
R
r
_
l+1
Y
lm
(, )
_
(r < R). (5.21b)
Para determinar las constantes C
lm
, calculamos primero el Hamiltoniano de los
fonones SO libres, y luego comparando las amplitudes como en el caso anterior de
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
98 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
fonones connados, obtenemos que
C
2
lm
=
2

l
R
1

2
1
(
l
)
1
(
l
)l +
2
2
(
l
)
2
(
l
)(l + 1)
. (5.22)
Por tanto, despus de un pequeo clculo algebrico, el Hamiltoniano de interaccin
se reduce a
H
(SO)
eph
=

lm

l
_
V
(SO)
lm
(r)a
lm
+H.c.
_
(5.23)
con

l
=
_
2

l
R
1

2
1
(
l
)l +
2
2
(
l
)(l + 1)
_
1/2
(5.24)
y
V
(SO)
lm
=
_
(
r
R
)
l
Y
lm
(, ), r R
(
R
r
)
l+1
Y
lm
(, ) r > R.
(5.25)

i
(
l
), i = 1, 2 es la susceptibilidad del material i, denida a travs de la relacin

2
i
(
l
)
i
(
l
) =
i

2
iLO

2
iTO
(
2
l

2
iTO
)
2
, i = 1, 2. (5.26)
En resumen, el Hamiltoniano total de fonones se obtiene como la suma de todos
los trminos de Hamiltonianos de fonones libres ms los trminos de interaccin
descritos en los apartados anteriores, es decir
H
total
= H
(LO)
ph
+H
(SO)
ph
+H
(LO)
eph
+H
(SO)
eph
(5.27)
donde en el caso general
H
(LO)
eph
=
_
H
(1)
eph
, r R,
H
(2)
eph
, r > R.
(5.28)
Este desarrollo representa una generalizacin de todos los modos de fonones posibles
en el punto cuntico. Ntese que si se considera que el electrn est connado slo
en el interior del material dot, H
(LO)
eph
H
(1)
eph
. Esta situacin se da en el caso de
puntos cunticos crecidos sobre un material no polar. Por tanto, considerando la
constante dielctrica del entorno del dot como constante,
2
()
d
= constante,
la frecuencia de intercara ser

Il
=
_

d
+ (
d
+
0
)l

d
+ (
d
+

)l
_
. (5.29)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.1 Polarones en puntos cunticos esfricos 99
De este modo, recuperamos los resultados de Oshiro et al. [4], obtenindose
H
eph
=

s,

s,
v
s,
[S
s,
(r)a
s,
+H.c.], = 1, 2 (5.30)
donde S
s,1
(r) V
(1)
lmn
y S
s,2
V
(SO)
lm
, son los potenciales electrostticos calcu-
lados en el apartado anterior [ecs. (5.16) y (5.25)]. En ec. (5.30), las amplitudes de
interaccin vienen denidas por
v
s,1
=

8
1
R
p

nl
j
2
l+1
(
nl
)R
(5.31a)
v
s,2
=
_
4
2
R
p
R
. (5.31b)
En las ecuaciones (5.31a) y (5.31b), los ndices 1 y 2 se reeren a los fonones con-
nados y a los de intercara respectivamente. s es un ndice compacto que reemplaza
los ndices n,l,m ( l,m) en las ecs. (5.31a) y (5.31b). Para los fonones connados,
s dene los estados s (n = 1, 2, 3, ...; l = 0, 1, 2, ...; m = 0, 1, 2, ..., l) mien-
tras que en el caso de fonones de intercara, los estados se denen por s (l =
1, 2, 3, ...; m = 0, 1, 2, ..., l). La energa del fonn connado es igual a
LO
y es independiente del ndice s.
1
y
2
son las constantes de acoplo de Frhlich
denidas por las siguientes relaciones

1
=
e
2
2R
p

LO
_
1

0
_
(5.32)

2
=
1
_

l

l
0
+ (l + 1)
d
__

LO

Il
_3
. (5.33)
R
p
dene el radio del polarn (R
p
=
_
/(2m

LO
)). Frente al caso lmite
del punto cuntico enterrado en un medio no-polar, existe otro caso lmite donde

1
() =
2
() que dene un sistema sin intercara. Esta situacin corresponde a la
interaccin de una partcula cargada con los fonones volmicos LO del material.
C. Solucin numrica y resultados
En general, es comn calcular la auto-energa del polarn a partir de la teora
de perturbaciones de segundo orden cuando el acoplo es dbil. Por lo que respecta al
Hamiltoniano de la ec. (5.30), la auto-energa del polarn en este caso se expresar
como
E
(2)
=

n,l,m

s,
[
e
nlm
[
s,
v
s,
S
s,
(r)[
e
g
)[
2
E
e
nl
+
s,
E
e
g
(5.34)
donde

e
g
_
es la funcin de onda del estado fundamental denida en la ec. (5.2), y
E
e
g
es su auto-valor en ausencia de fonones. Conviene observar que el denominador
de la ec. (5.34) puede conducir a dos situaciones diferentes: i) [E
e
nl
E
e
g
[
s,
,
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
100 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
o por el contrario, ii) [E
e
nl
E
e
g
[
s,
. La primera situacin ocurre cuando: a)
el tamao del punto cuntico es pequeo, puesto que la energa del electrn es in-
versamente proporcional al cuadrado del radio del punto cuntico, o b) en caso de
puntos cunticos de gran tamao, pero con acoplo dbil; mientras que la segunda
situacin aparece en el caso de connamiento fuerte. Siguiendo la teora desarrolla-
da por Wang y co-autores [7], la ecuacin (5.34) puede re-escribirse de la manera
siguiente
E
(2)
=

s,
[
s,
v
s,
[
2

e
g
[S

s
[
s,
+H
e
E
g
]
1
S
s,
[
e
g
). (5.35)
Para el caso de puntos cunticos sucientemente grandes, se puede considerar que
los fonones de intercara no contribuyen mucho a la energa del polarn. Por tanto,
podemos limitar los clculos a los fonones tipo bulk. Utilizando la relacin entre la
funcin de Bessel esfrica y las ondas planas
j
l
(kr)Y
lm
(, ) =
1
4i
l
_
d
k
Y

lm
(
k
,
k
)e
i

kr
(5.36)
la ecuacin (5.35) se transforma en
E
(2)
=

n,l,m
[
LO
v
s1
[
2
(4)
2
_
d
k

_
d
k
Y

lm
(
k

k
)Y
lm
(
k
,
k
)

e
g
[e
ik

.r
[
LO
+H
e
E
g
]
1
e
ik.r
[
e
g
). (5.37)
Sabiendo que
e
ik.r
H
e
e
ik.r
=
(p + k)
2
2m

+V
conf
(5.38)
y que H
e
[
e
g
) E
e
g
[), podemos deducir que
_

LO
+H
e
E
e
g

1
e
ik.r
[
e
g
) = e
ik.r
[
LO
+

2
k
2
ln
2m

+
k.p
m

+H
e
E
e
g
]
1
[
e
g
), (5.39)
lo que se puede re-escribir como
[
LO
+H
e
E
e
g
]
1
e
ik.r
[
e
g
) = e
ik.r

j=0
_

LO
+

2
k
2
ln
2m

_
(j+1)
_
k.p
m

_
j
[
e
g
) (5.40)
despus de transformar [
LO
+ H
e
E
e
g
]
1
en serie, utilizando el binomio de New-
ton. Se puede demostrar que para j = 0, la expresin (5.34) se simplica de la
manera siguiente
E
(2)
=

n,l,m
[
s,1
v
s,1
[
2

e
g

[S
s,1
(r)[
2

e
g
)

LO
+
2
k
2
nl
/2m

. (5.41)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.1 Polarones en puntos cunticos esfricos 101
Partiendo de las ecs. (5.16) y (5.36), se demuestra que

lm

e
g
[[S
s,1
[
2
[
e
g
) = 1/4.
Por lo tanto,
E
(2)
=
LO

s
v
2
s,1
1 +R
2
p
k
2
s
. (5.42)
Al transformar el sumatorio por una integral en k, obtenemos la expresin de la
correccin de energa del polarn obtenida en el material bulk E
(2)
=
1

LO
.
Este resultado corresponde a un sistema electrn-fonn con acoplo dbil en una
aproximacin asinttica de radio grande (R ). Para el caso de punto cuntico
de tamao pequeo R a
B
, donde a
B
es el radio de Bohr y siguiendo el mismo
desarrollo, la ec. (5.34) se convierte en
E
(2)
=
LO

n
[v
(n,0,0),1
[
2
[
e
g
[S
(n,0,0),1
(r)[
e
g
)[
2
. (5.43)
El elemento de matriz de esta ecuacin se calcula analticamente para n = 1, y
obtenemos que
E
(2)
=
LO
[v
(1,0,0),1
[
2

k
[3Si[(2k + 1)] Si[(2k + 1)][
2
. (5.44)
donde Si es el seno integral. Esta ltima expresin es similar a la obtenida por Var-
tanian y colaboradores para polarones en puntos cunticos esfricos [8]. Todo el
desarrollo anterior se reere a un sistema en que los fonones estn supuestamente
connados en el punto cuntico. Existe la posibilidad de tener fonones connados en
el material bulk que sirve de barrera. En este caso, el mtodo ms idneo es el m-
todo variacional, debido a la naturaleza del Hamiltoniano. Para ello, consideramos
la funcin de onda del electrn denida por
(r) =
0
(r)e
r
(5.45)
donde es el parmetro variacional que dene el grado de interaccin electrn-
fonn, mientras
0
(r) es la funcin de onda del electrn en el estado fundamental;
i.e;

0
(r) =
_
N
sen(r)
r
, r R,
N
sen(R)
r
e
(rR)
, r > R
(5.46)
y =
_
2m

1
E
0
/
2
, =
_
2m

2
(V
0
E
0
)/
2
; mientras E
0
es la energa del estado
fundamental determinado a partir de la ecuacin transcendental
tan(R) = . (5.47)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
102 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
Esta ecuacin determina tambin el tamao mnimo del punto cuntico para que
exista un estado ligado, es decir R
c
= (
2

2
/8m

V
0
)
1/2
. La constante de normali-
zacin es
N
2
=
1 e
2R
4

+e
2R
[sen(2R) cos(2R)]
4(
2
+
2
)
+
sen
2
(R)e
2R
2( +)
. (5.48)
En esta aproximacin, asumimos que el electrn se mueve ms rpido que los
iones que le rodean. Esta situacin se da cuando el tamao del punto cuntico es
sucientemente pequeo para que el connamiento d lugar al "shrinking" de la
rbita electrnica del electrn y al aumento de su energa cintica, o bien cuando la
interaccin electrn-fonn es tan fuerte que el electrn se encuentra auto-localizado.
Esto signica que el campo fonnico siente una distribucin esttica de densidad de
carga y por tanto, no existe correlacin entre la posicin instantnea del electrn y
el campo de polarizacin inducida, lo que se traduce en que el efecto del campo de
fonones consiste en desplazar las posiciones de equilibrio de los iones. Esto puede
llevarse a cabo mediante dos transformaciones unitarias
U
j
= exp
_

s
[f
(j)
s
(r)a
js
+f
(j)
s
(r)a
+
js
]
_
(5.49)
donde s = {l,m,n} para j=1, s = {l,m} para j = 2 y los f
j
s
son los parmetros
por determinar. Los ndices 1 y 2 representan el material dot y el material barrera,
respectivamente. Adems sabemos que
U
1
a
js
U = a
js
+f
(j)
s
(r) (5.50)
U
1
pU = p +

js
_
[p, f
(j)
s
(r)]a
+
js
[p, f
(j)
s
(r)]a
js
_
+j(r) (5.51)
donde
j(r) = 1/2

js
_
f
(j)
s
(r)f
(j)
s
(r) f
(j)
s
(r)f
(j)
s
(r)
_
(5.52)
es proporcional a la densidad de corriente creada por el desplazamiento del cam-
po de fonones. Adems, debido a los trminos cuadrticos en el Hamiltoniano, es
conveniente utilizar las siguientes herramientas matemticas
U
1
p
2
U = U
1
p UU
1
p U
=

js
_
p +
_
[p, f
(j)
s
] [p, f
(j)
s
]
_
+j(r)
_

_
p +
_
[p, f
(j)
s
] [p, f
(j)
s
]
_
+j(r)
_
; (5.53)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.1 Polarones en puntos cunticos esfricos 103
U
1
a
s
a
+
s
U = U
1
a
s
UU
1
a
+
s
U =
_
a
s
+f
(j)
s
__
a
+
s
+f
(j)
s
_
. (5.54)
Utilizando el desarrollo de Low-Lee-Pines descrito en el captulo 2, podemos descom-
poner el Hamiltoniano transformado

H = U
1
HU en tres partes:

H =

H
0
+

H
1
+

H
2
donde

H
0
=
(p +j)
2
2m

+V
conf
+

js

2
[F
sj
[
2
2m

sj

sj
[F
sj
[
2

sj

sj
[v
sj
S
sj
F
sj
+ H.c.]; (5.55)

H
1
=
(p +j).J
2m

sj
[
2
F
sj
a
+
sj

2
F

sj
a
sj
]
2m

sj

sj
_
F

sj
a
sj
+F
sj
a
+
sj
_
+

sj

sj
[v
sj
S
sj
a
sj
+H.c.] (5.56)

H
2
=

sj

sj
a
+
sj
a
sj
+
1
2

sj

_
(F
sj
)(F
s

j
)a
+
sj
a
+
s

j
+ (F

sj
)
(F

j
)a
sj
a
s

j
+ (F
sj
)(F

j
)a
+
sj
a
s

j
+ (F

sj
)(F
s

j
)a
+
s

j
a
sj
_
.
(5.57)
El trmino J se dene como
J = i

sj
_
a
+
sj
F
sj
a
sj
F

sj

. (5.58)
Por otra parte, como funcin-prueba del Hamiltoniano transformado, elegimos el
ansatz de la funcin de onda electrnica y del estado fundamental de fonones, es
decir
[) = [(r)[0); (5.59)
una aproximacin justicable cuando se trabaja a baja temperatura. Utilizando
las relaciones de conmutacin para los operadores de creacin y de aniquilacin,
se demuestra que calcular la energa total del sistema se limita a obtener el valor
esperado de

H
0
, es decir E = [H[) = [

H
0
[). El Hamiltoniano transformado
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
104 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
se resume en

H
0
=
p
2
2m

+V
conf
(r) +

j,s

2
2m

[F
j,s
[
2
+

j,s

j,s
[F
j,s
[
2

j,s

j,s
[v
j,s
S
js
F
js
+ H.c.], (5.60)
donde hemos asumido que j(r) = 0. En la prctica, esto supone que el efecto de la
interaccin electrn-fonn se reduce slo en desplazar los iones de sus posiciones de
equilibrio. Una vez denida la funcin F
js
(r) como
F
js
(r) = v
js
f
js
+v
js
S

js
(r)g
js
(5.61)
donde f
js
y g
js
son reales y poseen una simetra de inversin, aplicamos los criterios
variacionales que requieren que [

H
0
[)/f
js
= 0 y [

H
0
[)/g
js
= 0. De ah
sacamos que los parmetros variacionales se dan por
f
js
=
A
js
C
js
B
js
+C
js
A
2
js
(5.62a)
g
js
=
B
js
A
2
js
B
js
+C
js
A
2
js
(5.62b)
con los coecientes A
js
, B
js
y C
js
denidos en las siguientes relaciones
A
js
= [S
js
(r)[), (5.63a)
B
js
= [[S
js
(r)[
2
[), (5.63b)
C
js
=

2
2m

js
[[S
js
(r)[
2
[). (5.63c)
Con estos trminos, la energa total se obtiene minimizando
E
tot
= min

__

p
2
2m

+V
conf

0
_

sj

sj
v
2
sj
_
B
sj
(B
sj
A
2
sj
) +A
2
sj
C
sj
B
sj
+C
sj
A
2
sj
__
(5.64)
con respecto al parmetro variacional que dene el acoplo del electrn con el fonn,
presente en la funcin-prueba "trial function". La eleccin de la funcin F
sj
tiene
su importancia en el estudio de polarones. Oshiro et al. [4] comentan que la eleccin
de slo el primer trmino de la ec. (5.61) corresponde a calcular la energa del
polarn en la aproximacin adiabtica, vlida cuando la separacin entre niveles de
energa es relevante. Sin embargo, al elegir nicamente el segundo trmino de la ec.
(5.61), se trata de los sistemas en que la interaccin electrn-fonn es intermedia,
es decir, sistemas en los cuales la separacin entre niveles de energa es inferior a la
energa del fonn libre. De esta manera, la ec. (5.61) en su conjunto recoge todos los
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.1 Polarones en puntos cunticos esfricos 105
casos de acoplamiento electrn-fonn, es decir, desde el acoplo dbil hasta el acoplo
fuerte. Oshiro y Matsura [4] aplicaron este formalismo al estudio del polarn en
puntos cunticos esfricos enterrados en una matriz de vidrio. Otra particularidad
de su trabajo estriba en la eleccin de la funcin de onda. En efecto, para la funcin
prueba, utilizaron una gaussiana. Por otro lado, Melnikov y Fowler [5], siguiendo
el formalismo de Oshiro y Matsura, denieron las transformaciones cannicas de la
manera siguiente
U
j
= exp
_

s
_
f
js
a
js
+f

js
a
+
js

_
(5.65)
donde s = l, m, n para j = 1, y s = l, m para j = 2. Con esta eleccin y siguiendo
el mismo desarrollo que Oshiro, los parmetros variacionales vienen denidos por
f
(1)
js
=
_

V
(1)
lmn
(r)

1LO
, r < R,

V
(2)
lmn
(r)

2LO
, r > R,
(5.66)
f
(2)
lm
=
_

V
(SO)
lm
(r)


0
_

l
. (5.67)
Al sustituir las expresiones de f
js
en la ec. (5.60), la energa total del sistema
viene dada por
E
tot
= min

__

p
2
2m

+V
conf

0
_

sj

(1)
lmn

V
(1)
lmn


0
_

1LO

sj

(2)
lmn

V
(2)
lmn


0
_

2LO

sj
[
l
[
2

V
(SO)
lm


0
_

Il
_
. (5.68)
Agrupando estas ecuaciones y efectuando las operaciones matemticas necesarias,
podemos expresar la energa total en trminos del parmetro variacional
E() =
2
2
N
2
m

_
(
2

2
)A+ ( +)
2
B C

+ 4N
2
V
0
B

lmn
[
(1)
ln
[
2
[
0
[V
(1)
lmn
(r)[
0
)[
2

1LO

lmn
[
(2)
ln
[
2
[
0
[V
(2)
lmn
(r)[
0
)[
2

2LO

lm
[
l
[
2
[
0
[V
(SO)
lm
(r)[
0
)[
2

Il
(5.69)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
106 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
donde
A =
1 e
2R
4

+e
2R
[sen(2R) cos(2R)]
4(
2
+
2
)
(5.70)
B =
sen
2
(R)e
2R
2( +)
(5.71)
C =
e
2R
[sen(2R) +cos(2R)]
2(
2
+
2
)
(5.72)
En la expresin (5.69), los dos primeros trminos se deben al electrn connado
en el dot, el tercero y el cuarto describen la interaccin del electrn con los fonones
connados, mientras que el ltimo se reere a la interaccin del electrn con los
fonones de supercie. De manera explcita,
E
(1)
LO
=
[4eRN
2
]
2
R
_
1

10
_

n=1
1
n
2

__

0
dx
sen(nx)
x
sen
2
_
Rx

_
e
2Rx/
_
2
(5.73)
y
E
(2)
LO
=
_
4eN
2
sen
2
(R)e
2R

2
R
2
R
_
1

20
_

k
0n
1
k
2
0n

_
_
R
2
R
dr
sen[k
0n
(r R)]
r
e
2r
e
2r
_
2
(5.74)
donde k
0n
= n/(R
2
R), n = 1,2,... es la solucin de f
l
(kr). Si suponemos que R
2

, la separacin entre los valores de los k
0n
prximos es innitamente pequea;
lo que conduce a considerar k
0n
/n como un incremento de k k. Por lo tanto,
podemos transformar el sumatorio en una integral sobre k. Esto consiste en analizar
la transicin entre el modo discreto al espectro continuo de los fonones. De esta
manera, la contribucin de los fonones connados en la barrera a la auto-energa
del polarn se expresar como
E
(2)
LO
=
_
4e
1/2
N
2
sen
2
(R)e
2R
_
2
_
1

20
__

0
dk
k
2

_
_
R
2
R
dr
sen[k(r R)]
r
e
2r
e
2r
_
. (5.75)
La expresin resultante de esta operacin es independiente de R
2
. Respecto a la
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.1 Polarones en puntos cunticos esfricos 107
interaccin con los fonones de supercie, calculando para l = 1, obtenemos que
E
(SO)
=
_

e
2R
N
2
8
2
(
2
+
2
)
2
R

2
_
(
2
+
2
)
2
(1 + 2R) +
2
e
2R
(
2
+
2
)
+
2
_

2
(1 + 2R) +
2
(1 + 2R)

cos(2R) 2
3
sen(2R)
+
_
(
2
+
2
)R

sen(2R)
_
2
+
_
2N
2
R
2
e
2R
( +)[1, 2( +)R]
sen
2
(R)
_
2
__

2
1

1
_
. (5.76)
Aqu, [a, x] es la funcin Gamma incompleta [9]. Por otro lado, la energa del
polarn y de interaccin electrn-fonn se obtiene minimizando E() con respecto
a .
Para ilustrar los clculos, hemos calculado la energa del polarn para tres ca-
sos tpicos de puntos cunticos de tipo III-V (GaAs, InAs) y II-VI (ZnSe). Los resul-
tados de la gura 5.1 muestran las auto-energas del polarn para puntos cunticos
aislados de InAs, GaAs y ZnSe en la aproximacin de potencial innito. La energa
del polarn disminuye como el inverso del radio a medida que aumenta la dimen-
sin del punto cuntico. Las constantes de Frhlich de estos materiales se encuentran
agrupadas en la tabla D. De cara a comparar el comportamiento de los tres mate-
riales, escalamos los valores de E
pol
obtenidos en los puntos cunticos con sus res-
pectivos valores predichos por los materiales volmicos, es decir E
pol

LO
.
Para el caso de GaAs volmico, la auto-energa E
pol
3,24 meV. En la gura
5.1, E
pol
se acerca de los valores bulk para R > 15 nm. El aumento de E
pol
para tamaos ms pequeos demuestra el efecto del connamiento. En efecto, en
ausencia de interaccin electrn-fonn, el trmino dominante en la energa del es-
tado fundamental viene dado por la ec. (4.7) en la que la energa cae a medida que
aumenta la dimensin del dot. Asimismo, los electrones en esta aproximacin no in-
teractan con los fonones de supercie, por lo que su contribucin a la auto-energa
del polarn es nula [8, 10]. Esta situacin se cumple para los electrones llamados s
o electrones simtricos.
La gura 5.2 muestra la contribucin a la auto-energa del polarn para la
interaccin entre el electrn y los fonones LO connados en el interior y fuera del
dot en funcin del radio, as como la contribucin de los fonones de supercie pa-
ra puntos cunticos esfricos de InAs/GaAs. Como era de esperar, los valores de
E
LO1
son pequeos en comparacin con los obtenidos en la aproximacin de po-
tencial innito. Esto se debe a que en el caso de potencial nito, los electrones
tienen la posibilidad de extenderse en la barrera, reducindose por tanto el gap del
dot, en comparacin con el valor del material bulk. Mientras el valor absoluto de
E
LO1
disminuye a medida que aumenta el radio, [E
LO2
[ en cambio aumenta con
el radio hasta alcanzar un mximo para luego cambiar de tendencia y empezar a
disminuir para R > R
c
. La mayor contribucin a la auto-energa en el rango estu-
diado proviene esencialmente de los fonones LO1. En los trabajos anteriores [5], se
ha comentado que la interaccin de los electrones con los fonones de supercie es
depreciable en comparacin con la contribucin de los fonones connados. Para ana-
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
108 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
5.0 10.0 15.0 20.0 25.0
1.24
2.49
3.73
4.97
6.22
7.46
8.70
9.94
0.0 5.0 10.0 15.0 20.0
0.00
3.12
6.24
9.36
12.48
15.61
5.00 10.00 15.00 20.00 25.00
2.25
4.50
6.75
8.99
(c)
I
n
A
s


-

E
p
o
l (
m
e
V
)
Radio (nm)
(b)
Radio (nm)
G
a
A
s


-

E
p
o
l (
m
e
V
)
Radio (nm)
(a)
Z
n
S
e


-

E
p
o
l (
m
e
V
)
Figura 5.1. Dependencia de la energa del polarn con el radio en puntos
cunticos esfricos de (a) ZnSe, (b) GaAs,y (c) InAs: aproximacin del potencial
innito.
lizar esta contribucin, hemos calculado la contribucin de los fonones de supercie
a la auto-energa de polarn. Nuestros clculos demuestran que, en caso de poten-
cial nito, los fonones de supercie contribuyen a la auto-energa del polarn, pero
esta contribucin es tres ordenes de magnitud menor que la correspondiente a los
fonones LO1 y LO2. Esta contribucin ha sido ignorada por muchos autores, debido
probablemente a que la mayora de autores calculan los valores del polarn para los
puntos cunticos enterrados en los materiales no polares como son los vidrios, en
cuyo caso no existe un campo elctrico local que generara una interaccin entre
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.2 Polarn en puntos cunticos cilndricos 109
0 5 10 15 20 25
-0,40
-0,30
-0,20
-0,10
0,00
0,0 5,0 10,0 15,0 20,0 25,0
0,00
0,25
0,50
0,75
0,0 5,0 10,0 15,0 20,0 25,0
-0,12
-0,08
-0,04
0,00
0,04


E
L
O
2

(
m
e
V
)
Radio (nm)
(b)


E
S
O

(
x

1
0
3

m
e
V
)
Radio (nm)
(c)


E
L
O
1
(
m
e
V
)
Radio (nm)
(a)
Figura 5.2. Dependencia de la energa del polarn con el radio en pun-
tos cunticos esfricos de InAs/GaAs en la aproximacin del potencial nito. (a)
contribucin de LO interno al dot, (b) contribucin de LO en la barrera y (c) la
contribucin de los fonones de supercie.
el electrn y la red cristalina. En todos los casos estudiados, la contribucin de los
fonones volmicos, llamados aqu fonones connados es la ms dominante. Tambin,
en el connamiento llamado perfecto, es decir cuando el potencial de connamiento
es demasiado grande para ser considerado como innito respecto a la energa de
portadores connados, se puede obviar la contribucin de fonones de supercie.
5.2. Polarn en puntos cunticos cilndricos
En esta seccin, detallaremos los diferentes pasos en la determinacin del Ha-
miltoniano de interaccin electrn-fonn en puntos cunticos cilndricos. Por analo-
ga, utilizaremos el modelo variacional, aplicable en todos los rangos de acoplamiento
electrn-fonn. Asimismo, presentaremos los modelos empleados para calcular las
distintas contribuciones de los modos de fonones a la auto-energa del polarn.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
110 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
5.2.1. Hamiltoniano de interaccin electrn-fonn
El Hamiltoniano de interaccin electrn-fonn en un punto cuntico cilndrico
ha sido discutido con detalle por Li et al. [11] para los puntos cunticos aislados.
A continuacin, nos limitamos a resumir los resultados ms importantes que nos
ayudarn a desarrollar nuestra teora. Centraremos nuestros esfuerzos en el caso
del potencial nito que no aparece en los trabajos anteriormente citados. Adems,
tendremos en cuenta la posibilidad de una interaccin entre los electrones y fonones
connados en la barrera como en el caso de puntos cunticos esfricos.
A. Hamiltoniano de Frhlich para los fonones connados
Como en el caso de los puntos cunticos esfricos, distinguiremos dos tipos de
fonones connados: los connados en el dot y los connados en la barrera. Para los
fonones completamente connados en el punto cuntico y desprecindose las inter-
acciones interbandas, el vector de polarizacin se deduce a partir de las ecuaciones
(3.19) y (3.20), es decir
P
ln
+
=
_
u

J
1
(k

)cos(
l
2d
z) + u
z
J
0
(k

)
l
2d
sen(
l
2d
z)
u

im

J
0
(k

)cos(
l
2d
)
_
e
im
C
ln
, (l = 1, 3, 5, ...) (5.77)
P
ln

=
_
u

J
1
(k

)sen(
l
2d
z) + u
z
J
0
(k

)
l
2d
cos(
l
2d
z)
u

im

J
0
(k

)sen(
lz)
2d
_
e
im
C
ln
, (l = 2, 4, 6, ..). (5.78)
De la completitud y de la normalizacin del vector de polarizacin, se deduce
la constante de normalizacin
C
ln
=

p
_
d
LO1
[
2
n
J
2
2
(
n
) + (lR
0
/2d)
2
J
2
1
(
n
)]
. (5.79)
Asumiendo que

2
p

LO2
=

2
LO2
4
_
1

2,0
_
, (5.80)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.2 Polarn en puntos cunticos cilndricos 111
el Hamiltoniano de interaccin para los fonones LO1 se puede resumir en
H
eLO1
=

n
J
0
(

n
R
0
)
_
_

l=1,3,...
V
ln
sen(
l
2d
z)(a
ln
+a
+
ln
)
+

l=2,4,...
V
ln
cos(
l
2d
z)(a
ln
+a
+
ln
)
_
_
, (5.81)
donde la amplitud de interaccin se escribe de la forma siguiente
V
2
ln
=
4e
2

LO1
V (
n
/R
0
)
2
_
1

01
_

1
_
(J
2
2
(
n
) + (1
1

2
n
)J
2
1
(
n
)
_
+ (l/2d)
2
J
2
1
(
n
)
(5.82)
con V = 2R
2
0
d representando el volumen del dot. En el caso de los fonones con-
nados en la barrera, el potencial electrosttico puede escribirse como
() =
_
0 R
0
A
l
[J
l
(k
ln
) +

B
l
N
l
(k
ln
)] > R
0
.
(5.83)
Debido a la continuidad del potencial en la supercie del dot, podemos imponer que
(R
0
) = 0. Y para determinar la constante

B, elegimos un punto R
2
fuera deldot
de modo que (R
2
) = 0. Estos dos criterios determinan el espectro de k
nl
y los
valores de

B a partir de la ecuacin transcendental
lm
R
2

J
l
(k
ln
R
0
)
N
l
(k
ln
R
0
)

J
l
(k
ln
R
2
)
N
l
(k
ln
R
2
)
= 0. (5.84)
La constante de normalizacin se determina comparando el Hamiltoniano libre de
los fonones connados en la barrera con el Hamiltoniano asociado al vector de
polarizacin correspondiente. Para simplicar las notaciones, escribimos la expresin
del potencial electrosttico en la forma
(, z, ) =
_
0 R
0
A
l
T
l
(k
ln
)e
q
z
z
e
im
> R
0
(5.85)
donde T
l
(k
ln
) es una funcin ortogonal que cumple todas las propiedades de
J
l
(k
ln
) y de N
l
(k
ln
) [ver Apndice D para la demostracin]. En esta notacin,
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
112 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
el vector de polarizacin se escribe
P =
A
l
4
_
1/2k
ln
[T
l
(k
ln
) T
l+1
(k
ln
)] u

+
im

T
l
(k
ln
) u

q
z
T
l
(k
ln
) u
z
_
e
q
z
z
e
im
. (5.86)
En la aproximacin adiabtica, es habitual deducir el Hamiltoniano de fonones libres
a partir del Lagrangiano del vector desplazamiento, es decir
H
ph
=
1
2
_
_
n u. u +n
2
0
u.u neu E
loc

d
3
r. (5.87)
En el caso de los fonones LO, utilizando la relacin de Born-Huang, [ec. (2.5)], el
Hamiltoniano ser
H
ph
=
1
2
_ _
4
LO

2
p


P+
4
LO

2
p

2
LO
P

P
_
d
3
r (5.88)
donde los operadores campo de polarizacin vienen dados por
P =
_

LO
_
1/2 _

b +

b
+
_
P (5.89a)

P = i(
LO
)
1/2
_

b
+
_
P. (5.89b)
A partir del criterio de completitud y de normalizacin del vector de polarizacin,
podemos deducir que
A
2
l
=
128q
z
k
2
ln

2
p

LO2
_
1

2
_
k
2
ln
_
T
l
(k
ln
)
l + 1
k
ln

T
l+1
(k
ln
)
_
2
+
_
1
(l + 1)
2
k
2
ln

2
_
T
2
l1
(k
ln
) +q
2
z
_
k
2
ln
4
(T
l1
(k
ln
) T
l+1
(k
ln
))
2
+
_
1
l
2
k
2
ln

2
_
T
2
l
(k
ln
)
_
R
2
R
1
_
1
_
(1 e
2q
z
d
)
2
_
1
. (5.90)
Suponiendo que

2
p

LO2
=

2
LO2
4
_
1

2,0
_
, (5.91)
el Hamiltoniano de interaccin se reduce en
H
LO2
eph
=

l
_

LO2
l
(k
ln
, q
z
)T
l
(k
ln
)e
q
z
z
e
im

b
+
l
(k
ln
, q
z
) +H.c.
_
(5.92)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.2 Polarn en puntos cunticos cilndricos 113
donde

2
l
=
32e
2

LO2
V
_
1

,2

0,2
_
q
z
k
2
ln

2
p

LO2
__
1

2
_
k
2
ln

_
T
l
(k
ln
)
l + 1
k
ln

T
l+1
(k
ln
)
_
2
+
_
1
(l + 1)
2
k
2
ln

2
_
T
2
l1
(k
ln
)
_
+q
2
z
_
k
2
ln
4
(T
l1
(k
ln
) T
l+1
(k
ln
))
2
+
_
1
l
2
k
2
ln

2
_
T
2
l
(k
ln
)

_
R
2
R
1
_
1
__
(1 e
2q
z
d
)
2
_
1
(5.93)
dene la amplitud del Hamiltoniano de interaccin.
B. Hamiltoniano de Frhlich para los fonones de intercara
En general, las frecuencias de fonones de intercara son distintas de las frecuen-
cias de los fonones del material bulk, por lo cual, se espera que la interaccin de los
electrones con los fonones de intercara sea distinta que la correspondiente a los fo-
nones del material bulk. Como queda demostrado en los anteriores trabajos [11, 12]
y en el captulo 3 de esta memoria, los fonones de supercie se subdividen en modos
TSO y SSO. Esto conduce a considerar la interaccin de los electrones con los TSO
y los SSO, respectivamente. Li y Chen [11], luego Charrour y colaboradores [13]
estudiaron la interaccin electrn-fonn para puntos cunticos cilndricos aislados.
Existe tambin una abundante literatura sobre la interaccin electrn-fonn en los
hilos cunticos cilndricos. Por ello, y siguiendo el trabajo de Li [11], se puede de-
mostrar que los vectores de polarizacin correspondientes a los fonones TSO en caso
de puntos cunticos aislados se dan por
P
mn
+
=
_
u

q
+,mn
_
mJ
m
(q
+,mn
)
q
+,mn

J
m+1
(q
+,mn
)
_
cosh(q
+,mn
z)
+ u
z
q
z
J
m
(q
+,mn
)senh(q
+,mn
z) + u

im

J
m
(q
+,mn
) cosh(q
+,mn
z)
_

1
1
4
Ae
im
(5.94)
para los modos simtricos y
P
mn

=
_
u

q
,mn
_
mJ
m
(q
,mn
)
q
,mn

J
m+1
(q
,mn
)
_
senh(q
,mn
z)
+ u
z
q
z
J
m
(q
,mn
) cosh(q
,mn
z) + u

im

J
m
(q
,mn
)senh(q
,mn
z)
_

1
1
4
Ae
im
(5.95)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
114 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
para los modos antisimtricos; mientras que para los SSO se obtiene que
P
+
mn
=
1
1
4
D
+
e
im
_
u

n
2d
_
mI
m
((n/2d))
(n/2d)
+I
m+1
(
n
2d
)
_
cos(
n
2d
z)
u
z
n
2d
I
m
(
n
2d
)sen(
n
2d
z) + u

im

I
m
(
n
2d
)cos(
n
2d
z)
_
n = 2, 4, 6, ...
(5.96)
para los modos simtricos y
P

mn
=
1
1
4
D

e
im
_
u

n
2d
_
mI
m
((n/2d))
(n/2d)
+I
m+1
(
n
2d
)
_
sen(
n
2d
z)
+ u
z
n
2d
I
m
(
n
2d
)cos(
n
2d
z) + u

im

I
m
(
n
2d
)sen(
n
2d
z)
_
n = 1, 3, 5, ....
(5.97)
para los modos antisimtricos. Para nuestros clculos, consideramos que los fonones
de intercara interactan con los electrones en el estado fundamental
_
0
1
_
, esto impli-
ca despreciar los efectos de scattering entre las bandas. Por tanto, los potenciales
electrostticos se expresarn para l = 0 y m = 0. Con ello, los Hamiltonianos de
interaccin para los TSO se escriben de la manera siguiente
H
eTSO
=

n
+
V
n+
J
0
(q
+,n
) cosh(q
+,n
z)(

b
n,+
+

b
+
n,+
)

V
n
J
0
(q
,n
)senh(q
,n
z)(

b
n,
+

b
+
n,
) (5.98)
con
V
2
n,+
=
1
[senh(2q
+,n
d) + 2q
+,n
d] J
2
2
(q
+,n
R
0
) + [senh(2q
+,n
d) 2q
+,n
d] J
2
1
(q
+,n
R
0
)
4e
2

+
_
1
(
+
)
0

1
(
+
)

_
1
S
(5.99)
y una ecuacin similar para los modos q
,n
, es decir
V
2
n,
=
1
[senh(2q
,n
d) 2q
,n
d] J
2
2
(q
,n
R
0
) + [senh(2q
,n
d) + 2q
,n
d] J
2
1
(q
,n
R
0
)
4e
2

_
1
(

)
0

1
(

_
1
S
(5.100)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.2 Polarn en puntos cunticos cilndricos 115
donde S = R
2
0
es el rea de la base del cilindro. Y por ltimo,
H
eSSO
=

n=2,4,...

n+
I
0
(
n
2d
) cos(
n
2d
z)(

B
n,+
+

B
+
n,+
)

n=1,3,...

n
I
0
(
n
2d
)sen(
n
2d
z)(

B
n,
+

B
+
n,
) (5.101)
con

2
n,
=
1
S
4
2

ss
d
2
n
[I
2
0
(
n
R
0
) I
2
(
n
R
0
)I
0
(
n
R
0
)]

_
1
(
ss
)
0

1
(
ss
)

_
. (5.102)
Para las heteroestructuras, ambas funciones dielctricas, tanto del dot como de la
barrera dependen de la frecuencia. Para simplicar las notaciones, omitimos en las
expresiones que vienen a continuacin la dependencia con la frecuencia en
i
().
Con esta aclaracin, las expresiones generales de los vectores de polarizacin son
P
mn
+
=
1
1
4
A
mn
e
im
_
u

q
+,mn
_
mJ
m
(q
+,mn
)
q
+,mn

J
m+1
(q
+,mn
)
_
cosh(q
z
z)
+ u
z
q
z
J
m
(q
+,mn
)senh(q
z
z) + u

im

J
m
(q
+,mn
)cosh(q
z
z)
_
+
1
2
4
B
mn
e
im
_
u

q
+,mn
_
1
J
m
(q
+,mn
R
0
)
N
m
(q
+,mn
R
0
)
__
mJ
m
(q
+,mn
)
q
+,mn

J
m+1
(q
+,mn
)
_
+
_
mN
m
(q
+,mn
)
q
+,mn

N
m+1
(q
+,mn
)
_
e
q
z
z
+ u
z
q
z
J
m
(q
+,mn
)e
q
z
z
+ u

im

J
m
(q
+,mn
) cosh(q
z
z)
_
(5.103)
para los modos simtricos y
P
mn

=
1
1
4
A
mn
e
im
_
u

q
,mn
_
mJ
m
(q
,mn
)
q
,mn

J
m+1
(q
,mn
)
_
cosh(q
,mn
z)
+ u
z
q
z
J
m
(q
,mn
)senh(q
,mn
z) +
im

J
m
(q
,mn
) cosh(q
,mn
z)
_
+
1
2
4
B
mn
e
im
_
u

q
,mn
_
1
J
m
(q
,mn
R
0
)
N
m
(q
,mn
R
0
)
__
mJ
m
(q
,mn
)
q
,mn

J
m+1
(q
,mn
)
_
+
_
mN
m
(q
,mn
)
q
,mn

N
m+1
(q
,mn
)
_
e
q
z
z
+ u
z
q
z
J
m
(q
,mn
)e
q
z
z
+ u

im

J
m
(q
,mn
) cosh(q
,mn
z)
_
(5.104)
para los antisimtricos. Como en el caso anterior, calcularemos las contribuciones
para los electrones situados en el estado fundamental. Para estudiar el efecto del
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
116 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
potencial nito, expresamos las condiciones de normalizacin del vector campo de
polarizacin como
_
d
3
r
_

1
(
TSO
)

2
p
P
TSO
1
P
TSO
1
+

2
(
TSO
)

2
p
P
TSO
2
P
TSO
2
_
= 1 (5.105)
donde los ndices 1 y 2 se reeren al material dot y a la barrera, respectivamente.
La integral se evala en todo el espacio ocupado, tanto por el dot como por la
barrera. Para despejar las expresiones completas de las constantes de normalizacin,
asumimos que el entorno del punto cuntico se extiende hasta el innito (R
2
).
R
2
es un punto fuera del dot elegido para facilitar los clculos. [Vese la misma
argumentacin en caso de puntos cunticos esfricos]. Evaluamos los trminos y las
integrales en R
2
utilizando las expresiones del desarrollo asinttico de las funciones
de Bessel J
n
y de Neumann N
n
. La sustitucin de R
2
conduce de inmediato
a la eliminacin de los trminos en R
2
en la ecuacin (5.105).
A partir de la continuidad del potencial electrosttico a la supercie del punto
cuntico, podemos deducir que
A
+
J
0
(q
+
R
0
) cosh(q
+
d) = B
+
e
q
+
d
(5.106a)
A

J
0
(q

R
0
)senh(q

d) = B

e
q

d
. (5.106b)
o que
B
+
= A
+
J
0
(q
+
R
0
)
_
1 +e
2q
+
d
2
_
(5.107a)
B

= A

J
0
(q

R
0
)
_
1 +e
2q

d
2
_
. (5.107b)
En las expresiones anteriores, hemos eliminado los ndices (nm) por simplicidad y
los signos +(-) se reeren a modos simtricos (antisimtricos). Sustituyendo (5.107a)
en (5.105) y tras aplicar los desarrollos asintticos, obtenemos que
A
2
+
= 8
_
q
2
+
R
2
0
_

1
(
TSO
+
)

2
p

2
1
(
TSO
+
)
_
1
4q
+
senh(2q
+
d)
_
J
2
1
(q
+
R
0
) +J
2
0
(q
+
R
0
)

1
q
+
R
0
J
0
(q
+
R
0
)J
1
(q
+
R
0
)
_

d
2
_
J
2
0
(q
+
R
0
)
1
q
+
R
0
J
0
(q
+
R
0
)J
1
(q
+
R
0
)
_
_
+
_

2
(
TSO
)

2
p

2
2
(
TSO
)J
2
0
(q
+
R
0
) (1 + cosh(2q
+
d))
__
1
N
0
(q
+
R
0
)
J
0
(q
+
R
0
)
_
2

_
1
q
+
R
0
J
0
(q
+
R
0
)J
1
(q
+
R
0
) J
2
1
(q
+
R
0
) J
2
0
(q
+
R
0
)
_

1
2q
+
_
N
2
1
(q
+
R
0
)
+ N
2
0
(q
+
R
0
)
1
q
+
R
0
N
0
(q
+
R
0
)N
1
(q
+
R
0
)
_
_
/2
__
_
1
. (5.108)
Del mismo modo para los modos antisimtricos, sustituyendo (5.107b) en (5.105),
se obtiene pues
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.2 Polarn en puntos cunticos cilndricos 117
A
2

= 8
_
q
2

R
2
0
_

1
(
TSO

2
p

2
1
(
TSO

)
_
1
4q

senh(2q

d)
_
J
2
1
(q

R
0
) +J
2
0
(q

R
0
)

1
q

R
0
J
2
0
(q

R
0
)J
1
(q

R
0
)
_
+
d
2q

R
0
J
0
(q

R
0
)J
1
(q

R
0
)
_
+

2
(
TSO

2
p

2
1
(
TSO

)
J
2
0
(q

R
0
) (cosh(2q

d) 1)
__
1
N
0
(q

R
0
)
J
0
(q

R
0
)
_
2
_
1
q

R
0
J
0
(q

R
0
)J
1
(q

R
0
) J
2
1
(q

R
0
)
J
2
0
(q

R
0
)

1
2q

_
N
2
1
(q

R
0
) +N
2
0
(q

R
0
)
1
q

R
0
N
0
(q

R
0
)N
1
(q

R
0
)
_ _
/2
__
_
1
.
(5.109)
Para los fonones SSO, utilizando el mismo desarrollo que en el caso de los
TSO, obtenemos para los modos simtricos,
_
d
3
r
_

1
(
SSO
+
)

2
p
P
SSO
+
1
P
SSO
+
1
+

2
(
SSO
+
)

2
p
P
SSO
+
2
P
SSO
+
2
_
=

1
(
SSO
+
)

2
p

2
1
(
SSO
+
)D
2
+
(
n
2d
)
2
R
2
0
d
_
_
2d
nR
0
I
0
(
n
2d
R
0
)I
1
(
n
2d
R
0
)
_
1 +
sen(n)
n
_
+
sen(n)
n
_
I
2
0
(
n
2d
R
0
) I
2
1
(
n
2d
R
0
))
_


2
(
SSO
+
)

2
p

2
2
(
SSO
+
)A
2
0
(
n
2d
)
2
R
2
0
2

__
K
2
1
(
n
2d
R
0
) K
2
0
(
n
2d
R
0
)
2d
nR
0
K
0
(
n
2d
R
0
)K
1
(
n
2d
R
0
)
_
_

d
cos
2
(
n
2d
z)dz +
_
K
2
0
(
n
2d
R
0
) K
2
1
(
n
2d
R
0
)
_

_

d
sen
2
(
n
2d
z)dz
_
= 8, n = 2, 4, 6, ... (5.110)
y una expresin similar
_
d
3
r
_

1
(
SSO

2
p
P
SSO

1
P
SSO

1
+

2
(
SSO

2
p
P
SSO

2
P
SSO

2
_
=

1
(
SSO

2
p

2
1
(
SSO

)D
2

(
n
2d
)
2
R
2
0
d
_
_
2d
nR
0
I
0
(
n
2d
R
0
)I
1
(
n
2d
R
0
)

_
1
sen(n)
n
_
+
sen(n)
n
_
I
2
0
(
n
2d
R
0
) I
2
1
(
n
2d
R
0
)
_


2
(
SSO

2
p

2
2
(
SSO

)A
2
0
(
n
2d
)
2
R
2
0
2
__
K
2
1
(
n
2d
R
0
) K
2
0
(
n
2d
R
0
)

2d
nR
0
K
0
(
n
2d
R
0
)K
1
(
n
2d
R
0
)
__

d
sen
2
(
n
2d
z)dz+
_
K
2
0
(
n
2d
R
0
) K
2
1
(
n
2d
R
0
)
_

_

d
cos
2
(
n
2d
z)dz
_
= 8, n = 1, 3, 5, ... (5.111)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
118 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
para los antisimtricos.
De la continuidad del potencial electrosttico de los SSO a la supercie del
dot y a partir de las ecs. (3.24), deducimos que
A
0
= D
+
I
0
(
n
2d
R
0
)
K
0
(
n
2d
R
0
)
(5.112a)
B
0
= D

I
0
(
n
2d
R
0
)
K
0
(
n
2d
R
0
)
. (5.112b)
Sustituyendo las relaciones (5.112a) en las ecuaciones (5.110) y (5.111) , obtene-
mos las constantes de normalizacin para los modos SSO simtricos, que vienen
expresadas por
D
2
+
= 8
_

1
(
SSO
+
)

2
p

2
1
(
SSO
+
)
_
n
2d
_
2
R
2
0
d
_
2d
nR
0
I
0
(
n
2d
R
0
)I
1
(
n
2d
R
0
)
_
+

2
(
SSO
+
)

2
p

2
2
(
SSO
+
)
_
I
0
(
n
2d
R
0
)
K
0
(
n
2d
R
0
)
_
2
_
n
2d
_
2
dR
2
0
4
_
2d
nR
0
K
0
(
n
2d
R
0
)K
1
(
n
2d
R
0
)
_
_
1
,
n = 2, 4, 6, .... (5.113a)
Actuando de la misma manera para los modos antisimtricos, obtenemos que
D
2

= 8
_

1
(
SSO

2
p

2
1
(
SSO

)
_
n
2d
_
2
R
2
0
d
_
2d
nR
0
I
0
(
n
2d
R
0
)I
1
(
n
2d
R
0
)
_
+

2
(
SSO

2
p

2
2
(
SSO

)
_
I
0
(
n
2d
R
0
)
K
0
(
n
2d
R
0
)
_
2
_
n
2d
_
2
dR
2
0
4
_
2d
nR
0
K
0
(
n
2d
R
0
)K
1
(
n
2d
R
0
)
_
_
1
,
n = 1, 3, 5, ... (5.113b)
Para expresar los Hamiltonianos de interaccin correspondientes, escribiremos los
potenciales electrostticos en trminos de los modos normales mediante las reglas
de cuantizacin, es decir

TSO
(r) =

l,n
_

8
TSO
+
_
1/2
(

b
n,+
+

b
+
n,+
)
+
(r)
+

l,n
_

8
TSO

_
1/2
(

b
n,
+

b
+
n,
)

(r) (5.114a)

SSO
(r) =

l,n
_

8
SSO
+
_
1/2
(

B
n,+
+

B
+
n,+
)
+
(r)
+

l,n
_

8
SSO

_
1/2
(

B
n,
+

B
+
n,
)

(r) (5.114b)
donde los

(r) y

(r) son las expresiones de los potenciales electrostticos obte-


Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.2 Polarn en puntos cunticos cilndricos 119
nidos en el captulo 3 para los modos TSO y SSO, respectivamente. Los operadores

b
n,+
,

b
n,
,

B
n,+
y

B
n,
satisfacen a todas las reglas de conmutacin
_

b
n+
,

b
n+
_
=
_

b
+
n+
,

b
+
n+
_
= 0 (5.115a)
_

B
n+
,

B
n+
_
=
_

B
+
n+
,

B
+
n+
_
= 0 (5.115b)
_

B
n+
,

B
n
_
=
_

B
+
n+
,

B
+
n
_
= 0 (5.115c)
_

b
n+
,

b
+
n+
_
=
_

B
n+
,

B
+
n+
_
=
nn
. (5.115d)
Los Hamiltonianos de interaccin sern
H
eTSO
+
=
_

1TSO
+
J
0
(q
+
) cosh(q
+
z)(

b
n,+
+

b
+
n,+
), < R
0
, [z[ < d

2TSO
+
_
_
1
N
0
(q
+
R
0
)
J
0
(q
+
R
0
)
_
J
0
(q
+
) +N
0
(q
+
)
_
e
q
+
z
(

b
n,+
+

b
+
n,+
),
> R
0
, [z[ > d (5.116a)
H
eTSO

=
_

1TSO

J
0
(q

)senh(q

z)(

b
n,
+

b
+
n,
), < R
0
, [z[ < d

2TSO

_
_
1
N
0
(q

R
0
)
J
0
(q

R
0
)
_
J
0
(q

) +N
0
(q

)
_
e
q

z
(

b
n,
+

b
+
n,
),
> R
0
, [z[ > d (5.116b)
para la interaccin con los fonones TSO, mientras que para los SSO obtenemos las
expresiones siguientes
H
eSSO
+
=
_

1SSO
+
I
0
(
n
2d
) cos(
n
2d
z)(

B
n,+
+

B
+
n,+
), < R
0

2SSO
+
K
0
(
n
2d
) cos(
n
2d
z)(

B
n,+
+

B
+
n,+
), > R
0
(5.117a)
H
eSSO

=
_

1SSO

I
0
(
n
2d
)sen(
n
2d
z)(

B
n,
+

B
+
n,
), < R
0

2SSO

K
0
(
n
2d
)sen(
n
2d
z)(

B
n,+
+

B
+
n,+
), > R
0
.
(5.117b)
Por otra parte, las constantes de acoplo que denen las amplitudes de Frhlich
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
120 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
vienen dadas por las expresiones siguientes

2
1TSO
+
= 4e
2

+
1
S
_
_
1
(
+
)
01

1
(
+
)
1
_
1

_
q
+
4
senh(2q
+
d)
_
J
2
1
(q
+
R) +J
2
0
(q
+
R
0
)
1
q
+
R
0
J
0
(q
+
R
0
)J
1
(q
+
R
0
)
_

q
2
+
d
2
_
J
2
0
(q
+
R
0
)
1
q
+
R
0
J
0
(q
+
R
0
)J
1
(q
+
R
0
)
_
+
_
1
(
+
)
02

1
(
+
)
2
_
1
J
2
0
(q
+
R
0
) (1 + cosh(2q
+
d))
__
1
N
0
(q
+
R
0
)
J
0
(q
+
R
0
)
_
2
_
1
q
+
R
0
J
0
(q
+
R
0
)J
1
(q
+
R
0
)
J
2
1
(q
+
R
0
) J
2
0
(q
+
R
0
)

1
2q
+
_
N
2
1
(q
+
R
0
) +N
2
0
(q
+
R
0
)

1
q
+
R
0
N
0
(q
+
R
0
)N
1
(q
+
R
0
)
_ _
/2
_
_
1
; (5.118a)

2
2TSO
+
=
2
1TSO
+
J
2
0
(q
+
R
0
)
_
1 +e
2q
+
d

2
/4 (5.118b)

2
1TSO

= 4e
2

1
S
_
_
1
(

)
01

1
(

)
1
_
1

_
q

4
senh(2q

d)
_
J
2
1
(q

R
0
) +J
2
0
(q

R
0
)
1
q

R
0
J
0
(q

R
0
)J
1
(q

R
0
)
_
+
q

d
2R
0
J
0
(q

R
0
)J
1
(q

R
0
)
_
+
_
1
(

)
02

1
(

)
2
_
1
J
2
0
(q

R
0
) (cosh(2q

d) 1)

__
1
N
0
(q
+
R
0
)
J
0
(q
+
R
0
)
_
2
_
1
q

R
0
J
0
(q

R
0
)J
1
(q

R
0
) J
2
1
(q

R
0
) J
2
0
(q

R
0
)
_

1
2q

_
N
2
1
(q

R
0
) +N
2
0
(q

R
0
)
1
q

R
0
N
0
(q

R
0
)N
1
(q

R
0
)
_ _
/2
__
__
1
;
(5.119a)

2
2TSO

=
2
1TSO

J
2
0
(q

R
0
)
_
1 e
2q

2
/4 (5.119b)
para la interaccin de los electrones con los fonones TSO en modos simtricos y
antisimtricos. Respecto a las constantes de acoplo que denen las amplitudes de
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.2 Polarn en puntos cunticos cilndricos 121
Frhlich para los fonones SSO, tenemos

2
1SSO+
= 4e
2

S
+
1
S
_
_
1
(
S
+
)
01

1
(
S
+
)
1
_
1 _
n
2d
_
2

_
2d
2
nR
0
I
0
(
n
2d
R
0
)I
1
(
n
2d
R
0
)
_

_
1
(
S
+
)
02

1
(
S
+
)
2
_
1

_
n
2d
_
2
_
I
0
(
n
2d
R
0
)
K 0
(
n
2d
R
0
)
_
2
1
2
__
K
2
1
(
n
2d
R
0
)
K
2
0
(
n
2d
R
0
)
2d
nR
0
K
0
(
n
2d
R
0
)K
1
(
n
2d
R
0
)
_ _

d
cos
2
(
n
2d
z)dz
+
_
K
2
0
(
n
2d
R
0
) K
2
1
(
n
2d
R
0
)
_ _

d
sen
2
(
n
2d
z)dz
_
_
1
,
n = 2, 4, 6, ... (5.120a)

2
2SSO+
=
2
1SSO+
_
I
0
(
n
2d
R
0
)
K
0
(
n
2d
R
0
)
_
2
(5.120b)

2
1SSO
= 4e
2

1
S
_
_
1
(
S

)
01

1
(
S

)
1
_
1 _
n
2d
_
2
_
2d
2
nR
0
I
0
(
n
2d
R
0
)I
1
(
n
2d
R
0
)
_

_
1
(
S

)
02

1
(
S

)
2
_
1

_
n
2d
_
2
_
I
0
(
n
2d
R
0
)
K
0
(
n
2d
R
0
)
_
2
1
2
__
K
2
1
(
n
2d
R
0
)
K
2
0
(
n
2d
R
0
)
2d
nR
0
K
0
(
n
2d
R
0
)K
1
(
n
2d
R
0
)
_ _

d
sen
2
(
n
2d
z)dz
+
_
K
2
0
(
n
2d
R
0
) K
2
1
(
n
2d
R
0
)
_ _

d
cos
2
(
n
2d
z)dz
_
_
1
,
n = 1, 3, 5, ... (5.121a)

2
2SSO
=
2
1SSO
_
I
0
(
n
2d
R
0
)
K
0
(
n
2d
R
0
)
_
2
(5.121b)
para la interaccin con los fonones SSO tanto simtricos como antisimtricos, por
e otro lado.
C. Solucin numrica y resultados
Como en el caso de puntos cunticos esfricos, adoptamos el mtodo varia-
cional desarrollado por Low-Lee-Pines [? ]. Debido a la forma del Hamiltoniano, la
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
122 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
transformacin unitaria se escribe como
U = Exp
_

l,n
_
f
l,n
a
+
ln
c.c

l,n
_
g
ln
b
+
ln
c.c

ln
_
h
ln
B
+
ln
c.c

ln
_
s
ln
D
+
ln
c.c

_
(5.122)
donde f
ln
, g
ln
, h
ln
y s
ln
son los parmetros variacionales por determinar con la
ayuda de la minimizacin de la energa del sistema. En esta transformacin unita-
ra, a
+
ln
(a
ln
), b
+
ln
, (b
ln
), B
+
ln
, (B
ln
) y D
+
ln
, (D
ln
) son los operadores de creacin (y de
aniquilacin) para los fonones LO1, LO2, TSO y SSO, respectivamente. La funcin
prueba que dene el estado del sistema se elige conforme al sistema de coordenadas,
asumiendo un ansatz entre la funcin de onda del electrn y el estado de fonones,
es decir
[(, z)) = [
e
(, z)) [0) (5.123)
donde [
e
(, z)) es la funcin de onda del electrn, y [0) es el estado fonnico, con-
siderado vaco. Entonces, la energa total del sistema se evala como valor esperado
del Hamiltoniano dentro del estado arriba denido, es decir
E
tot
=

(, z)

U
1
HU

(, z)
_
=
e
(, z) [H
eff
[
e
(, z)) (5.124)
donde H
e
=

0

U
1
HU

0
_
es una funcin de los parmetros variacionales. Los
criterios de minimizacin del Hamiltoniano efectivo, H
eff
/f
l,n
= 0, H
eff
/g
l,n
=
0, H
eff
/h
l,n
= 0, H
eff
/s
l,n
= 0, nos permite denir estos parmetros como
f
ln
=
V
ln

LO
_
J
0
_

R
0
_
cos
_
lz
2d
__
para l impar (5.125a)
f
ln
=
V
ln

LO
_
J
0
_

R
0
_
sen
_
lz
2d
__
para l par (5.125b)
g
ln+
=
V
n,+

+
[J
0
(q
n,+
) cosh(q
n,+
z)] (5.126a)
g
ln
=
V
n,

[J
0
(q
n,
)senh(q
n,
z)] (5.126b)
h
ln+
=

n,+

SS
_
I
0
_
n
2d
_
cos
_
nz
2d
_
_
para n par (5.127a)
h
ln
=

n,

SS
_
I
0
_
n
2d
_
sen
_
nz
2d
_
_
para n impar (5.127b)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.2 Polarn en puntos cunticos cilndricos 123
s
ln+
=

n,+

LO2
_
T
0
_
n
2d
_
cosh
_
nz
2d
_
_
para n par (5.128a)
s
ln+
=

n,

SS
_
T
0
_
n
2d
_
senh
_
nz
2d
_
_
para n impar. (5.128b)
Con sustituir las expresiones de los parmetros variacionales, obtenemos que
H
eff
=

2
2m

_

2

2
+
1

+

2
z
2
_
+V
conf
(r) +V
eLO
(r)
+ V
eTSO
(r) + V
eSSO
(r) (5.129)
donde V
eLO
(r),V
eTSO
(r) y V
eSSO
(r) representan los potenciales efectivos in-
ducidos por la interaccin entre los electrones y los fonones LO, fonones TSO y
fonones SSO, respectivamente. De manera explcita, estos potenciales tienen las
siguientes expresiones
V
eLO
(r) =

n1
J
2
0
_

n
1
R
0

_

LO
_

l=1,3,...
V
2
l,n
1
cos
2
_
l
2d
z
_
+

l=2,4,...
V
2
l,n
1
sen
2
_
l
2d
z
__
(5.130a)
V
eTSO
(r) =

n
2
,+
V
2
n
2
,+

+
J
2
0
(q
n
2
,+
) cosh
2
(q
n
2
,+
z)

n
2
,
V
2
n
2
,

J
2
0
(q
n
2
,
)senh
2
(q
n
2
,
z) (5.130b)
V
eSSO
(r) =

n
3
=2,4,...

2
n
3
,+

SSO
I
2
0
_
n
3

2d
_
cos
2
_
n
3
z
2d
_

n
3
=1,3,...

2
n
3
,

SSO
I
2
0
_
n
3

2d
_
sen
2
_
n
3
z
2d
_
. (5.130c)
Para la funcin de onda, podemos elegir una funcin-prueba de tipo

e
(, z) = Af()g(z)Exp[
_

2
+z
2
] (5.131)
con una sola variable variacional , y donde
f() =
_
J
0
(
1
) R
0
J
0
(
1
R
0
)
K
0
(
2
R
0
)
K
0
(
2
) > R
0
.
(5.132)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
124 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
y
g(z) =
_
cos(k
1
z) [z[ < d
cos(k
1
d)
Exp(k
2
|d|)
exp[k
2
[z[] [z[ > d.
(5.133)
Recordamos que los vectores de onda vienen denidos por
k
1
=
_
2m

1
E
0
/ (5.134a)
k
2
=
_
2m

2
(V
conf
E
0
)/ (5.134b)

1
=
_
2m

1
E

/ (5.134c)

2
=
_
2m

2
(E
0
E

)/ (5.134d)
mientras que E
0
y E

se determinan a partir de las ecuaciones transcendentales


(4.39) y (4.41). La eleccin de la funcin (5.131) se justica por la correlacin entre
el movimiento en la direccin z y el movimiento en el plano (x,y). Varios autores han
elegido distintas funciones-prueba para calcular las auto-energas del polarn. En los
clculos de magnetopolarn, Charrour y colaboradores [14] utilizan una funcin con
un solo parmetro variacional actuando sobre la variable . Sin embargo, algunos
estudios han demostrado que la eleccin de la funcin-prueba afecta muy poco a los
valores de auto-energa.
En ausencia de fonones, la energa del estado fundamental se da por la expre-
sin siguiente:
E
0
g
= (, z)

2
r
+V
conf
(r)

(, z)). (5.135)
La constante de normalizacin en este caso, se da por
A
2
=0
=
1
2
R
2
0
_
J
1
(
1
R
0
)
2

J
0
(
1
R
0
)
2
K
0
(
2
R
0
)
2
K
1
(
2
R
0
)
2
_

_
(2k
1
d + cos(2k
1
d))/4k
1
+ cos(k
1
d)
2
/2k
2
_
(5.136)
Sin embargo para ,= 0, la constante de normalizacin vuelve a ser
A
2
=0
=
_
d
0
_
R
0
0
J
0
(
1
)
2
cos(k
1
z)
2
exp(
_

2
+z
2
)ddz
+
__

d
_

R
0
K
0
(
2
)
2
Exp(2k
2
z)Exp[
_

2
+z
2
]ddz
_

J
0
(
1
R
0
)
2
K
0
(
2
R
0
)
2
cos(k
1
d)
2
exp(2k
2
d)
(5.137)
A diferencia del caso = 0, la expresin (5.137) no es integrable analticamente, lo
que requiere un tratamiento numrico. Con este tratamiento, el clculo de la energa
total del sistema se obtiene de la minimizacin con respecto al parmetro de las
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.2 Polarn en puntos cunticos cilndricos 125
distintas contribuciones, es decir,
E
tot
= min

_
E
0
g
+
LO1
+
LO2
+
TSO,
+
SSO,
+E
LO1
+E
LO2
+E
TSO
+ E
SSO
_
. (5.138)
Como la energa del estado fundamental en ausenca de interaccin electrn-
fonn, as como las frecuencias de fonones han sido discutidas en los captulos an-
terioresa, aqu nos limitamos a analizar las correcciones a la energa debida a las
interacciones electrn-fonn.
Para ilustrar nuestros clculos presentaremos los resultados para los puntos
cunticos tpicos de tipo III-V y II-VI. Los resultados se muestran en la gura 5.3
para puntos cunticos de InAs/GaAs. Los clculos han sido realizados para un valor
jo de semi-altura de 2.5 nm. La contribucin de los fonones connados en el dot
a la auto-energa del polarn decrece rpidamente, en valor absoluto con el radio
del punto cuntico. Mientras que la correccin debida a fonones connados en la
barrera decrece lentamente en el mismo rango de radios del cilindro investigado.
Sus valores alcanzan valores constantes para R
0
> 15 nm y R
0
> 10 nm, respecti-
vamente. Respecto a los fonones TSO, su contribucin a la auto-energa del polarn
disminuye constantemente con el radio del dot. Por otra parte, los SSO no parecen
contribuir de manera apreciable a los valores de la auto-energa del polarn. En esta
heteroestructura, la correccin total, que es la suma de las distintas contribuciones
de los diferentes modos de fonones, disminuye en valor absoluto en un rango de
R
0
7,5 nm, para aumentar gradualmente a medida que aumenta el radio del
cilindro. La disminucin de [ E
LO1
[ y [ E
LO2
[ puede interpretarse como una
manifestacin del connamiento en puntos cunticos. Sin embargo, la poca sensibi-
lidad de [ E
SSO
[ corrobora el comportamiento observado en el captulo 3, donde
los modos de fonones SSO no se ven afectados signicativamente por el cambio de
dimensiones laterales de puntos cunticos cilndricos.
Para entender mejor las caractersticas generales de polarn en puntos cun-
ticos cilndricos, hemos extendido los clculos a otros tipos de herteroestructuras,
como son InAs/InP y ZnSe/CdSe. Los resultados de estos clculos se presentan en
las guras 5.4 y 5.5, respectivamente. Para los puntos cunticos de InAs/InP,
observamos comportamientos anlogos a InAs/GaAs. Sin embargo, en el caso de
ZnSe/CdSe, la variacin con el radio de [ E
SSO
[ se hace ms apreciable. Adems,
la disminucin de [ E
LO1
[ y [ E
LO2
[ es ms rpida que los puntos cunticos de
InAs/GaAs. Al mismo tiempo, observamos que [ E
tot
[ tiene un marcado carcter
predominante de las contribuciones de los fonones connados. Aunque no repre-
sentado aqu, el comportamiento observado en los ZnSe/CdSe ha sido observado
tambin en los puntos cunticos de GaAs/AlAs. Aqu se puede ver que como en los
casos anteriores, la contribucin de los fonones de supercie, tanto los TSO como
los SSO, al polarn es pequea en comparacin con los fonones connados. A modo
de comparacin, representamos en la gura 5.6 las correcciones de energa debidas
a los fonones TSO y SSO para puntos cunticos de InAs/GaAs. La contribucin
de SSO es dos ordenes de magnitud menor que los TSO. La misma situacin se
repite en los puntos cunticos de InAs/InP. Sin embargo para los puntos cunticos
de ZnSe/CdSe, ambas contribuciones son del mismo orden de magnitud.
Esto se debe probablemente a las diferencias entre constantes dielctricas y las
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
126 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
constantes de acoplo de Frhlich. En efecto, Oshiro y Matsuura [4] han estudiado
el comportamiento de polarn con el radio para distintos valores de constantes de
acoplo. Considerando solamente los fonones volmicos, han llegado a la conclusin
de que la energa del polarn, en valor absoluto, es mayor para mayor constante
de Frhlich. Asimismo, compararon la energia del polarn para distintas razones
de constantes dielctricas entre el material dot y su entorno (
dot
/
barrera
). En
este caso, observaron que a mayor gap entre las constantes dielctricas corresponda
mayor valor de energa de polarn. Adems, para mayor constante de acoplo y mayor
tamao, el valor esperado de r , < r > tiene una contribucin muy importante.
Al cambiar el radio (R
0
) y la altura (h) de puntos cunticos cilndricos, se
puede estudiar varios lmites de connamiento, barriendo casi los tres tipos de
connamiento: unidimensional o pozo cuntico (R
0
y h >> a
B
), connamiento
bidimensional o hilo cuntico (R
0
< a
B
, h >> a
B
) y connamiento tridimensio-
nal o punto cuntico (R
0
< a
B
, h < a
B
). Este hecho puede tambin inuir en
las correcciones de energa para materiales cuyos band-oset son mayores. En los
casos investigados, AlAs y CdSe tienen mayores band-osets. En efecto, como estos
cambios de altura o de radio en puntos cunticos cilndricos, pueden dar lugar a
una reduccin de connamiento, se puede esperar que la separacin entre niveles de
energa sea ms pequea que la energa misma del fonn bulk. Los trabajos ante-
riores [? ] haban demostrado que, en pozos cunticos por ejemplo, la energa del
polarn puede tratarse mejor en aproximacin de acoplo intermedio. De hecho, en
pozos cunticos, existe un continuo de energa en el plano x-y, aunque los niveles
sean discretos en la direccin de crecimiento.
5.3. Polarn en puntos cunticos cnicos
Los puntos cunticos cnicos presentan una peculiaridad en comparacin con
los dos casos anteriores. En stos, es difcil resolver la ecuacin de Laplace en sepa-
racin de variables. En el captulo anterior, hemos aplicado el mtodo de densidad
funcional de energa para calcular los niveles de energa de estos puntos cunti-
cos con el n de demostrar el efecto sobre los mismos de la correlacin entre los
movimientos en el plano y en la direccin de crecimiento. De este estudio, hemos
observado que la ecuacin de movimiento en z sufre un cambio espectacular, en
comparacin con el caso cilndrico, asumido aqu como una aproximacin ideal ha-
cia la cual tienden las soluciones asintticas en el cono. Adems, en el captulo 3,
hemos visto que el hecho de tratar la ecuacin de Laplace en el sistema polar da
lugar a que los modos de fonones presenten una tendencia a una localizacin en
comparacin con los modos estudiados en puntos cunticos cilndricos. Pero, este
tratamiento tiene dicultades matemticas a la hora de transformar los campos de
polarizacin en Hamiltonianos para el clculo de las energas del polarn, como lo
hemos hecho en el caso de puntos cunticos esfricos y cilndricos. En esta seccin,
intentaremos en primera aproximacin analizar el mismo efecto de la contribucin
de la interaccin electrn-fonn a la energa del polarn.
5.3.1. Hamiltoniano de Frhlich para los fonones connados
Para simplicar los clculos, consideramos la interaccin electrn-fonn en
trminos de Frhlich, de manera que el Hamiltoniano se escriba como
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.3 Polarn en puntos cunticos cnicos 127
5,0 10,0 15,0 20,0 25,0
-0,75
-0,50
-0,25
0,00
5,0 10,0 15,0 20,0 25,0
-0,32
-0,16
0,00
5,0 10,0 15,0 20,0 25,0
-0,30
-0,24


E

L
O

(
m
e
V
)
Radio (nm)
LO2
LO1


E

S
O

(
m
e
V
)
Radio (nm)
TSO
SSO


E

t
o
t

(
m
e
V
)
Radio (nm)
Figura 5.3. Dependencia con el radio de las distintas contribuciones de los
fonones a la auto-energa del polarn en puntos cunticos cilndricos de InAs/GaAs.
H
eph
=

q
_
(q)a
+
q
exp(iq.r) +H.c.

(5.139)
con
(q) = i(4/)
1/2
_
(
LO
/q)(/2m

LO
)
1/4
_
(5.140)
q =
_
q
2

+q
2
z
(5.141)
En la ec. (5.140), representa el volumen del cristal, mientras que es la constante
de Frhlich que hemos descrito anteriormente. Considerando el estado fundamental
como un ansatz formado por el producto directo de la funcin de onda del electrn
y el estado fundamental de fonones, podemos escribir utilizando el mtodo de per-
turbaciones de segundo orden, la auto-energa del polarn como en los materiales
volmicos.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
128 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
5,0 10,0 15,0 20,0 25,0
-0,75
-0,50
-0,25
0,00
5,0 10,0 15,0 20,0 25,0
-0,31
-0,24
-0,18
-0,12
-0,06
0,00
5,0 10,0 15,0 20,0 25,0
-0,31
-0,24
-0,18
LO2
LO1


D

E

L
O

(
m
e
V
)
Radio (nm)
TSO
SSO


E

S
O

(
m
e
V
)
Radio (nm)


E

t
o
t

(
m
e
V
)
Radio (nm)
Figura 5.4. Dependencia con el radio de las distintas contribuciones de los
fonones a la auto-energa del polarn en puntos cunticos cilndricos de InAs/InP.
Entonces, la auto-energa del polarn, se da por
E =

q
[0[exp(iq.r)[1)[
2
(q)
2
E E
0
+
LO
(5.142)
Debido a la geometra del dot, introducimos las transformaciones siguientes
e
iq.r
= e
iq
z
z
_
_
J
0
(q

) + 2

j
(i)
j
J
j
(q

)cos(j)
_
_
. (5.143)
Por comodidad en los clculos, no operamos ninguna transformacin en la compo-
nente z del Hamiltoniano de interaccin. Esta componente se calcular numrica-
mente utilizando los mtodos de transformadas de Fourier. Recordamos que en el
captulo anterior, la funcin de onda del electrn en la direccin z se determina a
partir de la solucin del desarrollo en serie del potencial efectivo, as como de la
solucin exacta a travs de las funciones de Bessel con ndice real. A modo de ilus-
tracin, calcularemos la auto-energa de polarn para la funcin de onda obtenida
a partir del desarrollo en serie.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.3 Polarn en puntos cunticos cnicos 129
0,0 5,0 10,0 15,0 20,0
-21,5
-16,1
-10,8
-5,4
0,0
0,0 5,0 10,0 15,0 20,0
-0,3
-0,2
0,0
0,2
0,3
0,0 5,0 10,0 15,0 20,0
-36,7
-24,5
-12,2
0,0


E

L
O

(
m
e
V
)
Radio (nm)
LO2
LO1


E

S
O

(
m
e
V
)
Radio (nm)
TSO
SSO


E

t
o
t

(
m
e
V
)
Radio (nm)
Figura 5.5. Dependencia con el radio de las distintas contribuciones de los
fonones a la auto-energa del polarn en puntos cunticos cilndricos de ZnSe/CdSe.
Funcin de onda obtenida del desarrollo en series del potencial efectivo
Con la funcin de onda hallada de esta manera, la auto-energa del polarn
puede expresarse como
E
LO
=

q
(q)
2
[
_

J
0
(
n
/R(z))J
0
(q

)J
0
(
n
//R(z))Ai(z/(z))
2
e
iq
z
z
ddz[
2
E(q) E
0
+
LO

4
1
J
1
(
n
)
4
R(z)
4
. (5.144)
La amplitud de interaccin electrn-fonn (q) as como los distintos parmetros
que aparecen en esta ecuacin han sido denidos en los captulos anteriores.
En la gura 5.7 se muestra la auto-energa del polarn en funcin de la altura
para puntos cunticos cnicos de InAs. Para distintos valores del ngulo , no se
aprecia diferencia respecto a los valores de la energa de polarn. Como se poda
esperar, los valores de E disminuyen con la altura. En efecto, a menor altura
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
130 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
5,0 10,0 15,0 20,0 25,0
-0,37
-0,31
-0,25
-0,19
-0,12
-0,06
TSO
SSO
Radio (nm)


E

T
S
O

(
m
e
V
)
0,00
0,62
1,25
1,87
2,50
3,12
3,75
4,37


E

S
S
O

(
x

1
0
3

m
e
V
)
Figura 5.6. Dependencia con el radio de las contribuciones de los fono-
nes TSO y SSO a la auto-energa del polarn en puntos cunticos cilndricos de
InAs/GaAs.
corresponde mayor valor del radio del cono. Adems, como hemos visto en el captulo
anterior, la desviacin del cono con respecto al cilindro, introduce un potencial
supercial que hace depender todos los resultados de los niveles de energa de los
parmetros de simulacin. Es este el caso de la relacin parmetrica entre el radio y
la altura del cono, a travs del ngulo al apex. Por conseguiente, esta dependencia
inuir tambin en los valores de la auto-energa del polarn.
5.4. Conclusin
En este captulo se ha determinado la contribucin de energa al estado funda-
mental debido a la interaccin electrn-fonn en puntos cunticos de tres geometras
diferentes: esfrica, cilndrica y cnica truncada. Para los casos esfrico y cilndrico
se ha tenido en cuenta la contribucin de los diferentes tipos de fonones; es decir,
fonones LO connados en el dot y en la barrera y los fonones de intercara (TSO y
SSO para los puntos cunticos cilndricos). Sin embargo, para la geometra cnica
slo se ha determinado la contribucin de los fonones LO, que son los que originan
una contribucin mayor a la auto-energa del polarn. En las tres geometras in-
vestigadas, se ha observado que las correcciones debidas a los fonones LO son mas
signicativas cuando los tamaos de los puntos cunticos son ms pequeos, como
cabe esperar debido al efecto de connamiento.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
5.4 Conclusin 131
5,0 10,0 15,0 20,0 25,0
0,00
0,62
1,25
1,87
2,50
3,12
3,75

E
p
o
l
(
m
e
V
)
Altura (nm)
=30
=45
=55
Figura 5.7. Dependencia de la contribucin de los fonones LO a la auto-
energa del polarn con la altura en puntos cunticos cnicos InAs.
En general, la auto-energa del polarn depende esencialmente de varios pa-
rmetros entre ellos, el radio del polarn, las constantes dielctricas y las masas
efectivas, as como de los valores de fonones volmicos de materiales constituyen-
tes de heteroestructuras. En nuestros clculos, hemos observado que a medida que
aumenta la razn entre la constante dielctrica del material dot y la de su entorno,
las magnitudes de las correcciones de energa debidas a los fonones de supercie se
hacen ms visibles. Por otro lado, las correcciones de energa para la interaccin de
los electrones con los fonones volmicos caen bruscamente al aumentar las dimen-
siones de puntos cunticos. Al mismo tiempo, la inclusin de los fonones connados
en la barrera afecta esencialmente a la energa total del polarn, sobre todo en los
puntos cunticos cilndricos. En ambas geometras, existen unas dimensiones cr-
ticas a partir de las cuales la energa total del polarn presenta un mnimo antes
de iniciar un aumento con los tamaos del dot. Para los puntos cunticos esfricos
investigados, esta dimensin se sita alrededor de 7 nm para InAs/GaAs, muy
por encima del radio de polarn de los dos materiales bulk constituyentes de la
heteroestructura. Sin embargo, para el mismo material, s observamos la correccin
total a la energa de los fonones en la geometra cilndrica, este punto de inexin
aparece tambin alrededor de 7 nm.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
132 Captulo 5. Polarones en puntos cunticos
El cambio de comportamiento en la vecindad de este parmetro, condujo a
Melnikov y Fowler [5] a sugerir que para tamaos de puntos cunticos cercanos al
valor crtico, la densidad electrnica est localizada en la barrera. Adems, estos
autores opinan que el nivel de energa del estado fundamental est ms cerca del
borde de la banda de conduccin. De ah que la mayor contribucin a la auto-energa
del polarn proviene de la interaccin del portador con los fonones connados en la
barrera. Otro parmetro a tener en cuenta en los clculos de la energa es el band-
oset. Para puntos cunticos de gap ms grande, como son los II-VI, la energa total
del polarn se asemeja ms al caso de connamiento perfecto, donde la variacin
de E
pol
cae rpidamente antes de saturarse con la variacin del tamao del dot.
Esta situacin ha sido observada en los materiales ZnSe/CdSe como en GaAs/AlAs
para la auto-energa del polarn.
Respecto a los puntos cunticos cnicos, la no-dependencia de E
pol
con el
cambio del ngulo puede atribuirse a la correlacin entre los movimientos en el
plano y en la direccin de crecimiento. En efecto, hemos observado que la inter-
dependencia entre las dimensiones laterales con la dimensin vertical en el cono,
obliga a una compensacin entre el comportamiento de los niveles de energa respec-
to a una u otra variable. Por ejemplo, al aumentar el radio de la base, manteniendo
constantes la altura y el ngulo, la energa aumenta. Sin embargo, si representamos
la energa en funcin de la altura, sta disminuye. Esta compensacin puede ocasio-
nar que los elementos de matriz que aparecen en los clculos de la energa se vean
compensados por los dos movimientos a medida que vara uno de los parmetros
fsicos que denen el cono.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Bibliografa
[1] M. Bissiri, G. Baldassarri, A.S. Bhatti, M. Capizzi, A. Frova, P. Frigeri and S.
Franchi. Phys. Rev. B, 62:4642, 2000.
[2] J.T. Devreese. Polarons in Ionic Crystals and Polar Semiconductors. North
Holland Publishing Company, Amsterdam, 1972.
[3] T.K. Mitra, A. Chatterjee and S. Mukhopadhyay. Physics Reports, 153(2):91,
1987.
[4] K. Oshiro, K. Akai and M. Matsuura . Phys. Rev. B, 58:7986, 1998.
[5] Dmitry V. Melnikov and W. Beall Fowler. Phys. Rev. B, 64:245320, 2001.
[6] R.M. de la Cruz, S.W. Teisworth and M.A. Stroscio. Phys. Rev. B, 52:1489,
1995.
[7] Shao-fu Wang, Harbans L. Arora and Mitsuru Matsuura. Phys. Rev. B, 4:3685,
1971.
[8] A.L. Vartanian, A.L. Asatryan and A.A. Kirakosyan. J.Phys.: Condens. Mat-
ter, 14:13357, 2002.
[9] Handbook of Mathematical Functions, 9th edition. edited by M. Abramowitz
and I.A. Stegun, Dover Publications, New-York, USA, 1972.
[10] M.C. Klein, F. Hache, D. Ricard and C. Flytzanis. Phys. Rev. B, 42:11123,
1990.
[11] W.-S. Li and C.-Y. Chen. Physica B, 229:375, 1997.
[12] B.S Kandemir and A. etin. Phys. Rev. B, 65:054303, 2002.
[13] R. Charrour, M. Bouhassoune, M. Fliyou, D. Bria and A. Nougaoui . J. Appl.
Phys., 88:3514, 2000.
[14] A. El Moussaaouy, D. Bria, A. Nougaoui, R. Charrour and M. Bouhassoune .
J. Appl. Phys., 93:2906, 2003.
133
134 BIBLIOGRAFA
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Captulo 6
Conclusiones y
perspectivas
Desde el principio de este trabajo nos hemos planteado la problemtica de la
interaccin electrn-fonn en los puntos cunticos y los efectos de geometra sobre la
misma. Por ello, hemos calculado las frecuencias de fonones de intercara a travs de
un formalismo convencional llamado "modelo de dielctrico continuo". Nuestros tra-
bajos han demostrado que la forma geomtrica inuye mucho en estas frecuencias,
tanto en cuanto los valores de frecuencias y sus comportamientos con las dimensio-
nes geomtricas, como sus distintos modos vienen dictados por las caractersticas
geomtricas de puntos cunticos. En los esfricos, por ejemplo, se aprecia que las
dimensiones no inuyen en los valores de frecuencias de intercara en el modelo DC.
Sin embargo, todos los modos quedan determinados una vez conocido el momento
angular orbital. Adems, slo los modos en los que el momento es diferente de cero
son susceptibles de aparecer en los puntos cunticos esfricos.
En los puntos cunticos cilndricos o discos cunticos, la posibilidad de redu-
cir tanto las dimensiones laterales como la altura introduce un grado de libertad
adicional con respecto a la esfera, y con ello los fonones de intercara se dividen en
modos TSO y SSO, cada uno afectado por el carcter simtrico o asimtrico de
soluciones de la ecuacin de Laplace. Adems, esta geometra nos ensea que hay
una diferencia en los comportamientos de los fonones de intercara segn que un
punto cuntico est aislado o que est enterrado en otro material dielctrico, como
suele ocurrir en la preparacin de stos. En el primer caso, los fonones de tipo TSO,
dependen sensiblemente de las dimensiones laterales del punto cuntico, llegando a
ser ms importantes para radios ms pequeos. Sin embargo, sus homlogos SSO
sufren leves cambios con el radio, hasta alcanzar valores constantes a mayor radio.
Sin embargo, en el caso de las heteroestructuras de puntos cunticos, slo los TSO
mantienen su comportamiento con las dimensiones laterales, mientras los SSO, se
mantienen constantes. Un clculo multifonnico nos ha permitido predecir otros
modos situados en la regin de restrahlen de los fonones pticos, siendo stos los
modos predichos en los experimentos de Raman por Krauss y colaboradores.
Respecto a los puntos cunticos cnicos, la situacin es distinta. La peculiari-
dad de esta geometra nos ha permitido analizar los efectos de la anisotropa sobre
las frecuencias de vibracin. En efecto, al contrario de los puntos esfricos y ciln-
dricos donde las ecuaciones de Laplace son separables en las coordenadas, el cono
presenta la particularidad de que las soluciones no se prestan a la separacin de
variables. Por ello, hemos utilizado, por ejemplo, el teorema integral de Green para
deducir los modos de intercara radiales. Como en el caso del cilindro, se aprecia
que los fonones se dividen en modos BSO y SSO. En este caso, el ngulo al apex
del cono juega un papel importante. Adems, el factor de forma, nos ensea que
135
136 Captulo 6. Conclusiones y perspectivas
para algunos valores de , los fonones de intercara sufren un cambio brusco en su
evolucin con el ngulo. Para algunos valores de , las frecuencias de tipo barrera
sufre un salto para recuperar valores del punto cuntico y vive-versa.
De la misma manera, hemos calculado los niveles de energa de los electrones
connados en las tres geometras. En este caso, distinguimos los puntos cunticos
aislados de las heteroestructuras, consiguindose demostrar tanto el efecto del con-
namiento como de las geometras en los niveles de energa. Debido a la geometra, los
niveles de energa en los puntos cunticos esfricos disminuyen con las dimensiones
del dot, siguiendo las reglas de seleccin dictadas por el nmero cuntico principal
en el caso del potencial innito. En cuanto a los puntos cunticos cilndricos, dos
grados de libertad determinan los niveles de energa de los portadores. Adems, la
simetra del problema afecta a las masas efectivas y al potencial de connamiento.
En efecto, en los esfricos, la simetra permite admitir que la masa efectiva es una
constante, tratndose todos los clculos en la aproximacin de un potencial nito.
En los cilndricos, hemos desacoplado el movimiento en el plano del movimiento en
z, siendo esta ltima la direccin de crecimiento. La correccin que aporta a la masa
efectiva y al potencial de connamiento en el plano permite apreciar el cambio en
los valores de energa, en comparacin con los puntos cunticos esfricos.
En el caso particular del cono, debido a la dicultades de separar las funciones
de onda en coordenadas, hemos utilizado una forma variacional para estudiar los ni-
veles de energa. La desviacin de la geometra del cono truncado con respecto a las
dos anteriores introduce en nuestros clculos un potencial supercial. La resolucin
de este potencial aade un comportamiento diferente a los niveles de energa, hacien-
do que para algunas dimensiones del cono, aparecen estados ligados. Los clculos
anlogos en hilos cunticos han demostrado la validez de este mtodo, llegndose a
predecir los niveles de energa observados en experimentos de fotoluminiscencia en
cristales de silicio poroso [1].
Los resultados nos han conducido a calcular el efecto de geometra en las
interacciones de los electrones con los fonones. Por ello, hemos utilizado los mtodos
variacionales para las dos primeras geometras y el mtodo perturbativo para la
ltima. Los resultados nos demuestran que, al igual que los niveles de energa de
connamiento, la interaccin electrn-fonn se ve afectada por la geometra del dot.
En general, la auto-energa del polarn depende esencialmente de varios pa-
rmetros entre ellos; el radio del polarn, las constantes dielctricas y las masas
efectivas, as como de los valores de fonones volmicos de materiales constituyen-
tes de heteroestructuras. En nuestros clculos, hemos observado que a medida que
aumenta la ratio entre la constante dielctrica del material dot y la de su entorno, las
magnitudes de las correcciones de energa debidas a los fonones de supercie se ha-
cen ms visibles. Por otro lado, las correcciones de energa para la interaccin de los
electrones con los fonones volmicos caen bruscamente al aumentar las dimensiones
de puntos cunticos. Al mismo tiempo, la inclusin de los fonones connados en la
barrera afecta esencialmente a la energa total del polarn, sobre todo en los puntos
cunticos cilindros. En ambas geometras, existen unas dimensiones criticas a partir
de las cuales la energa total del polarn presenta un mnimo antes de iniciar un
aumento con los tamaos del dot. Para los puntos cunticos esfricos investigados,
esta dimensin se sita alrededor de 7 nm para InAs/GaAs, muy por encima del
radio de polarn de los dos materiales bulk constituyentes de la heteroestructura.
Sin embargo, para el mismo material, si observamos la correccin total a la energa
de los fonones en la geometra cilndrica, este punto de inexin aparece tambin
alrededor de 7 nm.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
137
El cambio de comportamiento en la vecindad de este parmetro, condujo a
Melnikov y Fowler [2] a sugerir que para tamaos de puntos cunticos cercanos al
valor critico, la densidad electrnica est localizada en la barrera. Adems, stos
autores opinan que el nivel de energa del estado fundamental est ms cerca del
borde de la banda de conduccin. De ah que la mayor contribucin a la auto-energa
del polarn proviene de la interaccin del portador con los fonones connados en la
barrera. Otro parmetro a tomar en cuenta en los clculos de la energa es el band-
oset. Para puntos cunticos de gap mas grande, como son los II-VI, la energa total
del polarn se asemeja ms al caso de connamiento perfecto, donde la variacin de
E
pol
cae rapidmente antes de saturarse con la variacin del tamao del dot. Esta
situacin ha sido observada en los materiales ZnSe/CdSe como en los GaAs/AlAs
para las auto-energas del polarn.
Respecto a los puntos cunticos cnicos, la no-dependencia de E
pol
con el
cambio del ngulo puede atribuirse a la correlacin entre los movimientos en el
plano y en la direccin de crecimiento. En efecto, hemos observado que la inter-
dependencia entre las dimensiones laterales con la dimensin vertical en el cono,
obliga a una compensacin entre el comportamiento de los niveles de energa respec-
to a una o otra variable. Por ejemplo, al aumentar el radio de la base, manteniendo
constantes la altura y el ngulo, la energa aumenta. Sin embargo, si representamos
la energa en funcin de la altura, sta disminuye. Esta compensacin puede ocasio-
nar que los elementos de matriz que aparecen en los clculos de la energa se vean
compensados por los dos movimientos a medida que vara uno de los parmetros
fsicos que denen el cono.
Los resultados de este trabajo han puesto de maniesto que la forma geom-
trica es un ingrediente capital en la prediccin y la interpretacin de la estructura
electrnica en puntos cunticos. Para cada geometra investigada, hemos procurado
agrupar todos los clculos en un mismo cdigo de programa escrito en FORTRAN
77 y paralelizado, de modo que las salidas del tratamiento numrico proporcionan
todas las informaciones requeridas. Cada cdigo es independiente de los parmetros
de materiales de entrada, lo que mejora la exibilidad de los clculos. Los cheros
de entrada agrupan todos los datos necesarios para analizar tanto los modos de
fonones, los niveles de energa como las correcciones de energa del polarn. Todos
han sido probado esencialmente en la maquina HP Exemplar SP 9000/800 provisto
de 8 procesadores. Tambin se ha procurado por comodidad, realizar las pruebas de
nuestros cdigos en las estaciones PC duales para comprobar la rbustez de nuestros
clculos. Los resultados nos han conrmado la exibilidad de nuestros cdigos.
Una lnea de investigacin natural del nuestro tratamiento seria la incorpora-
cin de los efectos de tensin en los clculos de fonones, como en las correcciones
de energa de polarones. Adems, para mejor interpretacin de los efectos de geo-
metra, pensamos que seria interesante predecir algunas magnitudes pticas como
son la fuerza del oscilador, la constante de Huang-Rhys o el coeciente de absorcin
para las distintas geometras. Tambin, es preciso en un futuro estudiar este efec-
to en redes de puntos cunticos con geometras distintas. Por ejemplo, pensamos
que el tratamiento se podra aproximarse a los puntos cunticos reales, tratando
el sistema completo como una distribucin de puntos cunticos individuales en un
sistema desordenado para el cual las distintas formas geomtricas constituyen el
ingrediente de clculos. Por ello, la forma se presentara como un parmetro que
dene el desorden. De inmediato, pensamos primero estudiar las energas de polarn
para dos puntos cunticos: uno cilndrico y el otro cnico separado entre ellos de
una distancia d. La razn de este estudio estriba en que estas dos formas son ms
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
138 Captulo 6. Conclusiones y perspectivas
prximas y que pueden tratarse con un formalismo parecido, sobre todo respecto a
los niveles de energa.
Por ltimo, una de las prioridades inmediatas sera, una vez nalizado los cl-
culos de correcciones de energa para potenciales nitos en puntos cunticos cnicos,
de incorporar a los cdigos un interface grco para una mejor interpretacin de los
resultados.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Bibliografa
[1] F. Buonocore, D. Ninno and G. Iadonisi. Phys. Rev. B, 62:10914, 2000.
[2] Dmitry V. Melnikov and W. Beall Fowler. Phys. Rev. B, 64:245320, 2001.
139
140 BIBLIOGRAFA
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Apndice A
Modos gap y local en
los cristales mixtos
La presencia de una impureza sustitucional, adems de modicar las propieda-
des elctricas en el cristal, origina cambios en las constantes de red y en las constan-
tes de fuerza, afectando as a los modos de vibracin del cristal. Como consecuencia,
se induce una localizacin de modos de vibracin en el sitio del defecto, tenindose
as los modos "local" y "gap". En general, el modo local se caracteriza por una
frecuencia propia mayor que la frecuencia mxima del material antrin, mientras
que el modo gap est caracterizado por una frecuencia propia comprendida entre
las bandas ptica y acstica del material antrin. La amplitud de vibracin de los
modos localizados es importante en la proximidad del sitio del defecto y disminuye
con la distancia cuando uno se aleja del defecto. Adems de los modos localizados,
puede aparecer un modo resonante cuya frecuencia cae en las frecuencias permitidas
del cristal perfecto. Su amplitud de vibracin es importante, tanto en el sitio del
defecto como en los prximos vecinos.
Si la concentracin de impurezas aumenta, se puede llegar a tener un cristal
mixto en el que estn bien denidas dos subredes atmicas. Por tanto, la impureza
debido a su masa y a la densidad de carga, provoca un cambio tanto en el parmetro
de red como en las constantes de fuerza entre tomos vecinos del defecto. En los
cristales mixtos, el parmetro de red depende linealmente del contenido x, segn la
ley de Vegard. Adems,

AB

AB
0
=

AC

AC
0
=

BC

BC
0
= 1 x (A.1)
donde el ndice cero corresponde al material puro mientras la constante reeja el
cambio en el parmetro de red a/a,
x =

0
=
2

0
= 6
a
a
(A.2)
siendo la constante de Grneisen.
141
142 Apndice A. Modos gap y local en los cristales mixtos
A.1. Modos gap y local para los fonones
transversales (TO)
Para x = 0, partiendo de las ecuaciones (2.20)- (2.21d) se obtiene que

2
TO,AB
=

AB
0

AB

4
3
N
AB
e
2
AB

AB
_

,AB
+ 2
3
_
(A.3)

2
gap,AB
=

AC
0
+
BC
0
m
C
. (A.4)
De forma anloga, para x = 1, se halla que

2
TO,AC
=

AC
0
(1 )

AC

4
3
N
AC
e
2
AC

AC
_

,AC
+ 2
3
_
(A.5)

2
loc,AC
=

AB
0
+
BC
0
m
B
(1 ) (A.6)
donde
AB
,
AC
son las masas reducidas de los cristales AB y AC; e
AB
e
B
,
e
AC
e
C
;
loc,AC
dene el modo local de la impureza B en la matriz del mate-
rial AC, mientras
gap,AB
representa el modo gap de la impureza C en el material
AB.
A.2. Modos gap y local para los fonones
longitudinales (LO)
Utilizando el mismo procedimiento que en el caso de los TO, se obtiene para
x = 0,

2
LO,AB
=

AB
0

AB

8
3
N
AB
e
2
AB

AB
_

,AB
+ 2
3
,AB
_
(A.7)

2
gap,AB
=

AC
0
+
BC
0
m
C
(A.8)
De la misma manera, para x = 1, se obtiene

2
LO,AC
=

AC
0
(1 )

AC

8
3
N
AC
e
2
AC

AC
_

,AC
+ 2
3
,AC
_
(A.9)

2
loc,AC
=

AB
0
+
BC
0
m
B
(1 ) (A.10)
As pues, el modelo MREI merece unos cuantos comentarios
1. Las soluciones para los modos locales son idnticas para los LO y TO, de la
misma forma que lo son las soluciones correspondientes a los modos gap. Esto
signica que el cristal mixto (o aleacin ternaria) presenta un modo local y
un modo gap, (i.e. frecuencias por encima o por debajo, respectivamente de
la banda ptica de la red cristalina del material antrin ("host material"),
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
A.2 Modos gap y local para los fonones longitudinales (LO) 143
cuando un compuesto o el otro est altamente diluido en el cristal mixto. Para
x = 1, se puede usar las ecuaciones (A.5) - (A.6) o las ecuaciones (A.9)-(A.10)
para deducir la condicin de existencia del modo local. Escribiendo

2
l oc,AC


eff
m
B
>
2
max

eff

AC
(A.11)
y suponiendo que
eff
y

eff
son del mismo orden de magnitud (caso muy
frecuente en los cristales mixtos de tipo zinc-blenda), se llega a la conclusin
de que la existencia del modo local est dada por la condicin
m
B
<
AC
. (A.12)
Aplicando estos mismos argumentos para x = 0 y usando las ecuaciones (A.3)-
(A.4) o las ecuaciones (A.7)-(A.8), se obtiene la condicin para la existencia
del modo gap,
m
C
>
AB
. (A.13)
Por tanto, los sistemas mixtos que satisfacen la condicin (A.12) exhiben un
comportamiento de dos modos, mientras que lo contrario conduce a un slo
modo. En otras palabras, para que un cristal mixto exhiba el comportamiento
de dos modos (un modo), es preciso que este cristal tenga (no tenga) un
elemento sustitucional, cuya masa sea ms pequea que la masa reducida
del compuesto formado por los dos otros elementos. Por tanto, el mtodo
MREI permite, a partir de las propiedades de los end-materials, predecir si
un sistema mixto presenta dos modos o uno solo. Adems, MREI determina
la dependencia de las frecuencias pticas en funcin de la composicin x.
2. Aplicando el teorema de Saxon-Hutner sobre las energas de gap de los cristales
mixtos AB
1x
C
x
se tiene que las frecuencias prohibidas en los end-materials
AB y AC, sern prohibidas para cualquier mezcla de especies AB y AC. Esto
implica que el criterio de existencia de un modo (dos modos) es la no exis-
tencia (o existencia) de un gap comn entre la densidad de estados de los
fonones pticos de los end-materials. La existencia de un solo modo predice
un solapamiento de las bandas prohibidas de los end-materials.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
144 Apndice A. Modos gap y local en los cristales mixtos
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Apndice B
Auto-energa y masa
efectiva del polarn
En este apndice, vamos a obtener, mediante mtodos perturbativos y varia-
cionales, la auto-energa y la masa efectiva del polarn. Para ilustracin, deducimos
estos parmetros para el caso del material volmico.
B.1. Auto-energa y masa efectiva en la teora de
perturbacin
Partiendo del Hamiltoniano (2.29), supondremos que el tercer trmino es
pequeo en comparacin con los dos primeros. Con ello, (2.29) puede tratarse
como un Hamiltoniano perturbado.
Denotemos por k[0 > el estado fundamental de un electrn de momento k en
ausencia de fonn. El estado perturbado se concibe como un estado constituido de
un electrn de momento k-q en el que un fonn ha sido excitado, es decir k q[1 >,
donde q es el vector de onda del fonn. Bajo la perturbacin, la energa del sistema
electrn-fonn se halla a partir del desarrollo en serie
E = E
0
+0[k[H
1
[k[0) +

q
[1[k q[H
1
[k[0)[
2
E
k
E
kq
+
LO
+... (B.1)
De la ecuacin (B.1) y de la expresin de H
1
, es evidente deducir que la correccin
de energa en primera aproximacin es nula, por lo que la primera contribucin
no nula en la correccin de energa del polarn procede del segundo trmino del
desarrollo perturbativo.
Se considera que el movimiento del electrn es lento (aproximacin adiabtica),
tal que k < q
p
, con q
p
= min(m
e
/q + q/2) =
_
(2m
e
). En este caso, el momento
lineal se conserva. Entonces, sustituyendo la expresin (2.34) en (B.1) y cambiando
la suma en una integral en todo el espacio, se halla
E = E
0

_
1
1
dx
_

0
dy
y
2
2xyk/q
p
+ 1
(B.2)
145
146 Apndice B. Auto-energa y masa efectiva del polarn
con y = q/q
p
y x = cos , donde es el ngulo entre los vectores de onda k y q. La
evaluacin de las integrales en (B.2) nos proporciona
E = E
0


LO
q
p
k
arcsin(
k
q
p
). (B.3)
Si adems, k q
p
, el segundo trmino de (B.3) puede desarrollarse en serie de
k/q
p
y se tiene
E +

2
k
2
2m
e
(1

6
) (B.4)
que podemos escribir de otra forma
E +

2
k
2
2m

pol
. (B.5)
De (B.5) y (B.4) , se deduce que la masa efectiva del polarn viene dada por
m

pol
= m
e
(1 /6)
1
m
e
(1 +

6
) (B.6)
que demuestra que la interaccin electrn-fonn aumenta la masa efectiva del pola-
rn, con respecto a la masa efectiva del electrn libre.
B.2. Auto-energa y masa efectiva en el modelo
LLP
La expresin (2.46) se obtiene tras aplicar la derivada funcional al Hamilto-
niano transformado. En efecto, tras aplicar dos veces las transformaciones unitarias
explicadas en el captulo 2, el Hamiltoniano total del sistema puede separarse en
dos trminos como en la teora de perturbaciones, con
H
0
=
(K

q
a
+
q
a
q
q)
2
2m

e
+

q
[V
q
f
q
+c.c.] +

2
2m

e
[

q
[f(q)[
2
k]
2
+

q
a
+
q
a
q
+

q
[f(q)[
2
[
q.K
m

e
+

2
K
2
2m

e
] +

q
a

q
a
q
q.

2
2m

q
[f(q/)[
2
q/
+

q
_
a
+
q
V
+
q
+f(q)[
q.K
m

e
+

2
K
2
2m

e
+

2
K
m

q
[f(q/)[
2
q/] +c.c
_
(B.7)
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
B.2 Auto-energa y masa efectiva en el modelo LLP 147
y
H
1
=

2
2m

q,q
q.q/[a
q
a
q
f

q
f
q
+c.c. + 2a
+
q
a
q
f
q
f

q
]
+

2
m

q,q
q.q/[a
+
q
a
q
a
q
f

q
+a
+
q
a
+
q
a
q
f
q
] (B.8)
Calculando el valor esperado de la energa total, 0[H
0
+H
1
[0) se obtiene la relacin
(2.45). Como K es la constante del movimiento y dene la direccin preferente
del sistema, se espera que

q
f(q

)q/ se diferencie de K por una constante. Si


introducimos en (2.46) una constante tal que
K =

q
[f
q
[
2
q/ (B.9)
obtenemos a partir de la relacin de Euler (2.46) una expresin para f
q
, es decir
f
q
=
V
q
+
2
q
2
/2m
e
(1 )K.q/m
e
. (B.10)
Sustituyendo (B.10) en (2.45) se consigue que
E =
(1
2
) K
2
2m
e

q
[V
q
[
2
+ q
2
/2m
e
(1 )K.q/m
e
. (B.11)
Esta ecuacin es idntica a la ecuacin (B.1) para = 0. Pero en este caso, = 0 no
es una solucin auto-consistente de (B.11). De la sustitucin de (B.10) en (B.9),
se halla
K =

q
[V
q
[
2
q
( +
2
q
2
/2m
e
(1 )K.p/m
e
)
2
(B.12)
Efectuando las integrales como en el caso del tratamiento perturbativo, se obtiene
E =
(1
2
)
2
K
2
2m
e

q
p
K(1 )
arcsin
_
K(1 )
q
p
_
(B.13)
con
(1 )
2
=
q
3
p
2K
3
_
_
(1 )K
_
q
2
p
(1 )
2
K
2
arcsin
(1 )K
q
p
_
_
. (B.14)
Para K q
p
, podemos retener slo los trminos independientes de K; lo que
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
148 Apndice B. Auto-energa y masa efectiva del polarn
conduce a
=
/6
1 +/6
. (B.15)
Combinando las ecuaciones (B.13), (B.15), y el desarrollo en serie de arcsin obte-
nemos
E = +
K
2
2m

pol
. (B.16)
Aplicando el mismo razonamiento que en el caso perturbativo, deducimos que la
masa efectiva del polarn se da por
m

pol
= m
e
(1 +/6). (B.17)
Los resultados obtenidos para la masa efectiva del polarn demuestran que el m-
todo perturbativo como el LLP pueden ser intercambiados para los polarones en el
caso de acoplo no demasiado fuerte (por ejemplo < 6). Otros mtodos, como el
camino integral de Feynman, han demostrado que se puede obtener valores de masa
efectiva an ms grandes para el polarn. De hecho, en la mayora de la literatura,
la expresin de la masa efectiva del polarn se da como un desarrollo en serie en
trminos de [1]. El mtodo conduce a valores de energa fundamental inferiores
a los obtenidos por LLP, en una franja bastante grande de la constante de acoplo.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Bibliografa
[1] O. Madelung, M. Schuktz and H. Weiss. Semiconductors:Physics of Group IV
Elements and III-V Elements. Landolty-Bornstein, London, UK, 1982.
149
150 BIBLIOGRAFA
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Apndice C
El funcional de energa
en estructuras con
forma arbitraria
Los niveles de energa de una partcula en un sistema connado de volumen
V y de rea S, pueden calcularse, en principio, si se conoce el comportamiento de
las funciones de onda dentro y fuera de la regin de connamiento. En Mcanica
Cuntica, las funciones de onda del portador dentro y fuera de un volumen connado
V estn relacionadas por la expresin
_
1
(r)
(r)
n
_
in
=
_
1
(r)
(r)
n
_
out
= (r S). (C.1)
La funcin (r) da cuenta de todos los efectos creados por el entorno de la partcula.
Estos efectos pueden ser el cambio de las condiciones fsico-qumicas en la regin
fuera de connamiento, o incluso el potencial mismo de connamiento. Para una
partcula en connamiento perfecto (potencial innito), la ecuacin (C.1) puede
reescribirse como
_

n
+(r)
_
rS
= 0. (C.2)
Esto signica que se puede calcular los niveles de energa solucionando la ecuacin
de Schrdinger en el interior del volumen V, sometida a las condiciones de contorno
(C.2). Para un volumen arbitrario, la solucin de la ecuacin de Schrdinger no es
sencilla. Por ello, se puede utilizar un funcional de energa
=
1
_
V
dr(r)
2
__
V
_
((r))
2
+v(r)(r)
2

dr +
_
S
(r)(r)
2
dS
_
(C.3)
que satisface la ecuacin (C.2). Es fcil demostrar que la variacin del funcional
con respecto a es nula y que la funcin de onda satisface la ecuacin de Schrdinger

2
(r) +v(r)(r) = (r). (C.4)
Aqu, = 2m

E/
2
y v(r) = 2m

V (r)/
2
.
151
152 Apndice C. El funcional de energa en estructuras con forma arbitraria
C.1. Cono truncado en la aproximacin del
potencial innito
Despus de sustituir la funcin de onda descrita en (4.49) y (4.50) en la ecua-
cin de Schrdinger en coordenadas cilndricas, y reagrupando los trminos obtene-
mos que

n
_
A
nn

2
z
2
+ (B
nn
B
nn
)

z
+
_
E
0
A
nn

D
nn
R(z)
2
C
nn
_
R/(z)
R(z)
_
2
+ B
nn
d
dz
_
R/(z)
R(z)
_
J
0
(
n
)J
0
(
n
)(z)
_
1 +R/(z)
2
R(z)
__
f
n
(z) = 0 (C.5)
donde
A
nn
=
_
1
0
xdxJ
0
(
n
x)J
0
(
n
x) = A
nn
(C.6a)
B
nn
=
n
_
1
0
x
2
dxJ
1
(
n
x)J
0
(
n
x) A
nn
(C.6b)
C
nn
=
n

n
_
1
0
x
3
dxJ
1
(
n
x)J
1
(
n
x) A
nn
B
nn
B
nn
(C.6c)
D
nn
=
n

n
_
1
0
xdxJ
1
(
n
x)J
1
(
n
x) = D
nn
. (C.6d)
En el lmite de potencial innito [ ],
n
=
n
y E
0
=

2

2
n
2m

R
2
; donde
n
es el
cero de la funcin de Bessel J
0
(x). Despejando las integrales (C.6a), (C.6b), (C.6c)
y (C.6d), obtenemos la expresin (4.51).
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Apndice D
Algunos datos
importantes de
semiconductores III-V y
II-VI.
Tabla D.1. Parmetros utilizados en clculos de polarn: la constante de
Frhlich ha sido calculada asumiendo que la banda es parablica y las masas efectivas
se expresan en unidades de la masa del electrn.
m

/m
0
a

H
() R
H
(meV ) R

H
(meV)
GaAs 0.067 13.18 104.0 5.25 0.088 5.33
GaSb 0.049 15.69 169 2.71 0.031 2.72
InP 0.080 12.35 81.7 7.14 0.127 7.29
InAs 0.023 15.15 335.0 1.480 0.063 1.50
ZnS 0.3 8.32 14.7 59.0 0.725 66.6
ZnSe 0.16 9.2 30.4 25.7 0.462 27.8
CdTe 0.096 10.6 58.4 11.6 0.298 12.2
En la tabla, a

H
es el radio reducido de Bohr, R
H
es la constante de Rydberg
mientras R

H
es la constante de Rydberg renormalizada por la constante dielctrica
del material.
153
154 Apndice D. Algunos datos importantes de semiconductores III-V y II-VI.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Apndice E
Ortogonalidad de la
funcin T
l
(x)
La funcin T
l
(k
ln
) tal como est denida en la ec. satisface a la ecuacin

2
d
2
T
l
(k
ln
)
d
2
+
dT
l
(k
ln
)
d
+ (k
ln

2
m
2
)T
l
(k
ln
) = 0 (E.1)
y de la misma manera, T
l
(k
ln
) satisface la ecuacin

2
d
2
T
l
(k
ln
)
d
2
+
dT
l
(k
ln
)
d
+ (k
ln

2
m
2
)T
l
(k
ln
) = 0. (E.2)
Si multiplamos la ecuacin E.1 por T
l
(k
ln
)/ y la ecuacin E.2 por T
l
(k
ln
)/
obtenemos que
T
l
(k
ln
)
d
2
T
l
(k
ln
)
d
2
+T
l
(k
ln
)
dT
l
(k
ln
)
d
+
_
k
ln

m
2

_
T
l
(k
ln
)T
l
(k
ln
) = 0
(E.3)
T
l
(k
ln
)
d
2
T
l
(k
ln
)
d
2
+T
l
(k
ln
)
dT
l
(k
ln
)
d
+
_
k
ln

m
2

_
T
l
(k
ln
)T
l
(k
ln
) = 0.
(E.4)
Al restar E.3 de E.4, e integrando desde R
0
hasta R
2
, se halla que
_
R
2
R
0
(k
ln
k
ln
) T
l
(k
ln
)T
l
(k
ln
)d =
_

_
T
l
(k
ln
)
dT
l
(k
ln
)
d
T
l
(k
ln
)
dT
l
(k
ln
)
d
__
R
2
R
0
.
(E.5)
155
156 Apndice E. Ortogonalidad de la funcin T
l
(x)
Utilizando la relacin de recurrencia
T/
m
(x) =
m
x
T
m
(x) T
m+1
(x) (E.6)
la ecuacin E.5 se convierte en
(k
2
ln
k
2
ln
)
_
R
2
R
0
T
l
(k
ln
)T
l
(k
ln
)d = [ (k
ln
T
l
(k
ln
)T
l
(k
ln
)
k
ln
T
l
(k
ln
)T
l
(k
ln
))]
R
2
R
0
. (E.7)
Utilizando las condiciones de contorno en R
0
y R
2
, la ecuacin E.7 se anula, lo que
se resume en
_
R
2
R
0
T
l
(k
ln
)T
l
(k
ln
)d =
_
= 0 l ,= l/
,= 0 l = l/
(E.8)
y
_
R
2
R
0
T
l1
(k
ln
)T
(l1)
(k
(l1)n
)d =
_
= 0 l ,= l/
,= 0 l = l/.
(E.9)
Estas dos relaciones conrman la ortogonalidad de la funcin T
l
(k
ln
).
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Bibliografa
[1] G. Bastard. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures. Les
ditions de Physique, Ulis Cedex, France, 1988.
[2] C. Weisbuch add B. Winter. Quantum Semiconductor Structures: Fundamental
and Applicatipns. Academic Press, London, U.K., 1991.
[3] M.J. Kelly. Low-Dimensional Semiconductors: Materials, Physics, Technology
and Devices. Oxford Science Jublications, London, UK, 1995.
[4] U. Woggon. Optical Properties of Semiconductor Quantum Dots. Springer-
Verlag, Berlin, Germany, 1996.
[5] R. Ntzel, J. Temmyo, T. Tamamura, T. Fukui and H. Hasegawa. Europhysics
News, 87:148, 1996.
[6] T. Ogawa and Y. Kanemitsu. Optical Properties of Low-Dimensional Materials,
page 416. Interscience, New York, 9957.
[7] Y. Kushwaha. Surface Science Reports, 41:1, 2001.
[8] Y. Arakawa and H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40:149, 1982.
[9] R. Leon, D. Leonard, J.L. Merz, and P.M. Petro. Phys. Rev. B, 50:8086, 1995.
[10] R. Leon, P.J. Poole and S. Fafard. Science, 267:1966, 1995.
[11] M. Raymond and N. Tzoar. Phys. Rev. B, 5(2):233, 1995.
[12] C. Gourgon, Le Si Dang, H. Mariette, C. Vieu and F. Muller. Appl. Phys.
Lett., 66:1635, 1995.
[13] F. Daiminger, A. Schmidt, K. Pieger, F. Faller and A. Forchel. Semicond. Sci.
Technol., 9:896, 1994.
[14] M. Illing, G. Bacher, T. Kmmel, A. Forchel, T.G. Andersson, D. Hommel, B.
Jobst and G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 67:127, 1995.
[15] Y. Wang and N. Herron. Chem. Phys. Lett., 200:71, 1992.
[16] D. Leonard, K. Pond and P.M. Petro. Phys. Rev. B, 50:11687, 1994.
[17] B.K. Ridley, B.E. Foutz and L.F. Eastman . Phys. Rev. B, 61(24):16862, 2000.
157
158 BIBLIOGRAFA
[18] S. Madhavi, V. Venkataraman, J.C. Sturm and Y.H. Xie . Phys. Rev. B, 61
(24):16807, 2000.
[19] L. Esaki and R. Tsu. IBM J. Res. Develop, 14:61, 1970.
[20] J.T. Devreese. Encyclopedia of Applied Physics, 14:383, 1996.
[21] M. Bissiri, G. Baldassarri, A.S. Bhatti, M. Capizzi, A. Frova, P. Frigeri and S.
Franchi. Phys. Rev. B, 62:4642, 2000.
[22] M. Bissiri, G. Baldasyarri, M. Capizzi, V.M. Fomin, V.N. Gladilin and J.T.
Devreese. Phys. Status Solidi (b), 224:629, 2001.
[23] C. Trallero-Giner, F. Garca-Moliner, V.R. Velasco and M. Cardona. Phys.
Rev. B, 45:1194, 1994.
[24] J.T. Devreese. Polarons in Ionic Crystals and Polar Semiconductors. North
Holland Publishing Company, Amsterdam, 1972.
[25] W. Jones and N. H. March. Theoretical Solid State Physics. Wiley-Interscience,
New York, USA, 1973.
[26] M. Grundmann, O. Stier and D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52:11969, 1995.
[27] S. Ruvimov et al. Phys. Rev. B, 11:18766, 1995.
[28] K. Zhang, Ch. Heyn, W. Hansen, Th. Schmidt and J. Falta. Appl. Phys. Lett.,
79:2229, 2000.
[29] J.M. Feyrrera and C.R. Proetto. Phys. Rev. B, B 60:10679, 1999.
[30] M. Kumagai and T. Ohno. Solid State Comm., 83:837, 1992.
[31] A. Garca-Cristobal, A.W.E. Minnaert, V.M. Fomin, J.T. Devreese, A. Yu.
Silov, J.E.M. Haverkort and J.H. Wolter. Phys. Status Solidi (b), 215:331,
2001.
[32] M. Born and K. Huang. Dynamical Theory of Crystal Lattices. University
Press, Oxford, UK, 1958.
[33] Neil W. Ashcroft and N. David Mermin. Solid State Physics. Saunders College
Publishing, New York, USA, 1976.
[34] R. Enderlein. Phys. Rev. B, 43(18), 1991.
[35] S. Adachi. Properties of Aluminium Gallium Arsenide. INSPEC, The Institu-
tion of Electrical Engineers, London, UK, 1993.
[36] P. Bhattachraya. Properties of Lattice-Matched and Strained Indium Gallium
Arsenide. London, UK, 8093.
[37] S.C. Jain, M. Willander, K. Pinardi and H.E. Maes. Physica Scripta, T69:65,
1997.
[38] C. Trallero-Giner, R. Prez-Alvarez and F. Garca-Moliner. Long Wave Polar
Modes in Semiconductor Heterodtructures. Pergamon, Kidlington, UK, 1992.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
BIBLIOGRAFA 159
[39] M.H. Chen and N. Tzoar. Phys. Rev. B, 5(2):233, 1972.
[40] I. F. Chang and S.S. Mitra. Phys. Review, 182:924, 1968.
[41] O. Madelung, M. Schuktz and H. Weiss. Semiconductors:Physics of Group IV
Elements and III-V Elements. Landolty-Bornstein, London, UK, 1982.
[42] G. Zanelatto, Yu A. Pusep, N.T. Moshegov, A.I. Toropov, P. Basmaji and J.C.
Galzerani. J. Appl. Phys., 86:4387, 1999.
[43] A. Zunger and Williamson. Phys. Rev. B, 59:685, 2000.
[44] I.V. Ponomarev, A.L. Efros, M.A. Zudov, R.R. Du, J.A. Simmons and J.L.
Reno. Bull. Am. Phys. Soc., 45:361, 2000.
[45] Yu A. Pusep, G. Zanelatto, S.W. da Silva, J.G. Gamzerani, A.Y. Toropov and
P. Basmaji. Phys. Rev. B, 38:R1070, 1998.
[46] P.A. Knipp and T. Reinecke. Phys. Rev. B, 46:10310, 1992.
[47] A. Dinger, M. Goppert, R. Becker, M. Grun, S. Petillo and C. Klinshirm. Phys.
Rev. B, 64:2453101, 2000.
[48] F. Comas and C. Trallero-Giner. Physica B, 192:394, 1993.
[49] R. Enderlein. Phys. Status Solidi (b), 150:85, 1988.
[50] T.D. Krauss, F.W. Wise and D.B. Tanner. Phys. Rev. Lett., 76:1376, 1996.
[51] H. Rho, H.E. Jackson,S. Lee, M. Dobrowolska and J.K. Furdyna. Phys. Rev.
B, 61:15641, 2000.
[52] S.-F. Ren, D. Lu and G. Qin. Phys. Rev. B, 63:195315, 2001.
[53] M.H. Krauss and F. Wise . Phys. Rev. B, 63(2):233, 2001.
[54] X.-Q. Li and Y. Arakawa. Solid State Comm., 109:351, 1999.
[55] C. Trallero-Giner, A. Debernardi, M. Cardona, E. Menendez-Proupin and A.I.
Ekimov. Phys. Rev. B, 57(8):4634, 1998.
[56] C.-Y. Chen, W.-S. Li, X.-Y. Teng and S.-D. Liang. Physica B, 245:92, 1998.
[57] C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Phys. Rev. B, 59:1621, 1999.
[58] Handbook of Mathematical Functions, 9th edition. edited by M. Abramowitz
and I.A. Stegun, Dover Publications, New-York, USA, 1972.
[59] Huaxiang Fu, V. Ozolins, and A. Zunger. Phys. Rev. B, 59:2881, 1999.
[60] B. Sareni, L. Krahenbuhl, A. Beroual and C. Brosseau. J. Appl. Phys., 86(3):
1688, 1996.
[61] N.N. Lebedev. Special Functions and Their Applications. Translated and edited
by R.A. Silverman, Dover Publication, N.Y., USA, 1974.
[62] J.D. Jackson. Classical Electrodynamics. John Wiley and Sons, Inc., London,
UK, 1975.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
160 BIBLIOGRAFA
[63] V. Babich, D. Dementev, and B. Samokish. Wave Motion, 21:203, 1995.
[64] N. M. Temme. Special Functions: An Introduction to the Classical Functions
of Mathematical Physics . John Wiley & Sons, New York, USA, 1996.
[65] N. Esser, K. Hinrichs and W. Richter. http://pcos.org/ico-
rsxm/paper/richter.pdf.
[66] F. Comas, C. Trallero-Giner, N. Studart and G.E. Marques. Phys. Rev. B, 65:
073303, 2002.
[67] P. Kinsler, R.W. Kelsall and P. Harrison. Physica B, 263-264:507, 1999.
[68] P. Miska, C. Paranthoen, J. Even, N. Betru, A. Le Corre and O. Dehaese.
J.Phys.: Condens. Matter, 14:12301, 2002.
[69] M. Grassi Alessi, M. Capizzi, A.S. Bhatti, A. Frova, F. Materlli, P. Frigeri, A.
Broacchi ans S. Franchi. Phys. Rev. B, 59:7620, 1999.
[70] C.R. Bennett, N.C. Constantinou, M. Babiker and B.K. Ridley. J.Phys.: Con-
dens. Matter, 7:9819, 1995.
[71] T.K. Mitra, A. Chatterjee and S. Mukhopadhyay. Physics Reports, 153(2):91,
1987.
[72] T. Ando, A.B. Fowler and F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54(2):437, 1982.
[73] J.-Y. Marzin and G. Bastard. Solid State Comm., 92:437, 1994.
[74] K. Oshiro, K. Akai and M. Matsuura . Phys. Rev. B, 58:7986, 1998.
[75] Victor I. Klimov. Linear and Nonlinear Optical Spectroscopy of Semiconductor
Nanocrystals. In Nanostructured Materials and Nanotechnology, page 566. Hari
S. Nalwa Edition, Academic Press, San Diego, USA, 2002.
[76] W. H. Press, B. P. Flannery, S. A. Teukolsky and W.T. Vetterling. Numerical
Recipes: Fortran Version. Press Syndicate of the University of Cambridge, New
York, USA, 1992.
[77] X. Leyronas and M. Combescot. Solid State Comm., 119:631, 2001.
[78] M.A. Reed, J.W. Sleight and M.R. Deshpande. Electronic Transport Properties
of Quantum Dots. In Nanostructured Materials and Nanotechnology, page 445.
Hari S. Nalwa Edition,Academic Press, San Diego, USA, 2002.
[79] A. Galindo y P. Pascual. Mecanica Cuntica II. EUDEMA UNIVERSIDAD,
Madrid, Espaa, 1989.
[80] S. Le Go and B. Stebe. Phys. Rev. B, 47:1383, 1993.
[81] Ph. Lelong and G. Bastard. Solid State Comm., 98:819, 1996.
[82] F.M. Peeters and V.A. Schweigert . Phys. Rev. B, 53:1468, 1996.
[83] M. Korkusinski and P. Hawrylak. Phys. Rev. B, 63:1953111, 2001.
[84] Z. Hens, D. Vanmaekelbergh, E.A.A.J. Stoels and H. van Kempen. Phys. Rev.
Lett., 88:236803, 2002.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
BIBLIOGRAFA 161
[85] R. C. T. da Costa. Phys. Rev. A., 23:1982, 1981.
[86] F. Buonocore, D. Ninno and G. Iadonisi. Phys. Status Solidi (b), 225:343, 2001.
[87] M. Neher. Validated bounds for the zeros of airy functions. ZAMM, 79:S813
S814, 1999.
[88]
[89] Dmitry V. Melnikov and W. Beall Fowler. Phys. Rev. B, 64:245320, 2001.
[90] R.M. de la Cruz, S.W. Teisworth and M.A. Stroscio. Phys. Rev. B, 52:1489,
1995.
[91] Shao-fu Wang, Harbans L. Arora and Mitsuru Matsuura. Phys. Rev. B, 4:3685,
1971.
[92] A.L. Vartanian, A.L. Asatryan and A.A. Kirakosyan. J.Phys.: Condens. Mat-
ter, 14:13357, 2002.
[93] M.C. Klein, F. Hache, D. Ricard and C. Flytzanis. Phys. Rev. B, 42:11123,
1990.
[94] W.-S. Li and C.-Y. Chen. Physica B, 229:375, 1997.
[95] B.S Kandemir and A. etin. Phys. Rev. B, 65:054303, 2002.
[96] R. Charrour, M. Bouhassoune, M. Fliyou, D. Bria and A. Nougaoui . J. Appl.
Phys., 88:3514, 2000.
[97] A. El Moussaaouy, D. Bria, A. Nougaoui, R. Charrour and M. Bouhassoune .
J. Appl. Phys., 93:2906, 2003.
[98] F. Buonocore, D. Ninno and G. Iadonisi. Phys. Rev. B, 62:10914, 2000.
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
162 BIBLIOGRAFA
Clment Kanyinda-Malu Polarones en Heteroestructuras Semiconductoras
Publicaciones y Ponencias en
Congresos
PUBLICACIONES
1. R.M. de la Cruz and C. Kanyinda-Malu, Spin splitting eects on the eec-
tive mass of GaAs/Al
x
Ga
1x
As, MicroElectr. Engineering 180, 1708 (1998),
Paises Bajos.
2. C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz, Interface and longitudinal optical
phonons modes in cylindrical dots. Phys. Rev. B 59, 1621 (1999), EE.UU.
3. C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Interface phonons in truncated
conical self-assembled quantum dots. Surface Science 529, 503 (2003), Holan-
da.
4. S.N. Santalla, C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Coherent growth of
InAs/GaAs selfassembled quantum dots. Physica E 17, 480 (2003), Holanda.
5. S.N. Santalla, C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. StranskiKrastanov
growth mode in Ge/Si (0 0 1) selfassembled quantum dots. J. Crystal Growth
253, 190 (2003), Holanda.
6. S.N. Santalla, C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Substrate orienta-
tion eects on the StranskiKrastanov growth mode. Nanotechnology (acepta-
do).
CONGRESOS
15
th
International Conference on Low Dimensional Structures and Devices
(LDSD), Lisboa (Portugal) 19-21/5/1997 R.M. de la Cruz and C. Kanyinda-
Malu. Spin splitting on the electronic eective mass in GaAs/Ga
1x
Al
x
As
quantum wells. Presentacin de poster.
16
th
General Conference of the Condensed Matter Division (EPS), Lovaina
(Belgica)25-28/8/1997. C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz Non pa-
rabolicity eects on the electronic eective mass of the GaAs/Ga
1x
Al
x
As
quantum dots. Presentacin de poster.
163
164 Publicaciones y Ponencias en Congreso
16
th
General Conference of the Condensed Matter Division (EPS), Lovaina
(Belgica)25-28/8/1997. C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Reso-
nant optical absorption in GaAs/Ga
1x
Al
x
As quantum dots. Presentacin de
poster.
Computational Physics in Nanotechnology. Castevecchio Pascoli (Italia) 19-
24/09/1998. C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Eect of electron-
phonon interaction to the ground state in the free-standing cylindrical quantum
dots. Presentacin de poster.
P5 European COST Action on Mesoscopic Electronics, Copenhague (Dina-
marca). 1-3/07/1999 R.M. de la Cruz, C. Kanyinda-Malu, C. Ballesteros
and M. Varela. Polarons and collective excitations in quantum dots: structural
and optical characterization. Comunicacin oral y poster.
P5 European COST Action on Mesoscopic Electronics. Copenhague (Dina-
marca). 1-3/07/1999 C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Electron-
phonon interaction in cylindrical and spherical III-V semiconductor quantum
dots. Comunicacin oral y poster.
15
th
Latin American Symposium on Solid State Physics SAFLESXV, Car-
tagena de Indias (Colombia) 1-5/10/1999. C. Kanyinda-Malu and R.M. de
la Cruz. Collective excitations in IIIIV semiconductor quantum wires. Pre-
sentacin oral.
New Trends in Nanotechnology TNT2000, Toledo (Espaa). 16-20/10/2000
C. Kanyinda-Malu, R.M. de la Cruz, V. Bellani, M. Geddo, S. Franchi, P.
Frigeri, L. Gonzlez and J.M. Garca. A Study of Strain Eects on InAs/GaAs
Self-Assembled Quantum Dots. Presentacin de poster.
International Workshop on Modelling of the Growth and Interface Proper-
ties of Thin Films and Multilayers through Molecular Dynamics, Barcelona
(Espaa) 9-10/11/2000. C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Interfa-
ce Phonon Modes and Optical Absorption in Truncated Cone Self-Assembled
Quantum Dots. Communicacin oral.
Reunin Nacional del Grupo Especializado de Fsica del Estado Slido (GE-
FES) de la Real Sociedad Espaola de Fsica, Madrid (Espaa) 7-9/02/2001
C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Geometry and dimensions eects
on the interface phonon modes in self-assembled quantum dots. Presentacin
de poster.
New Trends in Nanotechnology TNT2001, Segovia (Espaa). 3-7/10/2001 S.N.
Santalla, C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Generalized Relaxation
Model of Coherent Island Formation in StranskiKrastanov Growth Model.
Presentacin de poster.
COST joint Work Group meeting on "Individual and Assembled Nanoparticles
and Quantum Dots"(IANQ), Leuven (Belgica) 25-27/4/2002 S.N. Santalla,
C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz.Transition Thickness in Coherent
Islanding of semiconductor heteroepitaxy. Comunicacin oral.
165
1
a
Reunin Nacional de Nanociencia, Madrid (Espaa). 25-26/4/2002 C.
Kanyinda-Malu, S.N. Santalla and R.M. de la Cruz. Puntos Cunticos
Autoorganizados III-V. Comunicacin oral.
International Conference on Superlattices, Nano-structures and Nano-Devices
(ICSNN), Toulouse (Francia) 22-26/7/2002. S.N. Santalla, C. Kanyinda-
Malu and R.M. de la Cruz. Coherent growth of InAs/GaAs selfasembled
quantum dots. Comunicacin oral.
Trends in Nanotechnology TNT2002, Santiago de Compostela (Espaa) 9-
13/9/2002. S.N. Santalla, C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Rigid
and NonRigid Substrate Approximations in the StranskiKrastanov Coherent
Growth Mode. Presentacin de poster.
Trends in Nanotechnology TNT2003, Salamanca (Espaa) 15-19/9/2003. S.N.
Santalla, C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. Substrate Orientation
Eects on the StranskiKrastanov Growth Mode. Presentacin de Poster.
Trends in Nanotechnology TNT2003, Salamanca (Espaa) 15-19/9/2003. S.N.
Santalla, J. RodriguezLaguna, C. Kanyinda-Malu and R.M. de la Cruz. A
Study of StranskiKrastanov Growth Mode Using A FrenkelKontorova Mo-
died Model. Poster.
3
a
Reunin Nacional de Nanociencia, Oviedo (Espaa) 26-28/11/2003. C.
Kanyinda-Malu, S.N. Santalla and R.M. de la Cruz. Estudio Terico de los
Mecanismos de Crecimiento y Propiedades Electrnicas de Puntos Cunticos
de Semiconductores. Presentacin de Poster y Communicacin Oral.