2.

EL TRANSISTOR
El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia"). El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, conmutador o rectificador. Un amplificador es un dispositivo en el que una dbil corriente producida por una fuente provoca una fuerte corriente en otra fuente. Una amplificacin es un aumento de magnitud o intensidad de una seal y no, un aumento de energa; es decir, no es que de un amplificador salga ms de lo que entra y por lo tanto haya una creacin de algo; lo que ocurre es que sale agrandado, es decir, amplificado.

2.1 CLASIFICACION DE TRANSISTORES

2.1.1 Transistor de unin bipolar (BJT) Clasificaremos a continuacin a los transistores segn construccin y forma de funcionamiento: Transistor de unin bipolar (BJT): Existen dos tipos, PNP y NPN; se utilizan para amplificar seales analgicas, tratamiento de seales digitales y como conmutador de potencia elctrica, en circuitos con componentes discretos e integrados. 2.1.2 Transistor de efecto de campo (FET) Transistor de efecto de campo (FET): Fundamentalmente tenemos dos tipos, los FET de juntura (JFET) y los FET de metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET). *Los transistores JFET pueden ser de canal n o de canal p; estos, se utilizan para amplificar seales de baja frecuencia y potencia (seales de audiofrecuencias). * Los MOSFET (Metal-Oxide semiconductor fiel effect transistor) son transistores de efecto de campo, que existen con un empobrecimiento o deplexin y pueden ser de canal n o canal p; estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de radiofrecuencias de alta frecuencias en etapas de entrada, por su bajo nivel de ruido. Los MOSFET de enriquecimiento o acumulacin, se utilizan ampliamente en los sistemas digitales de alta densidad de integracin como las compuertas lgicas, memorias semiconductoras, microprocesadores, microcontroladores etc. Tambin se disponen de MOSFET de enriquecimiento como conmutador de alta potencia elctrica (ejemplo el VMOS).

La diferencia bsica entre estos dos transistores es que el BJT es un dispositivo controlado por corriente y el JFET es controlado por voltaje. 2.2 Transistor NPN y PNP Dependiendo de la aplicacin es el transistor que se utiliza segn sus caractersticas y propiedades. El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. El trmino Bipolar en el BJT indica que est basado en Huecos y Electrones para su operacin. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, la flecha que se ve en el grfico indica el tipo de transistor y la direccin del flujo de la corriente. La configuracin del NPN es ms utilizada porque la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de huecos en el semiconductor.

2.2.1 Construccin y smbolos

Aunque el transistor es un solo cristal con tres regiones, podra ayudarnos a comprender su accin si lo consideramos como la unin de dos diodos, unidos por sus respaldos con una regin en comn la base.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.

2.2.2 POLARIZACION
La polarizacin es aplicar un voltaje de CD que ayuden a establecer un nivel fijo de corriente y voltaje adecuados para que el transistor funcione correctamente. PARA LA POLARIZACION DE UN BJT PNP O NPN

Figura a La unin base-emisor se polariza en forma directa. Los valores del voltaje de polarizacin ms comunes son 0.3 v para el Ge y 0.7 v para el Si. Lo que se obtiene con esta configuracin es una seccin que proporciona cargas (de huecos o de electrones) que son captadas por otra seccin a travs de la seccin media. La terminal que proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor. Adems, la base controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de transistores de unin.

2.2.3 PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO FUNCIONAMIENTO DEL EMISOR

El emisor P del transistor PNP de la figura inyecta huecos a su unin con la base. La direccin de la corriente de huecos en el emisor est sealada por la flecha que aparece en su smbolo. Cuando la flecha apunta hacia la base, la unin entre el emisor y ella es del tipo PN y viceversa para el NPN.

FUNCIONAMIENTO DEL COLECTOR

La funcin del colector es remover las cargas de su unin con la base. En la figura a, el transistor PNP tiene un transistor P que recibe huecos. En el transistor NPN, el colector N recibe electrones, como se ve en la figura.

Figura a

Figura b
La unin base-colector siempre tiene un voltaje con polarizacin inversa. Los valores ms frecuentes de este voltaje varan de 4 a 100 v. La polarizacin inversa impide el flujo de portadores mayoritarios del colector hacia la base. Sin embargo, en la direccin opuesta, de la base hacia el colector, el voltaje en este ltimo atrae las cargas en la base que proporciona el emisor.

FUNCIONAMIENTO DE LA BASE
La base separa el colector del emisor. La unin base-emisor tiene polarizacin directa y, por tanto, la resistencia del circuito del emisor es muy baja. La unin base-colector tiene Polarizacin inversa y, por consiguiente, la resistencia del circuito del colector es muy grande.

Cuando aplicamos voltajes de CD se definen una serie de tensiones y corrientes en el transistor, como sigue:

CORRIENTES Figura 1
IC IB Figura 2 IC vBC

VOLTAJES

IB

vCB vEC vCE vBE

IE

IE

vEB

Se deduce por lo tanto que para ambas configuraciones la,

IE = IC + IB
CORRIENTE EN LAS TERMINALES Para que el transistor funcione es necesario que el circuito base-emisor controle la corriente del colector. El emisor tiene una contaminacin considerable de impurezas con el fin de proporcionar portadores mayoritarios. Sin embargo, la base tiene una cantidad pequea de impurezas y es muy delgada, lo cual permite que las cargas puedan moverse hacia la unin con el colector. El voltaje en el colector es relativamente grande. Como consecuencia de estos factores, prcticamente todas las cargas inyectadas a la base por el emisor circulan por el circuito del colector. Es comn que entre un 98% y 99% de las cargas inyectadas por el emisor formen la corriente del colector Ic. El restante 1% y 2% pasa a formar la corriente de base Ib. El emisor de la figura 2 proporciona una corriente Ie de 10 mA. De sta corriente, se inyectan 9.8 mA en el circuito del colector. Esta corriente es Ic. Solo 0.2 mA, o sea 200 microA, regresan de la base al emisor, esta corriente es Ib. As: Ie = Ic + Ib Ntese que Ie en la figura 2 est marcada como negativa con el nico fin de indicar que su direccin es opuesta a la de Ic e Ib. Es una prctica general considerar la corriente de huecos que ingresa en un semiconductor como la direccin positiva de I. Dado que Ie es un flujo de electrones que ingresa al transistor, la direccin de esta corriente I es negativa. Algebraicamente, los valores son: -10 mA + 9.8 mA + 0.2 mA = 0

En trminos prcticos, la frmula establece que la suma de las corrientes de la base y el colector es igual a la corriente del emisor, la cual se considera como la fuente de corriente. En transistores de potencia, los valores de Ie e Ic generalmente son del orden de amperes. En transistores ms pequeos, estas corrientes son del orden de miliamperios, mientras que la de la base Ib tiene un intervalo de micro amperes. En todos los casos, Ic e Ib regresan al emisor a travs del circuito externo, que es la fuente de las cargas. LA CORRIENTE DE BASE CONTROLA LA DE COLECTOR. Cuando Ib aumenta al incrementarse el voltaje de polarizacin directa, las cargas mayoritarias que estn en la base se inyectan en el colector. por consiguiente, el aumento de Ib incrementa Ic.

2.2.4 PRUEBA DE TRANSISTORES E IDENTIFICADOCION DE TERMINALES

IDENTIFICACION ELECTRICA Se hace mediante el uso del mltimetro, colocando la perilla en hfe y poniendo el transistor en las ranuras marcadas con E, B, C, E; si el transistor se conecta en la posicin correcta aparecer una lectura que ser la Beta del Transistor, de lo contrario NO tendremos ningn valor e intentar con otra posicin. MANUAL DE REEMPLAZO Se debe buscar la matricula en el manual de semiconductores o ECG, en el cual encontraremos las caractersticas de funcionamiento, parmetros y diagramas, as como la configuracin de sus terminales. IDENTIFICACION MEDIANTE PRUEBA DE DIODOS Se debe colocar el mltimetro en prueba de diodos, partiendo que sabemos si es un transistor NPN o un PNP, colocamos la terminal del mltimetro segn corresponda a la configuracin en la terminal media del transistor y alternamos la otra terminal del mltimetro entre los extremos del transistor, observando que lectura nos da el mltimetro en cada terminal de los extremos. La terminal del emisor ser la lectura ms baja.

2.2.5 HOJA DE ESPECIFICACIONES DEL TRANSISTOR pendiente

2.3 CONFIGURACIONES BASICAS DEL BJT Se puede observar que las fuentes de voltaje que se utilizaran sern las siguientes: Configuracin Base Comn Emisor Comn Colector Comn VEE X VBB X VCC X

2.3.1 Diagramas 2.3.2 Caractersticas y principio de funcionamiento 2.3.3 Curvas caractersticas

Para la configuracin BASE COMN:

BASE COMN
NPN

BASE COMN
PNP

Emisor-> Entrada Base -> Tierra Colector -> Salida

Emisor-> Entrada Base -> Tierra Colector -> Salida

El comportamiento del BJT en configuracin de Base Comn, puede analizarse a travs de sus curvas caractersticas de forma similar al Diodo.

En esta curva se puede ver el comportamiento del transistor como un diodo, donde alcanzando .7V comienza a conducir, se puede ver que la variacin del voltaje de salida VCB tiene un efecto muy bajo en las caractersticas VBE= .7V aunque vari IE. La curva caracterstica de salida se grafica en funcin de la corriente de Salida I C y la tensin de salida VCB para varias corrientes de entrada IE.

En esta curva podemos ver que IC es aproximadamente igual a IE cuando incrementa la corriente de Emisor, incrementa la corriente de colector casi Igual a I E. El efecto del incremento de VCB es casi nulo sobre la corriente de colector en la zona activa. El transistor tiene un circuito de entrada que interacta con un circuito de salida para proporcionar una Ganancia. La Ganancia es el nivel de amplificacin que puede proporcionar el transistor cuando este funciona como tal. Por ejemplo: si tenemos una ganancia de 20 producir una seal de salida cuya amplitud ser 20 veces mayor que la seal de entrada. La Ganancia en un amplificador nos habla de una capacidad que tiene para amplificar corriente, cuanto mayor es la ganancia de un transistor, ms puede amplificar la corriente.

Para obtener cuanta ser la ganancia de un transistor en configuracin de base comn se obtiene mediante la relacin de la Isalida entre la IEntrada esto es: Ganancia de Corriente = Corriente de Salida/Corriente de Entrada Para Base comn: hfb = IC/IE donde: IC es la Corriente de Colector como Corriente de Salida IE e la Corriente de Emisor como Corriente de Entrada

Idealmente = 1, Esto porque la corriente del emisor es un poco mayor a la corriente de colector debido a que una parte se fuga a la base, pues tiene dos trayectorias I E -> IC e IE ->IB por lo que recordemos que IE = IC + IB. Este configuracin Base Comn solo AMPLIFICA VOLTAJE. Ejercicios: 1. Un circuito de Base comn IE= 6mA y IC=5.83mA, Cul ser la Ganancia de corriente?

Para la configuracin EMISOR COMN:

EMISOR COMN
NPN

EMISOR COMN
PNP

Emisor-> Tierra Base -> Entrada Colector -> Salida

Emisor-> Tierra Base -> Entrada Colector -> Salida

El Emisor comn tanto de entrada (Emisor - Base) y salida (Colector - Emisor) se encuentra a tierra, sea comn a la base y al colector.

Recordemos las direcciones de corrientes y los voltajes que se derivan despus de aplicar una polarizacin.

CORRIENTES Figura 1
IC IB Figura 2 IC IB

VOLTAJES
vBC vCB vEC vCE

IE IE vEB vBE

Ejercicio: Coloca la direccin de corrientes y los voltajes en la configuracin PNP Para esta configuracin las caractersticas de entrada se observa la grafica siguiente, donde la corriente de entrada (IB) y el voltaje de entrada (VBE) para varias tensiones de salida (VCE) Se observa que es como la grafica de ruptura de un diodo de silicio polarizado directamente. Alcanzando los .7v comenzara a conducir por lo que se ver que VBE = .7v

En el circuito de salida se observa la grafica siguiente en la cual se era la corriente de salida (IC) y la variacin del voltaje VCE para varios valores de corriente de entrada (IB), podemos notar la que las curvas no son horizontales a diferencia de la configuracin de Base Comn, en esta existe un aumento en la IC y el incremento del voltaje VCE no es nulo, por lo que repercute en el valor de la corriente de colector. Al incrementarse la corriente de base y el voltaje de VCE, incrementa la de salida IC.

La Ganancia para esta configuracin parte de la relacin de IE = IB + IC la cual NO cambia, por lo tanto podemos obtenerla mediante la siguiente ecuacin: Para esta configuracin llamaremos a la ganancia como , y se obtiene tambin del anlisis de la Corriente de Salida entre la Corriente de Entrada hfe = IC / IB La depender de cada transistor, est puede variar de entre 50 y ms de 400. Esta configuracin amplifica Corriente y Voltaje, como se observa en la grafica anterior. La relacin entre la ganancia de la Configuracin Base Comn y Emisor Comn se describe en la siguiente relacin:

 = IC / IB ; = IC/IE tenemos que: (recordemos que la relacin para ambas ecuaciones es IC y sustituimos en la ecuacin IE = IC + IB) = /1 =/+1

Para la configuracin COLECTOR COMN:

Esta configuracin no es posible puesto que el transistor est construido para amplificar corriente o voltaje y su estructura interna de emisor, base y colector est definida para que la entrada sea el Emisor y como salida el Colector, adems de que la base ser la que regule la ganancia de salida. Esta configuracin se emplea principalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.

COLECTOR COMN

COLECTOR COMN
NPN PNP

Emisor-> Entrada Base -> Salida Colector -> Tierra NO ES POSIBLE POR LA CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES.

Emisor-> Entrada Base -> Salida Colector -> Tierra NO ES POSIBLE POR LA CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES.

2.4 Zonas de trabajo del BJT Zonas de funcionamiento del transistor bipolar: 2.4.1 ACTIVA DIRECTA El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente). Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dandonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin asociada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide

este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. Para que el transistor funcione en esta zona debemos polarizar directamente la unin Emisor Base e inversamente la unin Base Colector. Se definen los siguientes parmetros que permiten graficar la operacin de un transistor. Punto de Operacin: tambin llamado punto Q, est determinado por el valor de voltaje de salida, corriente de salida y en ocasiones por la corriente de entrada. Estos valores se determinan por el tipo de polarizacin. Punto de Saturacin: es el punto en el cual la lnea de carga cruza el eje de las y. Es la mxima corriente del circuito. Punto de Corte: Es el punto en el cual la recta de carga cruza el eje de las x. Es el mximo voltaje de salida del circuito.

2.4.2 CORTE El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas. Es conocido por ser el voltaje mximo de salida y se ubica en el eje X. Un transistor esta en corte cuando la unin Emisor Base y el circuito de salida (Base colector) estn polarizados inversamente.

2.4.3 SATURACIN En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. Se conoce tambin como la mxima I de salida y se grafica en el eje y. Para que el transistor funcione en saturacin el circuito de entrada y salida deben estar polarizados directamente. 2.4.4 Funcionamiento del transistor como switch El transistor puede funcionar como switch cuando se varia el punto Q llevndolo a la regin de corte o saturacin,

Tipos de Encapsulados

TO-18

TO-39

TO-92

TO-126

TO-3P

TO-220AB

TO-220AC

TO-247AC

TO-3

3. Polarizacin del transistor de unin bipolar

3.1 Polarizacin Fija con dos Fuente en EC

3.1.1 Circuitos equivalentes y desarrollo de formulas de entrada y salida Analizando el ckto de entrada por Ley de Voltajes de Kirchoff VBB=VRB + VBE VBB=IBRB + VBE Despejado para IB por ser el valor con mayor probabilidad de no conocer, puesto que el VBE es igual a .7v por ser una unin como un Diodo. IB = VBB VBE RB Para encontrar el valor de la RB seria: RB = VBB VBE IB Analizando el ckto de Salida utilizando de nuevo la Ley de Voltajes de Kirchoff, vemos que: VCC = VRC + VCE VCC = IcRC + VCE Despejando para VCE, nos queda: VCE = VCC - IcRC O bien despejado para IC; IC = VCC - VCE RC Y RC = VCC - VCE IC

Para realizar la graficar el comportamiento de este circuito se realiza el clculo de la Isaturacion y el vcorte, se realiza de la siguiente manera: ISat = VCC VCorte = VCC RC

3.2 Polarizacin estabilizada con una fuente en EC

3.2.1 Circuito equivalente y desarrollo de formulas de entrada y salida Por Ley de voltajes de Kirchoff, tenemos: VBB = VRB + VBE + VRE VBB = VBE +IBRB + IERE Sustituyendo la equivalencia de IE = (+1)IB En la ecuacin anterior, nos queda: VBB=VBE + IBRB + (+1)IBRE VBB = VBE + IB [RB + (+1)RE] Despejando para IB, nos queda: IB = VBB - VBE RB + (+1)RE

VCC = VRC + VCE + VRE VCC = ICRC + VCE + IERE Como ICIE VCC = VCE + ICRC + ICRE VCC = VCE + IC (RC + RE) Despejando para VCE: VCE = VCC - IC (RC + RE)

Clculos para el punto de saturacin:

Clculos para el punto de Corte

La suma de la resistencia de emisor a la polarizacin de CD, proporciona una mejor estabilidad; esto es, las corrientes y voltajes de polarizacin de CD se mantienen ms estables pece a que cambien las condiciones externas como el voltaje de alimentacin, la temperatura e incluso la beta del transistor.

Polarizacin fija con Resistencia en emisor y una fuente.

VCC=VRB+VBE+VRE VCC=IBRB+VBE+IERE VCC=IBRB+VBE+(IB+IC)RE VCC=IBRB+VBE+(IB+IB)RE VCC=IBRB+VBE+IB(1+)RE VCC=VBE+IB(RB+(1+)RE) IB=VCC-VBE RB+(1+)RE

VCC=VRC+VRE+VCE VCC=ICRC+ VCE +IERE VCC=ICRC+ VCE +ICRE VCC=VCE +IC (RE +RC) VCE= VCC - IC (RE +RC) PUNTO DE SATURACION IC SAT= VCC RC+RE PUNTO DE CORTE VCORTE=VCC

3.3 Polarizacin por divisor de voltaje

3.3.1 Circuitos equivalentes y desarrollo de formulas de entrada y salida RTH: La fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente, como sigue:

RTH = R1//R2 ETH: La fuente de voltaje VCC se reintegra a la red y el voltaje Thvenin del circuito abierto. Aplicando la regla de divisor de voltaje se determina como sigue: ETH = VR2 = R2VCC R1 + R2 La red Thvenin anterior, e IBQ se puede determinar al aplicar la Ley de voltajes de kirchoff y nos queda como sigue: ETH = IBRTH + VBE + IERE Sustituyendo IE = ( + 1)IB

IB = ETH - VBE RTH + (+1)RE

Una vez que se encuentra IB el VCE se puede obtener del mismo modo que anteriormente. VCC = VRC + VCE + VRE VCC = ICRC + VCE + IERE Como ICIE VCC = VCE + ICRC + ICRE VCC = VCE + IC (RC + RE) Despejando para VCE: VCE = VCC - IC (RC + RE) PUNTO DE SATURACION Para el Voltaje de Saturacin se utilizan las mi formula que la del circuito de polarizacin de emisor IC SAT= VCC RC+RE PUNTO DE CORTE VCORTE=VCC