FSICA DE SEMICONDUCTORES - TALLER N 3 -

Presentado Por: Andrs Felipe Velasco Z. Jaime Andrs Sarria C.

UNIVERSIDAD DEL VALLE FACULTAD DE INGENIERA ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA SANTIAGO DE CALI DICIEMBRE 6 DE 2006

FSICA DE SEMICONDUCTORES - TALLER N 3 -

Presentado Por: Andrs Felipe Velasco Z. Jaime Andrs Sarria C. Cdigo: 0622350 Cdigo: 0523625

PROFESOR: lvaro Bernal Norea

UNIVERSIDAD DEL VALLE FACULTAD DE INGENIERA ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA SANTIAGO DE CALI DICIEMBRE 6 DE 2006

- TALLER N 3 1. En un semiconductor de Germanio tipo n con ni = 2.5 10 19 m 3 y

N D = 1022 m 3 incide un rayo de luz que duplica la densidad de huecos.

Calcule el tiempo tomado por la densidad de huecos para decaer a 8 1016 m 3 . Si p = 3mseg Solucin: Como el material es tipo n

n0 + N A = N D + p0
De esta forma n>>p lo que implica que N A 0 y n0 >> p0

[1]

n0 = N D
Y por la ley de accin de masas para materiales intrnsecos.

[2]

n0 p0 = ni 2 p0 = ni 2 / n0
Sustituyendo en la ecuacin [2] en [3] tenemos que:

[3]

ni 2 p0 = ND
Evaluando los datos en la ecuacin anterior:

[4]

p0 =

(2.5 1019 cm 3 ) 2 1022 cm 3

[5] [6]

p0 = 6.25 1016 cm 3

p* = Numero de huecos durante la radiacin. Variable de la nueva

concentracin.

p '(t ) = Numero de huecos inyectados.

p0 = Numero de huecos en equilibrio trmico. El cual es p hallado en [6]

Siendo consecuentes con el planteamiento del problema:

p* = 2 p0
Aplicando la Ecuacin 8.68 de la Gua:
t / p

[7]

p(t ) = po + p '(o)e

[8]

Tenemos los siguientes Datos:

p (t ) = 8 1016 m 3
p0 = 6.25 1016 m 3
As que por la ecuacin [7]:

[9] [10]

p* = (2)(6.25 1016 ) = 1.25 1017 m 3

p '(0) = p * p0 = 6.25 1016 m 3
Evaluando los datos obtenidos en la ecuacin [8]:

[11] [12]

8 1016 = (6.25 1016 )(1 + et /0.003 )

8 1016 6.25 1016 = e t /0.003 6.25 1016

[13] [14] [15]

0.28 = et /0.003
t es igual a:

Tomando el logaritmo natural a ambos lados de la ecuacin tenemos que

t = 3.818897 mseg 3.82mseg

[16]

2. Para alcanzar una corriente de 1mA con un voltaje aplicado de 1V cual debe ser el nivel de dopado del semiconductor a 300 K . Considere L / A = 1 10 4 m 3 . Solucin: Por ley de ohm se tiene que:

R = V / I = 1K
Ya que se conoce la relacin que hay entre la longitud y el rea:

[1]

R=

L A

[2]

Sustituyendo los valores conocidos y despejando la resistividad:

=
La conductividad es:

1K = 0.1 * m 1 104 m 1

[3]

= 1/ = 10( * m) 1
La movilidad de los electrones es:

[4]

n = 1350cm 2 / v * seg

[5]

Convirtiendo a metros para dejar la movilidad con las unidades adecuadas, y sabiendo que:

= qn n n =

qn

[6]

Hemos despejado el valor de n para hallar la cantidad de donadores o el nivel de dopado:

n=

10( * m) 1 135m 2 19 (1.602 10 C ) v * seg

[7]

n = 4.63 1017 m 3

[8]

3. Cuntos electrones de conduccin hay en un cm 3 de cobre, sabiendo que en el cobre existe un solo electrn de conduccin por cada tomo? Solucin: Sabiendo que la densidad del cobre es:

8.89 g / cm3

[1]

Calculamos con ayuda del nmero de avogadro el nmero de tomos en

1cm3 :

Atomos =

8.89 gr 6.023 1023 atm 1 mol cm3 mol 63.5 gr Atomos = 8.442 1022 at cm3

[2]

[3]

Calculando el nmero de electrones en 1cm3

atomos 3 8.442 1022 cm3 cm

[4]

De esta forma sabemos que el nmero de tomos de conduccin en 1cm3 de Cu es:

8.442 10 22 e

[5]

4. Asumiendo

que

la

conductividad

del

cobre

( 58 10
6

m 1 )

es

enteramente debida a los electrones libres cuya movilidad es de 3.5 103 m 2 /(v seg ) . Solucin: a. Calcule la densidad de electrones libres del cobre a temperatura ambiente. b. Calcule la velocidad de desplazamiento de los electrones libres en el cobre para un campo elctrico de 0.5V / cm. a. Apoyndonos en la formula [8.22] de la Gua:

= q ( n n + p p )
electrones libres esto implica que:

[1]

Dado que el problema plantea que la movilidad es debida solo a los

p 0
De esta manera la ecuacin [1] la podemos escribir como:

[2]

n=

qn
1 1

[3]

Reemplazando los datos entregados en el enunciado:

( 58 10 m ) n= (1.602 10 C )( 3.5 10 m
6 19 3

/(v seg ) )

[4] [5]

n = 1.03 1029 cm 3
b.

La formula [8.1] de la Gua plantea que la velocidad de arrastre o desplazamiento es:

VD = E
Haciendo factor de conversin para dejar al campo ( E ) en unidades de

[1]

V : m
[2] [3] [4]

E = 0.5
E=
VD =
50V m

V cm 100 1m cm

3.5 10 3m 2 50 V 0.175m = seg V seg m

5. Calcule el volumen de una celda fcc en trminos del radio atmico R y el factor de empaquetamiento APF de la celda unitaria. Repita para una celda bcc. Solucin: El factor de empaquetamiento APF esta dado por la expresin:

APF =

Va Vc

[1]

Donde Va : Volumen de tomos en una celda unitaria

Vc : Volumen de total de la celda.

a. Para una fcc (Cbica Centrada en Cara) tenemos que:

4 Va = R 3 n 3
Donde n representa el nmero de tomos, que para una fcc es:

[2]

# atomos = 8(1/ 8) + 6(1/ 2) = 4

Reemplazando en [2]:

[3]

Va =

16 R3 3

[4]

El volumen de la celda puede ser calculado entonces como:

Vc =

Va APF

[5]

Sustituyendo el valor de Va en [5] tenemos:

Vc =

16 R 3 3 ( APF )

[6]

b. Para una bcc (Cbica Centrada en Cuerpo) se tiene que el numero de tomos esta dado por:

# atomos = 8(1/ 8) + 1 = 2
de la celda en funcin del factor de empaquetamiento APF es:

[7]

As que siguiendo el mismo procedimiento del punto anterior, el volumen

8 R 3 Vc = 3 ( APF )

[8]

6. El cobre tiene un radio atmico de 0.128 10 9 m y un estructura fcc. Su peso atmico es de 63.5 gr / mol. Calcule su densidad. Solucin: En la ecuacin [9.1] de la Gua se plantea que la densidad de un solid se puede calcular a travs del conocimiento de su estructura cristalina y del volumen de la celda unitaria que conforma el cristal mediante la siguiente expresin:

nA Vc Av

[1]

Donde n - numero de tomos por celda unitaria.

A - Peso atmico [ gr / mol ]

Vc - Volumen de la celta Unitaria Av - Numero de Avogadro.

Teniendo en cuenta lo anterior y por ser una fcc se tiene que la relacin entre su radio y la longitud de su lado es:

4R = a 2 a =

4R 2

[2]

Sustituyendo el valor del radio atmico tenemos que:

a=

(4)(0.128 109 m) 2

[3] [4]

a = 3.62 1010 m
Con este valor podemos conocer Vc :

Vc = a 3 = 4.74 1029 m3
(n=4); as que evaluando la ecuacin [1] con los datos hallados:

[5]

Por ultimo sabemos que una estructura fcc tiene 4 tomos por celda unitaria

( 4.74 10

(4at ) ( 63.5 gr / mol )

29

m3 ) (6.023 1023 at / mol )

gr m3

[6]

= 8887016.03997 = 8.887
gr cm3

[7] [8]