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Revue des Energies Renouvelables Vol.

13 N2 (2010) 199 212

Deux nouvelles mthodes complmentaires pour lextraction optimale des paramtres lectriques des jonctions
A. Malaoui1* et A. Elmansouri2
1

Laboratoire de Physique de Solide et Couches Minces, Facult des Sciences Semlalia, Universit Cadi Ayyad, Marrakech, Maroc.

Laboratoire de Gnie Industriel, Facult Polydisciplinaire, Universit Sultan Moulay Slimane, Bni Mellal, Maroc

(reu le 07 Fvrier 2010 accept le 25 Juin 2010)

Rsum - Dans ce papier, deux nouvelles mthodes sont dveloppes afin dextraire les paramtres lectriques I0, Rs, Rsh et , du modle une exponentielle dune jonction. La premire est base sur la comparaison et lgalisation du modle analytique dune diode, et un modle polynomial quivalent. Les drives des deux modles, lorigine des tensions, permettent de gnrer un systme dquations qui exprime les paramtres lectriques en fonction des coefficients du modle polynomial. La deuxime mthode dveloppe, est articule sur lalgorithme de Levenberg Marquardt, en utilisant une approche de la dtermination et la pondration de la matrice Hessienne, partir du modle exponentiel. Les deux mthodes sont testes, laide des programmes dvelopps avec Matlab, sur deux bases de mesures I-V, ralises par une diode de Schottky. Des comparaisons, de ces deux approches proposes, ont t effectues la mthode numrique de Newton-Raphson et une autre graphique. Les rsultats obtenus sont discuts sur le plan de la rapidit, la prcision et lordre des erreurs statistiques dfinis. Ils montrent les limites de lutilisation de ces deux approches et lintrt quelles prsentent. Abstract - In this paper, two new methods are developed to extract the electrical parameters I0, Rs, Rsh and , of an exponential model of a junction. The first is based on comparing the analytical model of a diode, and a polynomial model equivalent. The derivatives of the two models at v = 0, can generate a system of equations that expresses the electrical parameters in the coefficients of the polynomial model. The second method developed is articulated on the Levenberg Marquardt algorithm, using an approach to identifying and weighting of the Hessian matrix. Both methods are tested, using programs developed with Matlab, on two bases I-V measurements, by a Schottky diode. Comparisons of these two proposed approaches have been made with a graphical method and the Newton-Raphson. The search results were discussed in terms of speed, precision and order of statistical errors defined. They show a great interest to use these two approaches. Mots cls: Paramtres lectriques dune diode - Caractristique I-V - Algorithme de Levenberg Marquadt - Modle polynomial - Mthode numrique.

1. INTRODUCTION
Les composants lectroniques base des jonctions, telles que les cellules photovoltaques, les capteurs semi-conducteurs, les plaques effet thermolectriques, les diodes de Schottky et autres, connaissent une grande focalisation scientifique et technique dans les dernires annes, car elles prsentent un grand intrt conomique, nergtique et environnemental.
*

a.malaoui@ucam.ac.ma ; a.elmansouri@ucam.ac.ma 199

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A. Malaoui et al.

Le fonctionnement de ces composantes est dcrit gnralement par la caractristique I = f ( V ) qui permet de donner des informations sur les mcanismes du transport lectrique interne et sur les imperfections des tapes technologiques de ses fabrications [1, 2]. Cette caractristique dpend de plusieurs paramtres lectriques, tels que la rsistance srie R s , la rsistance shunt R sh , le courant de saturation I 0 et le facteur didalit [3, 4]. La connaissance, avec prcision, de ces paramtres, permet de comprendre et dexpliquer certains phnomnes lectriques dans ces jonctions [5-7]. Elle nous aide, galement, concevoir des dispositifs rpondants des spcifications bien dtermines, au niveau de la fiabilit, le rendement, la consommation et autres [8]. Parmi les dfis rencontrs dans ce domaine, la dtermination avec une grande prcision, de ces paramtres doit tre effectue. Plusieurs mthodes graphiques, analytiques et numriques ont t utilises pour extraire et optimiser ces derniers [9-11]. Chacune de ces mthodes, prsente des inconvnients, soit au niveau de la complexit de lutilisation et la prcision, soit au niveau de la convergence et la rapidit [12]. Dans le prsent travail, deux nouvelles approches sont prsentes pour contribuer lamlioration dune solution optimale de ces dfis. La premire est une nouvelle technique numrique, base sur la comparaison dun modle analytique existant avec un autre modle polynomial quivalent. La deuxime mthode sarticle sur le dveloppement dun algorithme utilisant les itrations de Levenberg Marquardt (LM) [13]. Les deux mthodes sont testes sur une diode de Schottky laide de Matlab.

2. MODELISATION DE BASE
Dans la littrature, plusieurs modles dcrivent les chantillons semi-conducteurs, en particulier les diodes [14]. Le modle analytique le plus simple est celui dune jonction idale, son modle est donn par lexpression suivante:
v I = I 0 exp V T 1

(1)

Avec v , la tension de polarisation de la jonction, VT = k T q 26 V la temprature ambiante, q a charge dlectron, k la constante de Boltzman, T est la temprature absolue, le facteur didalit ou de qualit, il prend la valeur 1 sil sagit dun mcanisme de diffusion et la valeur 2 pour un mcanisme de recombinaison [15]. Une valeur intermdiaire de , indique que les deux sont comparables, et une valeur suprieure 2 indique la prsence dautres mcanismes de transport du courant dans la jonction [16]. I 0 est le courant de saturation de la jonction donn par lquation suivante [17]:
B I 0 = A A* T 2 exp V T

(2)

Avec A la surface de contact de la jonction, A * la constante de Richardson, qui dpend de ma masse effective et B la hauteur de la barrire de potentiel.

Deux nouvelles mthodes complmentaires pour lextraction optimale des

201

Dautres modles reprsentent mieux ltat lectrique de la jonction. Il sagit des modles, comme ceux dune seule exponentielle (3) et ceux deux exponentielles (4), ses caractristiques courant-tension sont donnes par [18, 19]:
v I R s v I R V s T 1 + I = I0 e R sh v I R s v I R s v I R V V s T T 1 + I 0r . e 1 + I = I 0d . e R sh

(3)

(4)

R s est la rsistance srie, due la rsistance du contact ohmique mtal semi-

conducteur, R sh est la rsistance shunt qui correspond la prsence dun courant de fuite dans la diode, Iod et I or sont respectivement le courant de diffusion et le courant de recombinaison. Les cellules solaires peuvent tre reprsentes, galement, par le modle deux diodes [20-22], ou par celui dune seule diode [23-25]:
V + I R s V + I R V s T 1 I od = I ph I d I p = Is . e R sh

(5)

I ph , I d , I p et Is sont respectivement le photocourant, le courant diode, le courant shunt et le courant de saturation.

3. METHODES PROPOSEES
Lextraction des paramtres lectriques des jonctions est effectue par nombreuses faons. Les mthodes les plus utilises sont: la mthode danalyse graphique [26], la mthode du gradient [27], la mthode de Newton [28], la mthode quasi-Newton [29], la mthode de Newton-Raphson [30] et celle de Levenberg Marquardt [13]. Par la suite, nous traitons les deux mthodes proposes: 3.1 Premire mthode- Mthode polynomiale Cest une technique base sur la comparaison et lgalisation du modle exponentiel du courant dune diode {quation (3)}, et un modle polynomial quivalent {quation (6)}. Lgalit de ces deux modles, lorigine des tensions ( v = 0 ), permet de dexprimer les paramtres lectriques en fonction des coefficients du modle polynomial ( a n ). Cette technique se droule en deux tapes: ~ - Ltape 1, consiste utiliser un courant estimateur polynomial I ( v ) pour rsoudre le problme du courant implicite de lquation (3), tel que:

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A. Malaoui et al.

~ I (v) =

i =0

a i . vi = a 0 + a1 . v + a 2 . v2 + a 3 . v3 +
i = n +1

+ a n . v n Err ( v )

(6)

Avec

Err ( v ) =

a i . vi
~

Cet estimateur doit vrifier lquation (3) tel que:


v I .R s v~ I .Rs ~ T i 1 + I (v) = a i . v = I0 . e R sh i=0

(7)

Il utilise le fait que les drives lorigine, sont proportionnelles aux coefficients ~ ( a n ) de lestimateur I ( v ) , tel que:
~ ~ ~ ~ ~ dI d2 I d3 I dn I I ( 0 ) = a0 , ( 0 ) = a1 , ( 0 ) = 2.a2 , ( 0 ) = 6.a3 , ( 0 ) = n!. a n dv d2 v d3 v dn v

(8)

Le choix de cet estimateur polynomial vient du fait quil est infiniment drivable, et que lerreur et ses drives dordre (n), sont nulles lorigine, comme suivant:
Err ( v ) =

i = n +1

a i . vi
v=0

=0

et

d n Err ( v ) dn v
v=0

=0

(9)

De plus, les coefficients ( a n ) sont facilement estimer (fonction polyfit de Matlab par exemple) [31].

- Ltape 2, permet de combiner les deux modles (3) et (6), en utilisant les drives ~ du courant estimateur I ( v) par rapport v. La drive jusqu lordre 3, suffit de
dterminer un systme de 4 quations avec les 4 inconnus ( R s , R sh , I 0 et ). Les notations suivantes, seront utilises par la suite, pour indiquer les trois drives ~ ~ ~ d I ( v ) ~ d 2 I ( v ) ~ d3 I ( v ) ~ par rapport v: = I'', = I ' ' ' . On obtient le systme = I' , dv d2 v d3 v suivant:
v Rs .I Rs ~ v Rs .I , k = . VT I . 1 + 1 + R = I 0 . exp k R sh sh v Rs .~ I Rs I0 ~ ~ 1 + = + I '. 1 . ( 1 R . I ' ) . exp s R k R k sh sh

(10)

(11)

Deux nouvelles mthodes complmentaires pour lextraction optimale des 203 v Rs .~ I Rs 1 I0 ~ ~ ~ 2 + = + (12) I ' '. 1 ( R . I ' ' ) . ( 1 R . I ' ) . exp s s k R sh k k
Rs ~ k 2 . I ' ' '. 1 + R sh ~ 3 ~ ~ = I 0 . k ( 1 R s . I ' ) + I0 . k . R s I ' ' ' I 0 . R s . I ' ' . ( 1 R s . a1 ) (13) v Rs .~ I ~ 2 . I 0 . k . R s . ( 1 R s . I ' ) ] . exp k

A lorigine des tensions ( v = 0 ), et en tenant compte des quations (8), on obtient:


a0 R a .R . 1+ s + 1 = exp 0 s I0 R sh k a0 R I0 1 a0 .Rs . 1 + s = R + k ( 1 R s . a1 ) exp k I0 R sh sh Rs 2 a 2 . 1+ R sh 2 a 2 . R s . I0 I0 a0 .Rs 2 exp k = k (1 R s . a 0 ) k

(14)

(15)

(16)

Rs 3 6 a 3 k 2 . 1+ R = I0 . k (1 R s .a1 ) 6 a 3 I0 R s 2 a 2 . R s . I0 (1 R s .a1 ) sh a .R 2 I0 k R s . (1 R s .a1 )] exp 0 s k

(17)

La rsolution numrique de ce systme non linaire est faisable par plusieurs mthodes (par exemple par la fonction fsovle de Matlab). Des approximations pourront tre effectues pour simplifier ce systme, selon la nature de la caractristique I-V de chaque jonction, ce qui permet une solution analytique de ce systme.
3.2 Deuxime mthode- Mthode LM Elle utilise un algorithme dvelopp base des itrations de Levenberg Marquardt (LM), pour estimer, dune manire optimale les paramtres lectriques R s , R sh , I 0 et .

Cet algorithme dvelopp est le suivant: 1- Dbut 2- Mesure de I ( v ) 3- Valeurs initiales de R s0 , R sh 0 , I 00 , 0 , epsilon, . I(v) = I 4- Calcul de
calcul

I(v) I(v) 5- Calcul de lerreur Er1 =

6- Calcul des drives de I ( v ) par rapport R s , R sh , I 0 et et calcul du jacoben J

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7- Calcul des nouveaux paramtres R s , R sh , I 0 et I(v) I(v) 8- Calcul la nouvelle erreur Er2 = et calcul de lerreur: Erreur = abs ( Er1 Er2 ) 9- Si Erreur < epsilon alors aller 15 I ( v ) et tester si I > I 10- Calcul de
j +1 j

alors remplacer par *10 et aller 15 11- Calcul de la nouvelle matrice Jacobenne J et la matrice Hessienne H 12- Calcul des nouveaux paramtres R s , R sh , I 0 et 13- Calcul de la nouvelle Erreur et du nombre ditrations j 14- Retour ltape 9 15- Affichage des valeurs des paramtres R s , R sh , I 0 et et les indicateurs statistiques. 16- Traage des courbes I V 17- Fin La modification des paramtres se fait selon la relation:
P j = P j 1 H j 1 + j 1 . I 1 J j 1

(18)

Avec P , Erreur ! Des objets ne peuvent pas tre crs partir des codes de champs de mise en forme. et H sont respectivement le vecteur des paramtres lectriques estimer, le Jacoben et le Hessien. Le pas ditrations est ( 1 / j1 ). Le calcul de la matrice jacobenne est bas sur les drives de lquation (3) par rapport aux paramtres lectriques R s , R sh , I 0 et , comme suivant:
1 I + 0 . e dd I ( v ) . R k I(v) sh = Rs I 0 . R s dd Rs 1+ + .e R sh k
I(v) = R sh
2 R sh R I .R 1 + s + 0 s . e dd R sh k

(19)

v I.Rs

(20)

v I . R s dd I0 . .e 2 I(v) k = I 0 . R s dd k 1+ .e k
I(v) = I0 e dd 1 I .R 1 + 0 s . e dd k

(21)

(22)

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Avec :

dd =

Rs .a0 . k

4. RESULTATS ET DISCUSSIONS
Pour valider les mthodes proposes, plusieurs tests ont t effectus sur une diode de Schottky ITO/POT/Al base de poly(o-toluidine), dpose avec la technique de spincoating, par notre quipe de recherche [32]. Des bases de donnes mesures I-V ont t utilises dans cette tude, pour tester et valider les approches proposes. Ces mesures ont t prises par un dispositif lectronique automatis, que nous avons conu et ralis [33]. Les valeurs I-V obtenues sont filtres par une technique de contrle de qualit [34]. Une premire base est constitue de 38 mesures et une deuxime de 179 mesures. Une comparaison, des techniques proposes, est effectue avec une mthode graphique [26], et de la technique numrique de Newton-Raphson [30]. Les valeurs obtenues sont compares par les erreurs statistiques suivantes: lcarttype (SD), la racine carre de la moyenne normalise (NRMSE), lerreur moyenne systmatique normalise (NMBE), le t-statistique, dfinis par les relations suivantes [35] :
N 1 Ij Ij N N j =1 2 1 Ij Ij et NRMSE = N N 1 1 j =1 Ij N

SD =

(
N

1/ 2 2

(23), (24)

j =1

NMBE =

1 N

( I j I j )
j =1

1 N

Ij
j =1

et t =

( N 1 ) MBE 2 ( RMSE 2 MBE 2 )

(25), (26)

O MBE et RMSE dfinies par:


N 1 RMSE = . Ij Ij N j =1

1/ 2

et MBE =

1 . N

( I j I j )
j =1

(27), (28)

I j , I j sont respectivement, la valeur du courant estim et celui mesur, Avec


litration j, et N est le nombre de mesures. Les tests sont effectus sur la base de mesures I-V, constitue de 38 points mesurs, allant de (5 A ; 28,35 mV) (243,36 A ; 529,07 mV), comme indiqu sur la figure 1. Pour voir linfluence du degr (n) du polynme fit sur les rsultats de la mthode polynomiale, 5 valeurs du degr n sont prises.

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A. Malaoui et al.

Les valeurs des coefficients (an) trouves {quations (14-17)}, sont prsentes dans le Tableau 1. Les valeurs des paramtres lectriques trouves par cette mthode polynomiale, sont regroupes sur le Tableau 2.
Tableau 1: Valeurs des coefficients (an) calcules par le fit polynomial
Degr (n)

n =3
-3,33734383 2,72068742 -3,49741595 1,38232320

n =4
-4,04688255 2,92706956 -5,06983556 1,81562207

n =6
-6,97598653 5,21332038 -54,3162229 43,3978432

n =9
-5,87958807 5,74080617 -104,532749 152,833798

n = 11
-13,3888497 14,9809205 -529,742485 1136,23084

a 0 (10 ) a1 (10 ) a 2 (10-4) a 3 (10-3)


-4

-6

Tableau 2: Rsultats trouvs par la mthode polynomiale, pour la base de petite taille Degr ( n )
R s () R sh (k) I 0 (A) n =3 n =4 n =6 n =9 n = 11

Moyenne

35,80 06,59 19,19 06,00

35,78 06,59 14,01 06,00

33,96 06,59 16,98 06,00

34,48 06,60 18,07 05,99

34,80 06,60 16,57 05,98

34,964 06,594 16,96 05,994

Il est clair de ce tableau, que les valeurs des paramtres R s , R sh , I 0 et , obtenues par cette premire mthode, fluctuent en fonction des coefficients ( a n ) du fit polynomial. En effet, lerreur sur la rsistance srie R s est de lordre de 1,84 , ce qui est quivalent une erreur relative de lordre de 5,26 %. Aussi, lerreur sur la rsistance de shunt R sh est de 10 , ce qui correspond une erreur relative de 0,15 %. Une fluctuation importante, de 5,18 A est observe sur le courant de saturation, qui reprsente une erreur relative de 30,5 %. Par contre, une trs faible erreur relative, de lordre de 0,33 %, est remarque sur le facteur didalit. Pour la mme base, et dans les mmes conditions de la mthode de Newton-Raphson, le Tableau 3 regroupe les rsultats de comparaison de cette dernire avec la technique graphique et celle de (LM).
Tableau 3: Comparaison des paramtres lectriques par les trois mthodes Paramtres
R s () R sh (k) I 0 (A)

Mthode graphique

Mthode Newton-Raphson

Mthode LM

1125 04,31 16,57 09,00

37,45 07,23 07,94 06,26

36,34 06,63 08,44 06,54

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Ces rsultats montrent que les deux mthodes numriques (Newton-Raphson et LM), donnent des valeurs, des paramtres lectriques, rapproches lune de lautre. Il est remarqu, galement que ces valeurs sont proches de celles de la premire mthode (mthode polynomiale). Par contre, la mthode graphique donne des valeurs loin des autres techniques, ce qui justifie quelle est non prcise. Donc, pour savoir quelle est la technique la plus prcise de ces trois mthodes numriques, les indicateurs statistiques sont calculs et sont compars, comme indique le Tableau 4.
Tableau 4: Indicateurs statistiques des trois mthodes Indicateurs Statistiques Mthode de Newton-Raphson Mthode LM Mthode Polynomiale

SD NMBE NRMSE t-statistique Nombre ditrations

3,67 10-6 -3,69 10-3 4,12 10-2 5,47 10


-1

2,58 10-6 1,80 10-3 2,89 10-2 3,80 10


-1

8,03 10-5 8,65 10-1 1,24 5,86 9

1212

89

Lindicateur NMBE fournit linformation en ce qui concerne lexcdent ou la sousestimation des paramtres estims. Une valeur positive de NMBE implique une surestimation des valeurs, alors que les valeurs ngatives indiquent une sous-estimation. Le NRMSE fournit des informations sur la performance court terme de la totalit du modle, en permettant la comparaison terme par terme, de la diffrence relle entre les valeurs estimes et mesures du courant lectrique. Gnralement, une valeur plus basse de lindicateur NRMSE, signifie une bonne performance du modle avec les paramtres trouvs. Lobtention dune valeur trs petite de lerreur t-statistique, indique une bonne performance du modle. Selon ces indicateurs, la mthode polynomiale ne donne pas des rsultats prcis par rapport celle de Newton-Raphson et celle de LM. Par contre, elle est trs rapide denviron 10 fois que LM et de plus de 134 fois que celle de Newton-Raphson. On note galement, que la technique LM dveloppe est trs rapide de plus de 13 fois, et prcise denviron 2 fois, que celle de Newton-Raphson. Pour augmenter la rapidit de la mthode LM dveloppe, on exploite la mthode polynomiale, en utilisant les rsultats y trouvs comme des valeurs initiales. Une comparaison avec celle de Newton-Raphson est effectue, sur deux bases de donnes mesures. La premire base est celle de petite taille, dj utilise (38 mesures), et une deuxime de taille leve.

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Fig. 1: Mesures et estimation, de la base de petite taille, par la mthode LM.

Cette dernire est constitue de 179 mesures I-V, allant de (-88,41 A; -702,95mV) (322,85 A; 612,19mV), comme le montre la figure 2.

Fig. 2: Mesures et estimation, de la base de grande taille, par la mthode LM Les rsultats de cette comparaison, au niveau du nombre des itrations, sont reprsents sur le Tableau 5.
Tableau 5: Itrations avec les rsultats de la mthode polynomiale Nombre ditrations Mthode Newton-Raphson Mthode LM dveloppe

Base de petite taille Base de taille eleve

327 896

07 21

Les rsultats de ce tableau montrent que lutilisation de la mthode polynomiale dveloppe prcdemment, permet dacclrer la convergence des deux algorithmes numriques utiliss.

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En revanche, la technique LM dveloppe reste toujours la plus rapide et la plus prcise, elle devient plus rapide que celle de Newton plus de 42 fois, en utilisant les valeurs trouves par la premire mthode comme des conditions initiales. Donc, mme si la mthode polynomiale est la plus rapide que toutes les mthodes utilises, elle prsente linconvnient de la prcision, mais elle peut tre expertise pour complter la deuxime mthode LM dveloppe, par la gnration dune gamme des valeurs initiales qui permet de rendre cette dernire trs rapide que toutes les autres mthodes.

5. CONCLUSION
Le travail prsent, traite deux nouvelles techniques dveloppes pour optimiser lextraction des paramtres lectriques de la caractristique I-V du modle une exponentielle dune jonction. La premire technique expertise lquivalence entre le modle analytique de cette diode, et le modle polynomial, dordre suprieur 3, quivalent. Elle utilise les drives du modle exponentiel lorigine des tensions, pour rsoudre un systme de 4 quations 4 inconnues, qui sont les paramtres lectriques recherchs. La seconde mthode est dveloppe base de lalgorithme de Levenberg Marquardt, en simplifiant son hessien. La comparaison de ces deux approches avec la mthode graphique standard, montre que cette dernire ne donne pas des valeurs prcises des paramtres extraire. En revanche, la comparaison avec la mthode numrique de Newton-Raphson, montre que la mthode polynomiale nest pas tout fait, prcise devant les mthodes numriques. Elle prouve galement, que la seconde mthode LM dveloppe, est plus rapide et prcise devant celle de Newton. Dautre part, la premire mthode polynmiale pourra tre combine avec celle de LM pour former une mthode puissante et performante au niveau de la rapidit et la prcision, comme les montres les indicateurs statistiques et les nombres des itrations, trouvs.

REFERENCES
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A. Malaoui et al.

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