Esta formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturn o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturn se une al terminal G (Gate, compuerta). Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente ID que depende de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturn y el canal queda en inverso y no hay corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente ID disminuye, haciendo mayor o menor la magnitud de VGS haremos que ID disminuya o aumente, as se obtiene un control de ID, siendo la variable de control del voltaje VGS. En el FET la relacin entre ID y VGS est dada por la ecuacin de Schotkley: ID = IDSS (1 - (VGS/VP)) IDSS y VP son constantes caractersticas de cada tipo o referencia de transistor, se obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante. Los circuitos de polarizacin de FET y MOSFET se encuentran en la Tabla No. 3 donde el punto de trabajo se da por el corte de la parbola de la ecuacin de Schotkley y la recta de carga del circuito. Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su caracterstica ms importante es su alta impedancia de entrada por efecto de IG = 0. En la Tabla No. 4 se especifican las frmulas de Zi, Zo y Av para cada uno de los circuitos amplificadores.
TABLA No. 3 Configuraciones polarizacin de FET TIPO CONFIGURACIN ECUACIONES PERTINENTES SOLUCIN GRFICA
JFET (VGSQ = 0 V)
JFET (RD = 0 )
MOSFET De tipo decremental (todas las configuraciones arriba de los casos positivos donde = + voltaje) polarizacin Fija
TABLA No. 4: Zp Zo Av para las diferentes configuraciones FET CONFIGURACIN Zp Zo Alta (10 M) Media (2 K) = RG =RD || rd RD (rd 10RD) Av = Vo/Vi Media (-10) = -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)
(rd 10(RD+Rs)) Media (-10) Alta (10 M) Media (2 K) = -gm (rd || RD) = R1 || R2 =RD || rd -gm RD RD (rd 10RD) (rd 10RD)
Baja (1 k)
Media (2 K) = RD || rd
Media (+10)
RD
Media (1 k)
Media (2 K)
Media (-10) = - gm (RF || rd || RD) - gmRD (RF rd 10RD) Media (-10) = -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)
= (RF + rd || RD)/(1+gm(rd || = RF || rd || RD)) RD RD RF/(1+gmRD) (RF rd 10RD) Media (1 M) Media (2 K) = R1 || R2 =RD || rd RD (rd 10RD)