Diodo Zener

Son diodos diseados para trabajar como limitadores de tensin siendo una de sus aplicaciones en fuentes reguladas , es decir, para mantener fija la tensin para distintos valores de corriente

El diodo zener puede trabajar en base a dos principios fundamentales Efecto Tnel y Efecto Avalancha, en ambos casos las curvas son iguales pero internamente responden a fenmenos fsicos distintos.

Diodo Zener por Efecto Tunel

Se trata de una juntura p+ n+ altamente contaminada pero sin llegar a que el nivel de fermi se solape ,sino que se queda levemente cercano .
El efecto tnel en sentido inverso se produce solo despus de aplicar una pequea tensin inversa Vz. En sentido directo el diodo se comporta como una juntura pn normal . El efecto tnel en sentido inverso solo puede producirse cuando la distancia L (juntura) es pequea , vale decir cuando las contaminaciones de ambas zonas son relativamente fuertes. Con este principio se fabrican diodos zener con bajas tensiones zener y la caracterstica de estos dispositivos es que al aumentar la temperatura disminuye la tensin zener

Diodo Zener por efecto de avalancha

En una juntura p n con polarizacin inversa , el campo elctrico en la zona de carga espacial acelera a los portadores minoritarios generados por efecto trmico a ambos lados de la juntura. Estos portadores minoritarios determinan la corriente de saturacin inversa . Si la tensin es excesiva los portadores minoritarios que determinan Is se mueven con tal velocidad que pueden al hacer el impacto sobre los tomos del cristal, provocar la ionizacin de los mismos. Con esto se generan nuevos pares de portadores que volvern a chocar con otros tomos y desprender nuevos pares de portadores y as sucesivamente . Este es el llamado efecto de avalancha que produce en la curva una pendiente altsima ya que en ese valor critico de tensin (Vz) la corriente tiende al infinito. Con este principio se fabrican diodos zener con medias y altas tensiones zener y la caracterstica trmica de estos dispositivos es que al aumentar la temperatura aumenta la tensin zener
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Aplicaciones Regulador en paralelo

Diodo TUNEL
El efecto tnel es un mecanismo cuntico mediante el cual un electrn puede vencer barreras de potencial mayores que la energa cuntica que posee . Se produce solo en estados con la misma energa, las caractersticas que presenta este dispositivo en su polarizacin hace que se utilice en el campo de la conmutacin a alta velocidad , debido a que como la conduccin es de naturaleza Ondulatoria, no existe tiempo de transito ni almacenamiento de portadores.

Se observa que tanto la zona p como la zona n estn muy contaminadas. La ubicacin del nivel de Fermi en ambos casos, fuera de la banda prohibida, as lo indica. Esto ocasiona que el ancho de la juntura sea relativamente pequeo, y a travs de l surgir una barrera de potencial 0 V . sta barrera ser superada por tunelamiento por los portadores, debido al pequeo ancho de la juntura

Diodo tunel. a) Juntura en equilibrio trmico, b) Polarizacin inversa ante la menor tensin aplicada circula una gran corriente, c) Polarizacin directa de pequeo valor, los estados ocupados de la banda de conduccin del lado n y los vacos de la banda de valencia de la zona p coinciden circula una corriente por efecto tunel, d) Los estados ocupados y vacios han dejado de coincidir y cesa el efecto tunel y la unica corriente es de electrones y huecos. 7

Diodo PIN

Constituye un tipo de diodo rectificador suficientemente importante. Se creo a los efectos de obtener un rectificador que presenta una muy alta tensin de ruptura. El campo mximo en la zona de transicin debe ser mantenido muy pequeo de manera que la ruptura por avalancha no se produzca. Lo anterior se logra cuando se tiene una ancho zona de transicin (se obtiene un campo constante y de bajo valor).

Se debe de insertar una seccin de material intrnseco entre las regiones n y p.

Caracterstica de la ruptura por avalancha para juntura a)Muy contaminada Vz (8v 50v); b)normalmente contaminada (200 - 500) c) Juntura P-I-N (2000 - 3000) 9

DIOSO VARICAP(o Varactor):

Los diodos varactores son capacitores de semiconductor variables y dependientes del voltaje. Su modo de operacin depende de la capacidad de transicin que existe en la unin p-n cuando sta se polariza en inverso. Mientras ms se polariza en inverso, menor es el ancho de la zona de transicin, y por lo tanto, mayor es la capacidad.

stos diodos se utilizan para controlar la sintonizacin, a travs de la variacin de la capacidad del diodo, mediante la variacin de la polarizacin aplicada al mismo. Esto permite controlar electrnicamente la frecuencia de resonancia.
DIODO SCHOTTKY El diodo Schottky es un dispositivo formado uniendo un metal con un semiconductor (generalmente tipo n). Los niveles energticos de un metal y un semiconductor son, individualmente, como muestra la figura:

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Niveles energticos de un metal y un semiconductor

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La barrera de potencial disminuir para la polarizacin directa, ya que hay un aumento de la energa de Fermi en el semiconductor, y por lo tanto la corriente de electrones hacia el metal. Entonces, tomando una unin n-metal, y polarizndola en forma directa (es decir, el terminal negativo al semiconductor tipo n),existe corriente debido a los electrones del semiconductor que pasan al metal. La barrera de potencial aumentar en condiciones de polarizacin inversa, ya que hay una disminucin de la energa de Fermi en el semiconductor, y por lo tanto mayor dificultad para que los electrones del metal pasen al semiconductor. Entonces, si polarizamos al diodo Schottky en forma inversa (positivo al lado n), no existe corriente. 12

Las principales caractersticas de ste dispositivo son: Para una determinada corriente, presenta menor cada de tensin que un diodo comn.

Los portadores que determinan la corriente son exclusivamente mayoritarios, por lo que no hay almacenamiento de cargas y el tiempo de almacenamiento es prcticamente nulo. Esto le permite al diodo Schottky trabajar en conmutacin a altas frecuencias.
Cuando el diodo schottky funciona de modo directo, la corriente es debida a los electrones que se mueven desde el silicio de tipo n a travs del metal, el tiempo de recombinacin es muy pequeo, normalmente del orden de 10 ps. Esto es carios rdenes de magnitud menor que los correspondientes a la utilizacin de diodos de silicio pn es por esto que generalmente se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad.
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