UNIVERSIDADE FEDERAL DO PAR INSTITUTO TECNOLGICO CURSO DE GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

William Maximino da Silva Pessoa

Anlise da Distribuio Vetorial de Corrente em Sistemas de Aterramento

Belm 2007

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Anlise da Distribuio Vetorial de Corrente em Sistemas de Aterramento.

Este Trabalho foi julgado em ___ /___ /2007, adequado para obteno do Grau de Engenheiro Eletricista, e aprovado na sua forma final pela banca examinadora que atribuiu o conceito__________________.

_____________________________________________ Prof. Dr. Carlos Leonidas da S. S. Sobrinho (Orientador) _____________________________________________ MsC. Rodrigo Melo da Silva e Oliveira (Co-orientador) _____________________________________________ MsC. Emanuel dos Santos Souza Jnior (Membro da banca examinadora) _____________________________________________ Prof. Dr. Orlando Fonseca Silva (Coordenador do Curso de Engenharia Eltrica)

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UNIVERSIDADE FEDERAL DO PAR INSTITUTO TECNOLGICO CURSO DE GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

William Maximino da Silva Pessoa

Anlise da Distribuio Vetorial de Corrente em Sistemas de Aterramento

TRABALHO SUBMETIDO AO COLEGIADO DO CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA PARA OBTENO DO GRAU DE ENGENHEIRO ELETRICISTA

Belm 2007

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Aos meus pais, William e Carmem e minha irm Walquiria, por me apoiarem em todos os momentos de minha vida.

AGRADECIMENTOS

Gostaria de agradecer primeiramente a Deus por toda a fora e disposio que ele depositou em mim, e por nas horas mais difceis da minha vida ser sempre uma presena constante. Gostaria muito de agradecer ao meu orientador Prof. Dr. Carlos Leonidas da S. S. Sobrinho pelo apoio e pacincia que sempre teve comigo, sempre me ajudando e dando suporte quanto as minhas limitaes. Tambm tenho muito que agradecer a famlia Lane (Laboratrio de Anlise Numrica em Eletromagnetismo), em especial aos amigos Rodrigo, Yuri, Humberto, Tiago, Denlson e Mota. E ao grande amigo Tiago Blanco por toda fora para a concretizao deste trabalho. E no poderia esquecer nunca de agradecer aos meus extraordinrios pais William e Carmem juntamente com minha irm Walquiria pela fora e compreenso em todos estes anos, apoiando-me em todos os sentidos e nunca deixando faltar nada. Agradecer tambm pelo apoio da minha namorada Vanessa. Enfim aqui fica registrado o meu muito obrigado para as pessoas que contriburam de maneira direta e indireta para a realizao deste trabalho.

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melhor arriscar coisas grandiosas, alcanar triunfos e glrias, mesmo expondo-se a derrota, do que formar fila com os pobres de esprito que nem gozam muito nem sofrem muito, porque vivem nessa penumbra cinzenta que no conhece VITRIA nem derrota Franklin Delano Roosevelt

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SUMRIO

LISTA DE FIGURAS LISTA DE TABELAS LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS LISTA DE SMBOLOS

INTRODUO......................................................................................................18 1.1 Referncias Bibliogrficas..............................................................................21

SISTEMA DE ATERRAMENTO...........................................................................22 2.1 Conceitos sobre sistemas de aterramento.....................................................22 2.1.1 Resistividade do solo........................................................................22 2.1.2 Resistncia de aterramento..............................................................28 2.1.3 Mtodo de medio da resistncia de aterramento..........................36 2.1.3.1 Mtodo da queda do potencial............................................36 2.1.4 Mtodo de medio de resistividade do solo....................................38 2.1.4.1 Medio por amostragem....................................................38 2.1.4.2 Medio pelo mtodo de Wenner........................................39 2.1.5 Conceitos bsicos de segurana em aterramento............................40 2.1.5.1 Efeito da corrente no organismo humano...........................41 2.1.5.2 Potencial de passo e de toque............................................42

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2.1.5.3 Resistncia do corpo humano.............................................44 2.2 Referncias Bibliogrficas..............................................................................46

DESENVOLVIMENTO TERICO E MODELAGEM DO PROBLEMA................47 3.1 Mtodo FDTD.................................................................................................47 3.1.1 A clula de Yee.................................................................................47 3.1.2 Dimenses da clula, estabilidade e preciso..................................52 3.1.3 As tcnicas de representao de fios finos.......................................52 3.1.4 A Truncagem do Mtodo FDTD por UPML.......................................53 3.2 Processamento Paralelo.................................................................................59 3.3 Referncias Bibliogrficas..............................................................................62

RESULTADOS.....................................................................................................64 4.1 Anlises da Distribuio de Corrente em Sistemas de Aterramento..............64 4.2 Simulaes utilizando duas camadas.............................................................64 4.2.1 Simulaes com resistividades variando de forma crescente..........64 4.2.2 Simulaes com resistividades variando de forma decrescente......70 4.3 Simulaes utilizando trs camadas...............................................................74 4.3.1 Simulaes com resistividades variando de forma crescente..........74 4.2.2 Simulaes com resistividades variando de forma decrescente......81 4.4 Simulaes utilizando apenas uma haste, o modelo fractal e o modelo fractal com a segunda ramificao............................................................88 4.4.1 Simulao com uma haste................................................................88 4.4.2 Simulao utilizando modelo fractal..................................................91

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4.4.3 Simulao utilizando o modelo fractal com a segunda ramificao.................................................................................................94 4.5 Simulao utilizando uma malha de terra e o modelo guarda chuva.............98 4.5.1 Simulao com a malha de terra......................................................98 4.5.2 Simulao com o modelo guarda chuva.........................................101 4.6 Referncias Bibliogrficas............................................................................105

CONCLUSO.....................................................................................................106 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS..................................................................108

LISTA DE FIGURAS

Figura 2.1 x Umidade Percentual Solo Arenoso.......................................................24 Figura 2.2 Comportamento da resistividade da gua em funo da temperatura.....26 Figura 2.3 Representao do solo estratificado em quatro camadas onde a ltima camada considerada infinita.........................................................................................28 Figura 2.4 Linhas de Correntes Eltricas....................................................................29 Figura 2.5 Fonte de Corrente I no interior da terra......................................................30 Figura 2.6 Ponto Imagem............................................................................................31 Figura 2.7 Haste de aterramento posicionada na origem...........................................32 Figura 2.8 Esquema de medio da resistncia da terra............................................37 Figura 2.9 Perfil da resistncia no mtodo da queda de potencial..............................37 Figura 2.10 Medio da resistividade em laboratrio utilizado em cuba.....................38 Figura 2.11 Arranjo para medio da resistividade utilizando mtodo de Wenner.....39 Figura 2.12 Tenso de passo (a) e tenso de toque (b) em estrutura aterrada..........43 Figura 3.1 (a) Posio das componentes dos campos eltrico e magntico, (b) Clula no interior de uma malha 3-D..........................................................................................48 Figura 3.2 Clula de Yee com componentes dos campos eltricos e magnticos no instante n.........................................................................................................................49 Figura 3.3 Plano paralelo ao plano x-y........................................................................49 Figura 3.4 Modelo Geral, no plano x-y, do domnio numrico de um problema aberto..............................................................................................................................53

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Figura 3.5 Modelo de problema de eletromagntico aberto em 2-D, fechado artificialmente pela UPML................................................................................................54 Figura 3.6 Distribuio do problema em tarefas menores, entre vrios processadores.................................................................................................................59 Figura 3.7 Tempos de processamento de 1 a 4 processadores para o problema da malha Guarda Chuva......................................................................................................61 Figura 4.1 Solo estratificado em duas camadas..........................................................65 Figura 4.2 Solo estratificado em trs camadas...........................................................65 Figura 4.3 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.1...........................................................................67 Figura 4.4 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.1...........................................................................69 Figura 4.5 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.1...........................................................................71 Figura 4.6 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.1...........................................................................73 Figura 4.7 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.2...........................................................................76 Figura 4.8 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.2...........................................................................78 Figura 4.9 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.2...........................................................................80 Figura 4.10 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.2...........................................................................82 Figura 4.11 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.2...........................................................................84

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Figura 4.12 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.2...........................................................................86 Figura 4.13 Solo homogneo com uma haste.............................................................88 Figura 4.14 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Distribuio de potencial na superfcie do solo (d) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.13........................................................................................................................91 Figura 4.15 (a) Modelo Fractal (b) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (c) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (d) Distribuio de potencial na superfcie do solo (e) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.............................................................................................................................94 Figura 4.16 (a) Modelo Fractal com a segunda ramificao (b) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (c) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (d) Distribuio de potencial na superfcie do solo (e) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo......................................................................................97 Figura 4.17 (a) Malha 5x5 viso x-z (b) Malha 5x5 viso x-y......................................98 Figura 4.18 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Distribuio de potencial na superfcie do solo (d) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo, referente figura 4.17......................................................................................................................101 Figura 4.19 (a) Representao do modelo guarda chuva em 3D (b) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (c) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (d) Distribuio de potencial na superfcie do solo (e) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo......................................................104

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LISTA DE TABELAS
Tabela 2.1 Faixa de valores usuais de resistividade de certos tipos de solos.............23 Tabela 2.2 Influncia da concentrao de sais na resistividade do solo.....................25 Tabela 2.3 Valores tpicos de resistividade para diferentes perodos geolgicos.......27 Tabela 2.4 Expresses para a relao tenso corrente considerando-se configurao tpica de eletrodos de aterramento..................................................................................35 Tabela 2.5 Resistncia do corpo humano com a tenso.............................................44

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LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS

ABC FDTD LANE SAGS PEC UPML TGR IEEE

Condio de Fronteira Absorvente (Absorbing Bondary Condition) Diferenas Finitas no Domnio do Tempo (Finite Diference Time Domain) Software de Anlise e Sntese de Sistemas de Aterramento Condutor Eltrico Perfeito (Perfect Eletrica Conductor) Camada Uniaxial Perfeitamente Casada (Uniaxial Perfectly Matched Layers) Resistncia de terra transitria (Transient Grouding Resistance) Instituto de Engenheiros Eletricista e Eletrnicos (Institute of Electrical and Electronics Engineers)

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LISTA DE SMBOLOS
r H r E r J

Vetor intensidade de campo magntico [A/m] Vetor intensidade de campo eltrico [V/m] Vetor densidade de corrente eltrica Permeabilidade magntica [H/m] Permeabilidade relativa [H/m] Permissividade eltrica [F/m] Permissividade eltrica relativa Condutividade eltrica [S] Tempo [s] Coordenadas do sistema cartesiano Componentes do campo magntico Componentes do campo eltrico Endereamento no espao discretizado ndice Temporal Incrementos espaciais [m] Incremento temporal [s] Densidade volumtrica de carga [C/m] Corrente de pico da fonte de excitao [A] Tempo de frente de onda do pulso de excitao [s] Tempo de calda do pulso de excitao [s] Menor Comprimento de onda correspondente a maior freqncia significativa do sinal considerado

t x, y e z Hx , H y e Hz Ex , E y e Ez (i, j, k) n

x , y e z t

v
I max
Tf

Tt

min

Vmax
Sx , Sy ,Sz Kx, Ky, Kz

Velocidade da luz no vcuo [m/s] Elementos componentes do tensor diagonal S Parte real no unitria na expresso do tensor diagonal

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x max

Condutividade mxima na equao da UPML Condutividade tima na equao da UPML Espessura da UPML Freqncia Tenso Mxima Fator de correo de amplitude Constante de proporcionalidade Densidade de corrente no ponto P Potencial no ponto P Raio da haste de aterramento Valor rms de corrente permitida atravs do corpo humano em Ampres Tempo de exposio ou durao da falta em segundos Constante emprica relacionada com a tolerncia ao choque eltrico para um certo percentual da populao

x opt
d
f

U max

Jp Vp
r, a

Ic ts Sc

V passo Vtoque

Tenso de passo Tenso de toque Gradiente de ionizao do solo Tempo de frente de onda Tempo de cauda de onda

Eo
Tf

Tt

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RESUMO

No presente trabalho so apresentadas anlises da distribuio vetorial de corrente no solo visando otimizao de sistemas de aterramento. mostrado que a corrente na superfcie do solo responsvel pelo perfil do potencial na superfcie do solo. Tal aspecto envolve a segurana de pessoas. Assim, uma nova estrutura proposta para direcionar a corrente para dentro do solo e reduzir os riscos propiciados pelo potencial na superfcie do solo. Para a anlise das estruturas consideradas, foi desenvolvido um software em ambiente paralelo no qual as equaes de Maxwell so resolvidas numericamente atravs do mtodo das Diferenas Finitas no Domnio do Tempo (mtodo FDTD - 3D) associado truncagem do domnio de anlise pela tcnica UPML e tcnica de fio fino desenvolvida por Baba et Al.

Palavras chave Aterramento eltrico, distribuio de corrente, potencial de passo, modelo da malha de Terra, modelo guarda chuva.

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CAPTULO 1 Introduo
Com o passar dos anos os quesitos qualidade e segurana se tornaram fatores indispensveis em qualquer que seja o empreendimento, de forma a garantir uma boa reputao das empresas prestadoras de servio. Partindo deste princpio, um dimensionamento adequado do aterramento eltrico de fundamental importncia, tanto na construo de prdios, quanto para as concessionrias de energia eltrica, de forma a oferecer estabilidade aos sistemas conectados ao mesmo, e principalmente, oferecer segurana pessoal. Embora aparentemente simples, os sistemas de proteo devem levar em considerao muitas variveis, com o objetivo de garantir a continuidade do funcionamento dos sistemas onde so empregados, assim como a proteo vida humana. O aterramento consiste fundamentalmente de uma estrutura condutora, que enterrada propositadamente ou que j se encontra enterrada, e que garante um bom contato eltrico com a terra, chamada eletrodo de aterramento, e a ligao desta estrutura condutora aos elementos condutores da instalao eltrica responsveis pela proteo do sistema eltrico. As diversas tcnicas da anlise de problemas de eletromagnetismo podem ser classificadas em trs categorias: analticas, experimentais e numricas. Os mtodos analticos nos fornecem resultados exatos e tambm facilitam a observao do comportamento das solues em funo da variao dos parmetros do problema, contudo, normalmente s so possveis apenas para problemas com configuraes mais simples. Os mtodos experimentais so ensaios laboratoriais, caros, muito demorados, pouco flexveis na avaliao dos efeitos da variao de parmetros, e os mtodos numricos que so aplicveis a problemas simples e complexos, que podem ou no serem resolvidos atravs de mtodos analticos, ou que se tornam financeiramente custosos por meio de tcnicas experimentais. Com o avano da computao eletrnica digital, vrios algoritmos foram escritos para a anlise de tenses de toque e de passo gerada por correntes em malhas de terra. As diversas tcnicas de anlise de problemas de eletromagnetismo podem ser

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classificadas em trs categorias: analticas [1], experimentais [2] e numricas [3,4,5]. Os mtodos analticos nos fornecem resultados exatos e tambm facilitam a observao do comportamento das solues em funo da variao dos parmetros do problema, contudo, normalmente so aplicveis apenas em problemas de simples configurao. Os mtodos experimentais so ensaios geralmente dispendiosos, muito demorados, e pouco flexveis na avaliao dos efeitos da variao de parmetros. Por outro lado, os mtodos numricos so aplicveis tanto em problemas simples como em complexos, permitindo anlises criteriosas desde o transitrio at o estado de regime estacionrio dos resultados. Nesse contexto, a anlise da propagao da onda eletromagntica atravs do mtodo das diferenas finitas no domnio do tempo (FDTD) de grande aplicabilidade. Esse mtodo formulado por Kane Yee [6], em 1966, apresenta-se como uma tcnica eficaz na soluo de problemas complexos de interaes de ondas eletromagnticas com meios materiais e tem sua aplicao expandindo-se em reas diversas do conhecimento medida que o custo computacional inerente decresce. Tal mtodo associado tcnica de truncagem UPML (Uniaxial Perfectly Matched Layers) [7] e ao processamento paralelo [8], apresenta-se como uma poderosa ferramenta na soluo das equaes de Maxwell, usada nos mais diversos problemas de compatibilidade eletromagntica, e ainda, com baixo tempo de processamento. A troca de dados se deu atravs da placa me utilizando a biblioteca LAM/MPI [9]. Desta forma, o ambiente computacional desenvolvido [10] usado no projeto de sistemas de aterramento capazes de promover a visualizao da distribuio de corrente no solo. Para este fim, so apresentados alguns casos que envolvem simulaes em um solo estratificado, utilizando resistividades crescentes e decrescentes, e ainda, a anlise da distribuio de corrente na malha de terra, e no modelo guarda-chuva [11]. Os resultados obtidos sero ento usados para o desenvolvimento de novos sistemas de aterramento, os quais devero propiciar a transferncia de energia eltrica para a terra de forma a reduzir os transitrios e os potenciais de passo e de toque. O ambiente computacional (LANE SAGS) desenvolvido no Laboratrio de Anlise Numrica em Eletromagnetismo (LANE) [12] usado neste projeto, o qual foi adaptado para permitir a visualizao da distribuio de corrente no solo. O LANE SAGS foi desenvolvido em linguagem de programao C. O mesmo

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destina-se, principalmente, a anlise de problemas de compatibilidade eletromagntica, sem a necessidade de conhecimentos profundos dos mtodos utilizados (FDTD Diferenas Finitas no Domnio do Tempo, Condies de contorno absorventes e Tcnica de Fio Fino).

O texto deste trabalho est organizado da seguinte maneira: Captulo 2 traz uma abordagem sucinta dos sistemas de aterramento; Captulo 3 traz a abordagem terica relacionada ao mtodo FDTD, s condies de fronteira absorvente, s fontes e a como as implementaes computacionais foram feitas; Captulo 4 Trata dos resultados obtidos nas simulaes envolvendo vrios arranjos em sistemas de aterramento; Captulo 5 So apresentadas as concluses e propostas para trabalhos futuros.

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1.1 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] L. Greev; F. Dawalibi, An electromagnetic model for transients in grounding systems, IEEE Trans. On Power Delivery, vol. 5, no. 4, pp. 1773-1781, November 1990. [2] K. Tanabe, "Novel method for analyzing the transient behavior of grounding systems based on the finite-difference time-domain method," CRIEPI Report -Tokio, 2001. [3] A. P. Sakis Meliopoulos, F. Xia, E. B. Joy and G. J Cokkinides, An Advanced Computer Model for Grounding System Analysis, IEEE Transactions on Power Delivery, Vol. 8, n 1, 1993. . [4] C. S. Desai; J. F. Abel, Introduction to the Finite Element Method: A Numerical Approach for Engineering Analysis, New York: Van Nostrand Reinhold. 1972.A. Taflove, Advances in Computational Electromagnetics The Finite-Difference TimeDomain Method, Artech House, Boston-London, 1998. [5] A. Taflove, Advances in Computational Electromagnetics The Finite-Difference 3,, Time-Domain Method, Artech House, Boston-London, 1998. [6] Yee, K. S., Numerical Techniques in Electromagnetics, CRC press. [7] J. F. Almeida, R. O. dos Santos, and C. L. da S. S. Sobrinho, "Computational technique to UPML absorbing boundary conditions by FDTD: A complete approach," IEEE Latin America Transactions, vol. 3, no. 5, pp. 377382, Dec. 2005. [8] Johnny Marcus Gomes Rocha. CLUSTER BEOWULF: Aspectos de Projeto e Implementacao. 2003. Dissertao (Mestrado) - Curso de Mestrado em Engenharia Eltrica, Centro Tecnolgico, Universidade Federal do Par, Belm. [9] www.lam-mpi.org [10] Tuma, E. T. ; Oliveira, R. M. S. de ; Sobrinho, Carlos Leonidas da S. S., "New Model of Current Impulse Injection and Potencial Measurement in Transient Analysis of Grounding Systems in Homogeneous and stratified Soils Using The FDTD Method," In: VIII International Symposium on Lightning Protection, 2005, So Paulo. VIII International Symposium on Lightning Protection, 2005. [11] Arajo, H. X. de Oliveira, R.M.S de; Salame, Y. C.; Carlos Leonidas da S. S., "Novel Grounding Structures for reducing step potentials" In: XXVIII Iberian Latin American Congress On Computational Methods In Engineering, 2006, Belm-PA. [12] www.lane.ufpa.br

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CAPTULO 2 Sistema de Aterramentos

2.1 Conceitos sobre sistemas de aterramento

O presente captulo ir abordar tpicos relevantes em sistemas de aterramento. Os quais fazem com que o sistema de energia eltrica opere corretamente, com uma adequada continuidade de servio e com um desempenho seguro do sistema de proteo. Equipamentos modernos e sistemas que utilizam dispositivos eletrnicos sensveis esto cada vez mais aperfeioados e presentes no cotidiano das pessoas. Portanto em muitos casos um dano ou uma pequena falha de funcionamento comprometem sobre maneira o fabricante. Por isso, a gama de fenmenos eltricos existentes torna crtico o funcionamento dos equipamentos, o qual depende das caractersticas do solo, e a partir da surge necessidade de um aprofundamento, cada vez maior, das pesquisas em sistemas de aterramento. Esse cuidado deve ser repetidamente observado na elaborao de projetos especficos, nos quais, com base em dados disponveis e parmetros pr-fixados, sejam consideradas todas as possveis condies a que um sistema possa ser submetido.

2.1.1 Resistividade do solo

Informao de suma importncia para a inicializao de um projeto de aterramento recai exatamente nas caractersticas do solo. Entre as caractersticas mais importantes se destaca a resistividade, onde os principais fatores que a determinam so:

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tipo de solo; umidade do solo; concentrao e tipos de sais dissolvidos na gua; compactao e presso; granulometria do solo; temperatura do solo; estratificao do solo; a) Tipo de solo Os solos de uma maneira geral no so homogneos, o que implica na impossibilidade de atribuir-lhe um valor especfico de resistividade. Alm disso, so encontrados diferentes valores de resistividades para tipos diferentes de solos. Para caracterizar esta questo a Tabela 2.1 mostra faixas de valores caractersticos para os diferentes tipos de solos, nas suas condies usuais de umidade.

TIPO DE SOLO Lama Hmus Limo Argilas Terra de jardim Calcrio fissurado Calcrio compacto Granito Areia comum Basalto

RESISTIVIDADE 5 a 100 10 a 150 20 a 100 80 a 330 140 a 480 500 a 1000 1000 a 5000 1500 a 10000 3000 a 8000 10000 a 20000

Tabela 2.1 Faixa de valores usuais de resistividade de certos tipos de solo [1,2]

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b) Umidade do solo
A umidade um fator de estrita relevncia para o solo, pois a condutividade do solo sensivelmente afetada pela quantidade de gua nele contida, pelo fato da corrente eltrica no solo ser decorrente de uma soluo eletroltica, observando que o aumento da umidade do solo implicar na reduo de sua resistividade.

umidade

Figura 2.1 x Umidade Percentual Solo Arenoso A quantidade de gua presente no solo varivel com uma srie de fatores, tais como clima, poca do ano, temperatura, natureza do solo, existncia de lenis subterrneos, dentre outros. A Figura 2.1 mostra a variao da resistividade com o teor de umidade [1].

c) Concentrao e tipos de sais dissolvidos na gua

Vimos no item b que a gua um fator determinante para o conhecimento da resistividade de cada solo, e os sais dissolvidos na prpria so de considervel influncia para a determinao da mesma. importante ressaltar que, a resistividade da gua pura, quase infinita, ou seja, a gua seria um isolante perfeito caso no contivesse sais, pois atravs da ionizao, permite a conduo de corrente eltrica. A Tabela 2.2 mostra a relao entre a quantidade de sal adicionado a um solo arenoso, com umidade 15% (percentual em peso) e temperatura de 17 C, e sua resistividade

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[1,2]. A partir da mesma tabela podemos verificar uma diferena de mais de 100 .m com o acrscimo de 20% de sal, provando que o mesmo vlido como um bom redutor de resistividade.

SAL ADICIONADO (% em peso) 0.0 0.1 1.0 5.0 10.0 20.0

RESISTIVIDADE (.m) solo arenoso 107 18 1.6 1.9 1.3 1.0

Tabela 2.2 Influncia da concentrao de sais na resistividade do solo

d) Influncia da temperatura
A temperatura influencia a resistividade do solo com notabilidade. Ressaltandose que a resistividade da gua possui um comportamento irregular com a variao da temperatura. Para evidenciar tal fato, na Figura 2.2 temos a influncia da temperatura na resistividade da gua. No ponto de temperatura 0 C (gua fase liquida), a curva sofre uma descontinuidade, aumentando o valor da resistividade no ponto 0 C (fase slida). Com um aumento na temperatura h uma menor mobilidade dos portadores de carga, tornando o solo mais seco, e por conseqncia, aumenta sua resistividade. J no outro extremo, com temperaturas prximas a 100 C, o estado de vaporizao deixa o solo mais seco, com formao de bolhas internas, dificultando a conduo de corrente, e como conseqncia tm-se a elevao do valor da resistividade.

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gelo

gua

-40 -30 -20

-10

Temperatura C 90 100

'

10

20

30

40

50

60

70

80

Figura 2.2 Comportamento da resistividade da gua em funo da temperatura

e) Compacidade do solo
Um solo mais compacto apresenta uma maior continuidade fsica, o que resulta num menor valor de resistividade. Para a realizao de medies da resistncia de terra, com a introduo de um sistema de aterramento, onde normalmente se utilizam de escavaes para a insero de eletrodos e cabos de interligao, prtica comum espera de certo tempo para a acomodao do solo, no sentido de se obter maior compacidade. Um aumento de presso sobre o solo deixa-o mais compacto, tornando o mesmo com menor resistividade. Por exemplo: a brita, material de pouca compacidade, um material bastante usado na prtica para isolamento eltrico em ambientes de subestaes de energia eltrica.

f) Granulometria do solo
A presena de gros de diversos tamanhos na composio do solo influencia no valor da resistividade. A presena de material dotado de maior granulometri tende a aumentar a resistividade em decorrncia da menor capacidade de reteno de gua no solo, deixando-a fluir para camadas mais profundas ou evaporar-se, observando tambm um menor contato entre os gros resultando em menor condutividade eltrica. A existncia de gros de tamanhos variados tende a diminuir a resistividade, pois os

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menores preenchem os vazios existentes entre os gros maiores, ocasionando uma maior continuidade da massa do solo e maior capacidade de reteno de sua umidade.

g) Estratificao do solo
Os solos normalmente no so homogneos, mas formados por diversas camadas com resistividades e profundidades diferentes. Essas camadas, devido formao geolgica, so em geral horizontais e paralelas superfcie do solo. Parece lgica a existncia de uma correlao entre a resistividade do solo e sua estrutura geolgica, quando so considerados os processos naturais de formao da crosta terrestre e a natureza dos materiais que a compem. A Tabela 2.3 mostra as faixas de valores de resistividade correspondentes a formaes predominantes em determinados perodos geolgicos [3,4].

PERODO

RESISTIVIDADE (.m)

Pr-cambriano e combinaes de Pr-cambriano e Cambriano Combinaes de Cambriano e Ordovociano Ordoviciano, Devoniano e combinao destes Carbonfero, Trifssico e combinaes do Carbonfero com perodos mais recentes Cretceo, Tercirio, Quaternrio e combinao destes perodos

1.000 a 10.000 100 a 1.000 50 a 600 10 a 300 2 a 30

Tabela 2.3 Valores tpicos de resistividade para diferentes perodos geolgicos Existem dois mtodos principais para medio de resistividade eltrica para fins de aterramento eltrico: o mtodo de Wenner, bastante utilizado no Brasil, e o mtodo de Schlumberger, mais utilizado nos Estados Unidos. Conforme mostra a Figura 2.3, a terra modelada como sendo composta de diversas camadas de solo as quais tm caractersticas eltricas diferentes.

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1,1,1 2,2,2 3,3,3 , ,

1 camada 2 camada 3 camada 4 camada

h1 h2 h3 h

Figura 2.3 Representao do solo estratificado em quatro camadas onde a ltima camada considerada infinita Observa-se nesta figura, um exemplo de solo estratificado em quatro camadas, sendo a ltima camada de espessura considerada infinita. Em muitos casos a representao do solo feito em modelo de duas camadas para efeito de projetos.

2.1.2 Resistncia de aterramento

Em geral para efetuar-se uma correta medio, necessrio o conhecimento das caractersticas da mesma, com o propsito de evitar interpretaes erradas quanto ao significado dos resultados da medio. Uma conexo terra apresenta resistncia, capacitncia e indutncia, cada qual influindo na capacidade de conduo de corrente para o solo. Por isso importante ressaltar, que a princpio, no se deve pensar apenas numa resistncia de aterramento, mas numa impedncia. Na literatura especializada encontram-se vrias frmulas para clculo da resistncia de aterramento. Os eletrodos de aterramento mais comuns so as hastes e os cabos de aterramento. O potencial em um ponto p imerso em um solo infinito e homogneo, localizado a uma distncia r de uma fonte pontual de corrente (ponto c), da qual emana uma corrente eltrica I, conforme indica a Figura 2.4, pode ser obtido partindo-se do campo eltrico Ep, no ponto P [5], como segue,

2,3

2,3

2,3

2,2

29

Figura 2.4 Linhas de Correntes Eltricas O campo eltrico Ep no ponto p dado pela lei de Ohm local, abaixo:

E p = J p
onde Jp a densidade de corrente no ponto p.

(2.1)

A densidade de corrente observada sobre a superfcie de uma esfera fictcia de raio r, com centro no ponto c dada por

Jp =

I 4r2

(2.2)

Portanto, substitundo a equao acima em (2.1) resulta

Ep =

I . 4r 2

(2.3)

Desta forma, o potencial no ponto p, em relao a um ponto no infinito dado por:

30

V p = E p .d r r
substituda em (2.4), resultando,

(2.4)

como E p e d r tm a mesma direo e o mesmo sentido, a equao (2.3) pode ser

Vp =

I 4r

(2.5)

Como a situao mostrada na figura 2.4 no encontra aplicao prtica, logo a seguir (Figura 2.5) temos uma situao real que pode ser encontrada quando a fonte de corrente I posicionada no interior da terra, considerada homognea.

Figura 2.5 Fonte de corrente I no interior da terra

Neste caso, as linhas de correntes se comportam como se houvesse uma fonte de corrente pontual simtrica em relao a superfcie do solo. O que sugere a substituio do sistema acima por um sistema equivalente. Onde o espao todo considerado como tendo as mesmas caractersticas da terra. Como ilustra a Figura 2.6.

31

solo

r' Superfcie do solo

Figura 2.6 Ponto Imagem

O comportamento idntico a uma imagem real simtrica da fonte de corrente pontual. Portanto para achar o potencial de um ponto p em relao ao infinito, basta efetuar a superposio do efeito de cada fonte da corrente individualmente, considerando todo o solo homogneo, inclusive o da sua imagem. Portanto para calcular o potencial do ponto p, basta usar 2 vezes a expresso 2.5.

Vp =

I I + 4r 4r '

(2.6)

32

Como I = I, ento:

Vp =

I 4

1 1 + r r'

(2.7)

Para o caso de uma haste vertical de comprimento L e raio a, localizada no interior da terra a partir da superfcie da mesma, ao ser injetada uma corrente I, podese considerar a densidade de corrente uniforme ao longo do comprimento da haste. Desta forma, a figura 2.7 apresenta o sistema equivalente para esta haste, onde a imagem L est posicionada a partir da origem, ou seja, nas coordenadas potencial gerado por esta haste, conforme sugerido por Dwight [6]. x = 0, y = 0 e z = 0. Ento, o problema em questo trata do clculo, em um ponto afastado P0, do

Figura 2.7 Haste de aterramento posicionada na origem Para calcular o potencial da haste no ponto P0, pode-se considerar a fonte como sendo constituda de vrias fontes de corrente infinitesimais alinhadas ao longo de -L z L e produzir a somatria dessas contribuies (superposio). Alterando os valores de r e r conforme a nova situao da haste centrada na origem (mtodo das imagens), tem-se:

33

l I 1 1 + Vp = 4L (0 x )2 +(0 y )2 +(z z )2 (0 x )2 +(0 y )2 +(z + z )2 0

0 0 0 0 0 0

(2.8)

2 2 2 Fazendo b = x0 + y 0 , tem-se:

I L 1 1 + Vp = 4L 0 b 2 + ( z z ) 2 b 2 + ( z + z0 ) 2 0
Aps a integrao (integral tabelada), encontra-se

dz,

(2.9)

Vhaste ( P0 ) =

L + z0 L z0 I arcsenh + arcsenh b b . 4L

(2.10)

O primeiro termo representa a contribuio da imagem e o segundo a contribuio da haste. Para se obter o valor da resistncia da haste basta calcular o potencial mdio na superfcie da haste e dividi-lo pelo valor da corrente. Como a distncia entre a superfcie da haste e sua linha central o raio da haste, faz-se b = a em (2.10) e integra-se z0 de 0 at L, onde se obtm a seguinte equao para o potencial:

Vhm =

1L V P dz L0 h 0 0

( )

(2.11)

Aps a integrao e simplificao da equao acima, tem-se:

Vhm

2 a I 2L a = 1 + + arcsenh , 2L 2L 2L a

(2.12)

Substituindo arcsenh(x) = ln x + x 2 + 1 , obtm-se:

34

Vhm

2 2 I 2 L a a a = ln 1 + 1 + 1 + + . 2L a 2L 2L 2L

(2.13)

Considerando que o valor de a muito menor que o de L, os termos a/2L podem ser desprezados. Aps o que, a equao (2.13) dividida pela corrente I e, o dimetro da haste d=2 considerado. Desta forma, obtm-se a resistncia da haste de aterramento. A expresso (2.14) mostra a conhecida frmula de Sunde [7].

Rh =

8L ln 1 . 2L d

(2.14)

Dependendo da preciso que se deseja obter nos clculos da resistncia de aterramento, existe uma frmula, muito comum na literatura, dada por Tagg [1], a qual expressa como a seguir:

Rh =

2L ln 2L a

(2.15)

A interligao de hastes em paralelo diminui, sensivelmente, o valor da resistncia de aterramento. Para o clculo da resistncia de uma associao de hastes, deve-se levar em conta o efeito das resistncias mtuas entre as hastes. Este efeito devido elevao do potencial de uma haste gerada pela corrente que flui em outra haste, reduzindo a eficincia da associao. Na Tabela 2.4 so apresentadas frmulas para o clculo da resistncia de aterramento de algumas configuraes tpicas de aterramento [8].

35

Eletrodo
2a

Tipo/Expresso
Eletrodo Vertical
L

4L ln R = 1 T 2L a

2a d

Eletrodo Horizontal

2L 4L 2d ln + ln 2 + + ... R = T 2L a d L
Semi-esfera ao nvel do solo

R = T 2r

Esfera colocada a profundidade d

d r

1 1 ln R = + T 4 r 2 d

Disco horizontal a profundidade d

d

1 1 ln R = + T 4 r 2d
Disco vertical a profundidade d

R = T 2r
Tabela 2.4 Expresses para a relao tenso corrente considerando-se configuraes tpicas de eletrodos de aterramento [8].

36

2.1.3 Mtodo de medio da resistncia de aterramento

Os mtodos atuais utilizados com a finalidade de efetuar-se a correta medio estabelecem que no exista qualquer medio indireta que substitua a medio direta da resistncia de aterramento utilizando tcnica adequada. A quantificao da resistncia de um aterramento realizada pela razo entre o potencial do sistema de aterramento em relao a um ponto infinitamente afastado e a corrente que se faz fluir atravs do mesmo sistema.

2.1.3.1 Mtodo da queda de potencial

O mtodo da queda de potencial um modo de medida em linha. O aparelho a ser utilizado para esta medio denominado de Medidor de Resistncia de Terra ou simplesmente Terrmetro, conforme ilustrado na Figura 2.8. Instrumento que pode ser provido de 3 ou 4 terminais onde, quando utilizamos 4 terminais, temos que curto circuitar os terminais P1 e C1. A medio feita conectando a malha de terra aos terminais P1 e C1 do equipamento, o terminal C2 conectado ao eletrodo auxiliar de corrente e o terminal P2 conectado ao eletrodo auxiliar de potencial. Na prtica, o eletrodo de corrente C2 dever ser colocado a uma distncia, do centro geomtrico do aterramento, com valor superior a 3 ou 4 vezes a maior dimenso linear do mesmo. Costuma-se considerar uma distncia inferior a 40 metros, para pequenos aterramentos, e a 100 metros, para o caso de malhas mais extensas [9].

37

P1 , C 1 P2 Vt C2

Figura 2.8 Esquema de medio da resistncia de terra

Com a mudana da distncia entre o eletrodo auxiliar de potencial ligado a P2 e o eletrodo auxiliar de corrente ligado a C2 e proceder a medio de resistncia em cada ponto escolhido no percurso, ser possvel plotar uma curva do tipo mostrada na Figura 2.9.

R( )

RT

0%

61.8%

100%

Figura 2.9 Perfil da resistncia no mtodo da queda de potencial

38

2.1.4 Mtodo de medio de resistividade do solo

Existem basicamente duas formas para a medio da resistividade do solo. A principal delas a medio por amostragem, onde os dados coletados so enviados para laboratrios para a determinao da resistividade do solo. O outro mtodo existente o da medio local com auxlio de aparelhos que injetam correntes em regies limitadas do solo, atravs de eletrodos adequadamente posicionados. Como exemplo deste tipo de procedimento, ser citado o mtodo de Frank Wenner.

2.1.4.1 Medio por amostragem

Esse processo baseia-se na medio da resistncia entre duas faces condutoras de uma cuba de dimenses conhecidas, preenchida com amostra do solo. As laterais da cuba devero ser de material isolante, assegurando-se que toda a corrente do ensaio circule pela amostra de solo, conforme mostrado na Figura 2.10.

Figura 2.10 Medio da resistividade em laboratrio utilizando cuba Vale lembrar que, neste caso, a lei de Ohm pode ser aplicada, como segue:

39

Ramostra =

V ; I

onde

RA l ;

R=

A.

Contudo, este tipo de medio apresenta um grande inconveniente no referente incerteza de amostra apresentar no laboratrio exatamente as mesmas caractersticas que apresentava no local de origem, tais como: umidade, compacidade e, principalmente, a fidelidade na composio do solo. Essas possveis mudanas nas caractersticas do solo original podem acarretar distores da realidade. Este tipo de medio se restringe a complementao das informaes resultantes de medies efetuadas em campo ou para fins especficos de pesquisa da resistividade mdia de tipos de solo e materiais.

2.1.4.2 Medio pelo mtodo de Wenner

O mtodo de Wenner [8], costuma ser muito utilizado na engenharia para obteno da estratificao do solo. Para a sua implementao devem ser cravadas no solo quatro hastes cilndricas igualmente espaadas e dispostas em linha, como indicado na Figura 2.11. Neste mtodo, o dimetro das hastes no deve exceder um dcimo do espaamento.
Terrmetro

C1

P1

C2

P2

solo

Figura 2.11 Arranjo para a medio de resistividade utilizando o mtodo de Wenner

40

Pelos terminais das extremidades (C1 e C2), injeta-se corrente no solo. Esta corrente, passando pelo solo, produz uma diferena de potencial entre as hastes ligadas em P1 e P2. Ento pelo mtodo das imagens para contabilizao do potencial nos terminais P1 e P2, e dividindo este valor pela corrente circulante no solo e explicitando a resistividade, chega-se equao (2.16).

4aR 1+ 2a a + (2 p )
2 2

2a ( 2a ) + ( 2 p )
2 2

[.m] .

(2.16)

Para um afastamento, entre as hastes, relativamente grande, a > 20p, a frmula (2.16) aproximada por:

= 2aR [.m] .

(2.17)

Dependendo da importncia do local de aterramento, e de suas dimenses, as medidas devero ser levantadas em vrias direes objetivando obter-se informao sobre a anisotropia do solo. Feitas as medies, uma anlise dos resultados deve ser realizada para que os mesmos possam ser avaliados quanto a aceitao ou no do local para receber o sistema de aterramento que mais se adapta ao local analisado.

2.1.5 Conceitos bsicos de segurana em aterramento

Fundamentalmente as aplicaes dos Aterramentos Eltricos esto associadas a dois fatores: o desempenho do sistema ao qual o aterramento est conectado; as questes de segurana de seres vivos e de proteo de equipamentos.

41

No primeiro caso situam-se as questes associadas forma pela qual o comportamento do aterramento afeta o desempenho do sistema, como por exemplo, na ocorrncia de falha em uma ou vrias fases para terra ou ainda a incidncia de descargas atmosfricas em linhas de transmisso, distribuio ou equipamentos de subestaes, originam elevada corrente de seqncia zero e intenso fluxo de corrente de retorno, respectivamente. Do ponto de vista da segurana de pessoas nas vizinhanas de um sistema eltrico, os sistemas de aterramento e condutores de equalizao utilizados no ambiente protegido, tm por finalidade garantir que as mesmas no sejam expostas a tenses acima da certos limites. Outra situao bastante corriqueira refere-se aos riscos associados implantao de um aterramento destinado especificamente a assegurar um bom desempenho para determinado sistema eltrico ou eletrnico (aterramento de servio). Embora a segurana no seja a primeira finalidade da instalao do aterramento, tambm neste caso devem ser garantidas as condies de segurana, quando o aterramento solicitado pelo fluxo de correntes pelos seus eletrodos (por exemplo, corrente de curto-circuito) e diferenas de potenciais so estabelecidas no solo.

2.1.5.1 Efeito da corrente no organismo humano

O sistema de aterramento projetado de modo a produzir, durante o curtocircuito mximo com a terra, uma distribuio no perfil dos potenciais de passo e toque abaixo dos limites de risco de fibrilao ventricular no corao. Os efeitos da corrente passando atravs das partes vitais do corpo humano, dependem do percurso da corrente eltrica pelo corpo, intensidade da corrente, durao, freqncia, valor da corrente, se a corrente continua ou alternada, da freqncia da corrente, do estado de umidade da pele e condies orgnicas do indivduo, etc. Estudos mostram que o limite para que no ocorra a fibrilao ventricular (conhecida como conseqncia mais perigosa) est baseado na expresso (2.18), limitadas ao perodo de tempo de 0,03s a 3,0s [10].

( I c ) 2 t s = Sc ,

(2.18)

42

sendo,

I c = valor rms de corrente permitida atravs do corpo humano em Ampres ts = tempo de exposio ou durao da falta em segundos e Sc = constante emprica relacionada com a tolerncia ao choque eltrico para 95%
percentual da populao. Para uma pessoa de tamanho mdio com 50Kg ou mais, foi encontrado empiricamente o valor de Sc = 0,0135. Usando-se esse valor em (2.18), tem-se como mxima corrente, suportada pela pessoa, o valor dado por (2.19) [11].

(Ic ) =

0,116 t
s

(2.19)

Por exemplo, para um tempo de exposio ts = 1s, tem-se um valor mximo para corrente suportada de I c = 116mA.

2.1.5.2 Potencial de passo e de toque

No que concerne ao aterramento eltrico, possvel caracterizar algumas situaes tpicas quando flui corrente pelo corpo humano. Por isso em estruturas eletrificadas de suma importncia o conhecimento da tenso de toque e de passo, pois permite um melhor diagnstico da eficincia de um sistema de aterramento. Desta forma, uma boa condio de segurana, pode ser obtida por meio de um projeto que priorize uma geometria adequada da malha de terra, mesmo que a resistncia de aterramento seja alta. A Figura 2.12(a,b) apresenta de forma clara as condies a que um indivduo pode se expor em uma instalao de risco [12]. Nesta Figura, I = corrente produzida pelo transitrio eltrico na estrutura metlica em questo; R0, R1 e R2 = so valores de resistncia do solo na regio indicada; Rf = resistncia de contato do p da pessoa com o solo; Rk = resistncia das pernas do indivduo Figura 2.12(a) e dos membros e tronco na Figura 2.12(b);

43

Vtoque = potencial de toque; Vpasso = potencial de passo.

Rf

passo

passo

R
0

Distribuio do potencial na terras devido a uma descarga ou curto-circuito

Rk R

Rf R
1

R R

(a)
I V toque
Vtoque I Rk R1 R f/2 Ik

R0

Distribuio do potencial na terras devido a uma descarga ou curto-circuito

R
k

Ik R1

R f/2 R0

(b) Figura 2.12 Tenso de passo (a) e tenso de toque (b) em estrutura aterrada

44

2.1.5.3 Resistncia do corpo humano Neste tpico, o primeiro aspecto a ser abordado que os efeitos da corrente
eltrica no corpo humano so determinados principalmente pela corrente e seu percurso pelo corpo humano, no sendo uma funo direta do nvel do potencial que a originou. Por isso, a resistncia eltrica tem um papel fundamental nos acidentes com eletricidade. Verifica-se que esta resistncia no-linear, podendo considerar-se em uma aproximao razovel os seguintes valores para a mesma:

TENSO (Volts)

RESISTNCIA (Ohms)

25 50 220 1000

3250 2625 1350 1050

Tabela 2.5 Resistncia do corpo humano com a tenso A Tabela 2.5 vlida para trajetos de corrente eltrica que atravessem a regio cardaca, isto , de uma mo para outra mo ou de uma mo para o p. Nota-se que se costuma definir a resistncia do corpo humano como a soma de trs resistncias em srie, ou seja: resistncia de contato, na entrada da corrente, entre a vtima e o condutor tocado; resistncia do prprio corpo humano e resistncia de contato na sada de corrente, entre a vtima e a outra superfcie condutora tocada, normalmente o solo.

45

A resistncia de contato entre a vtima e o solo, varia muito com a natureza dos sapatos e o estado do solo. sapatos de sola secos resistncia maior do que 50.000 e sapatos midos com protetores metlicos resistncia da ordem de centenas de Ohms. Geralmente, como os contatos tendem a resistncias altas, salvo em condies especiais de proteo individual, pode-se admitir que a resistncia do corpo no desa abaixo de 2000 . Para tenses acima de 1kV (correntes acima de 5A) a resistncia do corpo humano cai devido destruio dos tecidos nos pontos de contato. Considerando a condio de intensidade menos favorvel, ou seja, resistncias de contato iguais zero, e usando a expresso (2.19) para corrente mxima suportada pelo corpo humano e admitindo-se que a resistncia do corpo da ordem de 1000 , tem-se ento do ponto de vista do mximo potencial, admitido:

V=

116 ts

(2.20)

46

2.2 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] G. F. Tagg, Earth resistances, George Newnes Ltd., London, 1964. [2] C. H. M. Markvits, J. A. M. Leon Critrios de medies, aterramento e segurana em subestaes, Anais do IV-SNPTE (Seminrio Nacional de Produo e Transmisso de Energia Eltrica), Rio de Janeiro, 1977. [3] S. J. Pyrson, Effect of anisotropy on apparent resistivity curves, Bulletin of the American association of petroleum geologist, Vol.19, n 1, 1935. . [4] J. Endrenvy, Evoluation of resistivity tests design of station grounds in nonuniform soil, AIEE Transaction, paper 63-159, 1962. [5] Kindermann, G & Campagnolo, J. M., Aterramento Eltrico , Quinta Edio, 2002. [6] H. B. Dwight, Calculations of Resistances to Ground, AIEE Transactions, Vol. 55, pp 1318-1328, 1936. [7] E. D. Sunde Earth conduction effects in transmission systems, Dover Publication Inc. New York, 1968. [8] S. F. Visacro, Aterramentos eltricos Conceitos bsicos, tcnicas de medio e instrumentao, filosofias de aterramento, pp. 1-106, ArtLiber Edit., 3 edio, Brasil, 2002. [9] F. A. Wenner, Method of measuring earth resistivity, Bulletin of the National Bureau of Standards, Washington D. C., Vol. 12, 1916. [10] L. C. Zaneta, Transitrios eletromagnticos em sistemas de potncia, Edusp, Brasil, 2003. [11] C. F. Dalziel, Effects of eletric shock on man, Electrical Engineering, Vol. 60, No.2, pp. 63-66, 1941. [12] IEE guide for safety in AC substation grounding, ANSI/IEEE Std 80-1986, 1986.

47

CAPTULO 3 Desenvolvimento terico e modelagem do problema

No presente captulo ser abordado de forma detalhada, a soluo numrica das equaes de Maxwell por FDTD, a truncagem da regio de anlise por UPML e o processamento paralelo.

3.1 Mtodo FDTD (Diferenas Finitas no Domnio do Tempo)

O mtodo FDTD baseado no clculo de diferenas algbricas obtidas a partir de equaes diferenciais. Como o objetivo simular a propagao de ondas eletromagnticas, as diferenas algbricas so aplicadas para a soluo das Equaes de Maxwell, que relacionam os campos eltrico e magntico variantes no tempo. Essas leis so expressas matematicamente pelas Equaes 1(a) e 1(b) (leis de Faraday e Ampre, respectivamente),

x E =

H , t

(3.1)

x H =

E + E, t

(3.2)

nas quais E e H representam os vetores intensidade de campo eltrico e magntico, respectivamente, a permeabilidade magntica do meio e a permissividade eltrica.

48

3.1.1 A Clula de Yee

Baseado nas duas leis acima (que relacionam os campos eltrico e magntico), K. Yee [1] desenvolveu o esquema de distribuio espacial e temporal de seu algoritmo, criando assim uma ferramenta numrica poderosa na soluo de problemas eletromagnticos. A Figura 3.1, mostra a clula ortogonal de Yee, a qual corresponde a uma unidade discreta do espao tridimensional representada em coordenadas retangulares por x, y e z. Sendo assim, a clula de Yee empregada na discretizao do espao de anlise para a obteno da soluo discreta das equaes de Maxwell. O espao contnuo passa a ser ento representado da seguinte forma: as posies x, y e z so substitudas por ix , jy e kz , respectivamente, e o tempo t por nt . Onde i, j, k e n so valores inteiros enquanto que x, y, z e t so valores reais. Dessa forma, o espao e o tempo contnuo so representados em verses discretas, como mostram as Figuras 3.2 e 3.3.
(i,j,k+1)

z y

Ez (i+1,j,k+1) Hy

Hx

z y

(i,j,k) Ex

Ey

Hz

(i+1,j,k)

(a)

(b)

Figura 3.1 (a) Posio das componentes dos campos eltrico e magntico, (b) Clula no interior da uma malha 3-D.

49
y (i,,j,k+1)

Ey Hz Ey

(i,,j+1,k+1)

Ex
(i+1,,j,k+1)

Ex

Ez Ez

Ez Hx
Eixo do Tempo

(i,,j+1,k)

Ex
(n-1/2) (n) (n+1/2) (n+1)

(i+1,,j,k)

Ey

(i+1,,j+1,k)

Figura 3.2 Clula de Yee com componentes dos campos eltricos e magnticos no instante n.
i-1, j+1

Ex

i, j+1

Ex

i+1, j+1

Ey Ex
i, j

Ey Ex

Ey

i-1, j

i+1, j

Ey Ex
i-1, j-1

Ey Ex
i, j-1

Ey

i+1, j-1

Figura 3.3 Plano paralelo ao plano x-y

50

importante observar o deslocamento espacial das componentes dos campos eltrico e magntico, que alm de serem alinhados com o sistema de coordenadas retangulares, se afastam de meio incremento espacial (x, y e z) e de meio incremento temporal (t). Tal fato conseqncia das dependncias espaciais e temporais entre tais componentes, como descritos pelas equaes de Maxwell (equaes 3.1 e 3.2), caracterizando o fenmeno da propagao da onda eletromagntica. Assim obtm-se as seguintes equaes de atualizao do campo eltrico (3.3, 3.4 e 3.5) e magntico (3.6, 3.7 e 3.8), respectivamente, considerando 0.
t 1 1 1 n +1 n 2 + Ex i + , j , k = Ex i + , j , k 2 2 1 + t 2 1 n+ n+ 1 1 1 1 1 2 2 H i j k H i + , j ,k , , + + z z t 2 2 2 2 + t y 1 2 Hy
n+ 1 2 1 n+ 1 1 1 1 2 , , i j k H + + i + , j, k y 2 2 2 2 z

(3.3)

t 1 1 1 n +1 n 2 + Ey i, j + , k = E y i, j + , k 2 2 1 + t 2 1 1 n+ n+ 2 1 1 1 1 H x i, j + , k + H x 2 i, j + , k t 2 2 2 2 + t z 1 2 Hz
n+ 1 2 1 n+ 1 1 1 1 2 + + , , i j k H i , j + ,k z 2 2 2 2 x

(3.4)

51

t 1 1 1 2 + Ezn +1 i, j , k + = Ezn i, j , k + 2 2 1 + t 2 1 1 n+ n+ 2 1 1 1 1 , , Hy i + j k + H y 2 i , j, k + t 2 2 2 2 + t x 1 2 Hx
n+ 1 2 1 n+ 1 1 1 1 2 , , i j k H + + i, j , k + x 2 2 2 2 y

(3.5)

1 n 1 1 1 1 2 i j k H , , + + = x i, j + , k + + 2 2 2 2 1 1 1 1 n n E y i, j + , k + 1 E y i, j + , k Ezn i, j + 1, k + Ezn i, j , k + t 2 2 2 2 + z y

Hx

n+

1 2

(3.6)

1 n 1 1 1 1 H y i + , j, k + = H y 2 i + , j, k + + 2 2 2 2 n 1 1 1 1 Ez i + 1, j , k + Ezn i, j , k + Exn i + , j, k + 1 Exn i + , j, k t 2 2 2 2 + x z n+ 1 2

(3.7)

Hz

n+

1 2

1 n 1 1 1 1 2 , , + + = i j k H z i + , j + ,k + 2 2 2 2

n 1 1 1 1 n n Ex i + , j + 1, k Exn i + , j , k E y i + 1, j + , k E y i, j + , k t 2 2 2 2 + y x

(3.8)

52

3.1.2 Dimenses da clula, estabilidade e preciso.

O algoritmo descrito pelas equaes (3.3) a (3.8) causa efeitos numricos (no fsicos), como a disperso (velocidade de fase diferente de C no vcuo, por exemplo). Isso se deve ao fato de que as aproximaes nos clculos geram erros que so propagados, acumula desvios de fase que fazem com que fenmenos no fsicos se manifestem. Por isso para garantir a estabilidade numrica nos casos gerais, a inequao (3.9), condio de Courant [2], dever ser satisfeita, onde v a velocidade de propagao das ondas eletromagnticas no meio com menor permissividade.

1 1 1 1 + 2+ 2 v 2 x y z

,
(3.9)

= x = y = z , a equao (3.9) reduz-se para:

t

Para o caso tridimensional em que as dimenses da clula so iguais, ou seja

c 3

(3.10)

3.1.3 As tcnicas de representao de fios finos

O modelo do fio fino tem uma vasta rea de aplicao na engenharia, como antenas e sistemas de aterramento, em que o equacionamento passa pela metodologia que utiliza a tcnica FDTD. A importncia da utilizao desta tcnica se fundamenta na existncia de hastes e fios condutores (cilndricos), cujos dimetros so menores, que as dimenses das clulas de Yee. Esta representao subcelular de cilindros condutores evita altos nveis de discretizao do domnio de anlise, reduzindo o esforo computacional para a atualizao dos campos. Duas tcnicas muito importantes e de extrema utilidade so: a elaborada por Umashankar et al [3], que tem como principal fundamento a atualizao das equaes para os campos magnticos adjacentes ao fio fino de acordo com o seu raio. A segunda tcnica, desenvolvida por

53

Tako Noda et al. [4] e posteriormente por Yoshihiro Baba et al. [5], prope mudanas no sentido de se obter de forma correta a impedncia de surto do condutor sob o teste. Para isto, Noda et al., introduziram a atualizao dos campos eltricos e magnticos para meios sem perdas e Baba et al., estenderam esta formulao para meios com perdas.

3.1.4 Truncagem do Mtodo FDTD por UPML

Quando se parte para soluo numrica de equaes de campos

eletromagnticos no domnio do tempo, utilizando tcnicas das diferenas finitas em um determinado meio sem fronteiras, faz-se necessrio utilizar uma metodologia que limite o domnio no qual os campos sero computados atravs da truncagem da malha com a aplicao de regies absorventes nos limites numricos. Contudo uma das grandes dificuldades na limitao da regio de anlise que, em vrios problemas, trabalha-se no espao aberto (um meio infinito) que tornaria a anlise do problema por FDTD, a princpio, impraticvel devido as limitaes dos sistemas computacionais. Nesse sentido, a idia da UPML (Uniaxial Perfectly Matched Layers) tem grande aplicabilidade, pois a mesma tem o objetivo de limitar de forma artificial e com grande preciso o domnio de anlise [6] e absorver de forma gradual as ondas que ali incidem com mxima eficincia, evitando assim a insero de erros na regio de anlise. Sendo assim, o domnio formado pela regio de anlise e a regio da UPML mostrado na Figura 3.4.
UPML

Ar
Haste de excitao

Regio de Anlise
Malha de Terra

Solo

Figura 3.4 Modelo geral, no plano x-y, do domnio numrico de um problema aberto.

54

A UPML em questo formada por dez camadas, cada uma com uma condutividade artificial. Quanto mais prxima da PEC (Condutor Eltrico Perfeito) a camada, mais intenso o nvel de absoro das ondas eletromagnticas que ali chegam. Por fim, a regio da UPML envolvida por um condutor perfeito, para o caso da uma onda atravessar a ltima camada e no ter sido absorvida totalmente, sendo tambm atenuada no caminho de volta. A estrutura a UPML mostrada na Figura 3.5.

Regio de Vrtice

Regio de Anlise
Y Z

UPML

PEC
X

Figura 3.5 Modelo de problema de eletromagntico aberto em 2-D, fechado artificialmente pela UPML. Neste caso, o meio absorvente UPML anisotrpico e condutivo e a lei de Ampre na UPML pode ser expressa, como:
Hz Hy z y + H x H z = j 0 r x j 0 z Hx Hy x y
S ySz Sx 0 0 0 0 SxSy Sz

0 SxSz Sy 0

Ex E , y Ez

(3.11)

onde S x , S y e S z so definidos por:

55

Sk = K +
k

k ;
0

sendo k = x,y,z ,

(3.12)

e k com K k so funes polinomiais que representam a atenuao ao longo das direes x, y e z. Para a direo x tem-se [7]:

m x (x ) = , x x, max d
e

(3.13)

x m K (x ) = 1 + k 1 x, max , x d

(3.14)

onde d a profundidade da UPML. Expresses similares podem ser obtidas para as direes. O procedimento para a obteno das componentes dos campos eltrico e magntico, feito da seguinte forma: Inicialmente, introduzem-se duas variveis auxiliares de campo P e P ' , as quais permitem modelar a presena do variveis so definidas como:

isotrpico, Eq. (3.11), dentro da UPML. Estas

S S S Px = z E x; P y = x E y; P z = y E z; S S S y x z

(3.15)

P' x = S y P x ; P' y = S z P y ; P ' = S P z ; z x

Dessa forma, a equao (3.11) passa a ser dada por:

(3.16)

56

Hy Hz z y H z = j 0 r Hx x z Hx Hy y x

P' P' x x P' + P' . y y P' P' z z

(3.17)

Passa-se ento ao clculo de j P '. A equao acima pode ser expandida, como segue,
K + y P' S P x x y j P ' = S P y = j K + z y z P' S P z z x K x + y P x j 0 K y z P = j 0 y j 0 0 x P z j 0

0 Kz 0

0 0 + Kx

(3.18)

Px 1 P y + Pz 0

y 0 0 P x 0 0 z P y . 0 0 x P z

Passando para o domnio do tempo tem-se:

P' K y x P' = 0 t y t P' 0 z

0 Kz 0

0 Px 1 0 Py + Kx Pz 0

y 0 0 Px 0 0 z Py . 0 0 x Pz

(3.19)

Na direo x, tem-se de (3.14):

S Px = z E x S x

P xSx = Sz E x

(3.20)

x z K x + j P x = K z + j E x , 0 0

(3.21)

57

( j 0 K x + x )Px = ( j 0 K z + z )Ex ,
passando a equao acima para o domnio do tempo, resulta:
K x Px + x Px = 0 K z E x + z Pz , t t

(3.22)

(3.23)

(K x Px ) + x Px = K z E x + z E x t t 0 0

(3.24)

n+1 Para o clculo de E x , parte-se da equao (3.16) e calcula-se inicialmente

Pxn+1, como segue,

+1 n +1 n P 'n P 'n x (i , j , k ) P ' x (i, j , k ) x (i, j , k ) P ' x (i, j , k ) + = t 2

0 r

(3.25)
n +1 / 2 n +1 / 2 H zn +1/ 2 (i, j 1, k ) H zn +1/ 2 H y (i, j , k 1) H y = , y z

0 r
t

+1 P 'n x (i , j , k )

0 r
t

P 'n x (i , j , k ) +

+1 P 'n x (i , j , k ) +

P 'n x (i , j , k ) =

(3.26)
n +1 / 2 n +1 / 2 H zn +1/ 2 (i, j 1, k ) H zn +1/ 2 H y (i, j , k 1) H y = , y z

0 r 0 r +1 P 'n = + + P 'n x (i , j , k ) x (i , j , k ) 2 2 t t

(3.27)
n +1 / 2 n +1 / 2 H n +1/ 2 (i, j 1, k ) H zn +1/ 2 H y (i, j , k 1) H y = z , y z

58

Assim chegamos a equao:

P 'n x (i , j , k ) 1 t 2 + n +1 P ' x (i, j , k ) = + + t 2 t 2

(3.28)
n +1 / 2 n +1 / 2 H n +1/ 2 (i, j , k ) H zn +1/ 2 (i, j 1, k ) H y (i, j , k 1) H y (i, j , k 1) z . y z

n +1 Logo aps, com o objetivo de encontrar Px , parte-se da equao (3.18) de onde

se conclui que:
' 1 Px = K y Px + y Px , t t 0
n +1 +1 K y Pxn 1 y Pxn +1 1 y Pxn P 'n P 'n K y Px x x = + + , t t t t 2 2

(3.29)

(3.30)

Finalmente, a partir da equao (3.39) calcula-se o campo eltrico na direo x

Pxn +1 Pxn x Kx + t 0

E xn +1 E xn z Pxn +1 Pxn K = z + 2 t 0

E xn +1 E xn , 2

(3.30)

K x Pxn +1 K x Pxn x Pxn +1 x Pxn +1 K z E xn +1 K z E xn z E xn +1 + + = + , 0 2 0 2 t t t t 2 0

(3.32)

Kx x Kx x z Kz z n n +1 K z n Pxn +1 P E E + + + = + + x x x t 2 t 2 t 2 t + 2 , 0 0 0 0

(3.33)

z t K z 2 1 n +1 n 0 + (i, j, k ) = Ex (i, j, k ) Ex K + z t K + z t z z 2 0 2 0

x t n x t Pxn+1 + + K P K x x x . 2 2 0 0

(3.34)

59

3.2 Processamento Paralelo

A crescente evoluo em pesquisas nos setor computacional e os surgimentos de limites impostos pelas leis fsicas tm impulsionado um grande avano nas mais diversas reas da computao. Dessa forma existem dois caminhos disponveis para a soluo: o primeiro a utilizao de supercomputadores. Contudo, o principal fator negativo neste tipo de soluo est relacionado ao seu alto oramento, pois sistemas comerciais de alta capacidade so geralmente dispendiosos e, portanto, inacessveis a maioria dos grupos de pesquisa; o segundo a utilizao de microcomputadores convencionais interligados por rede de maneira a trabalharem em paralelo, de acordo com a arquitetura Beowulf [8], cujo custo final bem inferior se comparado com o da soluo comercial, devido, a basicamente dois fatores: O hardware menos dispendioso Disponibilidade de softwares livres [9] O paralelismo uma tcnica utilizada para solucionar problemas complexos e de grandes volumes de dados no menor tempo possvel [10]. Para isso, dividi-se o problema em tarefas menores que sero distribudas entre os vrios processadores para serem solucionadas cooperativamente [11], conforme indicado na Figura 3.6.

Tarefa 1

Processador 1

Problema de alta complexidade

Tarefa 2

Processador 2

Tarefa 3

Processador 3

Figura 3.6 Diviso do problema em tarefas menores, entre vrios processadores.

60

Levando-se em considerao o objeto paralelizado [10], pode-se classificar o paralelismo em paralelismo de dados e paralelismo funcional. No paralelismo de dados o processador executa as mesmas instrues sobre deferentes dados [10], e pode ser empregado em algoritmos envolvendo o mtodo das diferenas finitas no domnio do tempo (mtodo FDTD) [10], onde os processos podem operar independentemente em uma larga poro de dados, havendo comunicao somente nos limites da diviso dos subdomnios para a atualizao dos campos em cada iterao [12]. No paralelismo funcional o processador executa instrues que podem ou no operar sobre o mesmo conjunto de dados, onde as tarefas so distribudas para um grupo de processos escravos por um processo mestre que tambm pode fazer parte da execuo da tarefa. Para superar o problema do alto custo e popularizar o processamento paralelo, o Centro de Excelncia em Dados Espaciais e Informaes Cientficas (CESDIS), rgo da NASA, montou a primeira arquitetura paralela de computadores, denominada cluster Beowulf [8]. O primeiro destes clusters consistia em 16 ns com processadores Intel 486 Dx4 a 100MHz interligados por uma rede de Ethernet a 10 Mbits. Atualmente existem clusters deste tipo com mais de um milhar de ns. Isso s foi possvel devido ao avano na tecnologia de hardware que trouxe os preos dos computadores para nveis mais acessveis e avanos tecnolgicos surgidos no mundo do software, introduzindo no mercado bibliotecas de comunicao com PVM e MPI. O MPI, Message Passing Interface, uma biblioteca de passagem de mensagens, desenvolvida por um grupo de pesquisadores, para funcionar como um sistema padro em uma grande variedade de arquitetura de computadores paralelos, pois possui a eficincia e facilidade de uso. A padronizao define a sintaxe e a semntica das rotinas das bibliotecas, o que as torna teis para se escrever programas em C, C++ e Fortran [13]. A idia bsica para implementao paralela do algoritmo FDTD, baseia-se na diviso do domnio de anlise em subdomnios. Nesta tcnica, conhecida como tcnica de decomposio de dados ou decomposio de domnios, os dados do problema so divididos e selecionados para rodar em diferentes processadores, considerando que, cada processador executa basicamente o mesmo programa (cdigo fonte), porm com diferentes dados. uma implementao tpica do modelo SPMD (Single Program Multiple Data) [14]. A distribuio de dados feita manualmente, o programador define

61

atravs de funes de mensagens do tipo enviar/receber a comunicao entre processadores adjacentes de forma a se manter a continuidade na atualizao das componentes de campo localizadas nas interfaces dos domnios. Neste trabalho, os tempos de processamento da malha do guarda chuva, foram obtidos a partir de uma mquina com quatro processadores de 64 bits, clock de 2,6GHz e 4GB de memria RAM. A implementao do programa foi feita inteiramente na linguagem C. A troca de dados se deu atravs da placa me utilizando a biblioteca LAM/MPI [15-16]. O domnio de anlise (regio de analise + UPML) foi discretizado com 152143100 clulas, nas direes x, y e z, respectivamente, sendo que foram utilizadas 10 clulas (camadas) para cada parede relativa regio absorvente UPML. E para o mesmo caso podemos ratificar atravs da Figura 3.7, onde os dados foram provenientes de repetidos testes, que o processamento paralelo realmente uma poderosa ferramenta para a otimizao de problemas.

Tempo de processamento (minutos)

300 275 250 225 200 175 150 125 100 75 50 25 0 Column B Total de CPUs
1 2 3 4

Total de CPUs

Figura 3.7 Tempos de processamento de 1 a 4 processadores para o problema da malha Guarda-Chuva

62

3.3 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] K. S. Yee, Numerical solution of initial boundary value problems involving Maxwells equations in isotropic media IEEE Trans. Antenas and Propagation, Vol. 14, 1966, pp. 302-307. [2] R. Courant, K. O. Friedrichs, and H. Lewy, Uber die partiellen differenzgleichungen der mathematischen physic, Mathematische Annalen, Vol. 100, pp 32-74, 1928. [3] K. R. Umashankar, A. Taflove and B. Beker, Calculation an experimental validation of induced currents on coupled wires in an arbitrary shaped cavity, IEEE Trans. Antennas and Propagation, Vol 35, 1987, pp. 1248-1257. . [4] T. Noda, S. Yokoyama, Thin wire representation in finite difference time domain surge simulation. IEEE Transactions on Power Delivery, Vol 17, No.3, 2002. [5] Y. Baba, N. Nagaoka, A. Ametani, Modeling of thin wires in a lossy medium for FDTD simulations. IEEE Transactions on Electromagnetics Compatibility, Vol 47, No 1, 2005. [6] A. Taflove and S. C. Hagness: Computational electrodynamics: The finite-difference time-domain Method, Artech house, inc., Boston, 2000. [7] S. D. Gedney, Na anisotropic perfectly matched layer absorbing media for the truncation of FDTD lattices, IEEE Trans. Antennas an Propagation, Vol. 44, pp. 16301639, 1996. [8] J. M. Rocha, Cluster Beowulf: aspectos de projeto e implementao, Masters thesis, Universidade Federal do Par/PPGEE, Janeiro 2003. [9] General public lecense, The GNU at the Web: http://www.gnu.org/copyleft/gpl.html, 1991. [10] CENAPAD_NE, Apostila do Workshop MPI, Fevereiro, 1998. [11] FOSTER, T. lan, Designing and Building Parallel Programs: Concepts and tools for parallel software engineering, Addison-Wesley Publishing Company, 1994. [12] University of Illimois, Introduction to MPI, 2001. [13] A. Tanenbaun, Network computers. Prentice Hall, 2 edio 1989. [14] G. Andrews, Foundations of multithreaded, parallel and distributed programming, Addison Wesley, 2000.

63

[15] M. Snir, S. Otto, H. Steven, MPI: The complete reference. The MIT Press, Massachusetts, 1996. [16] R. M. S. de Oliveira, R. O. Santos, C. L. S. Sobrinho, Numerical scattering analysis in indoor and outdoor environments by applying FDTD method International Microwave and optoelectronics Conference, Iguazu Falls, 2003.

64

CAPTULO 4 Resultados

4.1 Anlises da Distribuio de Corrente em Sistemas de Aterramento

O estudo da distribuio de corrente utilizando caractersticas mais prximas possveis da realidade pode ajudar bastante no entendimento e na melhor compreenso de sistema de aterramento. Com esse intuito foram realizadas simulaes utilizando diferentes tipos de solos, com o acrscimo de uma haste como ponto de injeo. O software utilizado para tais simulaes foi desenvolvido no LANE, baseado no Mtodo FDTD e analisa o comportamento transitrio e estacionrio dos parmetros dos sistemas de aterramento. As simulaes foram realizadas da seguinte maneira: primeiramente foram escolhidos diferentes tipos de resistividades para casos com quantidade variada de camadas. Aps isso foram feitas comparaes bastante interessantes, a primeira delas foi entre uma estrutura de apenas uma haste com o modelo fractal e com o modelo fractal com a segunda ramificao, a segunda comparao foi feita utilizando uma malha de terra 55 com o modelo guarda-chuva e a partir da aplicou-se as tcnicas para a obteno dos resultados.

4.2 Simulaes utilizando duas camadas

4.2.1 Simulaes com resistividades variando de forma crescente
Na figura 4.3 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB, tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) a impedncia no ponto de injeo. Para um caso de solo com duas camadas, com penetrao de 0,5 metro da haste de insero na primeira camada, onde a primeira camada possui 1 = 0,0001 .m, com h1 = 2,5m

65

enquanto que a segunda camada apresenta 2 = 10.000 .m, considerando-se o modelo de aterramento da figura 4.1.

Figura 4.1: Solo estratificado em duas camadas

Figura 4.2: Solo estratificado em trs camadas

Distribuio de Corrente (dB)

66

9 8 7
z(m)

6 5 4 3 2 4 6 8
x(m)

1 = 0,0001 .m

2 = 10000 .m 10 12 14

16

(a)

67

Distribuio de Corrente (dB) 9 8 7

z(m) 6
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10

5 4 3 4 6 8 10 12 x(m)
(b)

14

16

TGR (Imped. no ponto de injeo) 10 8

TG R (ohm s)

6 4 2 0

10 8 Tempo (us)
(c)

12

14

16

18

Figura 4.3: (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

68

Na figura 4.4 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano xz, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) a impedncia no ponto de injeo. Para um solo com duas camadas, com penetrao de 3 metros da haste de insero no mesmo, onde a primeira camada possui 1 = 0,0001 .m, com h1 = 2,5m enquanto que a segunda camada apresenta 2 = 10.000 .m, considerando-se o modelo de aterramento da figura 4.1.

z(m) 6

3 4 6 8 10 12 x(m) 2 = 10000 .m 14 16

5 1 = 0,0001 .m

9 Distribuio de Corrente (dB)

(a)

69

Distribuio de Corrente (dB) 9 8 7

z(m) 6
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10

5 4 3 4 6 8 10 12 x(m)
(b)

14

16

TGR (Imped. no ponto de injeo) 9 8 7

TG R (ohm s)

6 5 4 3 2 1 0 0
(c)

8 10 Tempo (us)

12

14

16

18

Figura 4.4: (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

70

4.2.2 Simulaes com resistividades variando de forma decrescente

Na figura 4.5 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) a impedncia no ponto de injeo. Para um caso de solo com duas camadas, com penetrao de 0,5 metros da haste de insero na primeira camada, onde a primeira camada possui 1 = 10.000 .m, com h1 = 2,5m enquanto que a segunda camada apresenta 2 = 0,0001 .m, considerando-se o modelo de aterramento da figura 4.1.

z (m)

3 2 4 6 8
x(m)

4 2 = 0,0001 .m

9 Distribuio de Corrente (dB)

10 12 1 = 10000 .m 14 16
(a)

71

Distribuio de Corrente (dB) 9 8 7

z(m) 6
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10

5 4 3 4 6 8 12 10 x(m) 14 16

(b)

TGR (Imped. no ponto de injeo) 6000 5000

TG R (ohm s)

4000 3000 2000 1000 0

10 8 Tempo (us)
(c)

12

14

16

18

Figura 4.5: (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

72

Na figura 4.6 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) a impedncia no ponto de injeo. Para um caso de solo com duas camadas, com penetrao de 3 metros da haste de insero no mesmo, onde a primeira camada possui 1 = 10.000 .m, com h1 = 2,5m enquanto que a segunda camada apresenta 2 = 0,0001 .m, considerando-se o modelo de aterramento da figura 4.1.

z (m)

3 2 4 6 8
x(m)

9 Distribuio de Corrente (dB)

10 12 2 = 0,0001 .m 1 = 10000 .m 14 16
(a)

73

Distribuio de Corrente (dB) 9 8 7 z(m) 6 5 4 3

-3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10

8 10 x(m)
(b)

12

14

16

TGR (Imped. no ponto de injeo) 10 8

T G R(ohm s)

6 4 2 0 0 2 4 6 10 8 Tempo (us)
(c)

12

14

16

Figura 4.6: (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo. Comentrios:

74

No caso das simulaes com resistividades crescentes com duas camadas (figuras 4.3 e 4.4) observa-se uma distribuio de corrente bastante linear na 1 camada, por se tratar de uma camada com alto valor de condutividade em relao 2 camada. E quando a corrente chega interface com a 2 camada uma grande parte refletida por causa da elevada resistividade da 2 camada. A principal diferena neste caso foi exatamente nos quadros da TGR de ambas, onde no caso da figura 4.3 foi maior que na figura 4.4 por a posio da haste est localizada numa camada com maior condutividade. Observa-se atravs da figura 4.5, uma distribuio de corrente mais vertical na 1 camada, por se tratar de uma camada com baixo valor de condutividade em relao segunda camada. E como a corrente procura sempre a menor resistncia ela passa pela 1 camada em busca da seguinte por apresentar um alto valor de condutividade. J na figura 4.6 percebe-se uma distribuio de corrente bastante concentrada na 2 camada, pois h uma reflexo quase total de corrente na 1 camada por a haste de insero est localizada na 2 camada e esta ter um valor de condutividade maior que o da 1 camada. O que explica o brusco decrscimo da TGR nas Figuras 4.5 (c) e 4.6 (c).

4.3 Simulaes utilizando trs camadas

4.3.1 Simulaes com resistividades variando de forma crescente

Na figura 4.7 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) a impedncia no ponto de injeo. Para solo com trs camadas, com penetrao de 0,5 metros da haste de insero no mesmo, onde a primeira camada possui 1 = 0,001 .m e h1 = 2,5 m, a segunda camada, 2 = 1 .m e h2 = 2,5 m e a terceira camada, 3 = 1.000 .m., considerando-se o modelo de aterramento da figura 4.2.

75

Distribuio de Corrente (dB) 9 8 7

1 = 0,001 .m

z (m) 6

2 = 1 .m 5 4 3 4 6 8 10 x(m) 12 14

3 = 1000 .m

16

(a)

76

Distribuio de Corrente (dB) 9 8 7

z(m) 6
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10

5 4 3 4 6 8 12 10 x(m)
(b)

14

16

16 14 12 10
T G R(ohm s)

TGR (Imped. no ponto de injeo)

8 6 4 2 0 0 2 4 6 8 10 Tempo (us)
(c) Figura 4.7: (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

12

14

16

18

77

Na figura 4.8 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) a impedncia no ponto de injeo. Para um solo com trs camadas, com penetrao de 3 metros da haste de insero no mesmo, onde a 1 camada possui 1 = 0,001 .m e h1 = 2,5 m, a 2 camada com 2 = 1 .m e h2 = 2,5 m e a 3 camada com 3 = 1000 .m., considerando-se o modelo de aterramento da figura 4.2.

z (m) 6

3 3 4 5 6
x(m)

4 3 = 1000 .m

9 Distribuio de Corrente (dB)

7 8 1 = 0,001 .m 2 = 1 .m 9 10
(a)

78

Distribuio de Corrente (dB) 9 8 7

z(m)
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10

6 5 4 3 3 4 5 6
x(m)

10

(b)

TGR (Imped. no ponto de injeo) 10 8

T G R(ohm s)

6 4 2 0

8 10 Tempo (us)
(c)

12

14

16

18

Figura 4.8: (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

79

Na figura 4.9 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) a impedncia no ponto de injeo. Para um solo com trs camadas, com penetrao de 5,5 metros da haste de insero no mesmo, onde a 1 camada possui 1 = 0,001 .m e h1 = 2,5 m, a 2 camada, 2 = 1 .m e h2 = 2,5 m e a 3 camada, 3 = 1000 .m., considerando-se o modelo de aterramento da

z (m) 6

figura 4.2.

3 3 4 5 6
x(m)

4 3 = 1000 .m

9 Distribuio de Corrente (dB)

7 8 1 = 0,001 .m 2 = 1 .m 9 10
(a)

80

Distribuio de Corrente (dB) 9 8 7

z(m)
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10

6 5 4 3 3 4 5 6
x(m)
(b)
TGR (Imped. no ponto de injeo)

10

10

8
T G R(ohm s)

6 4

2 0

8 10 Tempo (us)

12

14

16

18

(c) Figura 4.9: (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

81

4.3.2 Simulaes com resistividades variando de forma decrescente

Na figura 4.10 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) a impedncia no ponto de injeo. Para um solo com trs camadas, com penetrao de 0,5 metros da haste de insero no mesmo, onde a 1 camada possui 1 = 1000 .m e h1 = 2,5 m, a 2 camada, 2 = 1 .m e h2 = 2,5 m e a 3 camada, 3 = 0,001 .m, considerando-se o modelo de aterramento da figura 4.2.

z (m)

3 4 6 8 10 12 x(m) 14 3 = 0,001 .m 16

5 2 = 1 .m

6
(a)

8 1 = 1000 .m

9 Distribuio de Corrente (dB)

82

Distribuio de Corrente (dB) 9 8 7

z(m)
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10

6 5 4 3 4 6 8 10 x(m)
(b)

12

14

16

TGR (Imped. no ponto de injeo) 600 500

TG R (ohm s)

400 300 200 100 0

8 10 Tempo (us)
(c)

12

14

16

18

Figura 4.10: (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

83

Na figura 4.11 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) a impedncia no ponto de injeo. Para um solo com trs camadas, com penetrao de 3 metros da haste de insero no mesmo, onde a 1 camada possui 1 = 1000 .m e h1 = 2,5 m, a 2 camada, 2 = 1 .m e h2 = 2,5 m e a 3 camada, 3 = 0,001 .m, considerando-se o modelo de aterramento da figura 4.2.

z (m)

3 3 4 5 6
x(m)

4 3 = 0,001 .m

9 Distribuio de Corrente (dB)

7 8 1 = 1000 .m 2 = 1 .m 9 10

(a)

84

Distribuio de Corrente (dB) 9 8 7

z(m) 6
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10

5 4 3 3 4 5 6
x(m)
(b)

10

TGR (Imped. no ponto de injeo) 10 8

TG R (ohm s)

6 4 2 0 0 2 4 6 10 8 Tempo (us)
(c) Figura 4.11: (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

12

14

16

18

85

Na figura 4.12 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) a impedncia no ponto de injeo. Para um solo com trs camadas, com penetrao de 5,5 metros da haste de insero no mesmo, onde a 1 camada possui 1 = 1000 .m e h1 = 2,5 m, a 2 camada, 2 = 1 .m e h2 = 2.5 m e a 3 camada, 3 = 0,001 .m, considerando-se o modelo de aterramento da figura 4.2.

z (m)

3 3 4 5 6
x(m)

4 3 = 0,001 .m

9 Distribuio de Corrente (dB)

7 8 1 = 1000 .m 2 = 1 .m 9 10
(a)

86

Distribuio de Corrente (dB) 9 8

z(m)
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10

7 6 5 4 3 3 4 5 6
x(m)
(b)

10

TGR (Imped. no ponto de injeo) 10 8

TGR (ohms)

6 6 4 2 0

10 8 Tempo (us)
(c)

12

14

16

18

Figura 4.12: (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

87

Comentrios: Nas simulaes de trs camadas com a resistividade variando de forma crescente (Figuras 4.7, 4.8 e 4.9) temos uma mnima e mxima de resistividade logo nas duas primeiras camadas, o que leva-se ao resultado que a 1 camada ir conduzir bem a corrente por causa de sua alta condutividade e passar conduzindo tambm para a segunda camada, mas no com a mesma intensidade de conduo por apresentar alta resistividade. A partir desta anlise constata-se que para este caso, em que a corrente encontra uma elevada resistividade na segunda camada, os resultados tanto para duas como para trs camadas so bastante parecidos, visto que a corrente no tem contato com a terceira camada. A partir dos resultados apresentados nas simulaes com resistividades variando de forma decrescente (figuras 4.10, 4.11 e 4.12), observa-se um caso de variao mxima e mnima de resistividade logo nas duas primeiras camadas, o que leva ao resultado que na 1 camada a corrente encontra certa barreira para circular por causa de sua baixa condutividade, mas na 2 camada passar a conduzir melhor, por causa de sua condutividade ser melhor. Nota-se tambm neste caso atravs dos quadros da TGR, que o valor da resistncia da terra assume valores decrescentes, como comprovado nos quadros 4.10-c, 4.11-c e 4.12-c, por causa varivel sucesso de profundidade da haste de insero, encontrando para este caso camadas cada vez mais condutivas. de importante relevncia ressaltar que com a variao de profundidade da haste de insero no solo nos leva a um valor constante da resistncia da terra, isto , quando chega numa determinada profundidade a mesma no apresenta variaes to notrias, independentemente da ordem das resistividades.

88

4.4 Simulaes utilizando apenas uma haste, o modelo fractal e o modelo fractal com a segunda ramificao.

4.4.1 Simulao com uma haste.

Na figura 4.14 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) distribuio de potencial na superfcie do solo; (d) a impedncia no ponto de injeo. Para um solo homogneo, com penetrao de 0,5 metros da haste de insero, onde o mesmo possui = 500 .m. Considerando o modelo de aterramento da figura 4.13.

Resistncia Fonte Superfcie do solo

= 500 .m

Figura 4.13: Solo homogneo com uma haste

Distribuio de Corrente (dB)

89

7,5 7 6,5 6 5,5

z (m) 5

4,5 4 3,5 3 5 10 15
x(m)

= 500 .m 20 25

30

(a)

90

Distribuio de Corrente (dB) 7,5 7 6,5 6 5,5 5 4,5 4 3,5 3 5 10 15

x(m)
0 -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3 -3,5 -4 -4,5

z(m)'

20

25

30

(b)

Distribuio de Potencial na Superfcie do Solo

(c)

TGR (Imped. no ponto de injeo) 140 120

T G R(o h m ) s

91

100 80 60 40 20 0 0 0,5 1 1,5 Tempo (us) 2 2,5

(d) Figura 4.14. (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) distribuio de potencial na superfcie do solo (d) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

4.4.2 Simulao utilizando o modelo fractal.

Na figura 4.15 apresentam-se (a) modelo fractal no plano x-z ; (b) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (c) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (d) distribuio de potencial na superfcie do solo; (e) a impedncia no ponto de injeo. Para um solo homogneo, com resistividade de 500 .m.

(a)

Distribuio de Corrente (dB)

92

7,5 7 6,5 6

z (m) 5,5

5 4,5 4 3,5 3 5 10 15
x(m)

1 = 500 .m 20 25

30

(b)

93

Distribuio de Corrente (dB) 7,5 7 6,5 6 z(m) 5,5 5 4,5 4 3,5 3

0 -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3 -3,5 -4 -4,5

10

15

x(m)

20

25

30

(c)

Distribuio de Potencial na Superfcie do Solo

(d)

TGR (Imped. no ponto de injeo) 80 70 60

T G R(o h s m )

94

50 40 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 Tempo (us) 2,5 3 3,5

(e) Figura 4.15. (a) Modelo Fractal (b) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (c) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (d) distribuio de potencial na superfcie do solo (e) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

4.4.3 Simulao utilizando o modelo fractal com a segunda ramificao.

Na figura 4.16 apresentam-se (a) modelo fractal com a segunda ramificao; (b) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (c) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (d) distribuio de potencial na superfcie do solo; (e) a impedncia no ponto de injeo. Para um solo homogneo, com resistividade de 500 .m.

(a)

Distribuio de Corrente (dB) 7,5 7 6,5 6

95

z (m) 5,5

5 4,5 4 3,5 3 5 10 15
x(m)

= 500 .m 20 25

30

(b)

96

Distribuio de Corrente (dB) 7,5 7 6,5 6 z(m) 5,5 5 4,5 4 3,5 3

0 -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3 -3,5 -4 -4,5

10

15

x(m)

20

25

30

(c)

Distribuio de Potencial na Superfcie do Solo

(d)

97
TGR (Imped. no ponto de injeo)

60 50
T G R(o h m s)

40 30 20 10 0

0,5

1 1,5 Tempo (us)

2,5

(e) Figura 4.16. (a) Modelo Fractal com a segunda ramificao (b) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (c) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (d) distribuio de potencial na superfcie do solo impedncia no ponto de injeo. (e) Quadro da TGR

Comentrios: Esta comparao utilizando o no solo apenas uma haste (figura 4.14), o modelo fractal (figura 4.15) e o modelo fractal com a segunda ramificao (4.16), nos mostram uma crescente melhoria na distribuio de corrente. Fica evidente a eficcia do modelo fractal em comparao com uma haste, por este apresentar uma distribuio de corrente voltada para o interior do solo e fazendo por conseqncia diminuir pela metade a distribuio de potencial na superfcie do solo, e que fica comprovado pelas figuras 4.14-c e 4.15d. No caso do modelo fractal com o de segunda ramificao no bastante expressiva, mas tem muita importncia, pois como fica evidenciado pelas figuras 4.15-d e 4.16-d, temos uma melhoria de 1,5 volts na superfcie do solo. Estas melhorias se do s crescentes inseres de metais nas comparaes, onde as prprias estavam sempre mais direcionadas para o interior do solo.

98

4.5 Simulao utilizando uma malha de terra e o modelo guarda chuva

4.5.1 Simulao com a malha de terra

A Figura 4.17 apresenta um esboo da malha de terra modelada (10 m x 10 m), a qual instalada a 0,5 m da superfcie, onde o eixo z o eixo vertical. Na figura 4.18 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) distribuio de potencial na superfcie do solo; (d) a impedncia no ponto de injeo. Para um solo homogneo, com resistividade de 500 .m.

(a)

Haste de Excitao

(b) Figura 4.17. (a) Malha 5x5 viso x-z (b) Malha 5x5 viso x-y.

Distribuio de Corrente (dB) 10 9 8 7

z(m)
99

6 5 4 3 2 2 4 6 8 10
x(m)

= 500 .m

12

14

16

18

(a)

100

Distribuio de Corrente (dB) 9 8 7

z(m) 6
0 -0.5 -1 -1.5 -2 -2.5 -3 -3.5 -4 -4.5 -5

5 4 3 4 6 8 10 x(m)
(b)

12

14

16

Distribuio de Potencial na Superfcie do Solo Distribuio de Potencial na Superfcie do Solo

(c)

TGR (Imped. no ponto de injeo) 30 25 20 15 10 5 0

101

T G R(o h m ) s

0,5

1,5

2 2,5 Tempo (us)

3,5

4,5

(d) Figura 4.18 (a) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (b) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (c) distribuio de potencial na superfcie do solo (d) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo.

4.5.2 Simulao com modelo guarda chuva

Na Figura 4.19 apresentam-se (a) distribuio vetorial de corrente em dB, enquanto que na (b) a distribuio da intensidade de corrente em dB tudo no plano x-z, onde z o eixo vertical e x o horizontal; (c) distribuio de potencial na superfcie do solo; (d) a impedncia no ponto de injeo. Para um solo homogneo, com a distncia de 0,5 m de sua superfcie. cuja resistividade 500 .m, no qual inserida uma estrutura em forma de guarda chuva

(a)

102

Distribuio de Corrente (dB) 18 16 14 12

z(m) 10

8 6 24 2 2

= 500 .m

10 x(m)

12

14

16

18

(b)

103

Distribuio de Corrente (dB) 16 14 12

z(m) 10 8
0 -0.5 -1 -1.5 -2 -2.5 -3 -3.5 -4 -4.5 -5

6 4 5 10 15 x(m) 20
(c)

25

30

Distribuio de Potencial na Superfcie do Solo

(d)

104

TGR (Imped. no ponto de injeo) 16 14 12

TG R (ohm s)

10 8 6 4 2 0 0 1 2 3 Tempo (us)
(e) Figura 4.19 (a) Representao do guarda chuva em 3D (b) Quadro da distribuio vetorial de corrente em dB (c) Quadro colorido da distribuio da intensidade de corrente em dB (d) distribuio de potencial na superfcie do solo (e) Quadro da TGR impedncia no ponto de injeo. Comentrios: Nesta simulao obtm-se resultados bastante perceptveis onde no primeiro caso representado pela figura 4.17 tem-se a simulao utilizando uma malha de terra, importante ressaltar que este caso dotado de uma maior superfcie de contato com o solo, o que na teoria seria uma excelente situao. Logo, leva-se ao conceito de que toda a corrente seria direcionada para baixo. Contudo, percebe-se ainda a existncia de corrente na superfcie do solo, as quais provocam quedas bruscas de potencial nos extremos da malha (figura 4.18-c). Na estrutura do guarda chuva observa-se que grande parte da corrente direcionada para o interior do solo, de forma a reduzir de forma considervel problemas relacionados a potencial de passo (figura 4.19-d), e implicando conseqentemente na margem de segurana.

105

4.6 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] W. M. S. Pessoa, R. M. S. de Oliveira, H. X. de Arajo, C. L. S. Sobrinho, Distribuio Vetorial de Corrente em Sistemas de Aterramento, DEEC/UFPA.

106

CAPTULO 5 Concluso
O trabalho desenvolveu-se com o objetivo de aprofundar os conhecimentos referentes distribuio de corrente em um solo estratificado de diversas estruturas de aterramento. Para a elaborao deste, foram feitos estudos sobre diversos tipos de sistemas de aterramento e com o auxlio do mtodo FDTD, que uma poderosa ferramenta numrica, devido a sua versatilidade e facilidade de uso, o qual aplicado conjuntamente com o processamento paralelo mostra-se ser uma ferramenta ainda mais poderosa para a soluo de problemas envolvendo campos eletromagnticos. O software LANE SAGS foi utilizado neste trabalho com a inteno de observar o real comportamento da corrente nas diversas situaes que podem existir num sistema de aterramento, obtendo-se assim um melhor conhecimento sobre cada caso.

Para um bom funcionamento de um sistema eltrico, seja na rea de potncia ou na rea de telecomunicaes, imprescindvel um bom sistema de proteo contra descargas atmosfricas e desta forma um bom sistema de aterramento. Embora aparentemente simples, os sistemas de proteo devem levar em considerao muitas variveis, com o objetivo de garantir a continuidade do funcionamento dos sistemas onde so empregados, assim como a proteo vida humana. Sendo assim o comportamento transitrio dos sistemas de aterramento desempenha papel relevante na resposta do sistema eltrico frente s solicitaes determinadas por diversos fenmenos de curta durao, sobretudo as descargas atmosfricas. Por outro lado, tais solicitaes representam o fator principal responsvel pela interrupo dos servios das concessionrias de energia. Estima-se que cerca de 100 milhes de raios (nuvem-terra) ocorram no Brasil todo ano, sendo considerado a principal causa de interrupes de energia eltrica atravs de linhas de energia eltrica areas, provocando um aumento dos custos nos servios prestados pelas concessionrias de energia. Nesse contexto, este trabalho foi desenvolvido com o objetivo de aprofundar os conhecimentos referentes visualizao da distribuio de corrente em um solo estratificado atravs da

107

insero de um sistema de aterramento no solo. Os objetivos das simulaes se concentraram em observar no s o transitrio dos parmetros do sistema de aterramento, mas tambm na parte estacionria. De uma forma geral, os resultados obtidos neste trabalho so de suma importncia, pois mostram que as simulaes realizadas nos fornecem o comportamento da corrente a partir de sua entrada no solo, analisando este comportamento para vrios casos sempre em busca do sistema de aterramento mais apropriado para cada tipo de solo. Como trabalhos futuros, sugerem-se as simulaes em trs dimenses e com o mapeamento da distribuio de corrente poder ser utilizado em projetos de novos sistemas de aterramento, os quais devero propiciar reduo de transitrios, de potencial de passo e de toque. Implicando assim na melhoria da qualidade de energia.

108

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS CAPTULO 1

[1] L. Greev; F. Dawalibi, An electromagnetic model for transients in grounding systems, IEEE Trans. On Power Delivery, vol. 5, no. 4, pp. 1773-1781, November 1990. [2] K. Tanabe, "Novel method for analyzing the transient behavior of grounding systems based on the finite-difference time-domain method," CRIEPI Report -Tokio, 2001. [3] A. P. Sakis Meliopoulos, F. Xia, E. B. Joy and G. J Cokkinides, An Advanced Computer Model for Grounding System Analysis, IEEE Transactions on Power Delivery, Vol. 8, n 1, 1993. . [4] C. S. Desai; J. F. Abel, Introduction to the Finite Element Method: A Numerical Approach for Engineering Analysis, New York: Van Nostrand Reinhold. 1972.A. Taflove, Advances in Computational Electromagnetics The Finite-Difference TimeDomain Method, Artech House, Boston-London, 1998. [5] A. Taflove, Advances in Computational Electromagnetics The Finite-Difference 3,, Time-Domain Method, Artech House, Boston-London, 1998. [6] Yee, K. S., Numerical Techniques in Electromagnetics, CRC press. [7] J. F. Almeida, R. O. dos Santos, and C. L. da S. S. Sobrinho, "Computational technique to UPML absorbing boundary conditions by FDTD: A complete approach," IEEE Latin America Transactions, vol. 3, no. 5, pp. 377382, Dec. 2005. [8] Johnny Marcus Gomes Rocha. CLUSTER BEOWULF: Aspectos de Projeto e Implementacao. 2003. Dissertao (Mestrado) - Curso de Mestrado em Engenharia Eltrica, Centro Tecnolgico, Universidade Federal do Par, Belm.

[9] www.lam-mpi.org
[10] Tuma, E. T. ; Oliveira, R. M. S. de ; Sobrinho, Carlos Leonidas da S. S., "New Model of Current Impulse Injection and Potencial Measurement in Transient Analysis of Grounding Systems in Homogeneous and stratified Soils Using The FDTD Method," In: VIII International Symposium on Lightning Protection, 2005, So Paulo. VIII International Symposium on Lightning Protection, 2005.

109

[11] Arajo, H. X. de Oliveira, R.M.S de; Salame, Y. C.; Carlos Leonidas da S. S., "Novel Grounding Structures for reducing step potentials" In: XXVIII Iberian Latin American Congress On Computational Methods In Engineering, 2006, Belm-PA.

[12] www.lane.ufpa.br

CAPTULO 2
[1] G. F. Tagg, Earth resistances, George Newnes Ltd., London, 1964. [2] C. H. M. Markvits, J. A. M. Leon Critrios de medies, aterramento e segurana em subestaes, Anais do IV-SNPTE (Seminrio Nacional de Produo e Transmisso de Energia Eltrica), Rio de Janeiro, 1977. [3] S. J. Pyrson, Effect of anisotropy on apparent resistivity curves, Bulletin of the American association of petroleum geologist, Vol.19, n 1, 1935. . [4] J. Endrenvy, Evoluation of resistivity tests design of station grounds in nonuniform soil, AIEE Transaction, paper 63-159, 1962. [5] H. B. Dwight, Calculations of Resistances to Ground, AIEE Transactions, Vol. 55, pp 1318-1328, 1936. [6] E. D. Sunde Earth conduction effects in transmission systems, Dover Publication Inc. New York, 1968. [7] S. F. Visacro, Aterramentos eltricos Conceitos bsicos, tcnicas de medio e instrumentao, filosofias de aterramento, pp. 1-106, ArtLiber Edit., 3 edio, Brasil, 2002. [8] F. A. Wenner, Method of measuring earth resistivity, Bulletin of the National Bureau of Standards, Washington D. C., Vol. 12, 1916. [9] L. C. Zaneta, Transitrios eletromagnticos em sistemas de potncia, Edusp, Brasil, 2003. [10] C. F. Dalziel, Effects of eletric shock on man, Electrical Engineering, Vol. 60, No.2, pp. 63-66, 1941. [11] IEE guide for safety in AC substation grounding, ANSI/IEEE Std 80-1986, 1986.

110

CAPTULO 3

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111

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CAPTULO 4
[1] W. M. S. Pessoa, R. M. S. de Oliveira, H. X. de Arajo, C. L. S. Sobrinho, Distribuio Vetorial de Corrente em Sistemas de Aterramento, DEEC/UFPA.