Anda di halaman 1dari 5

MODUL 2 KARAKTERISTIK BJT

Agung Utama Putra (13210037) Asisten: Hari Purnama Tanggal Percobaan: 20/02/2012 EL2140-Praktikum Elektronika

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB
Abstrak Praktikum kali ini akan menunjukkan karakteristik transistor BJT dan teknik bias dengan rangkaian diskrit dan sumber arus konstan. Kata kunci: BJT, karakteristik, transistor. PENDAHULUAN
Tujuan praktikum kali ini adalah untuk memahami karakteristik transistor BJT, teknik bias dengan rangkaian diskrit dan teknis bias dengan sumber arus konstan. Percobaan dilakukan dengan rangkaian yang telah ditentukan menggunakan kit praktikum.

KURVA KARAKTERISTIK IC-VBE


Karena:

Maka kurva yang terbentuk:

Gambar 3: Kurva karakteristik IC-VBE

STUDI PUSTAKA TRANSISTOR BJT


Ada dua jenis transistor: bipolar dan unipolar. Pada praktikum ini akan digunakan transistor bipolar. Simbol hubungan antara arus dan tegangan dalam transistor ditunjukkan sebagai berikut.

Transkonduktansi dari kemurungan kurca.

transistor

merupakan

KURVA KARAKTERISTIK IC-VCE


Titik kerja transistor dibagi 3: daerah aktif, saturasi, dan cut-off. Kondisinya sebagai berikut:
Mode Kerja Aktif IC VCE VBE VCB Bias B-C Bias B-E

Reverse

Forward

Gambar 1: Transistor BJT NPN

Saturasi

Max

Forward

Forward

Cut-Off

Kurva karaktaresitiknya berikut:


Gambar 2: Transistor BJT PNP

ditunjukkan

seperti

Hubungan matematis antara besarnya arus kolektor (IC), arus basis (IB), arus emitter (IE): dan

Gambar 4: Kurva karakteristik IC-VCE


Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

METODOLOGI f
Alat dan Komponen DC power supply Kit Percobaan Karakteristik & Rangkaian Bias Sumber arus konstan Multimeter 4 buah Osiloskop Generator sinyal
Bagan 3: Percobaan 3
Lakukan seperti sebelumnya. Susun rangkaian seperti gambar 7. Susun rangkaian seperti pada gambar 6. Pilih dua titik IBVCE berbeda. Plot grafik linear. Tentukan perpotongannya.

Karakteristik Input Transtistor IB-VBE


Susun rangkaian seperti gambar 5. Potensio RB2 pada posisi minimum. VCC = 10.

Ubah-ubah RB2

Catat setiap nilai IB dan IC

Gambar 6: Pembiasan dengan arus konstan

Bagan 1: Percobaan 1

Gambar 7: Pembiasan diskrit

Pengaruh Bias pada Kerja Transistor


Susun rangkaian seperti gambar 8. Atur VCE dan IC agar transistor berkerja pada daerah aktif, saturasi dan cut-off.

Gambar 5: Percobaan 1

Karakteristik Output Transistor IC-VCE


Sambungkan VIN ke generator sinyal f = 1 kHz VPP= 50mV. VOUT ke osiloskop.

Susun rangkaian seperti pada gambar 6.

Dari arus IB = 0, ubah-ubah VCE.

Catat IC. Ulangi untuk IB yang lain.

Bagan 4: Percobaan 4
Lakukan seperti sebelumnya. Susun rangkaian seperti gambar 7. VCC = 10.

Bagan 2: Percobaan 2

Early Effect
Gambar 8: Percobaan 4

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

HASIL DAN ANALISIS


Karakteristik Input Transistor IB-VBE
VBE (V) 0 0.2 0.4 0.5 0.54 0.58 0.62 0.66 0.70 0.72 IB (mA) 0 0 0 0 0 0 0.035 0.25 0.75 1.25 IC (mA)

IC VCE IB = 0 0 0 0 0 0 0 IB = 0.2 0,1 25,56 47,3 52,9 54,9 57 IB = 0.4 0,1 36,81 99,2 100,6 103,7 111,2 IB = 0.8 0,1 46,6 177 195,1 206,2 217,8 IB = 1.2 0,1 50,7 248 269,3 293,9 321 IB = 1.6 0,1 44 301,6 323 360,2 395,2

0
0.1 0.1 0.1 0.1 0.13 0.72 2 2.01 2.02 2.02

0,1 0,3 0,5 1 2

5 0 60,5 126,7 Tabel 2: Hasil percobaan 2 dengan sumber arus konstan

500 400 300 200 100

Daerah Saturasi Daerah Aktif

IB = 0 IB = 0.2 IB = 0.4 IB = 0.8 IB = 1.2 IB = 1.6 2 5

Tabel 1: Hasil Percobaan 1

0 Daerah Cut-Off 0 0.1 0.3 0.5 1

IB (mA)
1.4 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 VBE 0,2 (V) 0,5 0,58 0,66

Gambar 10: Kurva Karakteristik IC-VCE

Grafik agak kaku karena dibuat dengan MS-Excel. Pada percobaan yang ini, ada beberapa kali penggantian multimeter dan satu kali penggantian transistor. Penggantian multimeter tidak terlalu mempengaruhi data, tetapi penggantian transistor mungkin mempengaruhi. Transistor diganti dari 2n2222 ke KSP2222A. Keduanya sama-sama transistor BJT NPN, tetapi memiliki nilai breakdown berbeda, dan sedikit perbedaan pada titik kerja. Dari grafik bisa dilihat ketiga daerah kerja transistor: daerah aktif, daerah saturasi, dan daerah aktif. Saat IB mendekati 0, arus tidak akan mengalir dari IC, seberapapun besarnya VCE. Pada bagian ini, transistor berada pada kondisi cut-off; tidak ada arus yang lewat. Daerah saturasi adalah daerah dimana hubungan antara IC dengan VCE mendekati linear. Daerah saturasi dan cut-off digunakan transistor yang dimanfaatkan sebagai switch. Daerah aktif adalah daerah yang penguatan I C mendekati linear terhadap IB, tetapi nyaris tidak dipengaruhi VCE. Pada bagian ini, transistor bisa digunakan sebagai amplifier. Ini sesuai dengan konsep transistor yang bisa digunakan sebagai switch atau amplifier tergantung rangkaian yang dibuat.
3

IB (mA)

Gambar 9: Grafik Percobaan 1

Kurva hubungan IB-VBE eksponensial. Ini disebabkan hubungan antara IB-IC yang linear sehingga apabila IC berubah secara ekponensial terhadap VBE, maka IB juga berubah secara ekponensial terhadap VBE. Apabila percobaan terus dilakukan dengan tegangan yang lebih besar, maka arus IB akan naik jauh lebih besar lagi. Karakteristik Output Transistor IC-VCE A. Pembiasan dengan arus konstan Mempertimbangkan titik breakdown transistor, pada VCE = 5 V tidak semua kondisi IB dicoba. Ini disebabkan apabila daya berlebih melalui transistor, transistor akan rusak.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

B. Pembiasan Diskrit
IC VCE IB = 0 0 0 0 0 0 0 IB = 0.2 1,72 28,8 33 37,6 38,6 39,3 IB = 0.4 1,73 57,6 85,7 88 89,1 93,8 IB = 0.8 1,74 46,6 IB = 1.2 1,74 50,7 IB = 1.6 1,75 44

0 0,1 0,3 0,5 1 2

Dari grafik, perpotongan antara kedua garis berada pada VCE = 7 V. Seharusnya, perpotongan berada pada VCE yang lebih kecil dari 0. Ini karena gradien garis keduanya seharusnya tidak terlalu jauh pada daerah aktif. Kesalahan bisa terjadi pada saat pengukuran. B. Pembiasan Diskrit

VCE

IC

5 0 43 Tabel 3: Hasil percobaan 2 dengan pembiasan diskrit

IB = 0.05 IB = 0.1 5 12.8 31.8 7,5 32.3 8,7 14.8


Tabel 5: Percobaan 3 dengan pembiasan diskrit

500 400 300 200 100 0


Daerah Saturasi

IB = 0

Daerah Aktif

IB = 0.2 IB = 0.4 IB = 0.8 IB = 1.2

Daerah Cut-Off
0 0.1 0.3 0.5 1 2 5

IB = 1.6
Gambar 13: Percobaan 3 dengan pembiasan diskrit

Gambar 11: Kurva karakteristik IC-VCE

Data tidak bisa didapatkan secara lengkap karena potensiometer pada kit memiliki batas. Potensiometer mencapai maksimum. VCE maksimum yang bisa didapat berubah-ubah setiap karena untuk merubah IB juga menggunakan potensiometer. Dari data yang ada, bisa dilihat bahwa daerah kerja yang didapat hampir sama. Perbedaannya ada pada besar arus IC yang masuk transistor. Ini disebabkan arus IC yang masuk merupakan hasil dari pembagian arus dengan IB. Early Effect A. Pembiasan dengan sumber arus konstan

Karena masalah yang sama dengan percobaan 2B, data yang didapat tidak menggunakan titik VCE yang sama. Early voltage yang didapat adalah sekitar 165 V. Seharusnya, bentuk grafik yang terjadi seperti berikut[3].

VCE

IC IB = 0.05 IB = 0.1 5 14,63 35 10 161,9 164,9

Gambar 14: Grafik early effect yang seharusnya

Pengaruh Bias pada Kerja Transistor Karena waktu tidak cukup, percobaan 5 dilakukan dengan simulasi pada EWB.
VIN dan VOUT Daerah Cut-Off IB = 0,2 mA IC = 0,1 mA VCE = 0 V

Tabel 4: Percobaan 3 dengan sumber arus konstan

Gambar 12: Grafik percobaan 4 dengan sumber arus konstan

VBE = 0 V Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Daerah Aktif IB = 0,4 mA IC = 126,7 mA VCE = 5 V VBE = 0 V Daerah Saturasi IB = 0,2 mA IC = 25,56 mA VCE = 0,1 V VBE = 0 V

Tabel 6: Tabel grafik VIN (merah) dan VOUT (kuning).

Pada daerah cut-off, output frekuensinya sama dengan input dan tegangannya sangat kecil (mendekati 0. Skala garis kuning 50uV/div dan merah 20V/div). Selain itu, pada daerah cut-off, saat tegangan input negatif, arus tidak mengalir. Pada daerah saturasi, seberapapun besarnya input, tegangan output yang dihasilkan tetap sama (Skala garis kuning 50mV/div dan merah 20V/div). Pada kondisi ini, tegangan pada output cukup terlihat. Pada daerah aktif, seberapapun besarnya tegangan input, tegangan outputnya akan tetap sama dengan VCE.

KESIMPULAN
Hubungan antara IB-VBE eksponensial, sama dengan hubungan IC-VBE karena IBIC linear. Ada 3 daerah kerja transistor: daerah aktif, saturasi, dan cut-off. Pada daerah aktif, terjadi penguatan arus. Pada daerah saturasi, hubungan IC-VCE mendekati linear. Pada daerah cur-off, hampir tidak ada arus yang mengalir pada IC.

DAFTAR PUSTAKA Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith, Microelectronic Circuits, ed 5, Hal. 236-261, Oxford University Press, USA, 2004. Mervin T. Hutabarat, Modul Praktikum Elektronika, Hal. 15-26, Penerbit ITB, Bandung, 2012 http://en.wikipedia.org/wiki/Early_effect, Februari 2012, 16:07. 21

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB