Diodos

Juntura PP- N
Introduccin a la Electrnica
Unin PP-N
El material semiconductor dopado con impurezas Aceptoras o Donantes no tiene mayores aplicaciones, salvo la implementacin de resistencias, fijas o dependientes de la temperatura (PTC, NTC). Las uniones de materiales semiconductores con distinto tipo de dopado forman lo que se conoce como junturas P-N. Sobre un mismo trozo de semiconductor, se efecta a travs de mscaras dopados del tipo N y tipo P en diferentes zonas, zonas estableciendo as una zona de contacto o unin entre ambos.
Juntura PP-N en equilibrio q

El movimiento por difusin de portadores n hacia el material P forma una zona de carga con iones positivos cerca del borde. Lo mismo sucede con los huecos que se mueven hacia el material N, formando en este caso una zona de cargas con iones negativos Zona Z d de Vaciamiento. Esta concentracin de cargas en la unin da como resultado la aparicin de un campo elctrico, el cual ir en aumento a medida que se produzca la difusin.

Durante la difusin, el campo elctrico p al movimiento de las cargas. g se opone Se alcanza el equilibrio cuando el campo elctrico frena la difusin; es decir que se igualan las corrientes de desplazamiento y difusin difusin.

Reemplazando en ambos miembros, se obtiene para el caso de huecos: Sabiendo adems que , se obtiene:
Dividiendo por la concentracin de huecos e integrando:

Resolviendo: Aplicando la relacin de Einstein:
Ejemplo: Si NA = 4x1016 [1/cm3] y ND = 2x1016 [1/cm3], obtenemos: V0 750mV A V0 se lo conoce como Barrera de Potencial o Potencial Interno.
Juntura PP-N en p polarizacin inversa

Se aplica potencial elctrico externo de positiva la zona N y manera de hacer ms p ms negativa la zona P. El campo elctrico en la unin se ve incrementado, aumentando tambin la concentracin de iones iones. La barrera de potencial aumenta. No hay circulacin de corriente. Con la tensin inversa se maneja el ancho de l zona de la d vaciamiento. i i
Juntura PP-N en p polarizacin inversa

La juntura con polarizacin inversa se comporta como un capacitor variable con la tensin, dando origen al dispositivo conocido como Varicap, usado ampliamente en RF.
Juntura PP-N en p polarizacin directa

Si se aplica un potencial externo, de manera que la parte P sea ms positiva que la N, el campo elctrico en la unin va a decrecer menor zona de vaciamiento Aumento en la corriente de difusin Partiendo de la ecuacin antes vista:
llegamos a: Que indica como es la concentracin de portadores minoritarios en funcin del potencial interno en equilibrio. p p para el lado N. Una ecuacin similar aplica

Al aplicar un potencial externo, la barrera disminuye en el mismo valor, con lo que resulta: La concentracin de portadores minoritarios crece a medida que aumenta VF. La variacin en la concentracin de huecos en la zona n entre la situacin de equilibro ilib y l la aplicacin li i d de un potencial i l externo ser:

Similarmente para electrones:
La corriente de difusin ser proporcional a la variacin de la concentracin de portadores

A IS se la llama corriente de saturacin, y viene dada por:
A es el rea transversal del dispositivo y Ln, Lp se los denomina Longitud de difusin, que se encuentran en el orden de los 10m La corriente de saturacin tiene valores entre 10-15 y 10-17 [A] IS depende de la temperatura. Se duplica cada 10C En la l juntura j polarizada l i d de d manera directa di se establece bl una circulacin i l i de d corriente de un extremo a otro. En las zonas cercanas a la unin, la corriente est mayormente definida por los portadores minoritarios, mientras que en los extremos son los portadores mayoritarios los que conducen la corriente.
Curva j juntura PP-N

Curva caracterstica: Para P valores l de d VD < 0, 0 la l ID tiende i d a IS Para valores grandes de VD
Diodo
Diferentes tipos p y formatos
Electrosttica
Ley de Gauss: = Densidad de carga elctrica [Coulomb] = Permitividad del medio [F/m] 0 = Permitividad del vaco: 8.85x10-12 [ [F/m] / ] SI = 11.7 0
Ecuacin de Poisson:
Potencial del Si dopado p

Equilibrio difusin-transporte:
Regla g de los 60mV
Electrosttica del Diodo
Observar el ancho de la zona de vaciamiento
Potenciales de contacto
Los potenciales de contacto o potenciales intrnsecos no pueden medirse externamente con un voltmetro.
Curva real Diodo
Efecto Zener
El efecto zener se origina en semiconductores altamente dopados, donde el gran campo g p elctrico presente p en la zona de vaciamiento hace q que los portadores puedan atravesar la barrera de potencial. Por el hecho de estar altamente dopado, el efecto zener se produce con valores bajos de tensin, de entre 2 y 5V Campo elctrico en la juntura: E = V/L En semiconductores muy dopados, dopados el ancho de la zona de vaciamiento es pequeo (L chico) y por ende el campo elctrico a ambos lados es grande.
Efecto Avalancha
El efecto avalancha se presenta con campos elctricos ms intensos en semiconductores de bajo dopaje. Los portadores en movimiento debido a la corriente de saturacin IS son acelerados fuertemente al pasar por la zona de vaciamiento, provocando d colisiones con los tomos circundantes, d y produciendo tambin una nueva liberacin de electrones. Estos ltimos a su vez son acelerados, provocando nuevas colisiones y liberacin de electrones; y as sucesivamente. Este fenmeno se multiplica generando una avalancha d electrones. de l
Caractersticas
La regin de zener se utiliza ampliamente para el diseo de fuentes de alimentacin, debido a lo abrupta que es su curva en esa zona. El efecto zener para altos dopajes tiene como caracterstica principal, presentar un coeficiente de temperatura negativo; es decir que la tensin de ruptura disminuye con el aumento de la p temperatura. El efecto avalancha tiene un coeficiente positivo; es decir que la tensin aumenta con la temperatura. En los diodos zener se presentan los dos principios de f ncionamiento En base al valor de tensin del mismo, funcionamiento. mismo prevalecer un efecto sobre el otro. Existen diodos zener cuya tensin se encuentra alrededor de 6V, y que presentan coeficiente de temperatura nulo. Son los preferidos f id para las l referencias f i de d tensin. i
Resolucin Circuitos con Diodos.
VD=VDD-RID
ID=Is eVD/VTh
eVD/VTh = 492*109 para VD = 0.7V

Solucin grfica g
VD=VDD-RID ID=Is eVD/VTh
Solucin iterativa
Si: VDD = 10V R= 100 Vth=25mV 25mV IS=10-15 A
1) ) Asumimos VD = 0.65V ID=(10-0.65)/100 = 93.5 mA 2) VD=Vth ln (ID/IS) = 0.8042V 3) Recalculamos ID ID=(10-0.8042)/100 = 91.95 mA 4) Recalculamos VD VD=0,8038V 5) .
/ Th ID=Is eVD/V
Modelo Diodo ideal

Cuando VD>0V resistencia cero ( llave ON) Cuando VD0V resistencia infinita (llave OFF)
ID>0 OFF ON
VD<0
VD>0
Modelo simple p Diodo

Cuando VD0.7V resistencia cero ( llave ON) Cuando VD<0.7V <0 7V resistencia infinita (llave OFF
ID>0 OFF ON
VD<0 VD>0
Modelo lineal a tramos

rD = resistencia dinmica del diodo
Para el grfico mostrado rD = 20 VD0 = 0.65V
Modelo de pequea p q seal

Se puede hacer una aproximacin lineal de los parmetros sin cometer un error excesivo, siempre y cuando el apartamiento sea pequeo. Podemos suponer que los parmetros del diodo estn formados por una p de DC + una componente p de componente AC: vD = VD + vd i D = ID + i d
Modelo de p pequea q seal

La ecuacin anterior se puede reescribir: Expandiendo en serie de potencias: Nos quedamos solamente con la parte lineal Esto nos indica que la corriente en pequea seal puede hallarse a partir de una resistencia equivalente
Error del modelo

Para estimar el error cometido al tomar solamente el trmino lineal, incorporamos el trmino cuadrtico tambin (es el ms predominante que sigue) y analizamos la diferencia entre ambos resultados.
Si acotamos el l error mximo i en 10%, el l mximo i d desvo permitido i id para la l tensin vd ser:
Esto nos da un indicio de lo que se denomina pequea seal.
Ejemplo j p 1
Ejemplo j p 2
Hallar la variacin en vo para un corrimiento de VDD en un 10%. Analizar el agregado de RL
Ejemplo j p 3
Cul de los 2 diodos conduce ?
Modelo de Alta Frecuencia

El modelo antes visto puede emplearse solamente con seales de baja que sirva tambin en altas frecuencias es frecuencia. Para obtener un modelo q necesario incluir las capacidades asociadas al diodo. Dentro de la unin P-N se observan dos capacidades que son consecuencia de fenmenos diferentes: diferentes Capacidad de Vaciamiento. Capacidad de Difusin.
Capacidad p de Vaciamiento
El hecho de modificar la tensin aplicada externamente a la juntura pn, , redunda en modula el ancho total de la zona de vaciamiento. Esta variacin, una variacin de la carga y por ende puede asociarse a una capacidad. El valor que toma esta capacidad es:
Esta capacidad tiene mucha implicancia para tensiones inversas. En el caso de polarizacin directa se adopta un valor de VD/B = 0,5
Capacidad p de Difusin
Las variaciones de VD provocan variaciones de carga en la zona de vaciamiento debido a los cambios en la concentracin de d portadores. d Una variacin de Q sobre un lado de la juntura est acompaada del mismo cambio y con signo contrario del otro lado, l d comportndose d como un capacitor
VA = VD
Capacidad p de Difusin
Para mantener la neutralidad elctrica en la zona de vaciamiento: Expresin de la carga de portadores minoritarios que entran en juego ante variaciones de vd: La variacin de carga en la zona de vaciamiento est dada por ambas corrientes de portadores minoritarios. La capacidad asociada ser:
Resolviendo llegamos a:
Modelo de Diodo de AF
Agregando las capacidades recin vistas, el modelo de pequea seal (AC) queda:
C Con polarizacin l i i di directa, l la Cj permanece constante, mientras i que l la Cd crece exponencialmente con VD. Generalmente domina la Cd por sobre la Cj.
Modelo de Diodo Zener

El fabricante publica el par de valores {VZ, IZT}, como as tambin el valor de la resistencia dinmica d (rZ). Se lo modela de manera similar a un diodo. diodo
Ejemplo j p Zener
Calcular las variaciones en VO ante variaciones de V+ y RL.
Rectificador
Rectificador de media onda
Qu ocurre si VS < VD0 ? Q

Rectificador
Rectificador de onda completa con punto medio
Valor medio:
Rectificador
Rectificador puente
Valor medio:
Rectificador
Rectificador media onda con capacitor de filtrado
Situacin ideal: Sin carga conectada al rectificador, el capacitor se cargar al valor pico de la tensin.
Rectificador
Rectificador media onda con capacitor de filtrado
Rectificador
Si consideramos que RC >> T Durante el intervalo de descarga de C, C tendremos: Sobre el final del intervalo de descarga: Usando la aproximacin Si Vr << Vp es vlido: Vr llegamos a:
I LT I L C Cf De esta forma puede calcularse el capacitor en funcin del ripple admitido.
Rectificador
Intervalo de conduccin del diodo: Como t es chico, usamos la aproximacin: Para estimar la corriente media por el diodo, igualamos la carga Q en el capacitor durante el proceso de carga y descarga:
iDav I L IC I L D iDav I L
CVr 2fCVr IL t 2Vr / V p
Vr
IL Cf
2I L I L 1 2V p / Vr 2Vr / V p
Rectificador
Haciendo el mismo anlisis para el rectificador de onda completa, resulta:
Limitadores
Circuitos empleados para limitar el valor de una seal, ya sea en un sentido o en ambos.
H d Hard
Soft
Limitadores
Ejemplos de limitadores bsicos.
Limitadores
Ejemplo:
Despreciando la cada en los diodos:
vo = vt para -5V 5V vt +5V 5V vo = vt /2 2.5V para vt -5V vo = vt /2+ 2.5V para vt +5V
Multiplicador p de tensin
Cargador g de bateras
Fuente regulada g
En base a la tensin VL necesaria, se especifica la tensin del diodo zener. VZ = VL.
VZ VZ RX RL Con RL mxima y RL mnima se debe calcular RX, de forma tal de mantener una corriente mnima por el zener, asegurando un buen punto de trabajo; y por otro lado mantener la disipacin de potencia por debajo del valor nominal nominal. iZ
S
Despreciando RZ :
La regulacin ante variaciones de vS est dada por:
VL
// RL vS RZ // RL RX
Z
Lgica g con diodos

Una de las primeras familias lgicas que existieron fue la DTL, basada en compuertas fabricadas a partir de diodos.
AND
OR
Diodos Especiales p
Existe una serie de diodos con aplicaciones especficas: Varactores o Varicaps. Diodos de juntura metal-semiconductor Schottky. Diodos lumnicos LED ( (Light g Emitting g Diode). ) Fotodiodos. Optoacopladores
Diodo Schottky y
Poseen una juntura Metal-Semiconductor, donde este ltimo se encuentra moderadamente dopado tipo N. p p por la p parte metlica, , mientras q que el ctodo lo El nodo est compuesto forma el semiconductor. La conduccin de corriente en la unin se logra mediante los portadores mayoritarios, en lugar de los minoritarios como en la juntura clsica. No adolece dole e del problema problem de almacenaje lm en je de cargas rg s en la l zona zon de la l unin nin como la juntura clsica; por ese motivo tiene una velocidad de operacin mayor y logra funcionar a altas frecuencias. La cada de tensin se encuentra tpicamente entre 0.2 y 0.4V, comparado con l 0.6 los 0 6 a 0.8V 0 8V en la l juntura j clsica. l i
Diodos LED
Semiconductores Directos e Indirectos Est relacionado con la coincidencia o no de los valores mnimo y g de la banda de conduccin y valencia mximo de los niveles energticos respectivamente. El Si es un material indirecto, por lo cual las propiedades fotoelctricas no son buenas GaAs G As y m materiales teri les similares simil res s lo son
Relacin FotnFotn-Gap
La energa de un fotn viene dada por:
h = Cte Planck = 6.626x10-34 [J.s]
= [m] Eph = [eV]
Diodos LED
Parte de los portadores en la zona de vaciamiento en la juntura P-N se recombinan perdiendo energa durante ese proceso. , la recombinacin resulta mayormente y en calor, , En materiales como el Si, mientras que en otros como el GAAS, la recombinacin produce emisin de fotones. La polarizacin de la juntura es directa para que se produzca el fenmeno de generacin y recombinacin. recombinacin Para que el flujo de fotones generados sea visible, es necesario que: 0.4m < < 0.7m Para esto, , la energa g en juego j g en el proceso p de recombinacin debe estar comprendida entre: 1.77eV < E < 3.1eV El GAAS tiene un Gap de 1.4eV, por lo cual no emite fotones visibles.
Diodos LED
Fotodiodos
Es un dispositivo con una unin P-N, sobre la que se permite el ingreso de luz. La absorcin de luz dentro del diodo permite liberar electrones en la banda de , pasando p a la banda de conduccin. valencia, Los fotodiodos funcionan polarizados en inversa, pues la tasa de generacin ptica de portadores modifica la corriente de fuga IS. En la zona de polarizacin directa funcionan como un diodo clsico.
Fotodiodos
El lmite del mximo viene dado por la separacin (Gap) de las bandas de valencia y conduccin del Silicio en este caso:
GapSI = 1.12eV MAX = 1.1m
El lmite de MIN viene dado por dos r zones diferentes razones diferentes; por un n lado l do se supone para la traza de la curva una densidad de energa constante, por lo cual la tasa de fotones de alta frecuencia en menor. menor Por otro lado la penetracin de fotones de alta frecuencia en menor, por lo cual colisionan ms cerca de la superficie y se vuelven a recombinar.
Optoacopladores p p
Se utilizan para proveer aislacin galvnica entre dos circuitos elctricos diferentes.
Optoacopladores p p

Diodos

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Juntura PP- N

Juntura PP-N en equilibrio q

Juntura PP-N en equilibrio q

Juntura PP-N en equilibrio q

Dividiendo por la concentracin de huecos e integrando:

Juntura PP-N en equilibrio q

Juntura PP-N en p polarizacin inversa

Juntura PP-N en p polarizacin inversa

Juntura PP-N en p polarizacin directa

Juntura PP-N en p polarizacin directa

Juntura PP-N en p polarizacin directa

La corriente de difusin ser proporcional a la variacin de la concentracin de portadores

Juntura PP-N en p polarizacin directa

Juntura PP-N en p polarizacin directa

Curva j juntura PP-N

Diferentes tipos p y formatos

Potencial del Si dopado p

Regla g de los 60mV

Electrosttica del Diodo

Observar el ancho de la zona de vaciamiento

Curva real Diodo

Resolucin Circuitos con Diodos.

eVD/VTh = 492*109 para VD = 0.7V

Modelo Diodo ideal

Modelo simple p Diodo

Modelo lineal a tramos

Para el grfico mostrado rD = 20 VD0 = 0.65V

Modelo de pequea p q seal

Modelo de p pequea q seal

Error del modelo

Esto nos da un indicio de lo que se denomina pequea seal.

Modelo de Alta Frecuencia

Modelo de Diodo Zener

Qu ocurre si VS < VD0 ? Q

I LT I L C Cf De esta forma puede calcularse el capacitor en funcin del ripple admitido.

CVr 2fCVr IL t 2Vr / V p

Despreciando la cada en los diodos:

La regulacin ante variaciones de vS est dada por:

Lgica g con diodos

= [m] Eph = [eV]

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