Transistor 1

1
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS II
Dispositivos Electrnicos II
CURSO 2010-11
Temas Temas 4,5 4,5
AMPLIFICACIN: AMPLIFICACIN: ESTRUCTURAS ESTRUCTURAS BSICAS BSICAS

Miguel ngel Domnguez Gmez Camilo Quintns Graa
DEPARTAMENTO DE TECNOLOGA ELECTRNICA
UNIVERSIDAD DE VIGO
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIN
DEDE-II
INDICE INDICE
AMPLIFICACIN: AMPLIFICACIN: ESTRUCTURAS ESTRUCTURAS BSICAS BSICAS

1. AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES
1.1. 1.2. 1.3. 1.4. 1.5. 1.6. 1.7. El Transistor Bipolar como Amplificador. Circuitos Equivalentes de Pequea Seal Anlisis de Amplificadores. El Amplificador en Emisor Comn. El Amplificador en Colector Comn (Seguidor de Emisor) El Amplificador en Base Comn. El Amplificador en Emisor Comn con Resistencia de Emisor.
Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas
2. AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES UNIPOLARES

2.1. 2.2. 2.3. 2.4. El Transistor de Efecto de Campo como Amplificador. Circuitos Equivalentes de Pequea Seal El Amplificador en Fuente Comn El Amplificador en Drenador Comn (Seguidor de Fuente)
3. AMPLIFICADORES DE VARIAS ETAPAS

3.1. Optimizacin de la combinacin de Configuraciones.
DEDE-II
AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON BJTS BJTS CON
1. 1. AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON CON TRANSISTORES TRANSISTORES BIPOLARES BIPOLARES

1.1 1.1EL ELTRANSISTOR TRANSISTORBIPOLAR BIPOLARCOMO COMOAMPLIFICADOR AMPLIFICADOR
Veremos Veremosque queentre entreC Cy y Masa aparece una Masa aparece una versin amplificada versin amplificada de de la Tensin de Entrada la Tensin de Entrada AMPLIFICADOR AMPLIFICADOR
Entrada: VBB + vin (t ) = RB i B (t ) + v BE (t )

La lnea de carga pasa a ser la lnea discontinua para un valor ms pequeo de vin)
Pendiente
Salida: VCC = RC iC (t ) + vCE (t )
Lnea de carga
Lnea de carga
DEDE-II
EJEMPLO:
VCC=10V VBB=1.6V RC=2K RB=40K
vin (t ) = 0.4 sen(2 1KHz t )

Calcular los Valores Mximo y Mnimo y el valor del Punto Q para vCE
Calcular los valores mximo y mnimo y el valor del punto Q para vCE
Punto Q
0,4
0,4
0,5
1,0
1,2
1,5 1,6
2,0
DEDE-II
iC=3,5mA iCQ=2,5mA iC=1,5mA

Punto Q
Si hallamos ms puntos a medida que vin vara con el tiempo: Entrada: 0,8V pico a pico Salida: 4 V pico a pico GANANCIA GANANCIAEN EN TENSIN: 5 (el TENSIN:--5 (el
amplif. amplif.invierte inviertela la seal sealde deentrada) entrada)
0,5
1,0
1,5
2,0
0,5
1,0
1,5
2,0
DEDE-II
Salida para: vin (t) = 1,2 sen(2000t), (gran distorsin)
0,5
1,0
1,5
2,0
La LaAmplificacin Amplificacin razonablemente razonablementeLineal Lineal ocurre en la REGIN ocurre en la REGIN ACTIVA. ACTIVA ACTIVA. Existe ExisteRecorte Recortecuando cuando el Punto Instantneo el Punto Instantneode de funcionamiento entra en funcionamiento entra en Saturacin Saturacino oen enCorte. Corte.
DEDE-II
1.2 1.2CIRCUITOS CIRCUITOSEQUIVALENTES EQUIVALENTESDE DEPEQUEA PEQUEASEAL SEALDEL DELTRANSISTOR TRANSISTORBIPOLAR BIPOLAR 1.2.1.- Relaciones tensin corriente en pequea seal
(1) Corriente de base en funcin de vBE
Como: Estamos interesados en las pequeas seales para las cuales el valor de vbe(t) es mucho ms pequeo que VT en cualquier instante. Por tanto, vbe(t) est relegado a un valor de unos pocos milivoltios. Para
Si se llama
rbe
rbe
DEDE-II
Para variaciones de pequea seal alrededor del punto Q, la unin base emisor del transistor se comporta como una resistencia que viene dada por la relacin
rbe
Como
rbe
(2)
1.2.2.- Circuitos equivalentes de pequea seal para el transistor bipolar (PNP y NPN)
a)
rbe
rbe
rbe
DEDE-II
b) rbe
Si se define la Transconductancia del BJT:
rbe rbe
rbe
El Circuito Equivalente en Pequea Seal de un Transistor Bipolar consiste en una Resistencia rbe y una Fuente de Corriente ( ib o gmvbe) Dadas la Corriente de Colector del punto Q, ICQ, y , podemos calcular los Parmetros de Pequea Seal:
rbe
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DEDE-II
1.2.3. Parmetros Hibridos
TRANSISTOR: dispositivo de 3 terminales
I1 V1 + -
I2 + V2
Para estudiar su comportamiento en un circuito, se analiza como un CUADRIPOLO: Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas
ENTRADA (2 terminales)
SALIDA (2 terminales)
Uno de los 3 terminales deber ser comn a la ENTRADA y a la SALIDA
3 CONFIGURACIONES:
(El terminal comn a la E y a la S da el nombre al montaje)
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DEDE-II
Anlisis de Circuitos (1er curso) TEORA DE CUADRIPOLOS

Parmetros Hibridos:
I2
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DEDE-II
3 Grupos de Parmetros Hibridos, uno por cada Configuracion (EC, BC, CC):
Notacin: para distinguirlos se agrega el subindice correspondiente al terminal comn (e,b,c).
veb
vbc
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DEDE-II
3 Grupos de Parmetros Hibridos, uno por cada Configuracion (EC, BC, CC):
Notacin: para distinguirlos se agrega el subindice correspondiente al terminal comn (e,b,c).
+ HABITUAL
Adems, generalmente: h 0 re h re0 h 0 oe h 0

oe
veb b
vbc
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DEDE-II
Modelo simplificado:
hie
hfeib
rbe
hierbe (=rbb+rbe) hfe=
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DEDE-II
1.3 1.3ANLISIS ANLISISDE DEAMPLIFICADORES AMPLIFICADORES
Bajo la Condicin de Funcionamiento en Pequea Seal, el Transistor se comportar como un Dispositivo Lineal. Las Componentes de Seal de cada una de las Tensiones y Corrientes del Circuito Amplificador se superponen a los Valores Continuos de
Polarizacin del Transistor en ausencia de seal.
ANLISIS ANLISIS Y Y DISEO DISEO DE DE AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES BASADOS BASADOS TRANSISTORES: TRANSISTORES: PUEDE PUEDE SIMPLIFICARSE SIMPLIFICARSE ENORMEMENTE ENORMEMENTE
SEPARAMOS SEPARAMOSEL ELCLCULO CLCULODE DELAS LASCOMPONENTES COMPONENTESCONTINUAS CONTINUASDE DE POLARIZACIN POLARIZACIN DE DE LOS LOS CLCULOS CLCULOS DE DE PEQUEA PEQUEA SEAL SEAL (Variaciones (Variaciones superpuestas superpuestas a a cada cada una una de de las las Tensiones Tensiones y y Corrientes Corrientes Continuas Continuas del del circuito circuito cuando cuando se se aplica aplica una una Seal Seal de de Entrada Entradade dePequea PequeaAmplitud). Amplitud).
EN EN SI SI
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DEDE-II
...
, ...
...
Para calcular las Componentes de Seal: NECESARIO OBTENER CIRCUITO EQUIVALENTE DEL AMPLIFICADOR EN PEQUEA SEAL: Sustituir Fuentes de Tensin Continua por cortocircuitos. Sustituir Fuentes de Corriente Continua por circuitos abiertos. Sustituir Transistor por Circuito Equivalente.
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DEDE-II
Los Los MODELOS MODELOS EQUIVALENTES EQUIVALENTES DE DE PEQUEA PEQUEA SEAL SEAL HACEN HACEN QUE QUE EL EL ANLISIS ANLISISDE DEUN UNAMPLIFICADOR AMPLIFICADORBasado Basadoen enTransistores Transistoresse seconvierta convierta en enun unPROCESO PROCESOSISTEMTICO: SISTEMTICO: 1. 2.
Determinar Punto de Trabajo Q en ausencia de seal. A partir de las Especificaciones del Transistor (Fabricante: hojas de caractersticas) y de Q Calcular el valor de los Parmetros del Modelo Equivalente de Pequea Seal del Transistor.
3.
Eliminar las Fuentes de Polarizacin: Sustituir Fuentes de Tensin Continua por cortocircuitos. Sustituir Fuentes de Corriente Continua por circuitos abiertos.
4.
Reemplazar el Transistor por uno de sus Modelos Equivalentes de Pequea Seal.
5.
Analizar el Circuito Equivalente de Pequea Seal resultante para determinar los parmetros del Amplificador (Ej: Ganancia en Tensin, Resistencia de Entrada, etc.)
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DEDE-II
1.4 1.4EL ELAMPLIFICADOR AMPLIFICADOREN ENEMISOR EMISORCOMN. COMN. Io

Nota: Circuito Bsico (polarizacin simplificada para caracterizar el comportamiento del transistor).
Ii
Vi
Vo
VBB
Anlisis AC: Circuito Equivalente de Pequea Seal
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DEDE-II
Expresin vlida transistor y montaje En el caso de E.C.:
18
DEDE-II
Expresin vlida transistor y montaje En el caso de E.C.:
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DEDE-II
1.5 1.5EL ELAMPLIFICADOR AMPLIFICADOREN ENCOLECTOR COLECTORCOMN COMN(SEGUIDOR (SEGUIDORDE DEEMISOR) EMISOR)
Nota: Circuito de polarizacin simplificado para caracterizar nicamente el comportamiento del transistor
Ii Io Vi Vo
VBB
Circuito Equivalente de pequea seal:
20
DEDE-II
Como
Ro << Ri
20
DEDE-II
Como
Ro << Ri
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DEDE-II
1.6. 1.6.EL ELAMPLIFICADOR AMPLIFICADOREN ENBASE BASECOMN COMN

Ejercicio
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DEDE-II
1.7. 1.7.EL ELAMPLIFICADOR AMPLIFICADOREN ENEMISOR EMISORCOMN COMNCON CONRESISTENCIA RESISTENCIADE DEEMISOR. EMISOR.
Nota: Circuito de polarizacin simplificado para caracterizar nicamente el comportamiento del transistor
Io Ii Vo
En =f(hfe hfe). ). Av Enla laconfiguracin configuracinen enE.C., E.C.,Av=f( Av=f(hfe). SI A V PASA SISE SEINTRODUCE INTRODUCEUNA UNARe ReEN ENEL ELEMISOR, EMISOR,A A V PASA A SER INDEPENDIENTE DE h . fe . SER INDEPENDIENTE DE h fe AS ASSE SECONSIGUE CONSIGUEESTABILIZAR ESTABILIZARLA LAGANANCIA GANANCIAEN EN TENSIN TENSINDEL DELAMPLIFICADOR AMPLIFICADOR
Vi
La ganancia en tensin es menor que en E.C. pero ms estable.
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DEDE-II
CARACTERSTICAS AMPLIFICADORAS DE LAS DISTINTAS CONFIGURACIONES
ALTA
ALTA
ALTA
BAJA
1
MEDIA AUMENTA ALTA BAJA
ALTA
ESTABILIZADA
BAJA
ALTA
1
MUY ALTA MUY ALTA BAJA MUY ALTA
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DEDE-II
ALTA
ALTA
ALTA A
BAJA
1
MEDIA AUMENTA ALTA A BAJA
ALTA
ESTABILIZADA
BAJA B
ALTA
1
MUY ALTA MUY ALTA BAJA B MUY ALTA
Configuracin Configuracinen enE.C. E.C. Amplificador inversor Permite obtener simultneamente Ganancias de Tensin y de Corriente superiores a la unidad. Es la ms utilizada
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DEDE-II
ALTA
ALTA
ALTA
BAJA
1
ALTA
ESTABILIZADA
BAJA
ALTA
1
Configuracin Configuracinen enC.C. C.C. Amplificador no inversor AI es aproximadamente igual que en E.C (en mdulo) AV es menor que la unidad Ri es la mayor Ro es la menor BUFFER DE TENSIN (Adaptacin de impedancias cuando RS>>RL, informacin en forma de tensin).
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DEDE-II
ALTA
ALTA
ALTA
BAJA
1
ALTA
ESTABILIZADA
BAJA
ALTA
1
Configuracin Configuracinen enB.C. B.C. Amplificador no inversor AI es algo menor que la unidad AV igual que en EC (en mdulo) Ri es la menor de las tres Ro es , como en EC BUFFER DE CORRIENTE (Adaptacin de impedancias cuando RS<<RL, informacin en forma de corriente)
26
DEDE-II
1.8. 1.8.CIRCUITOS CIRCUITOSAMPLIFICADORES AMPLIFICADORESREALES REALES(con (conautopolarizacin) autopolarizacin)
1 - EMISOR COMN:
ii
io
Circuito equivalente en pequea seal a frecuencias medias
hie
hfeib
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DEDE-II
1.8. 1.8.CIRCUITOS CIRCUITOSAMPLIFICADORES AMPLIFICADORESREALES REALES(con (conautopolarizacin) autopolarizacin)
1 - EMISOR COMN:
ii
io
EJERCICIO: obtener las expresiones de Ai, Ri, Av, Ro, Avs.
Circuito equivalente en pequea seal a frecuencias medias
hie
hfeib
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DEDE-II
Circuito equivalente utilizado para hallar Z0
hie
hfeib
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DEDE-II
2 SEGUIDOR DE EMISOR:
Circuito equivalente en pequea seal a frecuencias medias hie ie=(1+hfe)ib
hfeib
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DEDE-II
Circuito equivalente utilizado para hallar la impedancia de salida Z0 hie ie=(1+hfe)ib
hfeib
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DEDE-II
3 BASE COMN:
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DEDE-II
AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON FETS FETS CON
2. 2. AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON CON TRANSISTORES TRANSISTORES DE DE EFECTO EFECTO DE DE CAMPO CAMPO
2.1. 2.1. EL ELTRANSISTOR TRANSISTORDE DEEFECTO EFECTODE DE CAMPO COMO AMPLIFICADOR CAMPO COMO AMPLIFICADOR
Amplificador NMOS sencillo:
vGS (t ) = vin (t ) + VGG VDD = RD i D (t ) + v DS (t )

IDmax=16mA
Lnea de carga
sen
IDQ=9mA
Punto Q
IDmin=4mA
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DEDE-II
Aparentemente, GANANCIA EN TENSIN: -6 (el 12Vpp amplif. invierte la seal de entrada)
La forma de onda de salida no es senoidal simtrica como la de la entrada: VDSQ=11V, y VDSmax=16V, VDSmin=4V
Salida Salidamayor mayorque que la entrada, pero la entrada, pero DISTORSIONADA DISTORSIONADA
DISTORSIN: DISTORSIN: debida debida aa que que las las curvas curvas caractersticas caractersticas del del FET FET no no son son equidistantes. equidistantes.
Si , ,tendramos Sise seaplicara aplicarauna unaAMPLITUD AMPLITUDDE DEENTRADA ENTRADAMUCHO MUCHOMENOR MENOR tendramos una , , pues una AMPLIFICACIN AMPLIFICACIN CON CON DISTORSIN DISTORSIN INAPRECIABLE INAPRECIABLE pues las las curvas curvasestn estndistanciadas distanciadasde deuna unamanera manerams msuniforme uniformesi sise seconsidera considerauna una regin A SE AL. AL reginms msrestringida restringidade delas lascurvas curvascaractersticas caractersticas PEQUE PEQUEA SEAL.
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DEDE-II
2.2. 2.2. CIRCUITOS CIRCUITOSEQUIVALENTES EQUIVALENTESDE DE PEQUEA PEQUEASEAL SEAL
Anlisis grfico: difcil para amplificadores reales. A continuacin desarrollaremos un circuito equivalente lineal en pequea seal para el FET, que nos permitir utilizar tcnicas de anlisis matemtico en lugar del anlisis grfico.
Transistor polarizado en zona saturacin: Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas
Como: Y adems estamos interesados en las condiciones de pequea seal para las cuales vgs2(t) es muy pequeo y se puede despreciar. (Suponemos que
v gs (t ) << VGSQ Vto
Si se define la transconductancia del transistor como:
Como la corriente de puerta es despreciable:
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DEDE-II
Para Pequea Seal los Transistores Para Pequea Seal los Transistores Unipolares Unipolares pueden pueden modelarse modelarse como como una una Fuente Fuente de de Corriente Corriente Controlada Controlada por por Tensin entre D y S. Tensin entre D y S.
2.2.1. Dependencia de la Transconductancia respecto al Punto Q y los Parmetros del Dispositivo.
Despejando
en se obtiene:
y sustituyendo los resultados en
Se m Se puede puede incrementar incrementar gg m eligiendo un valor ms eligiendo un valor ms elevado DQ. . elevadode deII DQ
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DEDE-II
Como K =
W KP L 2
W = anchura del canal L = longitud del canal (valor mnimo limitado por el proceso de fabricacin)
KP = n C ox
: parmetro dependiente del proceso de fabricacin del transistor. (n = movilidad superficial de los electrones en el canal; Cox= capacidad de puerta por unidad de rea, que depende a su vez de la anchura del xido tox)
Se la m incrementando Sepuede puedeobtener obtenervalores valoresmayores mayoresde deg g m incrementando la relacin relacin anchura-longitud anchura-longitud del del canal canal del del MOSFET. MOSFET. Se Se obtiene obtieneuna unatransconductancia transconductanciaalta altaa acosta costadel delrea readel delCI. CI.
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DEDE-II
2.2.2. Circuito equivalente ms complejo

En el modelo anterior se supone que las caractersticas de drenador son horizontales en la regin de saturacin, pero eso no es del todo cierto: Las curvas caractersticas de drenador tienen una pendiente ligeramente ascendente respecto a vDS.
Para tener en cuenta este efecto: AADIR UNA RESISTENCIA rD llamada RESISTENCIA DE DRENADOR entre D y S
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DEDE-II
2.3. 2.3. EL ELAMPLIFICADOR AMPLIFICADOREN ENFUENTE FUENTECOMN COMN EL AMPLIFICADOR EN DRENADOR EL AMPLIFICADOR EN DRENADORCOMN COMN(SEGUIDOR (SEGUIDORDE DEFUENTE) FUENTE)
Circuito equivalente de pequea seal
Si y vo=vo1: FUENTE COMN s=0 SiR R s=0 y vo=vo1: FUENTE COMN Si y vo=vo2: DRENADOR COMN d=0 SiR R d=0 y vo=vo2: DRENADOR COMN
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DEDE-II
37
DEDE-II
FACTOR DE AMPLIFICACIN
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DEDE-II
y vo=vo1) (1) ((R s=0 (1)FUENTE FUENTECOMN COMN(R s=0 y vo=vo1)
Circuito equivalente visto desde Drenador:
vi
+
Rd
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DEDE-II
y vo=vo2) (2) ((R d=0 (2)DRENADOR DRENADORCOMN COMN(R d=0 y vo=vo2)
Circuito equivalente visto desde Fuente:

+
Rs
(Si >> 1)
Por este motivo, se denomina SEGUIDOR DE FUENTE
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DEDE-II
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DEDE-II
2.4. 2.4. AMPLIFICADOR AMPLIFICADOREN ENFUENTE FUENTECOMN COMN(con (concircuito circuitode deautopolarizacin) autopolarizacin)
EJERCICIO: obtener las expresiones de Av, Ri, Ro, Ai, Avs.
Circuito equivalente en pequea seal para el amplificador en fuente comn
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DEDE-II
Circuito utilizado para calcular RO
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DEDE-II
2.5. 2.5. SEGUIDOR SEGUIDORDE DEFUENTE FUENTE(con (concircuito circuitode deautopolarizacin) autopolarizacin)
EJERCICIO: obtener las expresiones de Av, Ri, Ro, Ai, Avs.
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DEDE-II
Circuito equivalente en pequea seal alterna para el seguidor de fuente.
Circuito equivalente utilizado para hallar la resistencia de salida del seguidor de fuente.
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DEDE-II
AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES MULTIETAPA MULTIETAPA
3. 3. AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES DE DE VARIAS VARIAS ETAPAS ETAPAS

En aplicaciones reales se hace necesario el acoplamiento de varias etapas: Para obtener una amplificacin mayor. Para una correcta adaptacin de impedancias si la impedancia de entrada o salida de una sola etapa no es la adecuada De forma general:
AMPLIFICADOR MULTIETAPA UTILIZANDO MODELOS EQUIVALENTES DE TENSIN TENSIN
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DEDE-II
AMPLIFICADOR MULTIETAPA UTILIZANDO MODELOS EQUIVALENTES DE CORRIENTE CORRIENTE
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DEDE-II
3.1. 3.1. OPTIMIZACIN OPTIMIZACINDE DELA LACOMBINACIN COMBINACINDE DECONFIGURACIONES CONFIGURACIONES Los montajes pueden ser en EC, BC, CC o combinacin. En general, al acoplar varias etapas se busca un aumento en la ganancia de tensin. En una cadena amplificadora se distinguen: Etapa de entrada Etapas intermedias Etapa de salida
(1) ETAPAS INTERMEDIAS No se utiliza una configuracin en CC porque Av<1. No se utiliza una configuracn en BC porque Av de varias etapas de este tipo acopladas es menor que la ltima:
AV = AI
RL RL < 1 si Ri = Ri +1 ya que RL = RC //Ri Ri Ri AV = h fe RL > 1 porque h fe >> 1 Ri
Por el contrario, en una etapa en EC:
En Enun unamplificador amplificadorde devarias variasetapas etapaslas lasintermedias intermedias utilizan configuraciones en EC utilizan configuraciones en EC
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DEDE-II
(2) ETAPA DE ENTRADA Su eleccin se realiza en funcin del generador conectado a la entrada: Si el generador es de tensin: (necesaria Zi alta) Entrada Entradaen enCC CC Montaje Montajecon conFET FET(DC, (DC,FC) FC)
Si el generador es de corriente:
Entrada Entradaen enBC BC
(necesaria Zi baja)
(3) ETAPA DE SALIDA Se selecciona en funcin de la impedancia de carga Si RL baja impedancia, e informacin codificada en forma de tensin: (necesaria Zo baja) Salida Salidaen enCC CC
Si RL alta impedancia, e informacin codificada en forma de corriente: (necesaria Zo alta) Salida Salidaen enBC BC
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DEDE-II
OBSERVACIONES OBSERVACIONES AL ANALISIS ANALISIS AC AC AL
4. 4. ANLISIS ANLISIS EN EN PEQUEA PEQUEA SEAL SEAL OBSERVACIONES OBSERVACIONES

1 - DIBUJO DEL CIRCUITO EQUIVALENTE EN PEQUEA SEAL 1. Sustituir fuentes de tensin continua por cortocircuitos. Sustituir fuentes de corriente continua por circuitos abiertos. Sustituir condensadores de acoplo y de desacoplo por cortocircuitos cuando se desee un anlisis a frecuencias medias.
Nota: Para hallar expresiones para la ganancia o la impedancia en funcin de la frecuencia, o hacer un anlisis en rgimen transitorio, deberan incluirse los condensadores en el circuito equivalente.
2. 3.
4. 5.
Sustituir transistor por circuito equivalente. Si circuito tiene varios transistores, se utilizarn subndices para distinguir las corrientes y los parmetros de los diferentes transistores.
50
DEDE-II
Vale Vale la la pena pena prestar prestar atencin atencin al al dibujar dibujar el el circuito circuito equivalente: equivalente: Analizar Analizar un un circuito circuito equivalente equivalente incorrecto incorrecto es es una una prdida prdidade detiempo tiempoy yde deesfuerzo. esfuerzo.
COMPROBAR COMPROBAR BIEN BIEN EL EL CIRCUITO CIRCUITO EQUIVALENTE EQUIVALENTE ANTES ANTES DE DEESCRIBIR ESCRIBIRLAS LASECUACIONES ECUACIONES! ! Puede Puedeque queresulte resulteconveniente convenientedividir dividiren envarios variospasos pasosel eldibujo dibujo de .. delos loscircuitos circuitosequivalentes equivalentesen enpequea pequeaseal seal En Enprimer primerlugar, lugar,se sehacen hacenlos loscambios cambiosnecesarios necesariosyydespus, despus,si si se se quiere, quiere, se se vuelve vuelve aa dibujar dibujar el el circuito circuito para para simplificar simplificar el el trazado. trazado.
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DEDE-II
2. IDENTIFICACIN DE LAS VARIABLES DE INTERS DEL CIRCUITO Una vez finalizado el circuito equivalente en pequea seal, trataremos de hallar expresiones para las ganancias e impedancias que sean de inters. En primer lugar, identificaremos las corrientes y tensiones pertinentes y las sealaremos en el circuito equivalente.
Ejemplo: Para hallar la ganancia de tensin, las variables pertinentes son la tensin de entrada vi y la tensin de salida vo. Para la impedancia de entrada, lo que nos interesa son vi y la corriente de entrada ii.
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DEDE-II
3. CALCULO DE LA RESISTENCIA DE SALIDA La resistencia de salida es la resistencia de Thevenin del amplificador. Para hallar la resistencia de salida: Quitamos la carga Ponemos a cero el valor de las fuentes de seal independientes (sustituir las fuentes de tensin por cortocircuitos, y las fuentes de corriente por circuitos abiertos). Las fuentes dependientes, como la fuente controlada de corriente del transistor equivalente, no se ponen a cero. Miramos desde los terminales de salida para hallar la resistencia. A menudo es conveniente agregar una fuente de tensin de prueba Vx a los terminales de salida para hallar la resistencia de salida del seguidor de emisor. La resistencia de salida viene dada por la relacin entre Vx e ix .
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DEDE-II
4. ESCRITURA DE LAS ECUACIONES DEL CIRCUITO
Tras dibujar el circuito equivalente en pequea seal e identificar las variables de tensin o corriente pertinentes, utilizamos el anlisis de circuitos para escribir las ecuaciones. A menudo es necesario incluir corrientes o tensiones adicionales en las ecuaciones. Ejemplo: Para hallar la resistencia de salida del seguidor de emisor, queramos calcular la relacin entre Vx e ix pero al escribir las ecuaciones, incluimos una corriente adicional ib. Tras escribir el conjunto de ecuaciones de circuito adecuadas,
despejaremos para eliminar las corrientes y tensiones no deseadas, hasta que tengamos una ecuacin que relacione las dos variables de inters.
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DEDE-II
Si el circuito es bastante complejo, es una buena idea asegurarse de que se ha escrito un conjunto de ecuaciones correcto antes de eliminar las variables que no se desean: Supongamos que contamos las variables no deseadas, y llamamos a ese numero N. Como necesitamos una ecuacin para eliminar cada una de las variables no deseadas, y como necesitamos dar con una ecuacin que relacione las dos variables de inters, necesitaremos un total de N + 1 ecuaciones independientes. Hay que asegurarse de que las ecuaciones no son
dependientes: a veces puede que escribamos la misma ecuacin de diferente manera sin darnos cuenta.
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DEDE-II
5. CALCULO Y COMPROBACIN DE LA EXPRESIN BUSCADA Una vez que hemos escrito un numero suficiente de ecuaciones independientes, se utilizan tcnicas algebraicas simples para eliminar las variables de circuito no deseadas y hallar la expresin buscada. Si, en este proceso, la sustitucin da lugar a la cancelacin de todos los trminos (con lo que nos quedara 0 = 0), es que hemos escrito ecuaciones dependientes
y hemos de volver a escribir ecuaciones adicionales.
6. COMPROBACIN DE LAS UNIDADES Tras haber hallado una expresin para la ganancia o la impedancia, es buena idea comprobar si las unidades de la expresin hallada son las correctas: Ganancia de tensin o corriente: no debera tener unidades. Impedancia de entrada o salida: debera estar en ohmios.
En el caso de que las unidades no fueran las que esperbamos, deberamos buscar algn error al escribir la ecuacin original o algn error algebraico.
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DEDE-II
EL EL ANLISIS ANLISIS DEL DEL CIRCUITO CIRCUITO EQUIVALENTE EQUIVALENTE DE DE PEQUEA PEQUEA SEAL SEAL NO NO ES ES TAN TAN PROBLEMTICO PROBLEMTICO COMO COMO PARECE PARECE EN EN ESTA ESTA
EXPLICACIN. EXPLICACIN. SE SE HAN HAN INTENTADO INTENTADO MENCIONAR MENCIONAR TODOS TODOS LOS LOS PROBLEMAS PROBLEMAS QUE QUE SE SE ENCUENTRAN ENCUENTRAN COMNMENTE COMNMENTE CON CON ESTA ESTA TCNICA, TCNICA, PARA PARAQUE QUENO NODESPERDICIEIS DESPERDICIEISMUCHO MUCHOTIEMPO TIEMPOSI SITROPEZAIS TROPEZAIS CON CONELLOS. ELLOS.

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Temas Temas 4,5 4,5

AMPLIFICACIN: AMPLIFICACIN: ESTRUCTURAS ESTRUCTURAS BSICAS BSICAS

DEPARTAMENTO DE TECNOLOGA ELECTRNICA

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIN

AMPLIFICACIN: AMPLIFICACIN: ESTRUCTURAS ESTRUCTURAS BSICAS BSICAS

Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas

2. AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES UNIPOLARES

3. AMPLIFICADORES DE VARIAS ETAPAS

AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON BJTS BJTS CON

1. 1. AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON CON TRANSISTORES TRANSISTORES BIPOLARES BIPOLARES

Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas

Entrada: VBB + vin (t ) = RB i B (t ) + v BE (t )

Salida: VCC = RC iC (t ) + vCE (t )

AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON BJTS BJTS CON

vin (t ) = 0.4 sen(2 1KHz t )

Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas

AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON BJTS BJTS CON

iC=3,5mA iCQ=2,5mA iC=1,5mA

Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas

amplif. amplif.invierte inviertela la seal sealde deentrada) entrada)

AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON BJTS BJTS CON

Salida para: vin (t) = 1,2 sen(2000t), (gran distorsin)

Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas

AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON BJTS BJTS CON

Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas

AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON BJTS BJTS CON

Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas

AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES CON BJTS BJTS CON

Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas

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1.2.3. Parmetros Hibridos

TRANSISTOR: dispositivo de 3 terminales

Uno de los 3 terminales deber ser comn a la ENTRADA y a la SALIDA

(El terminal comn a la E y a la S da el nombre al montaje)

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Anlisis de Circuitos (1er curso) TEORA DE CUADRIPOLOS

Tema 4,5: Amplificacin: Estructuras Bsicas

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Adems, generalmente: h 0 re h re0 h 0 oe h 0

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hierbe (=rbb+rbe) hfe=

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1.3 1.3ANLISIS ANLISISDE DEAMPLIFICADORES AMPLIFICADORES

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Polarizacin del Transistor en ausencia de seal.

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Reemplazar el Transistor por uno de sus Modelos Equivalentes de Pequea Seal.

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1.4 1.4EL ELAMPLIFICADOR AMPLIFICADOREN ENEMISOR EMISORCOMN. COMN. Io

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Expresin vlida transistor y montaje En el caso de E.C.:

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Expresin vlida transistor y montaje En el caso de E.C.:

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