INTRODUCCIN.

CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION (BJT). El transistor es un dispositivo que ha originado una evolucin en el campo electrnico. En el ao 1947 la industria de la electrnica experiment la llegada de un campo completamente nuevo en el inters y en el desarrollo al demostrarse la accin amplificadora del primer transistor en los laboratorios Bell Telephone (USA). Las ventajas de este dispositivo de estado slido de tres terminales se manifestaron de inmediato: su pequeo tamao, ligero peso, no requerir de calentamiento o disipacin de calor lo que ofrece una disponibilidad inmediata de uso, su construccin resistente, su eficacia debido a que absorbe poca potencia y su capacidad de conseguir menores voltajes de operacin. El impacto del transistor en la electrnica ha sido enorme, pues adems de iniciar la industria multimillonaria de los semiconductores, ha sido el precursor de otros inventos como son los circuitos integrados, los dispositivos optoelectrnicos y los microprocesadores. Actualmente, casi todo equipo electrnico utiliza dispositivos semiconductores. Los cambios han sido ms notables en la industria de las computadoras. Un transistor puede considerarse formado por dos diodos semiconductores con una zona comn. En un transistor existen, por consiguiente, tres terminales. La zona comn se denomina base y las dos zonas exteriores en contacto con la base son el emisor y el colector. Para que el transistor funcione correctamente, la unin correspondiente al diodo emisor-base debe polarizarse en sentido directo, mientras que la unin correspondiente al colector-base ha de estar polarizada en sentido inverso. Si se conecta nicamente el circuito emisor-base con polarizacin directa, se establece una circulacin elctrica desde el emisor a la base a travs de la unin. Desconectando la alimentacin en el circuito emisor-base y comunicando el conector-base con polarizacin en sentido inverso se establecer una corriente entre el emisor y el colector. Dicha corriente est determinada por la tensin positiva del emisor y la negativa del colector, siempre con relacin a la base. La caracterstica del transistor en virtud de la cual, al vaciar la tensin del emisor, se pueden obtener variaciones en la corriente del colector, comporta que pueda comparrsele con una vlvula termoinica. El emisor, la base y el colector del transistor pueden identificarse con el ctodo, rejilla y nodo de trodo, respectivamente. El factor de amplificacin de corriente de un transistor es la relacin entre la corriente de colector y la del emisor. El transistor puede ser de tipo bipolar o de tipo unipolar. En este tema se introducen las principales caractersticas bsicas del transistor bipolar y se estudian los modelos bsicos de estos dispositivos y su utilizacin en el anlisis los circuitos de polarizacin.

TRANSISTOR.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de ya sea de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se le denomina transistor npn mientras que al segundo transistor pnp. El transistor cumple funciones de amplificador, oscilador y rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas que forman dos uniones bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta, y la base que est intercalada entre las dos primeras y modula el paso de dichos portadores. El flujo de electrones se da mayoritariamente de emisor a colector. El transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo. En el campo de operacin del transistor, la magnitud de la corriente de base tpicamente se encuentra en el orden de microamperios mientras que las corrientes del emisor y del colector se encuentran en el orden de los miliamperios. La corriente del emisor es la suma de la corriente del colector y de la base (I E = IC + IB). La notacin es la siguiente:

Figura 1. Representacin del transistor tipo npn.

Las flechas en la figura 1 definen la direccin de las corrientes a travs del dispositivo. La principal diferencia visual en este tipo de representacin entre un transistor npn y un transistor pnp es la direccin de la flecha entre emisor y base (base emisor = npn, mientras que base emisor = pnp).

El transistor posee tres alternativas de configuracin: a) Configuracin de base comn.

La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra. Las direcciones de corriente se refieren a la convencional (flujo de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones.

Figura 2. Notacin y smbolos en la configuracin de base comn.

Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada de base comn como se muestra en la figura 2 relacionar una corriente de entrada (I E) con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

Figura 3. Caractersticas del punto de excitacin para un transistor de base comn.

El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (I C) con un voltaje de salida V CB para diversos niveles de corriente de entrada (I E), como se ilustra en la figura 3. El conjunto de caractersticas de salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters, como se indican en la figura 4: las regiones Activa, de Corte y de Saturacin. La regin activa es la regin empleada normalmente para amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: en la regin activa la unin colector-base est inversamente polarizada, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada en forma directa. La regin activa se define por los arreglos de polarizacin de la figura 2. En el extremo ms bajo de la regin activa la corriente de emisor (I E) es cero, la corriente de colector es simplemente la debida a la corriente inversa de saturacin I CO, como se indica en la figura 4. La

corriente ICO es tan pequea (del orden de microamperios) en magnitud comparada con la escala vertical de IC (del orden de los miliamperios), que aparece virtualmente sobre la misma lnea horizontal que IC = 0.

Figura 4. Caractersticas de salida del colector para un amplificador de base comn.

Ntese en la figura 4, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud esencialmente igual a la corriente del emisor determinada por las relaciones bsicas del transistor-corriente. Advirtase tambin el efecto de V CB sobre la corriente del colector para la regin activa. Las curvas indican claramente que una primera aproximacin a la relacin entre IE e IC en la regin activa es: IC IE. La regin de corte se define como aquella regin donde la corriente de colector es de 0 amperios. En la regin de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un transistor estn inversamente polarizadas. La regin de saturacin se define como la regin de las caractersticas a la izquierda de VCB = 0 V. Ntese en la figura 4 el incremento exponencial en la corriente de colector a medida que el voltaje VCB se incrementa ms all de los 0 V. En la regin de saturacin las uniones colector-base y base-emisor estn polarizadas directamente. Las caractersticas de entrada de la figura 3 muestran que para valores fijos de voltaje de colector (VCB), a medida que el voltaje de base a emisor aumenta, la corriente de emisor se incrementa de una manera que se asemeja mucho a las caractersticas del diodo. De hecho, los niveles de aumento de VCB tienen un efecto tan insignificante sobre las caractersticas que, como una primera aproximacin, la variacin debida a los cambios en V CB puede ignorarse y se dibujan las caractersticas como se ilustra en la figura 5.

Figura 5. Modelo del diodo Base-Emisor.

Una vez que el transistor est en el estado "encendido" o de conduccin, se supondr que el voltaje de base a emisor ser el siguiente: V BE = 0.7 V. En el modo de CD los niveles de I C e IE debidos a los portadores mayoritarios estn relacionados por una cantidad denominada alfa y que se define por medio de la siguiente ecuacin: CD = IC / IE. Donde IC e IE son los niveles de corriente al punto de operacin. Aun cuando las caractersticas de la figura 4 parecen sugerir que = 1, para dispositivos prcticos el nivel de alfa se extiende tpicamente de 0.90 a 0.998, aproximndose la mayor parte al extremo superior del intervalo. Ya que alfa se define nicamente por los portadores mayoritarios, la ecuacin se convierte en I C = IE + ICBO. Esta ecuacin especifica que un cambio relativamente pequeo en la corriente de colector se divide por el cambio correspondiente en IE manteniendo constante el voltaje colector a base. Para la mayora de las situaciones las magnitudes de CA y de CD se encuentran bastante cercanas, permitiendo usar la magnitud de una por otra. La polarizacin adecuada de la base comn puede determinarse rpidamente empleando la aproximacin IC IE y suponiendo que IB = 0 A.

b)

Configuracin emisor comn.

Figura 6. Smbolo y notacin del transistor NPN en configuracin de emisor comn.

Se denomina configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales de entrada como a las de salida. Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin de corriente convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de corrientes desarrolladas antes para la configuracin de base comn. De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector. En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una grfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la corriente de entrada (IB).

Figura 7. Caractersticas de salida de un transistor en la configuracin de emisor comn.

La regin activa en la configuracin de emisor comn es aquella parte del cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la regin en la que las curvas correspondientes a IB son casi lneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. En la figura 7 esta regin se localiza a la derecha de la lnea sombreada vertical en V CEsat por encima de la curva para IB igual a cero. La regin a la izquierda de V CEsat se denomina regin de saturacin. En la regin activa de un amplificador emisor comn la unin colector-base est polarizada inversamente, en tanto que la unin base-emisor est polarizada directamente. La regin de corte en la configuracin de emisor comn no est tan bien definida como en la configuracin de base comn. En las caractersticas de colector I C no es igual a cero cuando IB = 0. En la configuracin de base comn, cuando la corriente de entrada I E = 0, la corriente de colector fue slo igual a la corriente de saturacin inversa I CO, por lo que la curva IE = 0. Las caractersticas de la entrada son una grfica de la corriente de entrada (I B) versus el voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores del voltaje de salida (VCE).

Figura 8. Caractersticas de entrada de un transistor en la configuracin de emisor comn.

Tomando en consideracin lo anterior se tiene:

Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin) el corte para la configuracin de emisor comn se determinar mediante IC = ICEO. Para la configuracin de base comn que el conjunto de caractersticas de entrada se aproxim por una lnea recta equivalente que result en V BE = 0.7 V para cualquier nivel de I E mayor de 0 mA. Para la configuracin de emisor comn puede tomarse la misma aproximacin. En el modo de CD los niveles de I C e IB se relacionan por una cantidad denominada beta y definida por la siguiente ecuacin: CD = I C / IB. El nombre formal para la CA es factor de amplificacin de corriente directa de emisor comn.

Aunque no son exactamente iguales, los niveles de CA y de CD estn por lo general razonablemente cercanos y con frecuencia se utilizan en forma intercambiable. Se puede desarrollar una relacin entre y empleando las relaciones bsicas presentadas con anterioridad de modo que

Beta es un parmetro particularmente importante porque proporciona un enlace directo entre niveles de corriente de los circuitos de entrada y salida para una configuracin de emisor comn. Adems est presente en IC IB y IC = ( + 1) IB.

c)

Configuracin colector comn.

La configuracin colector comn se utiliza principalmente para propsito de acoplamiento de impedancias, ya que cuenta con una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, de forma contraria a las impedancias de las configuraciones de base comn y a las de emisor comn. Caracterizado por: a) No requiere trabajar en el rea de saturacin para un amplificador.

b) No se quiere trabajar a una corriente menor que la requerida ya que ocasiona seal con ruido. c) Nivel mximo de disipacin se define por Pcmax = VCEIC.

TRANSISTOR BJT.
El transistor de unin bipolar, o BJT (del ingls Bipolar Junction Transistor), se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores. Es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) una cantidad mayor a sta, en un factor () que se llama amplificacin y que es un dato propio de cada transistor. El nivel de operacin de DC de un transistor es controlado por diversos factores, que incluyen al rango de posibles puntos de operacin sobre las caractersticas del dispositivo. No obstante, existe una similitud comn entre el anlisis de cada configuracin debido a la recurrente utilizacin de las siguientes relaciones bsicas para un transistor y que son muy importantes: VBE = 0.7 V. IE = ( + 1) IB IC. IC = IB. Para los amplificadores a transistor, la corriente de DC y el voltaje resultantes establecen un puto de operacin sobre las caractersticas que define la regin que ser empleada para la amplificacin. Debido a que el punto de operacin es un punto fijo sobre de las caractersticas, se le denomina tambin como punto de reposo. El circuito de polarizacin puede disearse para establecer la operacin del dispositivo dentro de la regin activa, si bien el BJT puede encontrarse polarizado para operar fuera de estos lmites, el resultado sera el recorte de la vida til del dispositivo. Existe otro factor de polarizacin muy importante que debe ser considerado. Una vez que se seleccion y se polariz el BJT en un punto de operacin, el efecto de la temperatura causa que los parmetros del dispositivo, como la ganancia de corriente del transistor, se modifiquen.

El transistor BJT posee diferentes alternativas de polarizacin: a) Circuito de polarizacin fija.

Vcc

RB Vi B

RC C

Vo

Figura 9. Circuito de polarizacin fija.

Donde: Vi = seal de entrada, VO = seal de salida. B = base, E = emisor y C = colector. RB = resistencia de base y RC = resistencia de colector.

Considerando principalmente la malla del circuito baseemisor y al resolver la ecuacin de voltaje de Kirchhoff se obtiene el siguiente resultado: IB = (VCC VBE) / RB. De la malla colectoremisor se obtiene: IC = *IB. VCE = VCC IC * RC. VCE = VC. VBE = VB = 0.7 V. ICsat = VCC / RC.

b)

Circuito de polarizacin estabilizado en emisor.

Vcc

RB Vi B

RC C

Vo

E RE

Figura 10. Circuito de polarizacin estabilizado en emisor. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en la malla baseemisor se obtiene el siguiente resultado: IB = (VCC VBE) / (+1)*(RE+RB). De la malla emisorcolector se obtienen los siguientes resultados: IC = (VCC VCE) / (RE + RC). VCE = VCC IC (RC + RE). VC = VCE + VE. VE = IE * RE VE = IC * RC.

 VC = VCC IC * RC. VB = VCC IB * RB. ICsat = VCC / (RC + RE). c) Circuito de polarizacin por divisin de voltaje.
Vcc

R1 Vi B

RC C

Vo

E R2 RE

Figura 11. Circuito de polarizacin por divisin de voltaje.

Se tienen dos herramientas para el anlisis de la polarizacin por divisin de voltaje, el anlisis exacto y el anlisis aproximado. En el anlisis exacto por medio de Thevenin se encuentra una R equiv: R1 en paralelo con R2, y como es visible en el circuito tomando R E como la resistencia de carga (salida), el voltaje de Thevenin = VR2. La resistencia reflejada entre la base y el emisor se define como (+1) R E. Con lo anterior se obtiene: IB = (VTH VBE) / (RTH + (+1) RE). VTH = (R2VCC) / (R1+R2). VCE = VCC IC (RC+RE). Una vez que se obtiene IB los resultados para las cantidades restantes pueden averiguarse de la misma forma empleada en la polarizacin estabilizada en emisor. En el anlisis aproximado R 1 y R2 estn consideradas en serie y el voltaje en R 2 es el voltaje en la base. La condicin para aplicar este mtodo es que R E 10R2. Se obtienen los siguientes resultados: VB = (R2VCC) / (R1+R2). VE = VB VBE. IE = VE/RE IC = IE. VCE = VCC IC (RC+RE).