Sistemas Electrnicos Avanzados

Universidad de Sevilla Escuela Superior de Ingenieros Departamento de Ingeniera Electrnica

Diseo de un acelermetro en PolyMUMPS

1. Introduccin
El objetivo de este trabajo es el diseo y modelado de un acelermetro capacitivo unidireccional construido como un microsistema. El diseo se realizar para ser fabricado usando el proceso PolyMUMPS, estndar en microsistemas. Se deber disponer de las mscaras necesarias para la fabricacin, as como de las caractersticas de funcionamiento del dispositivo.

2. Descripcin del acelermetro capacitivo

El funcionamiento del acelermetro capacitivo se fundamenta en una masa suspendida mediante un soporte elstico a un marco jo, y sometida a los efectos de la aceleracin que se desea medir. Midiendo los desplazamientos de esta masa, es posible determinar la aceleracin a que est sometida. Esta medida puede hacerse directa o indirectamente. En este trabajo vamos a realizar una medida directa del desplazamiento. Una sistema dinmico compuesto por una masa m suspendida mediante un soporte elstico de constante elstica k tiene una frecuencia de resonancia no amortiguada 0 dada por k (1) 0 = m y un factor de calidad en la resonancia Q = m0 /b, siendo b la constante de amortiguacin de la oscilacin. Esta amortiguacin se origina fundamentalmente por el rozamiento de la masa con el aire que la rodea al moverse. Puesto que para conocer la aceleracin nos interesa un movimiento cuasi-esttico, en el que el desplazamiento de la masa sigue a la fuerza (o aceleracin) exterior prcticamente sin retraso, se debe asegurar en el diseo del sensor que la frecuencia mxima esperada para la aceleracin a medir sea mucho menor que la frecuencia natural del sistema 0 . Ya que el desplazamiento cuasi-sttico de la masa viene dado por (ley de Hook) y= F k (2)

y que la fuerza F es igual a la masa m por la aceleracin a que se desea medir (2o principio de Newton), se puede deducir que la proporcionalidad entre el desplazamiento y la aceleracin es a (3) y= 2 0

Se deduce de esta relacin que si se disea un acelermetro capaz de responder rpidamente a variaciones de aceleracin (0 grande), entonces la amplitud de la seal de salida (x) es pequea, y viceversa. La posicin de la masa se obtiene midiendo la variacin de la capacidad entre ella y un electrodo jo. La conguracin que se va usar es la de capacidad diferencial, en la que existen dos electrodos jos y uno mvil. La capacidad entre los dos electrodos jos es siempre constante, mientras que la capacidad existente entre el electrodo mvil y cualquiera de los jos vara con la posicin, como se puede ver en la gura 1.
+ Vs

C1 VO C2
Vs

Figura 1: Tensiones en un condensador diferencial Supongamos que la separacin entre placas de C1 es G1 y la de C2 es G2 , y que se aplica una tensin +Vs al electrodo superior de la gura y Vs al inferior. Entonces la tensin a la salida Vo es C1 C C2 Vo = Vs + (2Vs ) = 1 Vs (4) C1 + C2 C1 + C2 Si las reas de los condensadores son iguales, la ecuacin anterior queda Vo = G2 G1 Vs G1 + G2 (5)

de lo que se deduce que si ambas separaciones son iguales, entonces la tensin de salida es nula. Tambin se aprecia que Vo vara linealmente con la diferencia de separaciones. Tengamos ahora un condensador formado por dos electrodos mviles que han sido micromecanizados en una capa depositada sobre un sustrato. Los electrodos se mueven paralelamente al plano del sustrato (ver Fig. 2).
G0 H L0

Figura 2: Condensador mvil micromecanizado

donde H es el espesor de la capa de material, L0 es la longitud enfrentada de los electrodos, G0 es la separacin entre electrodos en reposo, e y es la variacin de esa separacin. Vamos a suponer despreciable el efecto de bordes para calcular la capacidad, aunque en la mayora de microsistemas este efecto es considerable. Se puede demostrar que en el caso de una viga de seccin rectangular con una fuerza aplicada en su centro, la constante elstica se puede calcular como k= F = y

En el caso de que se pueda suponer que el condensador est formado por placas planas, la frmula que da la capacidad es HL0 C= 0 (6) G0 y

4 6

EW H 3 L3

(7)

siendo F la fuerza aplicada, y el desplazamiento del centro de la viga, E el mdulo de Young del material, W la anchura de la viga, H su espesor en la direccin de la deformacin, y L la longitud total de la viga. Para el mismo caso de viga, la tensin mecnica mxima viene dada por

max =

3 FL 4W H 2

(8)

3. Especicaciones y documentacin a entregar

El sensor tendr una estructura en peine de electrodos, como la mostrada en la Fig. 3. En esa gura se muestra la masa suspendida y los soportes que la sostienen, y que estn anclados al sustrato.
Anclas

Electrodos moviles

Electrodos fijos +Vs Vs

Figura 3: Vista en planta de la estructura bsica del acelermetro. Un run de PolyMUMPS proporciona un rea de 950x950 m x m, que se puede subdividir en dados ms pequeos con un coste. En cada dado o subdado se necesitarn conexiones elctricas (pads) que ocuparn un lado con una anchura de 300 m. La tensin de alimentacin ser 20 V. Las especicaciones de diseo del sensor tratan de las siguientes magnitudes:

Sensibilidad Razn entre la salida y la entrada al sensor. S= Vo a (9)

Rango Mxima aceleracin que se puede medir. Viene limitada normalmente por el margen de movimiento de los electrodos. Ancho de banda Est limitado por la condicin enunciada anteriormente de que la frecuencia mxima esperada para la aceleracin debe ser mucho menor que 0 . Esta condicin la expresaremos matemticamente como 10 f max siendo f max el ancho de banda. Las especicaciones que deber cumplir el dispositivo se obtendrn de la siguiente tabla. El dgito del DNI se obtiene sumando la ltima cifra de los nmeros de DNI de los integrantes del grupo, y reducindo el resultado a un nico dgito. Por ejemplo, si las ltimas cifras son 8, 7 y 2, la suma es 8+7+2+=17, 1+7=8. El dgito es 8. Dgito 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Sensibilidad (mV/(m/s2 )) 1.8 2.0 1.2 2.5 1.2 1.8 1.8 2.5 1.2 1.8 Ancho de banda (Hz) 150 200 150 100 200 100 150 100 200 100

0 2

(10)

En todos los casos deber vericarse que el rango de aceleraciones a medir es al menos de 250 m/s2 . Las tensiones mecnicas en todos los puntos de la estructura deben ser menores que la tensin de rotura del material que se est usando. La aceleracin equivalente provocada por el ruido de la disipacin viscosa es de 0.5 mg/ Hz. La documentacin a entregar incluir necesariamente: Breve memoria describiendo el proceso de diseo. Dibujos de todas las mscaras que se usan en el proceso, con indicacin de sus dimensiones caractersticas. Comprobacin del cumplimiento de las reglas de diseo. Hoja de caractersticas del dispositivo, incluyendo al menos: dimensiones, sensibilidad, rango, frecuencia de resonancia y ancho de banda. Diagrama de Bode con la respuesta del acelermetro.

4. Reglas de diseo
El proceso PolyMUMPS posee una serie de reglas de diseo destinadas a asegurar la correcta fabricacin de los dispositivos, y que debern ser respetadas por el diseo del acelermetro. En todas las mscaras se considerar una caracterstica mnima de 3.0 m y un espaciado mnimo de 2.0 m. Para evitar problemas en la pixelacin de la mscara se recomienda usar guras ortogonales, o pixeladas a 2.0 m. Regla A B C D E F G N H O K R J L P Q M I T U S Descripcin POLY0 space to ANCHOR1 POLY0 enclose ANCHOR1 POLY0 enclose POLY1 POLY0 enclose POLY2 POLY0 enclose ANCHOR2 POLY0 space to ANCHOR2 POLY1 enclose ANCHOR1 POLY1 enclose DIMPLE POLY1 enclose POLY1_POLY2_VIA POLY1 enclose POLY2 POLY1 space to ANCHOR2 *Lateral etch holes space in POLY1 POLY2 enclose ANCHOR2 POLY2 enclose POLY1_POLY2_VIA POLY2 cut-in POLY1 POLY2 cut-out POLY1 POLY2 enclose METAL POLY2 space to POLY1 HOLE2 enclose HOLE1 HOLEM enclose HOLE2 *Lateral etch holes space in POLY2 Dimensin mn. 4.0 4.0 4.0 5.0 5.0 5.0 4.0 4.0 4.0 4.0 3.0 30 (max) 5.0 4.0 5.0 4.0 3.0 3.0 2.0 2.0 30 (max)

5. Informacin adicional
La pgina web de la asignatura es http://www.gte.us.es/ASIGN/SEA. El profesor encargado es Antonio Luque Estepa (aluque@gte.esi.us.es). Puede ser consultado en el despacho E2-SO-S17 en horario de tutora: martes de 12 a 14h, y mircoles de 12 a 14h y de 17 a 19h.

Referencias
[1] Stephen D. Senturia, Microsystem design, Kluwer Academic, 2001. [2] Marc J. Madou, Fundamentals of Microfabrication, CRC Press, 1997. [3] Nadim Maluf, An introduction to microelectromechanical systems engineering, Artech House, 2000. [4] J. W. Gardner, Microsensors: principles and applications, John Wiley & Sons, 1994.

[5] N. Yazdi, F. Ayazi, and K. Naja, Micromachined inertial sensors, Proc. IEEE, vol. 86, pp. 16401659, 1998. [6] Raymod J. Roark, Richard G. Budynas, and Warren C. Young, Roarks Formulas for stress and strain, McGraw-Hill, 2001. [7] Allen Cowen, Busbee Hardy, Ramaswamy Mahadevan, and Steve Wilcenski, PolyMUMPS Design Handbook, revision 13, MEMSCAP, Inc., 2011.

Anexo A. Espesores de las capas de PolyMUMPS

Capa Nitride Poly 0 xido 1 Poly 1 xido 2 Poly 2 Metal Espesor ( m) 0.6 0.5 2.0 2.0 0.75 1.5 0.5 Mscara POLY0 (HOLE0) DIMPLE, ANCHOR1 POLY1 (HOLE1) POLY1_POLY2_VIA, ANCHOR2 POLY2 (HOLE2) METAL (HOLEM)

Anexo B. Mscaras y polaridad

Mscara POLY0 ANCHOR1 DIMPLE POLY1 POLY1_POLY2_VIA ANCHOR2 POLY2 METAL HOLE0 HOLE1 HOLE2 HOLEM Fondo Claro Oscuro Oscuro Claro Oscuro Oscuro Claro Claro Oscuro Oscuro Oscuro Oscuro Funcin Forma del plano de tierra Oricios para conexin de Poly1 con Poly0 o Nitride Dimples en Poly1 Forma de Poly1 Oricios para conexin de Poly2 con Poly1 Oricios para conexin de Poly2 con Poly0 o Nitride Forma de Poly2 Forma de Metal Oricios en Poly0 Oricios en Poly1 Oricios en Poly2 Oricios en Metal

Anexo C.

Propiedades de los materiales

Unidad kg/m3 GPa m MPa Si 2330 165 n/a 3400 Poly 2330 169 2,38 103 1200 Oxide 2197.7 70 1 1016 Nitride 3184 270 1 1020 2000 Metal 19280 80 2,91 106 100

Propiedad Densidad () Md. de Young (E) Resistividad Tensin de rotura

Los xidos tienen una tensin de rotura muy baja, y no deben usarse como materiales estructurales. En cambio, son buenos aislantes elctricos. El Nitride tambin es un excelente 6

aislante elctrico.

Anexo D. Resumen de reglas de diseo

Capa 1 POLY0 Capa 2 ANCHOR1 POLY1 ANCHOR2 POLY2 POLY0 ANCHOR1 ANCHOR2 POLY2 DIMPLE POLY1_POLY2_VIA POLY0 POLY1 VIA ANCHOR2 METAL Enclose 4 (B) 4 (C) 5 (E) 5 (F) 4 (G) 3 (K) 4 (O) 4 (N) 4 (H) 3 (I) 4 (L) 5 (J) 3 (M) 5 (P) 4 (Q) Spacing 4 (A) 5 (F) Cut-in Cut-out

POLY1

POLY2