NIVEL DE FERMI

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**** NDICE ****

Significado estadstico El nivel de Fermi como funcin de concentracin de portadores. El nivel de Fermi intrnseco. El nivel de Fermi en funcin de la concentracin de impurezas y de la temperatura. Bibliografa

El nivel de Fermi o energa de Fermi aparece en la ecuacin de la funcin de distribucin de Fermi-Dirac: 1 f (E ) = E EF 1 + e kT Es dependiente de la concentracin de partculas y de la temperatura. Equivale a lo que sera potencial qumico en Termodinmica. Si analizamos la funcin de Fermi-Dirac cambiando la temperatura: T = 0K: todos los estados posibles por debajo del EF estarn ocupados mientras los que estn por encima del EF estarn vacos. T > 0K: el EF es el punto en el que la posibilidad de ocupacin de estados es 0'5. El nivel de Fermi est muy relacionado con la energa de extraccin de electrones o funcin trabajo.

* Significado estadstico:
Como se dijo, el nivel de Fermi podra ser equivalente al potencial qumico, por lo que todas las propiedades del potencial qumico son trasladables al nivel de Fermi. Una de las propiedades ms importantes que se pueden trasladar es que en un sistema en equilibrio los niveles de Fermi de los subsistemas que lo constituyen son iguales. Por lo tanto un sistema que se encuentre en equilibrio tiene un nivel de Fermi constante, por complicado que sea el sistema. Al hablar de equilibrio nos estamos refiriendo a equilibrio termodinmico, este equilibrio se puede descomponer en dos hechos: equilibrio trmico: aquel que se alcanza despus de un transitorio al poner en contacto dos sistemas con distinta temperatura. Durante este transitorio se producir un intercambio de energa del sistema con mayor temperatura hacia el de menor temperatura. equilibrio dinmico o difusivo: aquel que se alcanza despus de un transitorio al poner en contacto dos sistemas con distinto nivel de Fermi. El sistema con electrones ms energticos cede electrones al otro sistema hasta llegar al equilibrio.

* El nivel de Fermi como funcin de concentracin de portadores:

Podemos obtener la concentracin de electrones(n) y huecos(p) integrando el producto de la funcin densidad de estados y la funcin de distribucin de portadores de la siguiente forma:

n = 4
EC

( )
2 m* dc h2

3 / 2 (E E )1 / 2 dE C
E EF 1+ e kT

p = 4
EV

( )
2 m* dv h2

1 / 2 ( E E )1 / 2 dE V 1+ e
EF E kT

usando y en lugar de la mxima EC y EV respectivamente, dado lo insignificante del valor del nivel de Fermi comparado con ellas. Si racionalizamos estas expresiones respecto kT haciendo el cambio de variables indicado podemos calcular fcilmente la denominada integral de Fermi:
u eF =
EF E kT

; u hF =

EV E F kT

Fa (u F ) =

u a du + 1 exp (u u F 0

siendo sus resultados:

n = M C F1 / 2 (u eF )

p = M V F1/ 2 (u hF )

pudiendo ser usados estos resultados para el clculo de las concentraciones de huecos o electrones conociendo MC o MV que indican la densidad equivalente de estados (nmero de estados por nivel) y usando como factor de ocupacin la integral de Fermi de orden 1/2.

Si la concentracin de huecos o electrones es conocida puedo calcular el nivel de Fermi a partir de las expresiones anteriores. El clculo de F1/2 es complicado hacerlo de forma analtica teniendo que recurrir a procedimientos numricos o grficos, salvo en ciertos casos asintticos, que son los de mayor inters. Casos asintticos: La razn por la cual la cual no es posible solucionar analticamente la integral de Fermi es la forma del denominador, pero, dado el aspecto de la funcin de Fermi, puede ser interesante estudiar uF >> 1 y uF << -1. uF >> 1: Se corresponde con slidos metlicos, puesto que su alta conductividad indica que el nivel de Fermi debe encontrarse dentro de la banda de conduccin y varias veces kT por encima de su mnimo. Por otra parte, la concentracin de electrones libes en metales alcalinos es mucho mayor que la densidad equivalente de estados en la banda de conduccin, por lo que F1/2 ser mucho mayor que uno. En este mismo grupo se puede englobar a los conductores degenerados a temperaturas no excesivamente altas. La aproximacin en este caso consiste en sustituir la funcin de Fermi por la funcin escaln:
f = 1 1 + exp (u u F )

1 si u < u F 0 si u > u F

Con lo que se consigue una aproximacin ms correcta cuanto menor sea la temperatura. Si designamos por c la concentracin de portadores podemos obtener el EF respecto del extremo de la banda: 2/3 m c (cm 3 )

(eV ) = EF

m* 4 '52 10 21

uF << -1: Corresponde a semiconductores y aislantes a baja temperatura (alta en ciertas ocasiones), dado que su baja conductividad indica que el nivel de Fermi debe encontrarse dentro de la banda prohibida. La concentracin de portadores ser inferior a las densidades de estados en las bandas correspondientes y, por lo tanto, la F1/2 ser menor que la unidad. Puede aproximarse:

Fa (u F )

u a e (u F u )du

y de aqu se consigue:

E F = EC kT ln MnC ; E F = EV + kT ln MpV
Por su proceso de deduccin, estas expresiones no son estrictamente aplicables cuando las concentraciones de electrones o huecos son prximas pero inferiores a las densidades equivalentes correspondientes. En tal caso habr que recurrir a mtodos numricos.

* Nivel Fermi intrnseco:

Si nos encontramos con un semiconductor intrnseco (no dopado) al nivel de Fermi se le suele llamar nivel de Fermi intrnseco o nivel intrnseco, siendo este:
Ei = EC + EV kT M V ln + 2 2 MC

El nivel de Fermi intrnseco se encuentra en el centro de la banda prohibida en todo semiconductor a 0K. Esto se sigue cumpliendo a cualquier temperatura siempre que MV = MC. Dado que las masas efectivas de valencia y conduccin (y por lo tanto MC y MV) difieren poco entre s, el nivel intrnseco de Fermi se desviar poco del centro de la banda prohibida.

* El nivel de Fermi en funcin de la concentracin de impurezas y de la temperatura:

Si realizamos un estudio del nivel de Fermi en funcin de la temperatura podemos distinguir cuatro zonas (supondremos un material tipo n y las conclusiones podrn pasarse simtricamente a un material de tipo p): temperaturas bajas: Ms o menos prximas a 0K. A esta temperatura la concentracin intrnseca es nula, todas las impurezas estn no ionizadas y el nivel de Fermi estar por encima del nivel donador ED y por debajo del mnimo de la banda de conduccin. Al aumentar la temperatura aumentar la probabilidad de ionizacin y por tanto n. Al ser un material tipo np crecer lentamente, por lo que la concentracin intrnseca crecer con una rapidez intermedia entre n y p. Por ser semiconductor intrnseco tipo n el EF tender al nivel de las impurezas. Por lo tanto, por temperaturas bajas entendemos todas aquellas para las que el nivel de Fermi se encuentra por encima de ED. Podemos establecer una cota superior para las temperaturas mnimas: TS temperatura umbral de la saturacin de impurezas:

TS =

temperaturas medias: Si la progresin del caso anterior permanece constante, el nivel de Fermi atravesar la posicin del ED para situarse por debajo de l. ND+ tender a ND y el nivel intrnseco acabar indicando la concentracin de huecos, mientras que la temperatura sea suficientemente baja como para que la concentracin intrnseca no alcance a la de las impurezas. El rango de temperaturas intermedias corresponder a un nivel de Fermi situado por debajo del nivel de impureza y por encima del nivel intrnseco, correspondiendo a un semiconductor extrnseco de tipo n. La temperatura mnima de este nivel ser TS (anteriormente calculada) y la superior Ti o temperatura umbral del comportamiento intrnseco: Ti = EG C M V k ln MN 2
D

EC E D C k ln M ND

temperaturas altas: Aquellas en las que la concentracin intrnseca ha crecido lo suficiente como para superar a la concentracin de impurezas. Las impurezas sern menos apreciables y el semiconductor tender a un comportamiento intrnseco, a pesar de estar dopado. El lmite de temperatura inferior ser la Ti anteriormente calculada temperaturas de transicin: TS y Ti no pueden ser tomadas exactamente tal y como se calcularon. Matemticamente habra que obtenerlas como el cruce de las curvas EF con ED y EF con Ei respectivamente. Para un clculo correcto se puede sustituir el EF por los siguientes: para TS: para Ti: E F = E D + kT ln

[ ( 1+ 4
1 2

ND MC

exp

EC E D kT

)]

ND E F = Ei + kT arg sh 2 ni

* Bibliografa: G. L. Araujo, G. Sala, J. M. Ruz; "Fsica de los dispositivos electrnicos, volumen I"; Departamento de Publicaciones E.T.S.I. Telecomunicacin de Madrid. R. F. Pierret; "Fundamentos de semiconductores"; Temas Selectos de Ingeniera, AdissonWesley, 1994.