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Diodos semiconductores de potencia

Contenido
Introduccin Fundamentos de semiconductores
Semiconductores Tipo N Semiconductores Tipo P

Caractersticas del diodo Caractersticas de recuperacin inversa Tipos de diodos de potencia Diodos conectados en serie Diodos conectados en paralelo Diodos con cargas RC y RL Diodos con cargas LC y RL

Introduccin
Los diodos de potencia tienen una funcin importante en los circuitos de potencia para realizar la conversin de energa elctrica. Un diodo funciona como un interruptor. Las caractersticas de los diodos prcticos difieren de las ideales y tienen algunas limitaciones. Son dispositivos unidireccionales. Permiten la circulacin de corriente en un solo sentido. El nico procedimiento de control es invertir la tensin entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se parecen a los diodos de seal de unin PN. Tienen mayores capacidades de manejo de potencia, voltaje y corriente. La respuesta en frecuencia es baja (velocidad de conmutacin)

Fundamentos de semiconductores
Se fundamentan en el Silicio monocristalino de alta pureza. Su resistividad es baja para ser aislador y alta para ser conductor. Semiconductor extrnseco. intrnseco y

Para regular su resistividad y sus portadores de carga se deben implantar impurezas. (Dopado agregar 1 tomo de impureza por cada 1 milln de tomos de silicio).

Semiconductores Tipo N y Tipo P


Cristal de Si dopado con tomos pentavalentes (P, As, Sb). Electrones sueltos aumentan la conductividad de material. Cuando el Si se dopa en forma leve con P, el proceso toma el nombre de dopado n y el material resultante es un semiconductor tipo N. Dopado intenso semiconductor tipo N+

Cristal de Si dopado con tomos trivalentes (B, Ga, In). Espacios vacantes denominados huecos. Los huecos aumentan mucho la conductividad del material. Cuando el Si se dopa en forma leve con B, el proceso toma el nombre de dopado p y el material resultante es un semiconductor tipo P. Dopado intenso semiconductor tipo P+

Semiconductores Tipo N y Tipo P


Existen electrones libres disponibles en un material tipo N y huecos disponibles en un materia tipo P. En un material tipo P portadores minoritarios. En un material tipo N portadores minoritarios. huecos portadores mayoritarios y electrones

electrones portadores mayoritarios y huecos

Un campo elctrico aplicado puede causar el paso de corriente.

Caractersticas del Diodo


Es un dispositivo de unin PN con dos terminales. Cuando el potencial del nodo es positivo con respecto al ctodo, se encuentra en conduccin y presenta una cada de tensin pequea que depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la unin. Cuando el potencial de ctodo es positivo con respecto del nodo, se encuentra en polarizacin inversa. En polarizacin inversa pasa una corriente pequea llamada Corriente inversa de saturacin Is (mA uA), que aumenta de magnitud hasta llegar a la tensin de ruptura (voltaje de avalancha o Zener) VD nVT 1 ID = IS e

ID Corriente a travs del diodo VD Tensin del diodo IS Corriente inversa de saturacin n Factor de idealidad (Si=2)

Caractersticas del Diodo


kT VT = q
VD nVT 1 ID = IS e

VT q T k

Constante denominada Voltaje trmico Carga del electrn 1.6022 X 10-19 C Temperatura absoluta (K=273+C) Constante de Boltzmann 1.3806 X 10-23 J/K

A una temperatura especificada, la corriente de fuga es constante. La curva del diodo se divide en tres regiones: Regin de polarizacin directa VD > 0 Regin de polarizacin inversaVD < 0 Regin de ruptura VD < -VBR

Caractersticas del Diodo


Regin de polarizacin directa. La corriente ID en el diodo es pequea, si la tensin VD es menor a un valor especfico VTD (voltaje de umbral, voltaje de activacin, voltaje de encendido). El diodo conduce en forma completa si VD es mayor queVTD. Si VD > 0.1 V, ID >> Is y la ecuacin del diodo se puede aproximar por: IseVD/nVT

Caractersticas del Diodo


Regin de polarizacin inversa. Si VD es negativo y |VD|>>VT, el trmino exponencial se vuelve muy pequeo y la ecuacin del diodo se puede aproximar por IS. Regin de ruptura. La tensin en sentido inverso es muy alta que puede ser mayor a la tensin de ruptura VBR

Caractersticas de recuperacin inversa


Cuando en diodo en modo de conduccin directa su corriente se reduce a 0, el diodo continua conduciendo (portadores minoritarios quedan almacenados en la unin pn y en la masa del semiconductor). Los portadores minoritarios requieren un tiempo para recombinarse denominado tiempo de recuperacin inversa.

Caractersticas de recuperacin inversa

ta se debe al almacenamiento de cargas en la unin. tb se debe al almacenamiento de cargas en la masa del material semiconductor. La razn tb/ta se llama factor de suavidad (SF softness factor). = +

Caractersticas de recuperacin inversa

Para fines prcticos se debe poner atencin en el tiempo total de recuperacin y en el valor pico de la corriente en sentido inverso IRR = + =

Caractersticas de recuperacin inversa


Tiempo de recuperacin inversa: "intervalo de tiempo que transcurre entre el instante en que la corriente pasa por cero durante el cambio de conduccin directa a la condicin de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente en sentido inverso ha bajado hasta el 25% de su valor pico" trr depende de: - Temperatura - Velocidad de la cada de corriente en sentido directo - Corriente en sentido directo antes de la conmutacin IF

Caractersticas de recuperacin inversa


Carga de recuperacin inversa: "es la cantidad de portadores de carga que atraviesan el diodo en el sentido inverso, debido al cambio de conduccin directa a una condicin de bloqueo inverso" Es el rea encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperacin inversa.

IRR

Caractersticas de recuperacin inversa


Si tb es despreciable en relacin a ta se obtiene: La corriente de recuperacin inversa, la carga en sentido inverso y el SF, son parmetros que se incluyen en las hojas tcnicas. Tiempo de recuperacin directa. Limita la velocidad de aumento de la corriente en sentido directo y la velocidad de conmutacin.

Tipos de diodos de potencia


En caso ideal un diodo no debera tener trr.. Dependiendo de las caractersticas de recuperacin y de las tcnicas de manufactura se clasifican: Diodos normales de propsito general: tiempo de recuperacin grande 25 us, para aplicaciones de baja velocidad. Corrientes desde 1 A hasta miles de amperios y voltaje desde 50V hasta 5 kV Diodos de recuperacin rpida: tiempo de recuperacin corto 5 us, usados en convertidores cd a cd y cd a ca. Tensiones desde 50 V a 3 kV y corrientes de menos de 1 A hasta cientos de amperios. Diodos Schottky: (Consultar)

Diodos conectados en serie


Se los utiliza en aplicaciones que requieran aumentar el bloqueo inverso, colocando 2 o mas diodos en serie.

Diodos conectados en serie


Solucin: Forzar una particin de voltajes iguales

= + = + = =

+ = +

Ejercicio: Se conectan dos diodos en serie, como se observa en la figura para compartir un voltaje total de cd en sentido inverso de VD=5kV. Las corrientes de fuga inversas de los diodos son Is1=30 mA e Is2=35 mA. A) Determinar los voltajes de diodo, si las resistencias de voltaje compartido son iguales R1=R2=100 k. B) Determinar las resistencias de voltaje compartido R1 y R2 para que los voltajes en los diodos sean iguales VD1=VD2=VD/2

Diodos conectados en paralelo


Se los utiliza para aumentar la capacidad de conduccin de corriente en aplicaciones de alta potencia. La reparticin de corriente entre los diodos debe estar de acuerdo con sus respectivas cadas de voltaje directo. Al estar en paralelo los voltajes de bloqueo inverso sern iguales.

Deber
Ejercicios 2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5 y 2.6