Universidad Cat olica Nuestra Se nora de la Asunci on Facultad de Ciencias y Tecnolog a

Electr onica I
Amplicador para micr ofono electret. Profesores: Ing. Jean Guevara. Ing. Lucas Frutos. Integrantes: Cynthia Franco e-mail:frcynthia@gmail.com Matr cula: 057507. Derlis Leiva e-mail: derlisesteen@gmail.com Matr cula: 057506. Carrera: Ing. Electr onica. Asunci on - Paraguay 31 de enero del 2011.
1

Amplicador para micr ofono electret

30 de enero de 2011
Resumen En todo sistema de audio, la funci on de los amplicadores es la de reproducir elmente la se nal de entrada. La amplicaci on puede estar restringida por la amplitud y excursi on de la salida sin distorsi on. Los amplicadores que consisten estrictamente de transistores y resistores pueden polarizarse de modo que el punto de reposo est e en la zona media del rango de tensi on de salida lineal dado por la fuente de alimentaci on. Esta ubicaci on del punto Q permite excursiones sim etricas1 de la tensi on de se nal alrededor un punto central.

1.

Introducci on

os amplicadores pueden ser clasicados de muy distintas maneras, seg un su margen de frecuencia, su forma de trabajo, el uso al que los destina, etc. La posici on del punto del reposo y la extensi on de las caracter sticas que pueden emplearse determinan el m etodo de funcionamiento. En ocasiones se requiere de una ganancia muy grande, lo que permite la utilizaci on de m as de un transistor colocados en cascada. La elecci on de una u otra conguraci on del transistor en cada etapa depender a de las caracter sticas del dise no.

2.
2.1.

Dise no
Especicaciones

El trabajo consiste en dise nar un amplicador para micr ofono electret2 , con ganancia de tensi on de 500 y como carga un auricular de 32 ohmmios. En la gura 1 se muestra el proceso empleado para el dise no del amplicador.
1 Cuando a un amplicador se le aplica cada vez una mayor se nal de entrada, la salida tambi en va aumentando hasta llegar a un punto en que empieza a recortar. En muchos casos es ventajoso lograr que comiencen a recortar ambos semiciclos simult aneamente, sim etricamente, y no uno antes que el otro, porque as se logra la m axima excursi on posible. 2 El micr ofono electret es de tipo electroac ustico. Est a formado por una membrana de policarbonato de 5 micras de espesor metalizada por su parte exterior, que constituye el electrodo m ovil.

Este cuenta con cinco etapas en cascada acopladas capacitivamente. La primera etapa tiene la funci on de transformar la impedancia de entrada al amplicador en si, las siguientes tres etapas realizan la funci on de amplicar la se nal entrante con la ganancia requerida y por u ltimo la etapa de salida utilizada para aislar la carga de la etapa precedente.

Figura 1: Diagrama en bloques.

2.2.
2.2.1.

Elecci on de conguraciones
Etapa 1. Reducci on de impedancia de entrada

Teniendo en cuenta que los micr ofonos electret se caracterizan por una alta impedancia interna, la primera etapa se centrar a en la reducci on de impedancia dejando de lado, por el momento, la amplicaci on de la se nal entrante. La conguraci on de seguidor de emisor se caracteriza por una ganancia de tensi on ligeramente menor que la unidad, una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. Generalmente se utiliza como transformador de impedancia en los circuitos de entrada y salida de sistemas amplicadores. Cuando se sit ua en el circuito de entrada, su elevada impedancia de entrada reduce la carga aplicada a la fuente de se nal. Cuando se sit ua en el circuito de salida, sirve para aislar de la carga la etapa precedente del amplicador y, adem as, da una baja impedancia de salida.3 La gura 2 muestra el circuito utilizado. El an alisis en continua determinar a el punto de trabajo del transistor. El an alisis alterno se utilizar a para determinar los valores resistivos que producir an una ganancia de tensi on pr oxima a la unidad. An alisis en continua.

12R2 R1 + R2 R1 R2 Rb = R1 + R2 Vb = Reglas de dise no.

3 Circuitos

(1) (2)

electr onicos. Donald Schilling-Charles Belove. Pag.291

Figura 2: Circuito de entrada.

Vce =

1 Vcc = 6V 2

(3)

Y siguiendo la malla colector-emisor se tiene Ve = 6V De este valor se obtiene Vb = Ve + Vbe 7V Llevando esto a (1) y (2) se obtiene las relaciones R1 = 0,714R2 Rb = 0,441R2 An alisis alterno. (6) (7) (5) (4)

Av = Donde

Rb Rs + Rb

(8)

Rb = Rb

(9)

Para una ganancia muy pr oxima a la unidad Rb Rs (10) (11)

Rb 82k Con este valor de Rb y sabiendo que R=100k Rb = 455k Llevando esto a (6) y (7) se tiene R2 = 1,09M R1 = 779,87k Re = 3,899k Los valores comerciales de las resistencias son R2 = 1 M R1 = 820k Re = 3.9k Los c alculos dan una impedancia de salida de Zo = hib + Rs Rb = 54.64 hfe + 1

(12)

(13) (14) (15)

(16) (17) (18)

(19)

Figura 3: Se nal de entrada de la etapa 1.

Figura 4: Se nal de salida de la etapa 1.

Las siguientes tres etapas corresponden a la fase de amplicaci on del circuito para lo cual se utiliza la conguraci on de emisor com un. El amplicador en emisor com un se caracteriza por amplicar la se nal, tanto en voltaje como en corriente, adem as el voltaje de salida es invertido con respecto a la entrada. Su impedancia de salida y entrada son altas. La se nal alterna es la se nal a amplicar y la continua sirve para establecer el punto de operaci on del amplicador. Este punto de operaci on permitir a que la se nal amplicada no sea distorsionada. En la gura 6 se ve que la base del transistor est a conectada a dos resistores (R1 y R2 ). Estos dos resistores forman un divisor de voltaje que permite tener en la base del transistor un voltaje necesario para establecer la corriente de polarizaci on de la base. Los capacitores de bloqueo (C1 y C3 ), se utiliza para bloquear la corriente continua que pudiera venir de Vi . Estos capacitores no se comportan tan perfectamente en la realidad, pero se acercan bastante, pudiendo suponerse como ideales. El resistor RE aumenta la estabilidad del amplicador, pero tiene el gran inconveniente que es muy sensible a las variaciones de temperatura (causar a cambios en la corriente de base, lo que causar a variaciones en la corriente de emisor (Ic = Ib Ie )). Esto producir a una disminuci on en la ganancia de corriente alterna, lo que no es deseable. Para resolver el problema colocamos en paralelo con R3 un capacitor (C2 ) que funcionar a como un corto circuito para la corriente alterna haciendo que solo quede Re (por lo general Re R3 ) que seguir a cumpliendo el rol de estabilizar el circuito.

Figura 5: Simulaci on en el orcad.

Inicialmente se llevar a a cabo los c alculos generales que posteriormente se utilizar an para obtener los valores de los componentes de las etapas 2, 3 y 4, pues en dichas etapas se tiene la misma conguraci on con la diferencia en la ganancia de tensi on.

Figura 6: Amplicador en emisor com un Para la elecci on de las resistencias se tendr a en cuenta los siguientes criterios de dise no que, como hab amos expuesto anteriormente, ser a v alido para las tres etapas subsecuentes.

Es un valor promedio del transistor Q2N2222

= 200 Vcc = 12V 1 Vce = Vcc = 6V 2

Condici on para no saturar el transistor

(20) (21) (22)

Vce > Vomax 1 1 Vcc Vb Vcc 3 2 Vomax Iocarga = RL

Condici on para que no se recorte Vo

(23) (24) (25)

Icq > Iocarga RE 10Rb Rb = RE = 10

(26) (27)

An alisis en Continua

Figura 7: Circuito en continua

R2 = 5V R1 + R2 R1 R2 Rb = R1 R2 = R1 + R2 7 R1 = R2 5 RE = Re + R3 Vb = Vcc 0 = Icq Rc + Icq RE + Vce Vcc Vcc 2Icq Rc RE = 2Icq Ve = Vb Vbe = 4,3V VRc = Vcc Vce Ve = 1,7V VRc Rc = Icq

(28) (29) (30) (31) (32) (33) (34) (35) (36)

An alisis en Alterna

Figura 8: Modelo h brido

hie = re =

26mV Icq Rc Vo = Av = Vi hie + ( + 1)Re Rc hie Av Re = ( + 1)Av Zi = Rb Zit = Rb hie + ( + 1)Re

(37) (38) (39) (40)

2.2.2.

Etapa 2: Ganancia de tensi on Av = 20

Datos del circuito Vimax = 5mV Vomax = 100mV 100mV = 0,03mA Iocarga = 3,3k Icq = 1mA RL = 3,3k Resultados en continua Rc = 1,7k RE = 4,3k Rb = 86k R1 = 147k R2 = 206,4k (46) (47) (48) (49) (50) (41) (42) (43) (44) (45)

10

Resultados en Alterna hie = 5,2k Re = 58,7 R3 = 4,24k Zi 1.4k (51) (52) (53) (54)

Los valores comerciales elegidos fueron Re = 56 Rc = 1.8k R3 = 3.9k R1 = 180k R2 = 150k A continuaci on se muestran las im agenes obtenidas tanto en el Orcad como en el montaje real.

Figura 9: Entrada de la etapa 2.

11

Figura 10: Salida de la etapa 2.

Figura 11: Simulaci on en el orcad. 2.2.3. Etapa 3: Ganancia de tensi on Av = 10

Datos del circuito Vimax = 100mV Vomax = 1V Iocarga = 1V = 0,736mA 1357,32 RL = 1357,32 Icq = 15mA Resultados en continua (55) (56) (57) (58) (59)

12

Rc = 113 RE = 287 Rb = 5,74k R1 = 13,776k R2 = 9,84k Resultados en Alterna hie = 344,9 Re = 9,52 R3 = 277,5k Zi = 3.3k

(60) (61) (62) (63) (64)

(65) (66) (67) (68)

Los valores comerciales elegidos fueron Re = 33 Rc = 680 R3 = 1.2k R1 = 12k R2 = 10k A continuaci on se muestran las im agenes obtenidas tanto en el Orcad como en el montaje real. 2.2.4. Etapa 4: Ganancia de tensi on Av = 2.5

Datos del circuito Vimax = 1V Vomax = 2,5V 2,5V = 14,12mA Iocarga = 354 RL = 354 Icq = 50mA (69) (70) (71) (72) (73)

13

Figura 12: Entrada de la etapa 3. Resultados en continua Rc = 33 RE = 87 Rb = 1,74k R1 = 4,176k R2 = 2,98k Resultados en Alterna hie = 104 Re = 12,61 R3 = 75k Zi = 1.357k (79) (80) (81) (82) (74) (75) (76) (77) (78)

Los valores comerciales elegidos fueron Re = 22 Rc = 82 R3 = 33k R1 = 4.7k R2 = 3.3k 14

Figura 13: Salida de la etapa 3.

Figura 14: Simulaci on en el orcad. 2.2.5. Etapa Salida: Ganancia de tensi on Av=1

Como habiamos comentado al principio el seguidor de emisor, situado en el circuito de salida, sirve para aislar la carga de la etapa precedente, por ello esta conguraci on es utilizada en esta etapa. Se iniciar a con los c alculos que producir an una ganancia de tensi on pr oxima a la unidad y posteriormente se calcular a la impedancia de entrada del circuito que actuar a como resistencia de carga para la etapa precedente.

15

Dise naremos un seguidor de emisor que cumpla las siguientes condiciones. VCE,sat = 1V Vcc = 12V Rl = 32 Av 0,9 100 hfe 200 Vi m 4V Para simplicar los c alculos elegimos Re = Rl = 32 La gura 15 muestra las rectas de carga de continua y alterna. En ella se ha representado dos puntos de trabajo. Se sit ua al punto Q1 (que se ha elegido con el criterio de la m nima corriente que cumpla con la especicaciones) en ICQ1 = 250mA y el punto Q2 (se ha situado de forma que se evite la tensi on de saturaci on de 1V) en ICQ2 =312.5mA. La corriente de reposo viene dada por

Figura 15: SRecta de carga para la etapa 5.

ICQ

VBB 0,7 32 + Rb /hfe

(83)

As , existir a un m nimo para hfe = 100.

16

Entonces, como la corriente m nima posible es de 250mA, 250m Y para hfe =200 312,5m VBB 0,7 32 + Rb /200 (85) VBB 0,7 32 + Rb /100 (84)

Combinando estas dos desigualdades, tenemos 250m(32 + Simplicando, obtenemos 8 + 2,5mRb 10 + 1,56mRb lo cual se reduce a 0,9375mRb 2 y Rb 2,13k (88) (87) Rb Rb ) VBB 0,7 312,5m(32 + ) 100 200 (86)

Para conseguir una ganancia mayor de 0.9 se precisa que Av ( Rb )( ri + Rb (Rl Rl Re Re ) + hib + (ri Rb )/hfe ) (89)

Luego, con hib = y sabiendo que ri = 0 se tiene Av = ( 16 ) 0,99 (16) + 0,0888 + (0)/100 25mV = 0,0888 281,25mA

lo cual satisface la condici on de ganancia.

17

Tomando RB = 500 (0,25)(32 + 5) VBB 0,7 (0,3125)(32 + 2,5) 9,95 VBB 11,48 Si tomamos VBB = 10V, a partir de (1) y (2) tenemos que (92) R2 3k R1 600 (93) (94) (90) (91)

Los valores comerciales elegidos fueron Re = 33 R1 = 560 R2 = 3.3k A continuaci on se muestran los resultados obtenidos con ayuda del Pspice y con el montaje del circuito real.

Figura 16: Se nal de entrada de la etapa 5.

18

Figura 17: Se nal de salida de la etapa 5.

2.3.

Elecci on de capacitores

En la mayoria de las ocasiones, para el dise no de los amplicadores s olo se requiere que la respuesta se mantenga en el valor medio de la banda hasta una cierta frecuencia punto en el cual puede descender 3dB. Por debajo de esta frecuencia de codo la forma de la curva de respuesta es a menudo poco importante a condici on de que la ganancia contin ue disminuyendo con la frecuencia. Cuando este es el caso, el circuito se dise na de manera que el condensador de desacoplo de emisor determine la frecuencia de codo. Esto se hace para minimizar el tama no del condensador. Los condensadores de acoplo se eligen de manera que produzcan frecuencias de codo inferiores a 3dB. Cuando se dise na el circuito de esta manera, los condensadores de acoplo suelen ser mucho menores que los de acoplo. Para nuestro caso concreto, la elecci on de los condensadores se baso por lo dicho anteriormente y en el hecho de que al optar por valores capacitivos elevados estamos trabajando de forma independiente de la frecuencia. Entonces los capacitores de acoplamiento se eligieron de 47 y los de desacoplo de 470

19

Figura 18: Simulaci on en el orcad.

3.
3.1.

Anexos
Dise no de circuitos impresos.

A continuaci on se muestra el dise no del circuito implementado en el editor de circuitos impresos del Orcad Layout 10.5

20

Figura 19: Circuito impreso implementado en el Orcad Layout.

3.2.

Hoja de datos de componentes.

La siguiente es la hoja de datos del transistor utilizado, a saber, 2N2222.

21

PN2222

PN2222
General Purpose Transistor

TO-92

1. Emitter 2. Base 3. Collector

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ TSTG Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Value 60 30 5 600 625 150 -55 ~ 150 Units V V V mA mW C C

Electrical Characteristics Ta=25C unless otherwise noted

Symbol BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE VCE (sat) VBE (sat) fT Cob Parameter Collector-Base Breakdown Voltage Collector Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current DC Current Gain * Collector-Emitter Saturation Voltage * Base-Emitter Saturation Voltage Current Gain Bandwidth Product Output Capacitance Test Condition IC=10A, IE=0 IC=10mA, IB=0 IE=10A, IC=0 VCB=50V, IE=0 VEB=3V, IC=0 VCE=10V, IC=0.1mA VCE=10V, *IC=150mA IC=500mA, IB=50mA IC=500mA, IB=50mA VCE=20V, IC=20mA, f=100MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz 300 8 35 100 Min. 60 30 5 0.01 10 300 1 2 V V MHz pF Max. Units V V V A nA

* Pulse Test: Pulse Width300s, Duty Cycle2%

2004 Fairchild Semiconductor Corporation

Rev. A, November 2004

PN2222

Package Dimensions

TO-92
4.58 0.15
+0.25

0.46

14.47 0.40

0.10

4.58 0.20

1.27TYP [1.27 0.20] 3.60

0.20

1.27TYP [1.27 0.20]

0.38 0.05

+0.10

3.86MAX

1.02 0.10

0.38 0.05

+0.10

(R2.29)

(0.25)

Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. A, November 2004

TRADEMARKS
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ACEx

ActiveArray Bottomless CoolFET CROSSVOLT DOME EcoSPARK E2CMOS EnSigna FACT FACT Quiet Series Across the board. Around the world. The Power Franchise Programmable Active Droop

FAST FASTr FPS FRFET GlobalOptoisolator GTO HiSeC I2C i-Lo ImpliedDisconnect

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Datasheet Identification Advance Information Product Status Formative or In Design First Production Definition This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice. This datasheet contains preliminary data, and supplementary data will be published at a later date. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design. This datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design. This datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor. The datasheet is printed for reference information only.

Preliminary

No Identification Needed

Full Production

Obsolete

Not In Production

2004 Fairchild Semiconductor Corporation

Rev. I13

3.3.

Montaje del circuito.

25

Figura 20: Circuito Amplicador.

Figura 21: Circuito Amplicador.

Referencias
[1] onald Schilling and Charles Belove, Circuitos electr onicos, McGraw Hill , Junio 1994. [2] acob Millman and and Christos C. Halkias, Electr onica integrada, McGraw Hill, 1976. [3] http://proton.ucting.udg.mx/materias/mtzsilva/practica4/index.htm [4] http://www.unicrom.com/Tutt ransistorb ipolar.asphttp //laimbio08.escet.urjc.es/assets/f iles/docencia/ECA/T ema :

[5] http://www.frbb.utn.edu.ar/electronica/3-tercero/ea-i/3 20BJT20con2 0seniales20f uertes/Capitulo2003c 20P olarizacion20para20max,20excursion.pdf http : //www.coneau.edu.ar/archivos/354.pdf

26

Figura 22: Circuito Amplicador.

Figura 23: Parlantes.

27