CRISTALOGRAFIA

APILAMIENTOS COMPACTOS CUBICO Y HEXAGONAL SECCION: S2 ALUMNO: LUNA SALAZAR MARTIN

INTRODUCCION.- Los requerimientos geomtricos

para la formacin de un cristal se pueden entender mejor al considerar las distintas formas en las que se pueden apilar varias esferas idnticas para formar una estructura tridimensional ordenada. Estos apilamientos pueden considerarse constituidos por la superposicin de capas bidimensionales de dichas esferas. Si se quiere construir un apilamiento compacto de esferas en tres dimensiones, se debe aadir una segunda capa, de esta forma se generan estructuras denominadas tpicas a continuacin se presentan dos de los ms importantes tipos de apilamientos compactos, el de tipo cubico y el hexagonal.

OBJETIVOS
Establecer la diferencia entre apilamiento y empaquetamiento. Conocer las diferentes formas de apilamiento. Establecer la diferencia entre un apilamiento compacto y uno no compacto.

APILAMIENTOS COMPACTOS
La mayor parte de los slidos inorgnicos (particularmente los metales, los slidos inicos con iones monoatmicos y los gases nobles) pueden ser representados por un modelo idealizado de empaquetamiento de esferas rgidas idnticas. El caso ms comn es aquel en el cual se logra una densidad mxima conocido como empaquetamiento compacto. A continuacin se muestra un empaquetamiento compacto de esferas en un solo plano (la llamaremos capa A).

Si queremos construir un empaquetamiento compacto en tres dimensiones debemos aadir una segunda capa. Las esferas de esta segunda capa descansarn sobre la mitad de los huecos de la primera capa: los huecos estn marcados con puntos y cruces de color verde. En esta etapa es indistinto a cul de los sitios se elige. En la siguiente figura se ha colocado una segunda capa de esferas de color verde (capa B) sobre los huecos marcados con una cruz (sera equivalente en este momento si se lo hiciera sobre los marcados con un punto).

Si quisiramos aadir una tercer capa, habra dos posiciones posibles:

Apilamiento compacto hexagonal

1. podra ir directamente sobre las posiciones de la capa A y si repitiramos secuencialmente este apilamiento tendramos un empaquetamiento

Apilamiento de capas ABAB

ABABAB que se conoce como empaquetamiento hexagonal compacto (ehc, o hcp del ingls hexagonal close packing).

Aqu un esquema que muestra los detalles del empaquetamiento hexagonal.

Apilamiento compacto cbico

La otra posibilidad sera que la tercer capa vaya sobre los sitios marcados con puntos. Esta tercer capa que llamaremos C, no est directamente sobre ninguna de las dos anteriores. Si esta secuencia de apilamiento se repitiera, tendramos un empaquetamientde o capas de tipo ABCABC Apilamiento ABCABC que se conoce como

empaquetamiento cbico compacto (ecc o ccp del ingls cubic close packing).

Aqu un esquema que muestra los detalles del empaquetamiento

Los nombres hexagonal y cbico que reciben estas estructuras se derivan de la simetra resultante. Esta simetra puede apreciarse en la transparencia siguiente. En la b se puede ver el empaquetamiento ABAB que da lugar a la simetra

hexagonal (ech) mientras que en la c se observa el empaquetemiento ABCABC. que da lugar a la simetra cbica (ecc).

Al colocar una tercera capa, aparecen dos posibilidades: la primera es que vaya directamente encima de la capa A. Si se sigue repitiendo esta secuencia de apilamiento se construir un arreglo del tipo ABABABA... y as sucesivament e. Esto se conoce como empaquetamiento hexagonal compacto (ehc). Como unidad estructural de este empaquetamiento puede tomarse un prisma de base hexagonal que contiene tres esferas en su interior, una esfera en el centro de cada base y una esfera en cada vrtice. Sin embargo, la unidad ms simple y por tanto la celda unidad, es un paraleleppedo de base rmbica cuyo volumen es un tercio del correspondiente al prisma hexagonal

La segunda posibilidad sera que la tercera capa se ubique sobre los intersticios marcados con puntos en la figura 7. Esta tercera capa, la C, no estara directamente encima de A ni de B, y la secuencia de apilamiento al repetirse sera ABCABCAB.... y as sucesivamente. Este es el esquema del empaquetamiento cbico compacto (ecc). Aunque no resulta evidente en un primer momento, la celda unitaria de este empaquetamiento es cbica centrada en las caras. La diagonal de este cubo es perpendicular a las capas de esferas A, B y C.

Energia vs empaquetamiento.-

Empaquetamiento, no compacto.

Empaquetamiento, compacto.

Las estructuras densas y con empaquetamiento compacto tienden a tener menor energa.

Aplicaciones
Se aplica principalmente en el estudio de las estructuras cristalinas de los materiales en el curso de Ciencia de materiales. En el estudio de los defectos bidimensionales y defectos de apilamientos.

Los defectos bidimensionales son anomalas que afectan a los planos cristalinos incluyen:
Caras de un cristal Borde de grano Defectos de apilamiento y Politipismo

Los defectos de apilamiento son irregulares en la secuencia de planos cristalinos en la estructura.

Tipos de defectos de apilamientos en los empaquetados compactos: Maclas. Defectos intrnsecos Defectos extrnsecos

Para entender la siguiente explicacin,

hay que recordar las secuencias de

capas en los empaquetamientos compactos vistas anteriormente en el contenido del informe. Para el empaquetamiento compacto cbico tenemos la secuencia de

apilamiento ABCABC Y Para el empaquetamiento compacto tenemos una secuencia de apilamiento ABAB Ahora se utiliza un esquema abreviado que explico a continuacin Indica el paso de una capa A a otra B, de una B a otra C y de una C a otra A Indica el paso de una capa B a otra A, de una C a otra B y de una A a otra C Luego asumiendo este esquema los dos tipos de apilamientos compactos se pueden representar de la siguiente manera. Empaquetamiento compacto Cbica Empaquetamiento compacto Hexagonal

Maclas.- Es la asociacin de individuos de la misma especie cristalina, con distinta orientacin cristalogrfica y relaciones mediante un elemento de simetra denominado ley de macla. Las maclas aparecen cuando se produce una inversin en la sucesin normal de capas del correspondiente empaquetado, o un borde de macla (defecto intrnseco) o maclas polisintticas (defecto extrnseco)

Maclas de contacto.-

Maclas de interpenetracion.-

Aqu unos ejemplos de defectos de apilamiento: Secuencia Cbica.-

Secuencia hexagonal.-

Politipismo.- se le llama as al fenmeno que hace que exista politipos. Y Qu son los Politipos? Son cristales que se diferencian en el apilamiento de capas idnticas. Afecta a una de las dimensiones, a diferencia de lo que ocurre en el polimorfismo. Ejemplo: Micas, Esfalerita... Ejemplo: Politipos en Miclas como consecuencia de las 3 posibles orientaciones

3) En el estudio de los defectos que se producen en la estructura cristalina del hierro, bcc(cbico de cuerpo centrado), debido a fallas en el apilamiento de las capas que conforman a la estructura misma. Se persigue analizar los patrones de difraccin de polvos como consecuencia de la introduccin de los defectos a lo largo de la direccin [110]. Todos los clculos se realizaron con el programa de simulacin DIFFaX. La deformacin o imperfeccin se introduce por desplazamientos en los posicionamientos de las capas. Los resultados muestran que la introduccin de este tipo de defectos alteran la estructura a medida que aumenta la cantidad de fallas introducidas. La alteracin de la estructura concluye en una transformacin local de una red de empaquetamiento cbico centrado en el cuerpo a una red hexagonal de empaquetamiento compacto. Mtodo El paso inicial para este estudio, es la construccin de las estructuras, ya sean stas perfectas o imperfectas. Y para esto, se deben ubicar las direcciones ms compactas, punto de referencia que permitir la configuracin espacial de los defectos. Una vez que se determina la direccin de mxima compactacin en la estructura [2], en este caso bcc, lo ms importante es ubicar los parmetros de red en la nueva configuracin que interpreta el DIFFaX. Esto, se debe a que adems de dar la forma geomtrica de las capas que se van a definir, per mite visualizar el lugar posible de posicionamiento de las prximas capas, as como

sus posibles grados de libertad, si es que existen. Para esto, se construy el archivo de datos de estructura del Hierro con parmetros de red a=2,8664 , que necesita el DIFFaX para aprovechar la direccin de mxima compactacin, en una nueva configuracin ortorrmbica, que resulta de este cambio de coordenadas (Figura 1). Esta nueva configuracin que interpreta el DIFFaX (Figura 2), permite la introduccin de fallas de apilamiento a lo largo de la direccin [110]

Figura 1. Configuracin de los nuevos ejes para la construccin del archivo de datos en la direccin de mxima compactacin del DIFFaX.

Figura 2. Configuracin final para la estructura del Hierro que interpreta el DIFFaX. La definicin de las capas se hace en el nuevo plano a -b, y el apilamiento, a lo largo del nuevo eje c.

Figura 3. Relacin geomtrica del plano con los parmetros de red, para la determinacin de los nuevos valores de a y b.

Figura 4. Los tomos marcados con el nmero 1 constituyen la base para definir la primera capa. Estos tomos estn en el plano. El nmero 2 indica la posicin en que por desplazamiento, en el plano a-b, puede encajar la segunda capa.

Dependiendo de la manera en que se apilen las capas de los tomos, se obtendr un cristal perfecto o un cristal con fallas de acuerdo a la definicin del DIFFaX. Observando las capas de tomos en la direccin de apilamiento de la Figura 3, se nota que las capas son idnticas, tanto por su posicin relativa, como por su constitucin, ya que todos los tomos son iguales. Ya que el mismo concepto de falla secuencial necesita de, por lo menos, la definicin de dos capas para poder definir una falla en el apilamiento de capas, se definen dos capas para esta configuracin ortorrmbica del Hierro. El DIFFaX admite la definicin de dos capas idnticas como capas distintas para poder establecer el concepto de falla de apilamiento. Se define la capa 1 como aquella constituida con dos tomos, uno en la posicin a=0, b=0 y c=0, y un segundo tomo en la posicin a=0,5, b=0,5 y c=0. La segunda capa es idntica a la primera. Aunque se produzca un apilamiento proporcional al tipo de capa, estas estructuras siguen siendo estructuras perfectas, porque las capas son idnticas. Sin embargo, si se estudia este tipo particular de estructura con ms detalles, se observa que la posicin donde encajan los tomos que constituyen las capas, pueden ser colocados en otras posiciones distintas a la que est determinada por una estructura perfecta, como se ver en lo sucesivo. En este caso, este tipo de posicionamiento de las capas es el que permitir introducir fallas de apilamiento por desplazamientos. Estas posiciones posibles de apilamiento

(Figuras 4 y 5), tienen cierto grado de libertad, a lo largo de la direccin b, ms no a lo largo de la direccin a. Este grado de movimiento establece la deformacin por posicionamiento de las capas. En este caso, se define el parmetro de deformacin por,

Figura 5. Detalle de una de las capas que muestra la relacin de los parmetros de red con distancia fija, f, donde los tomos quedan encajados sin moverse, y la distancia, d, donde los tomos se pueden desplazar.
Figura 5. Detalle de una de las capas que muestra la relacin de los parmetros de red con distancia fija, f , donde los tomos quedan encajados sin moverse, y la distancia, d , donde los tomos se pueden desplazar.

Sobre la base de estos posibles desplazamientos, se tiene un rango de distancias disponibles, en donde se consideran todos los estados posibles, es decir, se consideran estados de mnima energa donde la estructura es estable y se mantiene, y estados metaestables, pero que se mantienen debido a la deformacin de la red. Estos valores mximos, en funcin de unidades de red son: 3. Resultados

Las Figuras 6 y 7 muestran los resultados del patrn de difraccin de rayos X, que se obtuvo al considerar los defectos de la estructura, haciendo un desplazamiento de la prxima capa en un valor fijo de deformacin metaestable (Figura 6) y de para la para la deformacin

estable (Figura 7). La variacin se hace al aumentar la cantidad del porcentaje de fallas de apilamiento, desde 0 hasta 100 % de la estructura.

Figura 6. Superposicin de los diferentes resultados a medida que se incrementa el porcentaje de capas desplazadas para una cantidad fija de deformacin de

Figura 7. Superposicin de los diferentes resultados a medida que se incrementa el porcentaje de capas desplazadas para una cantidad fija de deformacin de Se puede observar, que a medida que aumenta la cantidad de fallas de apilamiento, se va produciendo un aumento en el ensanchamiento de las reflexiones caractersticas de los patrones de difraccin, sobre todo en la reflexin principal. En la mxima cantidad de fallas (100 %), aparecen nuevas reflexiones, algunas correspondientes a una estructura de empaquetamiento cbico compacto. Otra caracterstica importante a resaltar, es la disminucin de la magnitud en la intensidad de difraccin. Para discernir entre cada una de estas caractersticas con ms detalle, se separan las reflexiones caractersticas en una nica figura, que considere la superposicin de todas las curvas con todos los porcentajes de fallas de apilamiento que se estn considerando. De esta manera, se tiene una figura que considera un rango estrecho cerca de una reflexin caracterstica. Las Figuras 8 y 9 corresponden a la reflexin de mayor intensidad, esto es, el correspondiente al plano (110) . Es importante recordar, que en estos clculos, la cantidad de desplazamiento de la capa que se apila sobre la anterior se mantiene a un valor fijo para todos los porcentajes de fallas de apilamiento lo

que indica que se est analizando la incidencia de la cantidad de fallas de apilamiento, en la estructura, para una determinada distorsin.

Figura 8. Relacin entre el incremento del porcentaje de la cantidad de las capas desplazadas con la intensidad, para la reflexin (110), para una cantidad fija de deformacin de

Figura 9. Relacin entre el incremento del porcentaje de la cantidad de las capas desplazadas con la intensidad, para la reflexin (110), para una cantidad fija de deformacin de Se observa que el comportamiento general de las curvas presenta un patrn caracterstico que se hace notar a medida que aumenta la cantidad de fallas introducidas. Existe una disminucin en la intensidad de las reflexiones a

medida que aumenta la cantidad de fallas de aproximadamente un 50 %. La caracterstica ms notable que se muestra, es la existencia de un desdoblamiento de la reflexin (110) en dos componentes en la forma del perfil, pero manteniendo la posicin central de la reflexin principal en la misma posicin, como en el caso de la estructura original sin fallas de apilamiento. Este desdoblamiento se va haciendo mucho ms notable a medida que aumenta la cantidad de fallas introducidas. Como segundo anlisis, se consideren las Figuras 10 y 11 la reflexin (200), correspondiente al ngulo 2q = 64,8 , donde se mantiene la misma pequea distorsin metaestable . de y la distorsin estable de

Figura 10. Relacin entre el incremento del porcentaje de la cantidad de las capas desplazadas con la intensidad, para la reflexin (200), para una cantidad fija de deformacin de .

Figura 11. Relacin entre el incremento del porcentaje de la cantidad de las capas desplazadas con la intensidad, para la reflexin (200), para una cantidad fija de deformacin de .La caracterstica ms resaltante que se muestra para esta reflexin, es que no hay desdoblamiento de la reflexin como en el caso anterior, sino, que la posicin central de la reflexin principal se desplaza hacia la derecha.

4. Discusin
En trminos generales, existen dos caractersticas sobresalientes que resultan en el proceso de deformacin de la estructura del Hierro que fueron analizadas en detalle con el estudio de simulacin del programa DIFFaX. Estas caractersticas son: disminucin de Intensidad y corrimiento de la posicin de las reflexiones. Para discernir entre cada una de estas caractersticas, se separan las reflexiones en un rango estrecho. La reflexin de mayor intensidad, Figura 8 (para 0,073), y Figura 9 (para 0,147), muestran la existencia de un desdoblamiento en dos componentes, pero manteniendo la posicin central de la reflexin principal en la misma posicin del caso de la estructura original sin fallas de apilamiento. Este desdoblamiento se va haciendo mucho ms notable a medida que aumenta la cantidad de fallas introducidas. La cantidad de desplazamiento de la capa que se apila sobre la anterior, se mantiene a un valor fijo para todos los porcentajes de fallas de apilamiento, lo que indica que se est analiz ando la incidencia de la cantidad de fallas de apilamiento en la estructura para una distorsin pequea y otra grande. Este desdoblamiento, es un comportamiento tpico en los resultados de defectos por maclaje [3], es decir, cuando se tiene un desdoblamiento de las reflexiones principales en un patrn de difraccin de polvos, se puede afirmar que existen defectos por fallas de apilamientos que caracterizan la deformacin introducida.

Por otro lado, las Figuras 10 y 11, muestran los patrones de difraccin, correspondientes a las reflexiones (200) para 0,073 y 0,147 respectivamente, en las que se observa un desplazamiento de la posicin de las reflexiones caractersticas hacia la derecha. Esto introduce una diferencia fundamental con la reflexin anterior, lo cual puede ser interpretado como una contraccin local de la estructura en la direccin [200]. De tal manera, que una consecuencia directa de la introduccin de deformacin en las estructuras bcc, a travs del desplazamiento de capas por posicionamiento, es un patrn de dispersin difusa en los alrededores de las reflexiones caractersticas, que se va haciendo ms pronunciado al aumentar los defectos en la estructura. Esto dara una explicacin directa de la posibilidad que se produzca una transformacin local de una estructura en otra, cuando se vislumbran contracciones preferenciales a lo largo de una direccin en particular. III. CONCLUSIONES 1. La introduccin de distorsiones en la estructura a travs de los desplazamientos de las capas hace cambiar la vecindad alrededor de la falla, de tal manera que las distorsiones entre los tomos ms cercanos, de las capas atmicas vecinas, se hacen equidistantes. 2. En el caso de mxima cantidad de fallas de apilamiento introducidas (100 %), se puede llegar a tener una estructura que se asemeja a una estructura de empaquetamiento compacto. 3. La falla obtenida se puede considerar como una transformacin local de una red de empaquetamiento cbico centrado en el cuerpo a una red hexagonal de empaquetamiento compacto. 4. Existe un desdoblamiento de algunas reflexiones que mantienen su posicin central, a diferencia de otras en las que su posicin central se desplaza hacia la derecha.

5. De acuerdo a ciertas condiciones de reflexin, los perfiles de lneas no son afectados por las fallas de apilamiento. Esto representa una caracterstica fundamental para determinar que el ensanchamiento de las reflexiones por fallas de apilamiento se diferencia del ensanchamiento producido por tamaos pequeos de regiones de dispersin coherente.

CONCLUSIONES. los apilamientos compactos de capas dan origen a los

empaquetamientos compactos. Se observa que al apilar de forma alternada las capas se da origen al empaquetamiento hexagonal y cbico compacto. Una de las diferencias principales entre los apilamientos compactos y no compactos es que los apilamientos compactos tienden a tener menor energa. La forma en la que se apilan las capas para formar empaquetamientos compactos nos permite realizar simulaciones de los posibles errores en las estructuras cristalinas.

BIBLIOGRAFIA.INTRODUCCIN A LA CIENCIA DE MATERIALES.- M BIZARRO y M.F: SANCHEZ SIMULACIN DE FALLAS DE APILAMIENTO EN LA ESTRUCTURA BCC DEL HIERRO. Fernndez M. Hctor J. YONKEU, A. L. ET AL, CRYSTAL ENGINEERING