Semiconductor Es el elemento que se comparte como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, tienen una conductividad elctrica

inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Para incrementar el nivel de la conductividad se provocan cambios de temperatura, de la luz o se integran impurezas en su estructura molecular. Estos cambios originan un aumento del nmero de electrones liberados (o bien huecos) conductores que transportan la energa elctrica. Ejemplos: Campo elctrico o magntico Diodos Transistores

definicin de diodo Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que la de un aislante. El grado de conduccin de cualquier sustancia depende, en gran parte, del nmero de electrones libres que contenga. En un conductor este nmero es grande y en un semiconductor pequeo es insignificante. El nmero de electrones libres de un semiconductor depende de los siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos aplicados y cantidad de impurezas presentes en la sustancia.

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Caractersticas, funcionamiento y aplicacin de los siguientes diodos: Zener, Vericap, Tnel, Foto Diodo, Gunn, Schockley
Diodo Zener: Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin.

Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada. Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM. Representacin en Circuito

Smbolo

Grfica del Diodo

Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.

Smbolo

Representacin en circuito

Grfica Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de

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La funcin de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la informacin grabada en el surco hipottico del CD transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado el audio o los datos grabados en el CD.

Smbolo

Grafica

Representacin en un Circuito Diodo Gunn: Este diodo tiene caractersticas muy diferentes a los anteriores, ya que no es rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre nodo y ctodo una tensin continua de 7 V, de modo que el nodo sea positivo con respecto al ctodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la emisin de microondas se produce cuando las zonas de campo elctrico elevado se desplazan del nodo al ctodo y del ctodo al nodo en un constante viaje rapidsimo entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos.

Smbolos Polarizados inversos y directos Representacin en Circuito Curva del Diodo

Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I

Representacin en Grafica Smbolo Representacin en Circuito

Transistor, Caracterstica, Composicin y Configuracin

Transistor (smbolo, tipos, curva caracterstica y funcionamiento) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp. Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollar una apreciacin de la eleccin de esta notacin cuando se analice la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar. Caractersticas de los Transistores: El consumo de energa es relativamente bajo. El tamao de los transistores es relativamente ms pequeo que los tubos de vaco. El peso. Una vida larga til (muchas horas de servicio). Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento). No necesita tiempo de calentamiento. Resistencia mecnica elevada. Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad (fenmenos sensibles a la luz). Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 4.14a. La operacin del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran las funciones que cumplen el electrn y el hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarizacin base - colector. El espesor de la regin de agotamiento se redujo debido a al polarizacin aplicada, lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n. Ahora se eliminar la polarizacin base - colector del transistor pnp de la figura 4.14a, segn se muestra en la figura 4.16. En resumen: Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la otra tiene polarizacin inversa ambos potenciales de polarizacin se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con claridad cul unin tiene polarizacin directa y cul polarizacin inversa. Habr una gran difusin de portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el material tipo n. As, la

pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de forma directa a la corriente de base IB o si pasarn directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar esta trayectoria de alta resistencia hacia la Terminal de la base. La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los micro amperes, comparando con mili amperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p conectado a la Terminal del colector. La razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unin con polarizacin inversa se comprender con facilidad si se considera que para el diodo con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de la regin de la base tipo n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la regin de agotamiento atravesar la unin con polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el flujo.

Configuracin de Base Comn

Para la configuracin de base comn con transistores PNP y npn. La terminologa de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este trabajo todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo. Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para el punto de excitacin o parmetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (IE). El conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters: las regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente, mientras que la unin emisor - base se polariza directamente. La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura 4.17. En el extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturacin inversa ICO, como lo seala la figura 4.18. La corriente ICO real es tan pequea (micro amperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin de base comn se muestra en la figura 4.19. La notacin que con ms frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la figura 4.19, ICBO. Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los transistores de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, as como Is, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rpidamente con la temperatura. En la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor - base de un transistor tienen polarizacin inversa. En la regin de saturacin, tanto la unin como el emisor - base estn en polarizacin directa.

Colector Comn
La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a las de las configuraciones de base comn y de un emisor comn.

La figura 4.21 muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito de la figura 4.21. Puede disearse utilizando las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn: son la mismas que para la configuracin de emisor comn.

CONCLUSIN
Hemos observado que los diodos son elementos importantes en la electrnica, que para su comprensin hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento. Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el propsito de resolver algn problema. Para nosotros uno de los aspectos ms importantes de los mismos es que no se quedan en un solo tipo de diodo; ms bien se los ha desarrollado en formas que extienden su rea de aplicacin.

BIBLIOGRAFA
Como complemento importante dentro de la investigacin realizada para obtener el presente trabajo se encontraron varias pginas web en la red mundial de datos "Internet" que nos explican claramente los conceptos necesarios en el tema "Diodos" pero por su importancia en contenido y alto grado de sencillez se escogieron dos 2 de ellas Electrnica Bsica, Diodos Semiconductores, Pag. 19-34 Van Valkenburgh, Nooger & Neville, Inc Ed. Bell S.A. Electrnica General, Tomo I, Tecnologa Electrnica, Semiconductores, Pag. 251-260. Luis Gmez de Tejada y Sanz Ed. PARANINFO S.A. Internet http://www.ieec.uned.es/ieec/documentos/ffi-ieec/apl_html/capit_11/c1.htm Internet http://www.ieec.uned.es/ieec/documentos/ffi-ieec/apl_html/capit_11/c111.htm

Leer ms: http://www.monografias.com/trabajos65/tipos-diodos/tipos-diodos2.shtml#ixzz2f66C5vSN

Tensin Umbral(V):
Es la mnima tensin que hay que aplicar al diodo para que el diodo empiece a dejar pasar corriente. Si la tensin del diodo es mayor que esta tensin significa que el diodo permite el paso de la corriente. Si la tensin del diodo es menor que dicha tensin significa que el diodo no deja pasar corriente y que la corriente que pasa por l es nula. Se mide como las tensiones en voltios (V) y sus valores oscilan entre 0.6V y 0.8V.

Corriente mxima (Imax). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.

Tensin de ruptura (Vr). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. EFECTO AVALANCHA. Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V

Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condicio-

BIBLIOGRAFA
Como complemento importante dentro de la investigacin realizada para obtener el presente trabajo se encontraron varias pginas web en la red mundial de datos "Internet" que nos explican claramente los conceptos necesarios en el tema "Diodos" pero por su importancia en contenido y alto grado de sencillez se escogieron dos 2 de ellas Electrnica Bsica, Diodos Semiconductores, Pag. 19-34 Van Valkenburgh, Nooger & Neville, Inc Ed. Bell S.A. Electrnica General, Tomo I, Tecnologa Electrnica, Semiconductores, Pag. 251-260. Luis Gmez de Tejada y Sanz Ed. PARANINFO S.A. Internet http://www.ieec.uned.es/ieec/documentos/ffi-ieec/apl_html/capit_11/c1.htm Internet http://www.ieec.uned.es/ieec/documentos/ffi-ieec/apl_html/capit_11/c111.htm

Leer ms: http://www.monografias.com/trabajos65/tipos-diodos/tipos-diodos2.shtml#ixzz2f66C5vSN

Conductores, Semiconductores y Aislantes Bibliografa: http://www.ua.es/es/bibliotecas/lecciones_inaugurales/jantonio_valles/descargas.htm http://www.geocities.com/joravigo/Semiconductores.html http://www.lafacu.com/apuntes/fisica/condu_aisla/default.htm

Voltaje de ruptura El voltaje de ruptura es aquel voltaje mximo que se puede aplicar a los terminales del capacitor. Si se sobrepasa, el dielctrico se puede perforar provocando un corto circuito.
Clculo del Voltaje de Ruptura (prueba accorde a IEC 60851.5.4.2, cilindro). El Voltaje de Ruptura depende principalmente del grosor del aislante (vea frmula), pero tambin del

dimetro del alambre desnudo, la temperatura en la aplicacin de la bobina y del tipo de esmalte. Clculo del valor Ds promedio
Ds=t*Vu(volt), en donde: Ds : Voltaje de Ruptura t : Incremento del aislante t = da - dnom, en donde: da : Dimetro exterior dnom : Dimetro del alambre desnudo Vu : Volt por micra de aislante

Ejemplo
Prueba con electrodo cilndrico dnom = 0,071mm (41 AWG) da = 0,083mm t = da - dnom = 0,083 - 0,071 = 0,012mm = 12 um Vu = 220 V/um, por lo tanto: Ds = 12u * 220 V/u = 2.640 V

CORRIENTE SUPERFICIAL DE FUGAS. Es la pequea corriente que circula por la superficie del esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

Transistor FET El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.

Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p o n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente est conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo.

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin.
Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica. SIMBOLO MOSFET

Smbolos de MOSFET Cuatro Terminales Tres Terminales

(substrato puenteado)

Smbolo Reducido
(tres terminales)

NMOS

PMOS

Tabla 1. Smbolos de MOSFET en realce-acumulacin.

Smbolos de MOSFET en vaciamiento-deplexin Tres Terminales

(substrato puenteado)

Cuatro Terminales

Smbolo Reducido
(tres terminales)

NMOS

MOS

Tabla 2. Smbolos de MOSFET en vaciamiento-deplexin.

Funcionamiento de los Mosfet

Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un Mosfet o NMOS), o huecos (en un PMosfet o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p. Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.