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PRCTICA5 InversoresyPuertasLgicas
El objetivo de esta prctica es construir en el laboratorio, y con elementos discretos, inversores y puertas lgicascondostiposdetransistores:BJTyMOSFETs.Observaremoslascaractersticasdelosinversoresrealizados conambastecnologas,yaquesonlasestructurasbsicassobrelasqueserealizanlasfamiliaslgicasintegradas. Para la realizacin de esta prctica utilizaremos transistores bipolares NPN de baja potencia de aplicacin general,CICA3083,yelbloqueintegradodetransistoresMOS4007UB,cuyasasignacionesdepinesse muestran enlaFigurasiguiente.

MOS4007UB B C E G S B D D B G S

Inversores
En los circuitos digitales, los dispositivos activos (transistores) trabajan entre dos estados bien diferenciados: Uno que llamamos de conduccin (ON) y otro que denominamos de corte (OFF). De acuerdo con lassealesdigitales,transitanentreellosenunprocesoqueconocemoscomoconmutacin.

Prctica5Inversoresypuertaslgicas

VCC=5V RC=1K Vo
1

RB=47K 16 Vi B

C Q1

E 15
Figura1:InversorconBJTysucaractersticadetransferencia La estructura ms simple, con carcter digital y en tecnologa bipolar es el inversor de la Figura 1. De acuerdo con los valores de la seal de entrada, VH y VL (5V y 0V, respectivamente), el transistor bipolar conmuta entre un estado de conduccin, que puede ser saturado o no (Familias Lgicas Saturadas o no Saturadas) a otro de corte. La caracterstica de transferencia (VO en funcin de VI) de este inversor depende de la resistencia de colector ya que ella determina la pendiente en la conmutacin (o lo que es lo mismo, la ganancia del circuito cuandoseusacomoamplificadordesealesanalgicas). Sinembargo,eltipodeinversormsutilizadoeselCMOS (bsico enlatecnologadenuestrosdas),enel que se utilizan dos transistores MOSFET, uno canal N y otro canal P, Figura 2. Ambos transistores son activos y slo conducen simultneamente durante el proceso de conmutacin (cuando la entrada ha superado el valor de la tensin umbral del transistor N (VTN) y no ha alcanzado VSS|VTP|, para que se corte el transistor P). En este inversorlaconmutacinsehaceenunrangodetensionesde entradamuyestrecho,loque mejorasumargende ruido.

VSS=5V
14 S

G B QP
6

D 13 V0 D 8 B Q N G
7

Vi

Figura2:InversorCMOSysucaractersticadetransferencia

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3 Con el fin de observar las caractersticas de transferencia de ambos inversores en el osciloscopio, aplicaremos a la entrada Vi una seal sinusoidal por medio del generador de funciones, en el que ajustaremos el offset y la amplitud de la seal para que la tensin aplicada vare entre 0 y 5 V y conectamos el CH1 delosciloscopioalaentradaViyelCH2alasalida VoysecolocalabasedetiemposenposicinXY. Siguiendo el criterio de la Figura 3, estimar los valores de VOH, VOL, VIH y VIL, de los inversores realizados con ambas tecnologas y comparar su mrgenes de ruido, tanto en estado 0 (MRL=VILVOL) como en estado 1 (MRH=VOHVIH). Dadoqueladistribucindecargasenlostransistoresnoesigualenelestadodeconduccinqueenelde corte,serequiereuntiempoparaacomodarlasalanuevasituacin,yaquelascargasnosemuevenenuntiempo nulo. Este tiempo de conmutacin est en la base de la rapidez de los circuitos lgicos. La velocidad de conmutacin depende de muchos factores, pero bsicamente podemos decir que la conmutacin es tanto ms rpida cuanto ms capaz sea la seal de modificar la estructura de cargas del dispositivo y, en su caso, de los elementos que le rodean. De hecho, la conmutacin en los transistores MOSFET es, intrnsecamente, mucho ms rpidaqueenlostransistoresbipolares. En la Figura 4 se observa la forma de onda de la salida de un inversor cuando a la entrada se aplica una seal cuadrada. Comparar los tiempos de paso a corte y de paso a conduccin de los inversores realizados con ambastecnologas. Indicar aproximadamente hasta qu frecuencia, podran funcionar ambostiposdeinversor. Figura3

VI
VCC

V0
VCC


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tON

tOFF
Figura 4

tON

tOFF

PuertasLgicas
Analizados los inversores, es ya fcil construir puertas ms complejas. Aqu realizaremos las correspondientes puertas NOR, cuyos esquemas se presentan en las Figuras 5 y 6. Comprobar la tabla de verdad de estas puertas con la ayuda de los interruptores de entrada situados en la parte inferior del entrenador (para generar las entradas, 0V y 5V, correspondientes a los valores binarios 0 y 1 respectivamente) y los LEDs de la parte superior (cuya situacin encendido/apagado nos presenta el valor de la salida cuando tenemos 5V/0V, o lo queeslomismo1/0).

VSS=5V

13 11 14

QP2

VCC=5V RC=1K
2 3 16 1


6 10

QP1

8

Vo

V2

V1 V0
12

V2 RB=47K

Q2
4

V1 RB=47K

Q1
15

QN2

QN1

Figura5Figura6 Finalmente,comprobarlatabladeverdaddelapuertasintegradassiguientes(AND,OR,NANDyNORde dosentradas):

4011

4001

Para ello primero hay que polarizarlas, es decir aplicarles la fuente de alimentacin 5V al pin 14 y 0V al pin 7, y despusintroducirlastensionesdeentradaycomprobarlasalidaaquedanlugar.

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