Tema: Polarizacin de transistores bipolares de juntura (TBJ).

Objetivo: Analizar e implementar los principales circuitos de polarizacin para Transistores bipolares de juntura.

1. Consultar las caractersticas y la asignacin de pines de los transistores 2N3904 y 2N3906, adems de un transistor NPN y un PNP adicional, escogidos por el estudiante. TRANSISTOR 2N3904

TRANSISTOR 2N3906

TRANSISTOR 2N4401

TRANSISTOR BC556

2. Consultar un mtodo prctico para determinar el tipo y los terminales de un transistor mediante la utilizacin de un multmetro.
Esto se lo puede efectuar mediante un multmetro con la opcin para medir continuidad, se deberan obtener los siguientes resultados:
NPN Puntas Multmetro Positivo B B E E C C Negativo E C B C E B Conduce SI SI NO NO NO NO Negativo B B E E C C PNP Puntas Multmetro Positivo E C B C E B Conduce SI SI NO NO NO NO

Las dos nicas mediciones ocurren cuando se polarizan directamente a los diodos internos. Mediante estas ya se puede definir cul es la base. Midiendo la continuidad se puede definir cul es el colector y cual el emisor, de las dos mediciones, la que tenga un valor ms alto define la unin base emisor. Aunque este mtodo es bastante efectivo la mayor parte de las veces, existen ocasiones en que da error incluso con transistores nuevos, esto se debe a que existen transistores que incluyen resistores, diodos e inclusivo otros transistores adicionales en el interior del mismo, en estos casos se hace necesario utilizar las hojas del fabricante.

3. Realizar el anlisis e indicar el tipo de polarizacin de los circuitos de las siguientes figuras: (Asumir =100) Circuito 1:
R1 100k R2 2.2k Q1 2N3904 R3 1k + V1 15V

El circuito est polarizado en base o polarizacin fija en zona de saturacin

Anlisis del circuito: Donde:

Clculo de VB, VE, VC, VCE:

Por estar en zona de saturacin:

Circuito 2:
R2 1.5k R1 100k + V2 10V Q1 2N3904 R3 1.2k + V1 15V

El circuito est polarizado en el emisor con dos fuentes y funciona en R.A.N Anlisis del circuito: Donde:

Calculo de VB, VE, VC, VCE:

Circuito 3:
R4 10k R2 3.3k Q1 2N3904 R1 2.2k R3 1k + V1 15V

El circuito est polarizado por divisor de voltaje en R.A.N Anlisis del circuito: Comenzamos sacando la RTH y VTH

) (

)(

4. Realizar el anlisis y cambios que se requieran para polarizar los circuitos del literal 3 utilizando un transistor PNP 2N3906. De igual manera que el literal 3 realizar los respectivos clculos de voltajes y corrientes de polarizacin. Para poder utilizar un transistor pnp en vez de un npn el cambio que se debe hacer es en la polarizacin, se debe invertir la polaridad de la batera. Con lo que se obtendrn los mismos valores que con un transistor npn. Circuito 1:

R1 100k

R2 2.2k Q1 2N3906

V1 15V

R3 1k

Figura 1

Anlisis del circuito: Donde:

Clculo de VB, VE, VC, VCE:

Por estar en zona de saturacin:

Circuito 2:

R2 1.5k R1 100k

Q1 2N3906

V1 15V

V2 10V

R3 1.2k

Figura 2

El circuito est polarizado en el emisor con dos fuentes y funciona en R.A.N Anlisis del circuito: Donde:

Calculo de VB, VE, VC, VCE:

Circuito 3:

R1 10k

R2 3.3k

Q1 2N3906

V1 15V

R4 2.2k

R3 1k

Figura 3

El circuito est polarizado por divisor de voltaje en R.A.N Anlisis del circuito: Comenzamos sacando la RTH y VTH

) (

)(

5. Realizar y presentar las simulaciones de cada uno de los circuitos tanto del literal 3 como del literal 4. En una tabla muestre los valores calculados de los literales 3 y 4. Realice una comparacin con los valores obtenidos en la simulacin.
B R1 100k
Parameter B: r1_2 C: q1_3 A: r1_1 F: q1[ic] E: q1[ib] D: q1[ie] DC Bias 15.00 V 4.729 V 5.422 V 4.631mA 96.01uA -4.727mA DC Average 15.00 V 4.729 V 5.422 V 4.633mA 95.78uA -4.729mA AC RMS 0.000 V 3.433uV 4.516uV 8.064nA 1.035nA 7.131nA

R2 2.2k F A E D C Q1 2N3904 R3 1k + V1 15V

R1 10k
Parameter A: r1_1 C: q1_3 B: r2_1 F: q1[ic] E: q1[ib] D: q1[ie] DC Bias 2.678 V 2.013 V 8.407 V 1.999mA 15.07uA -2.014mA DC Average 2.678 V 2.013 V 8.407 V 1.998mA 15.06uA -2.013mA AC RMS 2.043uV 1.993uV 10.30uV 6.239nA 1.128nA 5.788nA

R4 2.2k

R2 3.3k B F Q1 2N3904 D C R3 1k

+ V1 15V

Parameter A: q1_2 C: q1_3 B: r2_1 E: q1[ic] D: q1[ib] F: q1[ie]

DC Bias 6.488 V 5.797 V 7.806 V 4.796mA 35.12uA -4.831mA

DC Average 6.488 V 5.797 V 7.806 V 4.796mA 35.12uA -4.831mA

AC RMS 0.000 V 0.000 V 147.5nV 49.67pA 232.6fA 90.85pA

+ V2 10V R1 100k A D

R2 1.5k B E Q1 2N3904 F C R3 1.2k

+ V1 15V

6. Disear un interruptor electrnico usando un transistor, incluir sealizacin mediante el uso de un diodo LED. Explicar su funcionamiento incluyendo las diferentes zonas de trabajo que intervienen
Con NPN

D1 LED2 S1 + V1 10V R1 250k Q1 2N3904

Transistor en saturacin: Para obtener Ic se sigue el siguiente procedimiento: De las caractersticas del diodo LED se tiene Ic=10mA Se escoge el menor a 200 para asegurar de que el transistor se sature. La corriente de base es: Ib = Ic/ = 10 mA/200 = 0.05 mA. Esta es la corriente de base necesaria para que el transistor se sature y encienda el bombillo. Para calcular Rb se hace una malla en el circuito de la base: 10 V = Rb x Ib Vbe Rb = (100.6)/Ib = 9.4 V/0.05 mA = 188k. Transistor en corte: Para que el bombillo se apague, basta que la corriente (Ic) que pase a travs de l sea cero. Para lograrlo se hace que la corriente de base Ib sea cero (Ic = xIb), poniendo el voltaje que alimenta el circuito de la base en cero (0 Voltios).

Bibliografa:
http://es.scribd.com/doc/61819675/Manual-de-Prcticas-de-Laboratorio-Electronica-IUdeA-2011-2 http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/B/C/5/5/BC556.shtml http://inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/fa07/labs/2N4401.pdf http://www.unicrom.com/tut_ejemplo_transistor_como_switch.asp

http://es.wikipedia.org/wiki/2N3904 http://en.wikipedia.org/wiki/2N3906