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Electrónica General

.

EL DIODO

RESUMEN: El presente informe tiene como finalidad dar a conocer los conceptos básicos, tanto teóricos como prácticos a cerca del diodo como un elemento electrónico. Los que utilizamos en esta práctica son diodos de silicio y germanio con los cuales mediante la aplicación de un voltaje a su entrada y conectados en serie con una resistencia, mediremos su voltaje de operación asi como las corrientes que circulan por cada uno de ellos. La fuente de voltaje de entrada será una fuente variable de C.C. la cual la haremos variar desde 0V hasta 10v. Con todos los datos medidos elaboramos la curva característica de cada tipo de diodo, en la cual identificamos sus diferentes etapas a medida de que se incrementa el voltaje de entrada. Adicional a este trabajo practico, nos valdremos de la ayuda de los DATASHEETS de los diferentes tipos y numeración de diodos para aprender a reconocerlos y saber lo que nos indica su respectiva numeración.

PALABRAS CLAVE: Diodo, polarización directa, potencial de barrera, corriente de avalancha.

ABSTRACT: This report aims to present the basic concepts, both theoretical and practical about diode as an electronic element. Which are used in the practice of silicon and germanium diodes with which by applying a voltage to its input and connected in series with a resistor, will measure its operating voltage as well as the currents flowing through each of them. The input voltage source will be a variable DC source which the will range from 0V to 10V. All measured data with elaborate characteristic curve of each type of diode in which different stages identified as that the input voltage increases. In addition to this practical work, we will use the help of the datasheets of different types and numbers of diodes to learn to recognize and know what indicates their respective numbers.

KEY

WORDS:

barrier, inrush.

Diode, direct polarization, potential

1 INTRODUCCIÓN

1.1 GENERALIDADES

Un diodo es un componente electrónico de dos

terminales

que permite la circulación

de

la corriente

eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos

terminales eléctricos.

El

diodo

de

vacío

(que

actualmente ya no se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo de vacío con dos electrodos:

una lámina como ánodo, y un cátodo.

Los más antiguos son los de Germanio con punta de tungsteno o de oro. Su aplicación más importante se encuentra en HF, VHF y UHF. También se utilizan como detectores en los receptores de modulación de frecuencia. Por el tipo de unión que tiene posee una capacidad muy baja, así como una resistencia interna en conducción que produce una tensión máxima de 0,2 a

0,3v.

Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en él para crear una región que contiene portadores de carga negativa (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los electrones), como se ve en la figura 1.1

Electrónica General . EL DIODO RESUMEN: El presente informe tiene como finalidad dar a conocer los

Fig. 1.1. Flujo de corriente en el diodo

1.2 CURVA CARACTERÍSICA

De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua.

Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ). La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor

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con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.

Corriente máxima (Imax ). Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.

Corriente inversa de saturación (Is ). Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.

Corriente superficial de fugas. Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo, esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensión de ruptura (Vr ). Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares electrón- hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a 6 V.

Electrónica General . con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.

Fig. 1.2 Curva característica del diodo

2 OBJETIVOS

2.1 Identificar los diferentes tipos de diodos semiconductores.

2.2

interpretar el código marcado por el fabricante sobre

el cuerpo.

2.3

Extraer y verificar las características técnicas de los

diodos.

3

LIMITACIONES

3.1

Al exceder un voltaje mayor a 50v en polarización

inversa se puede producir la explosión del diodo.

3.2

La fuente debe ser de corriente continua y variable,

caso contrario no visualizaremos ningún cambio en las

 

mediciones.

3.3

la corriente que fluye por el diodo es sumamente

baja, por lo cual deberemos contar con un amperímetro

con una escala adecuada.

4

MATERIALES Y EQUIPOS

Diodos (Si y Ge) Resistencia 1k Fuente de CC variable Cables de conexión Amperímetro Voltímetro Protoboard

5

DESARROLLO

  • 5.1 Medición de datos

Debemos conectar el circuito mostrado en la figura 5.1, para esto utilizamos el diodo de Si y luego el de Ge.

Electrónica General . con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.

Fig. 5.1 Circuito principal

Ajustamos

la

fuente

a

0v

y

medimos

corriente en la R1 y en D1.

la

tensión

y

A continuación comenzamos a incrementar el voltaje de la fuente según sea de nuestra conveniencia, en este caso se lo ha hecho de voltio en voltio hasta llegar a un máximo de 10v.

Los datos que han arrojado nuestras mediciones durante este proceso se ven reflejados en la tabla 1.

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Ahora debemos sustituir el diodo de silicio por el de germanio y realizar el mismo procedimiento. Estos datos están expresados en la tabla 2.

5.2 Grafica a partir de los datos

Con los datos obtenidos en la práctica procedemos a realizar la curva característica de los diodos de silicio y germanio, representados en la figura 5.2 a) y b), respectivamente.

Figura 5.2 Curvas Características

Electrónica General . Ahora debemos sustituir el diodo de silicio por el de germanio y realizar

a)

Electrónica General . Ahora debemos sustituir el diodo de silicio por el de germanio y realizar

b)

6 CONCLUSIONES

Identificamos los diferentes

tipos

de

diodos

semiconductores existentes en el mercado local.

Realizamos las mediciones correspondientes de voltaje y corriente en cada diodo asi como en la resistencia mediante la utilización de un multímetro.

Realizamos la gráfica de la curva característica de cada tipo de diodo (Si y Ge) a partir de los valor medidos. Se puede decir q a mayor voltaje que se aplique a la fuente la corriente en el diodo se va a ir incrementando, de acuerdo a las características del mismo será ecesario mas o menos voltaje en la fuente para producir la caída max de voltaje que sería de 0.7 o 0.3 para el Si y Ge respectivamente.

  • 7 TABLAS Y FIGURAS

Tabla 1. Diodo de Si

E(variab

ID(m

IR(m

le) V

VD

A)

VR

A)

0

0

0

0

0

 

0,52 0,124 0,465 0,124

1

6

4

9

4

 

0,61 0,336

 

0,336

2

3

4

1,38

4

 

0,64 0,583

 

0,583

3

1

1

2,436

1

 

0,65 0,658

 

0,658

4

6

3

3,414

3

 

0,67

6

1

5

5,372

5

 

0,70

10

1

9

9,37

9

Tabla 2. Diodo de Ge

 

E(varia

ID(m

IR(m

ble) V

VD

A)

VR

A)

  • 0 0

0

0

0

 

0,465

  • 1 0,182

0,248 0,182

9

 

0,417

0,417

  • 2 1,38

0,27

2

2

 

0,644

0,644

  • 3 2,436

0,284

2

2

 

0,718

0,718

  • 4 3,414

0,292

2

2

  • 6 0,304 0,82 5,372 0,82

10

0,32

9

9,37

9

Electrónica General . Ahora debemos sustituir el diodo de silicio por el de germanio y realizar
  • 8 BIBLIOGRAFIA

Anónimo(2005).El diodo. España. Electrónica Fácil. Recuperado de:

Electrónica General

.

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Funcionamiento-

del-diodo.php

Casanova R.(2007). Semiconductores. México.Monografias.com. Recuperado de:

http://www.monografias.com/trabajos16/el-diodo/el-

diodo.shtml

Segovia A.(2012). Diodo. Barcelona. Wikipedia. Recuperado de: http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo