Interferencias Electromagnticas en Sistemas Electrnicos

Universidad de Oviedo

CURSO DE DOCTORADO

Alberto Martn Perna

Introduccin

EMC: (Electromagnetic compatibility) se define como la aptitud de un dispositivo, de un aparato o de un sistema para funcionar en su entorno electromagntico de forma satisfactoria, sin verse afectado en su funcionamiento (inmunidad) y sin producir l mismo perturbaciones electromagnticas intolerables para todo lo que se encuentre en su entorno (emisin).

EMI: (electromagnetic interference) el tipo particular de perturbacin del entorno electromagntico son las interferencias electromagnticas.

reas tpicas
Sistemas electrnicos programables con buses de comunicaciones digitales
- Generadores de interferencias y muy susceptibles a ellas.

Interferencias en la recepcin de radio Perturbaciones generadas en la alimentacin elctrica

- Variaciones de tensin, fluctuaciones, distorsin de la forma de onda, sobretensiones.

Equipos electrnicos de potencia

- Fuentes conmutadas, inversores

Aparatos electroexplosivos

Ejemplos de disfunciones
Sistemas de cierre centralizado, techo solar
- Se accionan al utilizar el telfono mvil

Cajas registradoras
- En tiendas con moqueta y personal con vestidos de nylon, los terminales quedaban bloqueados o daban datos incorrectos.

Puertas electrnicas de garajes

- se activan con encendedores piezo-elctricos

Aparatos electrnicos de uso mdico Radar de deteccin de misiles del HMS Sheffild
- en la guerra de las Malvinas el sistema de comunicaciones del barco bloque el radar que poda haber detectado el misil EXOCET de la fuerza area Argentina

Perturbaciones electromagnticas:

Campo electromagntico

Captador

1 0

Sistema de procesamiento

1 0 +24 ?

1 1 0
Seal til

0 + +24 ?

1 0 Perturbacin electromagntica

Perturbaciones conducidas en sistemas elctricos

Onda normal Transitorios Sobretensin

Origen :Natural
Provocado Circuitos resonantes Contactores Arcos Semiconductores Imperfecciones de la red Descargas atmosfricas

Huecos de tensin

Ruido de alta frecuencia Interrupcin breve

Interferencias tpicas
Conmutacin de un circuito inductivo por contactos secos

Tensin en los bornes de un contacto despus de un corte de corrientes inductivas Oscilograma obtenido tras la apertura de un contactor de 9A sin limitacin de cresta

Pulsos Pulsosposicionados posicionadosde deforma formairregular irregularo o intermitente intermitentesobre sobrela laonda ondade detensin: tensin: 1. 1.Sistemas Sistemasde decontrol controlde deluces lucesintermitentes intermitentes 2. 2.Termostatos Termostatos 3. 3.Contactores Contactores 4. 4.Elementos Elementosde deconex.-desconex. conex.-desconex.... ...

Espectro Espectro de de frecuencia frecuencia de de las las perturbaciones emitidas perturbaciones emitidas comprendido comprendido entre entre algunos algunos kHz kHz y varios MHz y varios MHz

Conduccin

Radiacin

Interferencias tpicas
Conmutacin de un circuito inductivo por semiconductores

ngulo ngulode dedisparo disparo

R dd R

X dd X

U NN U

+ + CARGA CARGA R NN R X NN X E E + +

Esquemas simplificado de un accionamiento para un motor de corriente continua

Id Id

Corriente Corriente demandada demandada por por el el accionamiento accionamiento

Tensin Tensin en en el el punto punto de de conexin comn PCC conexin comn PCC

Interferencias tpicas
Motores elctricos

Los motores con escobillas y colector generan perturbaciones de tipo transitorio con frentes rpidos (dv/dt elevada) que se producen en la fase de conmutacin de las escobillas

Interferencias tpicas
Circuitos de control de lmparas fluorescentes y balastos electrnicos

Fuentes de alumbrado que funcionan segn el principio de un arco elctrico que se enciende y se apaga alternativamente

Perturbaciones en un espectro de frecuencias muy amplio: 0 -100 kHz - 5 MHz

Dos nubes principales de pulsos, separadas por pulsos individuales uniformemente repartidos Pulsos procedentes de los circuitos de control de lmparas fluorescentes

Interferencias tpicas
Emisor de radio
Ondas senoidales de alta frecuencia modulada

Amplificadores u osciladores industriales de alta potencia

Ondas senoidales no moduladas

Acoplamientos por conduccin

Acoplamiento Acoplamiento a a travs travs de de la la red red de de tierras tierras

Acoplamiento Acoplamiento a a travs travs de de los los conductores conductores que que forman forman parte parte de de la la instalacin instalacin

Las perturbaciones conducidas se transmiten a travs de los conductores red de distribucin, cables de control, cables de transmisin de datos, cables de proteccin (PE-PEN), tierra, capacidades parsitas

Acoplamiento Acoplamiento mediante mediante un un medio medio fsico fsico slido slido

Acoplamientos por conduccin

Acoplamiento en modo diferencial

+ UN

ZMD1

ZMD2

Red de distribucin

Sistema perturbado

Sistema perturbador

Este tipo de perturbacin se reduce mediante la correcta eleccin de las impedancias de lnea de los diferentes circuitos y/o la utilizacin de filtros

Acoplamientos por conduccin

Equipos electrnicos monfsicos
Corriente Corriente demandada demandada por por el el ordenador ordenador

Tensin Tensin en en el el punto punto de de conexin conexin comn comn PCC PCC

Acoplamientos por conduccin

Acoplamiento en modo comn

+ UN

Z Red de distribucin Sistema perturbado Cp ZMC Sistema perturbador Cp

IMC

Corriente de modo comn que circula por la red de tierra a travs de las capacidades parsitas

Acoplamientos por conduccin

Medida de corriente en modo comn y en modo diferencial

Instrumento de medida

Instrumento de medida

Acoplamientos por radiacin

Acoplamiento inductivo Acoplamiento Acoplamiento capacitivo capacitivo

El El acoplamiento acoplamiento tiene tiene lugar lugar mediante mediante la la existencia existencia de de campos campos electromagnticos electromagnticos creados creados por por el el emisor emisor y y recogidos recogidos por por el el receptor receptor susceptible susceptible que que se se encuentra encuentra en en su su entorno entorno

Clasificacin de las perturbaciones atendiendo a la frecuencia de la seal perturbadora

Perturbaciones radiadas

Perturbaciones radiadas por cable

Perturbaciones conducidas

Perturbaciones de baja frecuencia o armnicas

9 kHz

30 MHz

300 MHz

1 GHz

Aproximacin circuital (variacin temporal lenta)

Ec. De Maxwell Ec. Constitutivas del medio

r r D J >> t

r r B rot E = t r div D = r r r D rot H = J + t r div B = 0 r r J = E

r r D = E r r B = H r r J = E

Condiciones de contorno

Solucin de: r r r r D,E, B,H

Aproximacin circuital (variacin temporal lenta)

r r D J >> t

Electrosttica

r r r divEdv = Eds
S

T. de Gauss

r r r B r r r r rot E = = 0 E = grad V dV = Ed l V = Ed l t dV = gradVdl

r r r Q v dv div Edv s Ed s C= = r r = r r = r r V Ed l Ed l Ed l

r r r r J r dl J = E V = d l = I =RI S

Ley de Ohm

Aproximacin circuital (variacin temporal lenta)

r r D J >> t

Magnetosttica

r r r D rot H = J + t r div B = 0

r r rot B = J
Tma. de Stokes

r r r rotBds = J
s s

v r s Hd s L= = r r I Hd l
c

r r Bd l = I r r Hd l = I

Ley de Ampere Inductancia

Aproximacin circuital (variacin temporal lenta)

Campos variables

r r D J >> t

r r r r rot Eds = Ed l = V
V=

T. de Stokes

div B = 0 B = rot A

r r B rot E = t r r

r r r r A = Bd s E = grad V t r r r J A E gen = + grad V + t r r r r r r J A r Egen d l = d l + grad Vd l + t d l

r B r V = d s s t

t Ley de Faraday (LI) I fem = = L t t

i(t) L fem C R

i(t) 1 fem = i(t)R + i(t)dt + L t C

2 Ley de Kirchoff

Aproximacin circuital (elementos concentrados)

Resistencia

r r v(t) J = E R = i(t)
Q i(t)dt C= = V v(t)

Capacidad

Inductancia

v(t)dt L= = I i(t)

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
Ley de Biot-Savart:Campo creado por un elemento de corriente

r dB =

Ley de Ampere

r r I uT xu r dl 4 2 r

uT dl I ur r B

v v H dl = i
x

J(x) Jo
-R

Distribucin de corriente en el interior de un conductor

R

dB

J ( x) = J o e
= f

Jo: densidad de corriente en la superficie RAC / RDC

1000 100 10 1 102

: profundidad skin

d=20mm (Cu) d=2mm

103 104 105 106

Aproximacin de Meike y Gundlach Rac/Rdc=1 si <3 Rac/Rdc=d/4+0.25 si >3

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
La presencia del campo magntico externo se asocia a una inductancia L El campo elctrico debido a las cargas presentes en el conductor se asocia a una capacidad C Ambas dependen de la: - forma, seccin del conductor - configuracin (lazo de corriente) - los alrededores del circuito

Pueden tratarse como LNEAS DE TRANSMISIN

L=

l 4l ln 1 2 d

[H]

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
l

l 2D D L = ln d l
E I V H Py

[H]
H

D d

H E E H

Py

I Py

La potencia electromagntica que fluye se calcula:

P = Py dS

r r siendo Py = E x H

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES

E I V H Py

H E E H

Py

Py = E x H

I Py

En el exterior del los conductores H y E son perpendiculares La direccin de propagacin de Py es de la fuente a la carga. La energa se transmite por el aire hacia la carga. El conductor solo sirve de gua para el transporte.

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES

Difusin en conductores
En el interior de los conductores la energa electromagntica (Py) se transmite hacia el centro
H
Py Py

Propagacin Py
Py

Py Py

Py

I Difusin Py Py Py Py

Py

Si , E0 luego Py0
Un buen conductor debe evitar la penetracin del campo E en su interior

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
Propagacin en cables coaxiales El campo H en el exterior del cable coaxial es cero al no tener corriente neta
Py Py

H=0

e V

r r Hd l = I = 0

El campo en el interior ser:

I H= 2r

V E= e

V I Py = E x H = e 2r

P = Py dS = Py S = Py (e2r )

V I P= (e2r ) = VI e 2r

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
Impedancia externa: Capacidad

C12 h
Cr =

C12 d D
C12 = l 2D ln d

Cr
2l
1 2 2h 2 4 h + 1 ln d D 2 1

Cr

2h 2 2lln + 1 D Impedancia caracterstica C = 12 1 1 2 2 2 2 4h 2h 4h 2h L ln + 1 ln + 1 Zo = d D d D C

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES Impedancia por unidad de longitud segn el tipo de conductor

Z1

Z2

Cable desnudo
Z3

Para Para una una misma misma longitud: longitud: Z1 Z1 > > Z2 Z2 > > Z3 Z3 > > Z4 Z4

Cable sujeto a una superficie metlica

Z4

Malla metlica con contacto en todos los cruces

Plano metlico

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
Velocidad de propagacin El material aislante es el canal de propagacin de la energa electromagntica. La velocidad de propagacin ser:

v=
v=

d t

( E P[W ] =

mag

+ Eelec ) t

= EH(e2r)
e V E

H=0

d Py Py

P EHe(2r) d = d = Emag + Eelec Emag + Eelec t

Emag = 1 o r H 2 ed(2 r) 2 Eelec = 1 o r E 2 ed(2 r) 2

v= 1 E 1 H 1 + 2 H 2 E

Impedancia del campo electromagntico E/H []

Velocidad de propagacin

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
Velocidad de propagacin E/H=(/)1/2 Impedancia de onda [], depende del medio Si Emag=Eelec
v= 1 E H 1 2 + 12 H E

Velocidad de propagacin

En el vaco E/H= (o/o)1/2 =410-7/(8.8510-12)=377 V=300 000 Km/s Si Emag<Eelec La impedancia Z=E/H es elevada V=2E/(E) << 3108 m/s H0 v0 Si Emag>Eelec La impedancia Z=E/H es baja V=2E/(H) << 3108 m/s E0 v0

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
Lnea bifilar. Anlisis como lnea de transmisin:
E I V H Py H dV

H E

Py d

R V

L G dx

E H Py

d2V 1 d2V = 2 2 dt LC dx
v = LC

Velocidad de propagacin Impedancia de lnea

[m/s ]

L Z= C

[]

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES

Resumen
L = o r d F d C = o r F o r L Z= = F C o r L C = d o r o r

F:
depende de la geometra transversal

Z y (LC)1/2 :
depende del material (,) y de la geometra transversal (F) NO depende de la longitud (d)

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES Lnea bifilar

I V d I
R2

a h R

1 2h F = Log a
d e V R1 r

Cable coaxial

1 R2 Log F= 2 R1
I Py e H a E d

Conductores planos

e F= a

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
Ejemplo

Impedancia de onda E/H=377

Lnea bifilar 16A/220V Emag=1/2LI2=2.3mJ Z=V/I=14 d=20m F=0.73 Eelec=1/2CV2=6.3 J a=2mm L=18H h=10mm Eelec /Emag=2.710-3 C=240pF r= r=1 COMPORTAMIENTO INDUCTIVO, (E/H<<377) Conductores planos 2A/20V d=10m Z=V/I=10 e=1mm F=0.02 a=5cm L=250nH C=4.4nF

Emag=1/2LI2=500nJ Eelec=1/2CV2=880nJ Eelec /Emag=1.8

COMPORTAMIENTO CAPACITIVO, (E/H>>377)

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
Log(Z/Z0)
3 2 1 I V Z 1 2 I V L Z 4 V 3 I Z

Z=1/(wC)
V

I C Z

Z=wL

Si Z tpropagacin Si Z tpropagacin

0
-1 -2 -3

-2

-1

Log(w/w O)

La zona 1 se utiliza para transporte de energa Las zonas 2 y 3 no permiten la transmisin de potencia a determinadas frecuencias En general la zona 4 no se utiliza para el transporte de energa. Un caso particular de la zona 4 se utiliza para transmisin de seales (Z=Zo). En este punto aunque el tiempo de propagacin es elevado (mayor que el periodo de la seal), sta se transmite correctamente evitandose reflexiones en la carga si Z=Zo .

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
Para evitar resonancias parsitas en las fuentes de alimentacin, el tiempo de propagacin en la lnea debe ser inferior que el tiempo de conmutacin de los semiconductores L=d(e/a) C=d(a/e) (L/C)1/2=(e/a)(/ )1/2 (LC)1/2= d( )1/2 mxima velocidad de propagacin Tenemos que: Ha=I , Ee=V E/H=(V/I)(a/e) (a/e)= (/ )1/2 (C/L)1/2=(E/H)(I/V) donde (/ )1/2 (L/C)1/2 (E/H) (V/I) impedancia del material impedancia de lnea impedancia de onda impedancia del circuito elctrico
I Py e H a E d

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
Tiempo de propagacin Velocidad de propagacin es:
v= 1 E 1 H 1 + 2 H 2 E

Tiempo de propagacin
t=
t=

1 d E 1 H = d + 2 2 v H E

Como (E/H)=(a/e)(V/I)

E H d + 2 H E

t=
El tiempo de propagacin depende de: - las distancias d y (a/e) - el material (, ) - la impedancia del circuito (V/I)

d 1 X + 2 X a V X= e I

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES
Tiempo de propagacin mnimo
dt d 1 = 1 2 dX 2 X

mnimo

dt =0 X =1 dX

a = (I/V) e L V = C I

Como (a/e)= (/ )1/2 (C/L)1/2=(E/H)(I/V)

E = H

tp es mnimo si la impedancia de lnea= impedancia del circuito elctrico la impedancia de onda = la impedancia del material

COMPONENTES PASIVOS: CONDUCTORES, Ejemplo

Mxima velocidad de propagacin en un circuito diseado sobre una PCB (r=4.5) , de 100 W, 10 V, 10 A:

(V/I)=1 (/)1/2=377/4.51/2=178
La mxima velocidad se obtiene si necesitamos que E/H=178 luego

10V

E = H

178 a = (I/V) = 1 e 1 = 141106 [m/s ]

e=0.2 mm a=36 mm

La velocidad de propagacin ser:

v=

Si utilizamos un MOSFET que conmute con 3ns trataremos de que el tiempo de propagacin sea tambin de 3ns d=vt=141106 m/s 3 ns=40 cm

Longitud de la pista

COMPONENTES PASIVOS:

CONDUCTORES

CONCLUSIN: Si (V/I) < (/)1/2 necesitamos elevados valores de (a/e) para tener X=1 y reducir el tiempo de propagacin.

COMPONENTES PASIVOS:

CONDENSADORES
I

Tenemos E

y H
Py E H Py

I, H, Py

Las placas estn a igual tensin aumentando sta con el tiempo a medida que circula corriente.

E, V

t=0 x

COMPONENTES PASIVOS:

CONDENSADORES

Una variacin de tensin induce corriente

|Z|
10 1 / | C| | L| 1 Rs 0,1 0,01 4 10 10 5 10 6 10 7

10 8

COMPONENTES PASIVOS:

CONDENSADORES

Tipos:
Electrolticos Cermicos Plastico Metalizado Condensador

A
Condensador

A
Si A aumenta la inductancia parsita tambin aumenta

COMPONENTES PASIVOS:

BOBINAS

COMPONENTES PASIVOS:

BOBINAS
Modelo elctrico

di u = L dt
Rs

L Cp

Una variacin de corriente induce tensin

Efectos a tener en cuenta: - efecto skin - efecto proximidad - efectos capacitivos

ZL |wL|

Rs

1/|wC|

fR

COMPONENTES PASIVOS:

BOBINAS
1 2 3 4 5 4 1 2 5 3

Cp = C/5

Cp=2C

Menor capacidad

COMPONENTES PASIVOS:

BOBINAS
En el caso de bobinas devanadas convencionales El condensador parsito puede provocar oscilaciones al resonar con la inductancia. Para evitar dichas oscilaciones (LC)1/2 debe ser inferior al tiempo de conmutacin del semiconductor. Para reducir C: - aumentar d - reducir h - manteniendo (dh)=cte
d

COMPONENTES PASIVOS:

BOBINAS
iMC1

iD iMC2
iMC1

(Campos se anulan: =0)

iD

dB

iMC2
(Campos se suman: T)

MODO DIFERENCIAL

RS

LL1 RL

fC

MODO COMN
RS LL1 L RL

LL2

L D = L L1 + L L 2

fC =

RL 2L D

R fC = L 2L R fC = S 2L

LL2

COMPONENTES PASIVOS:

TRANSFORMADORES
MODELO
LD1
1

C12 Lm

LD
2

Cp C12

Cs

1 Cp 2 5 Cpr

CC
ncleo

3 Cs Csc Csr 4 6

Cpc Ccr

REFERENCIA

COMPONENTES PASIVOS:

TRANSFORMADORES
Cmo reducir las interferencias en MODO COMN? - Bajar el valor de CC - Separar primario de secundario - Colocar una pantalla entre ambos conectada a referencia - La pantalla ha de rodear el devanado sin formar un bucle cerrado
(evitar espira en cortocircuito)

CC 1+2 Cpc Cpr Ccr REFERENCIA Csc Csr 3+4

1+2 Cpc+Cpr

Cpf

Csf
pantalla

3+4 Csc+Csr 6

5
minimizar inductancia

REFERENCIA

Configuracin MC-MC

El ncleo se conecta a tierra Ccr queda cortocircuitado

COMPONENTES PASIVOS:

TRANSFORMADORES
Cmo reducir las interferencias en MODO DIFERENCIAL? - Colocar una pantalla en cada devanado conectndola al propio devanado en un nico punto CC 3

Cpc+Cpr 2 1 Cp 2 Lp
pantalla

Csc+Csr 4 3 Ls Cs 4

COMPONENTES PASIVOS:

TRANSFORMADORES
Transformador Normal Esquema LF
Secundario Primario

Aislamiento HF INEFICAZ OK

Pantalla doble

Pantalla de modo comn

Secundario

Pantalla simple
Primario

OK

MEDIO

OK
Secundario TN-S

BUENO

Primario

PE

COMPONENTES PASIVOS:

RESISTENCIAS
Tipos:
Carbn Bobinadas, etc

L Cp R

Ojo con las patas!: aumentan la L parsita

ACOPLAMIENTOS : Acoplamiento por

conduccin (impedancia comn)

Rg1 E1 ZC i2 RL2 Si A-B demasiado largo el AMP2 amplificar la salida de AMP1 y la cada de tensin en RAB
I

i1

RL1 referencia

Recomendaciones: Masas cortas Evitar bucles Punto central de masas Radiacin: dos lazos

Rg2 E2

Amp

Amp 2 b VRab

Acoplamiento por conduccin (impedancia comn)

ACOPLAMIENTOS :

Rg1 E1

i1

RL1 referencia

Solucin

Rg2 E2 i2

RL2

ACOPLAMIENTOS :

Acoplamiento capacitivo
Tambin llamado acoplamiento electrosttico Induccin electrosttica
1 RL2

Para cuantificar este fenmeno: Capacidades parsitas

Proporcionales a la superficie entre los dos circuitos Inversamente proporcionales a la distancia entre los circuitos

Rg1 Ug1

RL1 Rg2

1 Rg1 Ug1 C12 RL1 C1r C2r

2 Rg2 RL2

uu

ACOPLAMIENTOS :

Acoplamiento capacitivo

1500 2000 V 100 pF

Configuracin fsica

Circuito equivalente

ACOPLAMIENTOS :

Acoplamiento capacitivo
La intensidad de la perturbacin depende de dv/dt
La variacin de carga modifica la distribucin de campo elctrico en el conductor y eso afecta a su vez a la distribucin de carga en el resto de los conductores.

U C Rc Ug L1 us

L2

RL

Us

Ug

RL RL+Rg

U t

ACOPLAMIENTOS :

Acoplamiento capacitivo
La intensidad de la perturbacin depende de dv/dt
C12 d D

12.1 2D log d

Cmo se evita el acoplamiento capacitivo? - PANTALLAS El bucle 2 queda aislado de las interferencias

1 Rg1 Ug1 C1S RL1 Cr

C2S

pantalla

Rg2 RL2

uu

ACOPLAMIENTOS :

Acoplamiento inductivo
Cable (potencia)
Corriente variable

Campo magntico variable

Par de hilos (seal)

Una Una variacin variacin de de corriente corriente en en un un cable cable produce produce un un campo campo que que a a pequea pequea distancia distancia puede puede considerarse considerarse exclusivamente exclusivamente magntico magntico e e induce induce entonces entonces una una tensin tensin perturbadora perturbadora en en los los cables cables que que forman forman un un bucle bucle
Ley de Faraday

d u = N dt

ACOPLAMIENTOS :

Acoplamiento inductivo
Es debido a los campos magnticos que enlazan a los conductores. Se traduce en la presencia de inductancias mtuas. Ley de Lenz V=-L(di/dt)

u g = (R g + R L )i1 + L

di1 di +M 2 dt dt
; =
i1

t RL M u s (t) = u g i1 R L I 2 e (R g + R L ) L

L (R g + R L )
I2(M/L) t

i2 M Rg ug i1 RL us

us
t I2 t

ACOPLAMIENTOS :

Acoplamiento inductivo
Cmo podemos reducir estas interferencias? - Encerrar el equipo en un recinto ferromagntico que canalice el flujo - Modificar los cableados para evitar bucles de mucha rea - Cruzar los cables a 90 - entrelazar los cables

d u = N dt

= Bds

ACOPLAMIENTOS :

Acoplamiento inductivo+ZC
A 50 G V 50 F 50 B

Z1 = R W1 + jwL1

ug

0 = (Z1 jwM )I1 + (Z1 + Z 2 jw 2M )I 2 u V = I 2 R , normalizando respecto a u o = ug 2

u g = (2R + Z1 )I1 + (Z1 jwM )I 2

B L2 RW2 G

C M

D L1 RW1

uV 2R (Z1 jwM ) = u o 2R (Z1 + Z 2 jw 2M ) + Z1Z 2 + w 2 M 2

2R

Suponiendo R>>Z1 R>>Rw2+jwL2

ug

u V Z1 jwM = uo R

uv

R F i2 E

i1

ACOPLAMIENTOS :

Acoplamiento inductivo+ZC

u V Z1 jwM = uo R

La tensin tensin inducida uV esta influenciada por la impedancia comn Z1 y la inductancia mutua M Podemos desdoblar los bucles en dos circuitos independientes que se correspondern con cada ecuacin

ACOPLAMIENTOS :

Acoplamiento inductivo+ZC
B D L1 RW1

C L2 RW2 G M

D L1 RW1 -Z1I2 i2

2R

I1

ug

ug
-Z1I2 jwMI 2 A E

2R u V = Z1I1 jwMI1
El acoplamiento inductivo (M) no siempre juega un papel negativo. Observese que wMI1 tiene polaridad opuesta a Z1I1

i1

jwMI 2 F E

0 = (Z1 jwM )I1 + (Z1 + Z 2 jw 2M )I 2

u g = (2R + Z1 )I1 + (Z1 jwM )I 2

CABLES
Se emplean como elementos de interconexin entre circuitos y equipos Son una de las fuentes ms importantes de radiacin. RG174 RG188 RG58C Garantizar: - Mnimas prdidas de seal - mnima degradacin de la seal - mnima captacin de EMI Parmetros a considerar: - Longitud del cable - Prdidas aceptables - Frecuencia y potencia que se desea transmitir - Ruido en el entorno del cable - Mrgenes de temperatura de trabajo - Precio Tipos: - Sin apantallar: pares trenzados, cables planos - Apantallados: coaxial, triaxial, etc.

RG142B

CABLES
Cables como radiadores/sensores de EMI:

Balanceado

No balanceado

Single-ended

Coaxial

- Acoplamiento a otros circuitos - Modo de transmisin del circuito (comn o diferencial) Estructura fsica del circuito Puesta a masa (lazos de masa) Interacciones con otros circuitos

CABLES
La conexin del segundo conductor puede verse como una impedancia comn entre el conductor activo y el resto del circuito.

generador ug A Rg

carga B conductor1 C F E RL D

R1 R2

L1 L2

Rg ug

M
E

conductor2

RL

referencia

uCM

Z CM A
L2

uCM D

Podemos desdoblar el circuito en dos

I1 R1 L1

A
Rg ug Z 12 I1 A D M RL

I2

R2

Z12I1 ZCM uCM

Z12 = R 2 + jw ( L 2 M )

R2

L2

CABLES
Para determinar la contribucin del cable, desdoblamos Z12
Rg1 Lg1 B Rc1 Lc1 C RL1 LL1

Rg ug Z12I1 Mg Mc RL

Rg2

Lg2

Rc2

Lc2 CABLE

RL2

LL2 CARGA

GENERADOR A Rg2 Lg2 F Rc2

Lc2

RL2

LL2

Z12I1 ZCM uCM

CABLES
Impedancia de transferencia global ZTG

ZTG = R C 2 + jw (L C 2 M C ) = R C 2 + jwL C 2 (1 k )
La parte inductiva se reduce cuanto mejor es el acoplamiento k=1 cable coaxial con apantallamiento slido (LC2-M): Inductancia mutua no compensada Como afecta el efecto skin? aumenta la impedancia ZT? Normalmente el efecto skin disminuye ZT por que? Supongamos k=1 y <espesor de la pantalla J/Jsup J1 esta asociada a I1en el circuito interno J2 esta asociada a I2 en el circuito externo 1 Como resultado de dichas distribuciones de corriente la impedancia comn efectiva es menor que si tenemos una distribucin uniforme. (Las corrientes circulan por caminos distintos). Si la frec. Aumenta suficientemente el efecto skin provocar la separacin total de los dos lazos de corriente.

J1

J2

CABLES: Ejemplos

(1) Cable coaxial 50 (RG58) Recubrimiento de la pantalla 94% RC=16 m (LC2-M)=3.6nH y LC2=1uH/mk=0.996 ZTG(44MHz)=1 una corriente de modo comn de 10uA provocara 10uV (el ruido generado puede llegar a ser similar a la seal a transmitir)

REGLA: campos EM pueden inducir corrientes de 10mA por V/m. As para tener 10uA necesitamos un campo de 1mV/m (60dBuV/m) el cual es fcilmente alcanzable

CABLES: Ejemplos
(6) Cable coaxial con varios apantallamientos (2 o 3) y una capa conductora de r >>1 (mu-metal) entre cada par trenzado Podemos observar como si frec. aumenta ZTG disminuye rpidamente debido al mu-metal. Este provoca la separacin de los lazos de corriente (seal en la parte interior y corrientes de ruido en la parte externa. Vlido hasta 1MHz, el recubrimiento de la pantalla no es perfecto

CABLES: Ejemplos
Influencia de una fuente externa (uCM) sobre una carga (uu) a travs de un cable K=0, dos conductores separados A partir de esta frec wL1>(Rg+RL)

f1 =

Rg + RL 2L1

K=0.6, dos conductores adyacentes en un nico cable

f2 = R2 2L 2

K=0.996, cable coaxial

f3 = R2 2(1 k )L 2

Si k aumenta menor efecto del ruido externo

CABLES: Tipos

Blindaje trenzado

Cobertura:80%

Blindaje laminado

Blindaje en forma de espiral

Cobertura:97%

Blindaje combinado

Blindaje laminado

Cobertura:100%

Blindaje combinado

La pantalla se conecta soldando a 360. Blindaje en espiral no esta indicado para frec>20kHz debido al efecto inductivo de la espiral

CABLES: Caractersticas
CABLE Par trenzado Coaxial Par paralelo Capacidad (pF/m) 5a8 44 a 101 5a6 Impedancia Zo ( ) 115 a 70 95 a 50 90 a 82 Atenuacin dB/100m Depende del n de vueltas 17 a 57 (400 MHz) 59 (75 MHz)

- pares trenzados se utilizan con frecuencias <100kHz - cable coaxial se utiliza en UHF (1GHz) - Cable triaxial. Se conecta el blindaje interno a masa del equipo en un solo punto y el externo a tierra (chasis). Si masa y tierra no estn separadas se conectan al mismo punto. Tambin se puede conectar el blindaje interno a masa del receptor y el externo a la masa del emisor. Un cable coaxial se comporta como un cable triaxial (dos blindajes externos) en alta frec debido al efecto skin, el cual comienza a tener importancia a partir de 1 MHz.

CABLES: Aplicacin
Gama de frecuencias y tipo de acoplamiento de las interferencias C.Continua Capacitivo Conduccin Conduccin/induccin Cond./induc./capac. Frecuencia: 15 kHz Capacitivo Conduccin Conduccin/induccin Cond./induc./capac. Frec. 10 MHz a 1 GHz Capacitivo Conduccin Conduccin/induccin Cond./induc./capac. Trenzado 95% cobertura Espiral Laminado Laminado/ trenzado Laminado/trenzado/ laminado

B BBB

BB B

BBB I

BBB BBB

BBB BBB

B BBB BB

BB F I

BBB I B

BBB BBB BB

BBB BBB

B F F

BB I I

BBB B B

BBB BB BB

BBB BBB BBB

BBB= el mejor, BB=muy bueno; B=bueno; F=funcional; I =insatisfactorio

Identificar Identificaranticipadamente anticipadamenteel eltipo tipode deinterferencias interferenciasdeterminando determinando su sumargen margende defrecuencias frecuencias

CABLES: Seleccin
Identificar el tipo de acoplamiento predominante

a) Acoplamiento capacitivo - Se conecta la pantalla a masa en un nico punto - A frecuencias <100kHz - A frecuencias >100kHz acoplamiento capacitivo e inductivo - Se bloquea mediante un alto porcentaje de cobertura de la pantalla - No circula prcticamente corriente por el blindaje externo

CABLES: Seleccin

b) Acoplamiento inductivo - Se conecta la pantalla a masa en los dos extremos - A partir de 70MHz todos los blindajes presentan un aumento de Zt - A partir de 500kHz los blindajes trenzados y en espiral presentan un aumento de Zt - Mejorar la cobertura, trenzar con espirales opuestas etc, reducen el acoplamiento inductivo normalmente a costa de aumentar el capacitivo c) Acoplamiento por conduccin - La interferencia inducida es Vt=ZtIO Zt : impedancia de transferencia IO : Corriente de retorno que circula por el blindaje externo

CABLES: Resumen
- Todos los retornos deben estar ntimamente acoplados a su seal, normalmente mediante conductores trenzados. - No compartir los retornos entre las lneas de alimentacin y seal - Evitar el acoplamiento por impedancia comn - El trenzado es muy eficiente a baja frecuencia - Separar los cables segn el tipo de seal (coaxial para RF, par trenzado para seales digitales) - Apantallar o alejar los cables que llevan corrientes parsitas de alta frec. (pueden acoplarse a otros conductores y generar emisiones conducidas de modo comn)

CABLES: Resumen
1

iret1
2

iret2

Par trenzado: Reduce el acoplo inductivo - Muy efectivo en baja frecuencia - Hay que cuidar la terminacin - No sirve en alta frecuencia (Zo vara a lo largo de la lnea) - La efectividad depende del nmero de vueltas

CABLES: Resumen

Vn Vn
APANTALLAMIENTO CAPACITIVO No tiene efecto en interferencias magnticas.
Rs Ls

Si n
Apantallado

Vn
c =

pa nt al la

is
APANTALLAMIENTO MAGNTICO Ambos extremos a masa de modo que la corriente inducida is anula las corrientes inducidas en el conductor central.

Rs Ls

Por encima de 5 veces c (5-10kHz aprox.), la induccin sobre el conductor central permanece constante.

CABLES: Resumen
Donde conectar a masa la pantalla? - En ambos extremos? Se convierte en un circuito conductor y cualquier cada de tensin en la resistencia de la pantalla puede ser inyectada en serie con la seal.
La pantalla previene el acoplamiento capacitivo y el trenzado el acoplamiento magntico

Conexin ms recomendable
Slo se conecta a masa en un punto de la pantalla Si fuente y entrada estn a masa, se conecta la pantalla en ambos puntos (menor eficacia)

La pantalla no debe formar parte del circuito

CABLES: Resumen
Donde conectar a masa la pantalla? - Apantallamiento de cables de RF Cuando la longitud del cable se aproxima a /4 (1GHz) un circuito abierto en un extremo se transforma en un corto a una distancia de /4 y las corrientes fluyen siguiendo un modelo de onda estacionaria tanto si hay como si no hay conexin externa.
Is

masa

is /2

Atenuacin de Is=8,7dB

La parte exterior e interior de la pantalla estn aisladas por el efecto skin. Las corrientes de seal en la parte interior de la pantalla no se acoplan con las de interferencia de la parte exterior la conexin a masa en ambos extremos no introduce tensiones de interferencia.

MASAS Y TIERRAS
MASA: Es el conductor de referencia de potencial cero con respecto al cual se miden el resto de los potenciales. Es el conductor por donde se suelen realizar los retornos de las seales activas. Pueden existir varios sistemas de masa aislados TIERRA: Se refiere al potencial de la tierra fsica Podemos tener masas flotantes respecto a tierra (aviones, laboratorios, etc.)

Tipo de Terreno
Arcilla plstica Arena arcillosa Suelo pedregoso granito,gres

50 50-500 1500-3000 1500-10000

Resistividad m

Toma de tierra

Seguridad

Toma de tierra de seguridad

Un sistema aislado de tierra puede ser peligroso debido a: - contacto accidental de algn conductor - descarga electrosttica La impedancia de conexin a tierra debe ser MNIMA para reducir el acoplamiento por impedancia comn. Hay que tratar de evitar los bucles y minimizar el cableado para reducir el acoplamiento inductivo. Recomendacin espaola MI-BT-039: La resistencia de puesta a tierra ser tal que cualquier masa metlica no puede superar 24 V en un local y 50V en los dems casos. La resistencia de puesta a tierra no debe ser superior a 5 en las proximidades de los centros de transformacin. Un factor a considerar ser la frec. Ya que incrementa la impedancia de la puesta a tierra lo que se traduce en interferencias.

MASA CENTRALIZADA
U C = ( I1 + I 2 + I 3 ) Z 3 + ( I1 + I 2 ) Z 2 + ( I1 ) Z1 Conexin en serie: - muy simple - problemas de acoplamiento por impedancias comunes - es el peor sistema de conexin
No utilizar con circuitos que trabajen a frec elevadas o con niveles de energa muy diferentes (potencia y seal)

Circuito 1

Circuito 2

Circuito 3

I1 C

Z1

I2

Z2

I3

Z3

Muy Muyhabitual habitualen enequipos equipos elctricos y electrnicos: elctricos y electrnicos: simplicidad simplicidady yeconoma economade de cableado cableado

Presentan Presentan impedancias impedanciasmuy muy elevadas elevadasen enHF HFentre entre dos puntos a veces dos puntos a veces cercanos cercanos

Se Se evitar evitar especialmente especialmente la la interconexin interconexin de de equipos equipos de de potencia y de mando potencia y de mando

MASA CENTRALIZADA
Conexin en paralelo: - Mejor mtodo a BF (til a frec. < 1MHz ) - Las tensiones en los distintos puntos no se ven afectadas por variaciones en otros puntos - En alta frecuencia la mayor longitud del cableado provoca efectos inductivos importantes. (Posibles acoplamientos inductivos, capacitivos).Conductores pueden actuar como antenas. Circuito 1 C Z1 Circuito 2 Circuito 3

I1

I2

I3 Z2

U C = I1 Z1

Z3

La Latensin tensinV V slose seve veafectada afectada ccslo por la corriente e impedancia por la corriente e impedanciade de su supropia propialnea lneade demasa masa

MASA DISTRIBUIDA
Se utiliza un PLANO DE MASA: - Buen mtodo (til a frec >10MHz ) - El plano de masa es el que introduce la impedancia comn pero de baja resistencia e inductancia.

Circuito 1

Circuito 2

Circuito 3

R1 L1

R2 L2

R3 L3

Plano Plano de de masa masa HF: las distancias de conexin Baja resistencia e inductancia menores de 2 cm Plano de masa cerca de los circuitos: Zc : Impedancias Impedancias comunes comunes Zc: apant. electrosttico

MASA HBRIDA
Se utiliza un PLANO DE MASA: - Distinto comportamiento a diferentes frecuencias - A baja frecuencia tenemos una masa centralizada - En alta frecuencia tenemos una masa distribuida

Interesante para conectar la masa de un cable blindado. En alta frecuencia tenemos una conexin multipunto

Para conectar por razones de seguridad varios chasis a tierra, mientras que para mayores frecuencias interesa un nico punto

Conexin a masa de los cables blindados

Cable coaxial con dos conexiones a masa
En HF la inductancia del bucle exterior aumenta debido a su mayor rea (A) prcticamente toda la corriente circula por el cable blindado A
El campo neto exterior generado por la corriente de ida se anula con el generado por la corriente de vuelta Efectivo Efectivocontra contrala lageneracin generacinyy recepcin recepcinde deinterferencias interferencias

Vg

En BF las corrientes retornan por el plano de masa, adems aparece un bucle de masa en el que se pueden generar tensiones de interferencia que se acoplaran al circuito.
No Noes esefectivo efectivo

Conexin a masa de los cables blindados

Cable coaxial con dos conexiones a masa
Ls Vg Rs

BF

1. 1.El Elblindaje blindajeno nodebe debeser ser uno unode delos losconductores conductores de deseal seal
R

La corriente retorna por el blindaje si la frecuencia es mayor que 5 veces la frecuencia de corte del blindaje
Frecuencia de corte Pantalla trenzada Pantalla laminada Al 1-2 kHz 7-10 kHz

2. 2.Uno Unode desus susextremos extremos debe debequedar quedaraislado aisladode de masa masa A FRECUENCIA DE MENOS DE 1 MHz Blindajes deben conectarse a masa solamente en un extremo y no utilizarse como conductores

Conexin a masa de los cables blindados

Cable coaxial con una conexin a masa
- El blindaje no lleva corriente - El campo creado por el conductor central no se cancela.
R

Ls Vg

Rs

Solo permite proteccin electrosttica

Conexin a masa de los cables blindados

Ls Vg

Rs

Es Es efectivo efectivo frente frente a a campos campos magnticos magnticos ya ya que que toda toda la la corriente corriente retorna retorna por por l l y y no no existe existebucle buclede demasa. masa. Y Yfrente frentea acampos camposelctricos elctricos

No hay conexin a masa

Cable coaxial en el que el blindaje se utiliza como conductor

La circulacin del retorno de corriente por el blindaje NO ES RECOMENDABLE en general. Aparecen cadas de tensin en el blindaje que pueden tener valores elevados.

Conexin a masa de los cables blindados

Regla general

Frecuencias Frecuencias < <1 1 MHz MHz

Blindajes Blindajes deben deben estar estar conectados conectados a a masa masa solamente solamente en en un un extremo extremo

Frecuencias Frecuencias > >1 1 MHz MHz Longitud /20 Longitud del del cable cable > > /20

Blindajes Blindajes deben deben estar estar conectados conectados a a masa masa en en ms ms de de un un punto punto

Descargas electrostticas
Los cuerpos no conductores acumulan carga esttica debido principalmente al efecto triboelctrico y alcanzan potenciales de hasta decenas de kV. Cuando esta carga encuentra un camino hacia tierra, se produce una descarga violenta y rpida: - Intensidades de varios amperios - Tensiones de decenas de kV - Duracin <100ns - grandes anchos de banda. No es necesario el contacto, pueden saltar arcos Dependencia con los factores ambientales

Triboelectricidad

Descripcin: Por el mero hecho de poner dos cuerpos en contacto se produce una transferencia de carga que se traduce en una diferencia de potencial al separarlos. La magnitud de esta transferencia de carga depende de la separacin de los materiales en la serie triboelctrica (Algodn=referencia)

Descargas electrostticas
Fenmenos debidos a la presencia de cargas elctricas estacionarias o mviles y a su interaccin cuando esta es debida exclusivamente a las cargas y a su posicin

IMPORTANCIA: Se debe a la utilizacin de plsticos y metales Equipos electrnicos sensibles a descargas electrostticas Presencia de materiales inflamables GENERACIN DE CARGAS ELECTROSTTICAS Contacto y separacin de materiales Induccin por campos elctricos externos Efecto corona Cambios de temperatura rpidos Fractura mecnica y piezoelectricidad Piezoelectricidad Tendencia a la generacin de cargas: Positivo
Aire Manos Vidrio Mica Pelo Lana Piel Aluminio

Negativo
Acero Madera Ambar Niquel, Cobre Oro, Platino PVC Tefln Polister

Descargas electrostticas
Valores de potenciales en distintas situaciones bajo condiciones de humedad relativa entre 65-90 %: Caminando sobre alfombra Caminando sobre suelo de PVC Al tocar equipos en una mesa de trabajo Al abrir un sobre de PVC Al coger una bolsa de plastico Al sentarse en una silla 1500 V 250 V 100V 1200 V 1200 V 1500 V

Descargas electrostticas

Aislantes: - Se cargan por efecto triboelctrico - Pueden almacenar cargas sobre su superficie largo tiempo Conductores - Distribuyen rpidamente la carga sobre la superficie - Se cargan tambin por efecto triboelctrico - Si no se ponen a tierra mantienen la carga largo tiempo

Descargas electrostticas
Induccin de carga por campo elctrico externo:

+Q d E

Q=CV
+V

+Q -Q - - - - - - - - -

+V I R

A)
+Q d1 -Q - - - - - - - - +++++++++ +Q -Q +V C1 C2 +V +V1 +V2

C)
-Q - - - - - - - - R

d2

D) B)
Un campo externo no puede inducir un campo dentro de un recinto con paredes conductoras Recubrimientos antiestticos.

Descargas electrostticas
La presencia de cargas producen una elevacin de potencial y energa que puede ser descargada sobre una parte sensible de un circuito.

Modelo de descarga
Cuerpo humano RH CH VO i Z
300ns

CH=80-500 pF
Io
15A Real 30 kV

RH=1000-2000 QH=0.1-5 C

Vo= 10-15 kV

Modelos ms complejos consideran la inductancia del cuerpo humano (0.5-2 H)

Descargas electrostticas

Se clasifican los dispositivos (segn el modelo de cuerpo humano): Clase 0 Clase 1A Clase 1B Normativa Europea: Lmites UNE-EN50082-1-1992 Condiciones del ensayo CEI 801-2-1991 <250 V 250-500 V 500-1000V

etc.

Descargas electrostticas

Recomendaciones: - Evitar contactos directos entre usuarios y cables o cualquier parte conductora - Buscar caminos adecuados para corrientes de descarga - Aumentar la inductancia del camino peligroso - Minimizar la inductancia de las tomas de tierra - No dejar elementos sin conectar a tierra

Diseo de circuitos impresos

Fuentes de emisiones. C I como generadores de EMI - Reloj (osciladores de alta frecuencia) Genera armnicos de alta fecuencia Se trata de seales distribuidas por todo el sistema - Circuitos de alta di/dt - Amplificadores de baja frecuencia Oscilaciones debido a inestabilidades - Fuentes de alimentacin conmutadas Genera emisiones conducidas en MC y MD Tambin emisiones radiadas

Diseo de circuitos impresos

Control de emisiones
- Pensar en el trazado de las masas - Control de las emisiones de RF en el chip (microcontrolador Philips) - Diseo cuidadoso de los encapsulados - Condensadores de desacoplo - Las seales crticas se han de llevar junto a su retorno de masa - reducir al mnimo la impedancia del conductor de masa - reduciendo la longitud

Emisiones en modo comn

- Debido a los cables y grandes estructuras metlicas - Son la fuente principal de las emisiones radiadas - Resonancias del cable entre 30 y 100 MHz - La ICM por el cable se debe al ruido en la masa - La lgica empleada impone unas longitudes mximas para no superar las especificaciones referentes a emisiones radiadas

Familia

CMOS (a 5V, 40ns) 74HC (6ns)

Long. De pista en cm 4MHz 10MHz (reloj) 180 75 8.5 3.2

Diseo de circuitos impresos

Emisiones en modo comn
- Evitar el flujo de corrientes lgicas por trazas a las que se conectan cables - Usar cables cortos - Filtrar las interferencias de los cables a masas limpias - Blindaje adecuado de los cables - Preferible plano de masa - Usar choque en modo comn - Reducir las corriente de modo comn

Emisiones en modo diferencial

- Emisiones debidas a los bucles que llevan la seal de ida y su retorno - Familias lgicas rpidas, utilizar plano de masa - Indicado el filtrado y apantallamiento - Areas mximas para cumplir especificaciones:

Familia CMOS (a 5V, 40ns) 74HC (6ns)

Area del bucle en cm2 4MHz 10MHz (reloj) 1000 400 45 18

Diseo de circuitos impresos

Emisiones en modo diferencial
- Reducir los lazos - Retardar flancos - Segregar los circuitos por velocidad - Evitar discontinuidades en las trazas:radian - Controlar las seales de los buses de datos, direcciones y reloj Usar placas multicapa Los conectores deben incluir una pata de masa por pista de reloj y otra por cada bus de direcciones y datos Traza de masa al lado del bit de menor peso Retorno a GND del reloj junto a dicha seal

Diafona. (Atenuacin transversal) La seal elctrica transmitida por un par induce corrientes en pares vecinos
- Disminuir las capacidades entre pistas Separar pistas Colocar trazas de masa entre pistas Utilizar plano de masa (a mayor h mayor C12 con s y w ctes)

w h

Diseo de circuitos impresos

Retorno de masa - Segregacin de masas Circuitera digital Receptores de datos analgicos etc. - Evitar sobreoscilaciones en la tensin de masa Reducir la L de los conductores que van a GND

VC Ig Vg L VC Ig Vg

ruido

Diseo de circuitos impresos

- Masas en forma de rejilla Combina masa en serie y paralelo Eleva el n de trayectorias diferentes (menor inductancia) Las pistas de seal ofensiva (di/dt) cerca de pistas de masa para evitar bucles

di dt

Diseo de circuitos impresos

Distribucin de las alimentaciones - Incorporar condensadores de desacoplo en las proximidades de los CI (1 cm max.) (condensadores de baja resistencia en alta frecuencia, cermicos) - Incorporar dos condensadores en paralelo (de alta capacidad mala resistencia serie para la baja frecuencia y otro de baja capacidad y baja res. para la alta frec. - Aadir perlas de ferrita para incrementar la inductancia serie de los cables pues actua como filtro. - en HF Sistemas con relojes: se usan modelos de LT Reducir la Zo - minimizar el rea de los lazos - juntar los conductores tanto como sea posible

Diseo de circuitos impresos

Diseo para inmunidad - Alejar las trayectorias de las interferencias Derivan a masa provocando ruido de masa MC y MD Uso de masa limpias Filtrado o apantallamiento de los cables Reduccin del rea de los lazos Restringir el ancho de banda de los circuitos susceptibles - Usar familias lgicas con umbral de ruido alto - Diseos sncronos - Proteccin en los micros y en los programas Perro guardin Lneas de programa de control

Diseo de circuitos impresos

Superficie metlica dispuesta entre dos regiones del espacio que se utiliza para atenuar la propagacin de campos magnticos. - Se considera el ltimo recurso - Las menores efectividades se obtienen con los campos magnticos de baja frecuencia - Las uniones de los blindajes son crticas Cuando blindar? - Si los campos en modo diferencial son elevados - Solo en circuitos crticos - Si el montaje consta de interfaces dispersos Material a emplear Buen conductor-campos elctricos Alta permeabilidad-campos magnticos

Blindajes
Campo
Espacio externo sin campo electromagntico Circuito generador de interferencias

Blindaje

Campo

Blindaje
Espacio interno sin campo

Fuente de EMI

Circuito receptor de interferencias

mbito -1 mbitode deatenuacin: atenuacin:1 1Hz Hz1THz THz Sistemas: Sistemas:Cajas, Cajas,armarios, armarios,pinturas pinturasconductoras, conductoras,lminas lminasmetlicas, metlicas,cables cables apantallados, apantallados,depsitos depsitosconductores conductoressobre sobreplsticos,... plsticos,...

Blindajes
Campos electromagnticos
-Generador -Frecuencia Caractersticas -Medio de propagacin -Distancia entre generador y receptor de la interferencia Campo cercano
Caractersticas determinadas por el medio de propagacin

Campo lejano
2 (m) = C / f = 2,997925 108 (m / s ) / f ( Hz ) d>

Impedancia Impedancia de de onda onda Campo cercano

1. Las caractersticas del campo dependen de la fuente 2. Distancia de la fuente al punto desde donde se observan los efectos del campo

E intensidad de campo elctrico = H intensidad de campo magntico

Campo lejano
Las propiedades del campo dependen del medio

d=

E = Z 0 = 377 H

Blindajes
Campos electromagnticos

E/H >377

E/H <377

Regiones caractersticas en funcin de la distancia entre la fuente del campo y el punto de observacin

Blindajes
Campos electromagnticos

alta impedancia

Baja impedancia

Intensidades de campo en funcin del tipo de fuente de campo radiado Campo puede considerarse cercano hasta una d 1/6 de la longitud de onda del generador f= 100 kHz d=450 m f=10 MHz d= 4,5 m Si Si el el generador generador de de EMI EMI se se encuentra encuentra en en la la misma sala que el circuito interferido, es fcil misma sala que el circuito interferido, es fcil tener tener un un problema problema de de campo campo cercano cercano Campos Camposelctrico elctricoy ymagntico magntico se deben considerar se deben considerarpor por separado separado

Blindajes
Efectividad de los blindajes
Efectividad para campos elctricos S /E11 )) (dB) S= = 20 20 log log (E (E (dB) 0 0/E
E0 (H0) = intensidad del campo incidente E1 (H1) = intensidad del campo que traspasa el blindaje La Laefectividad efectividadvara varacon: con: La frecuencia La frecuencia La Lageometra geometradel delcampo campo La Laposicin posicindel deldetector detector Tipo de campo Tipo de campo Polarizacin Polarizacin Direccin Direccinde dela laincidencia incidencia

Efectividad para campos magnticos S /H11 )) (dB) (dB) S= = 20 20 log log (H (H 0 0/H

Onda reflejada Onda incidente en una superficie metlica

Prdidas por reflexin

Tipo de campo (cerc/lej) Impedancia de la onda

Onda transmitida

Atenuacin

Prdidas por absorcin

Blindajes
Efectividad de los blindajes

Efecto de las radiaciones sobre un blindaje con un agujero

S S= =A A+ +R R+ + MR MR

S = efectividad total del blindaje A = Prdidas por absorcin R = Prdidas por reflexin. MR = Reflexiones mltiples. Despreciable si A> 9dB

Blindajes
Efectividad de los blindajes

Prdidas por absorcin A

(para campos E, H y ondas planas)
La atenuacin A es independiente del tipo de campo (E, H) y se describe a travs de la profundidad skin

E O HO d d/ = = e = 8.7 [dB] A= E d Hd = f
Las prdidas por absorcin constituyen el principal mecanismo de apantallado en el caso de campos magnticos de baja frecuencia
A Abajas bajasfrecuencias frecuenciases esdifcil difcilapantallar apantallar eficientemente contra campos magnticos eficientemente contra campos magnticos porque porquesu suefectividad efectividades esbaja baja

A = prdidas dadas en dB d = espesor f = frecuencia = profundidad skin = resistividad Hd=campo en el metal a la distancia x=d
X=0 X=d

aire EIN Metal Zm Ero EO Erd

aire ZO

EOUT

Prdidas por absorcin A

(para campos E, H y ondas planas)

8dB por cada que aumentemos d

Prdidas por reflexin R

( E IN H IN ZO + Z m ) = = R= EOUT H OUT 4(Z O Z m )

Impedancia de cualquier medio

aire EIN Metal Zm Ero EO Erd

aire ZO

EOUT

Zm =

jw 2 = jw +

Prdidas por mltiples reflexiones MR

aire EIN Metal Zm Ero EO Erd EOUT aire ZO

Profundidad de penetracin : Distancia requerida para que la onda sea atenuada 1/e veces (36,7 % de su valor inicial (9dB)

MR = 20log 1 e

2 d

2d = [dB ]

(para valores bajos de d/)

MR (dB) Blindaje metlico (ZO>>Zm), - R aumenta al disminuir la frec. y aumentar la conductividad del material. -20 -10

0.5

d/

El trmino MR es relevante cuando las prdidas por absorcin son bajas

Atenuacin del campo cercano E de un dipolo

Particularizando en el caso de campo cercano E tendremos que :

RE = Z

(Z

E + Z 4Z EZ

m m

)2

1 4

2 w o r
w: 2 f

1 = 2 f r

ZE>>Zm

r: distancia pantalla-fuente

Para valores bajos de (d/) se ha introducir la correccin debido a las mltiples reflexiones

d 1 R MR = 2 2 o r

Atenuacin del campo cercano E de un dipolo

Las Lasprdidas prdidaspor porreflexin reflexin constituyen constituyenel elprincipal principalmecanismo mecanismo de apantallado en el caso de apantallado en el casode decampos campos elctricos de baja frecuencia. elctricos de baja frecuencia.A Aalta alta frecuencia frecuencialo loes esla laabsorcin absorcin

dB
d: distancia de la fuente al blindaje
Lmina de Cu (d=0.1mm, r=100mm)

250

R+A A

- R se reducen con f y r 100 - Se pueden conseguir buenos apantallamientos con espesores muy bajos

R 1 MHz

Blindajes contra el acoplamiento capacitivo (Frente a un campo elctrico)

Debe incluir todos los componentes a proteger Debe conectarse a un potencial constante que puede ser la masa del sistema Debe tener alta conductividad: cobre y aluminio

Encerrar Encerrar el el circuito circuito o o el el conductor conductor dentro dentro de de un un blindaje blindaje metlico metlico hermtico hermtico

Blindaje electrosttico o de Faraday

Jaula de Faraday: cobertura del 100%

Atenuacin del campo cercano H de un dipolo

Z H = 2 f r

w o r (Z H + Z m )2 = 4ZHZm 4 2
R=

Se supone que ZH >>Zm . A muy baja frec. no es correcto y tendamos que utilizar la expresin general: 2

(Z O + Z m ) 4(ZO Z m )

- Baja frec. Difcil apantallar. El trmino de MR tiene importancia y ha de aadirse a RH - Alta frec. Absorcin - AH (absorcin) aumenta si aumenta f y r - AH aumenta si los materiales tienen alta permeabilidad - La atenuacin aumenta con d Un campo magntico a bajas frecuencias presenta baja reflexin ya que las reflexiones son funcin del cociente entre la impedancia de onda y la del blindaje

d: distancia de la fuente al blindaje

Blindajes contra el acoplamiento inductivo (Frente a un campo magntico)

Debe encerrar a todos los componentes a proteger Debe tener alta permeabilidad Resulta Resulta ms ms difcil difcil obtener obtener una una buena buena efectividad efectividad comparativamente comparativamente con con el el blindaje blindaje electrosttico electrosttico

En campo cercano, las EMI pueden tener un 90% de intensidad de campo magntico y un 10% de campo elctrico, en cuyo caso son irrelevantes las prdidas por reflexin Ser Ser aconsejable aconsejable reforzar reforzar las las prdidas prdidas por por absorcin absorcin a a expensas expensas de de las las prdidas prdidas de de reflexin, reflexin, escogiendo escogiendo EL EL HIERRO HIERRO como como material material de de blindaje blindaje
Minimizar el rea de los bucles de corriente generador y receptor Apantallar magnticamente con materiales de alta permeabilidad todo el generador de interferencias Cables prximos a un plano de masa

Atenuacin de ondas planas

ZO: impedancia de onda cte.=377 Se han de cumplir las condiciones de campo lejano (r>>/2) Es un caso poco habitual

R EM =

ZO 377 = 4Z m 4 2

Atenuacin por reflexin

A baja frecuencia (d/ pequea) la contribucin debido a mltiples reflexiones y absorcin no son destacables la atenuacin no depende de la frecuencia. S (dB) La mayor contribucin a f se debe a la reflexin. - Las prdidas son mayores con buenos conductores ( elevadas) 200 150 100 10kHz 1 z 100 MHz Cobre con d>3 d=1mm SAEM SREM

Atenuacin de campos en aberturas

- Reducen la efectividad del blindaje - La prdida de efectividad afecta ms al campo magntico - La mxima dimensin lineal de la ranura ser el parmetro a considerar en la evaluacin de la prdida de efectividad.
t

Metal EIN Ero Eo aire Erd EOUT Metal D

Corrientes inducidas

v
Ranuras Orificios

Cuanto mas se desven las lneas peor apantallamiento

Longitud de onda crtica (c): las ondas cuya > c se atenuar en el orificio. Frecuencia crtica. Fc=c/ c (f<fc quedan atenuadas) A menor distorsin de las lneas de corriente: - Menor diferencia de potencial entre bordes - Menor campo elctrico en la apertura - Menor radiacin a travs de la apertura

Atenuacin de campos en aberturas

Atenuacin de campos en aberturas

Gua ondas circular
Frec. de corte

D
max = D 2

175109 [Hz] fC = D
Efectividad

S = 32

t [dB] D

Gua ondas rectangular L

150109 [Hz] fC = L

max =

L 2

t S = 27 [dB] L

* Unidades de longitud en mm t: espesor

Cuando el espesor del conductor es comparable a las dimensiones de la apertura hay que aadir el efecto de gua onda. - La atenuacin depender exponencialmente de la longitud de la gua.

Paso de cables a travs de blindajes

- Los condensadores de filtro deben colocarse al lado del blindaje Condensadores pasamuros Valores tpicos: C=1000pF Incorporar ferritas para atenuar la alta frecuencia

Ncleo de ferrita

Comparacin de los materiales

Materiales magnticos: elevadas a costa de reducir la conductividad mayores prdidas de absorcin y menor reflexin. Interesa en baja frec y para campos magnticos Para ondas planas y campo elctrico interesa tener una alta conductividad

Materiales

Conectores externos

juntas

Filtros
Condensador de desacoplo: - Acta como una fuente de tensin cercana a la carga. - Aporta la energa necesaria para absorber los picos de corriente - Limita el tamao del bucle con un rea menor - Se requieren condensadores con baja inductancia y resistencia serie (Cermicos multicapa)
A/D Converter

Vin GND Vref

D1 D4

0 dB
Sign ENB

fR

Rs

Hay que evitar la frecuencia de resonancia ya que tiene un efecto amplificador

fR =

1 2 LC

Configuracin de los filtros

Objetivo: atenuar la alta frecuencia. La eficacia del filtro depende de la impedancia vista a cada extremo de la red de filtros
L ZS baja ZL baja
ZS L C C ZL

Z alta a media

ZS alta

ZL alta
ZS
ZL alta

L C

L ZL

L ZS baja

Z baja a media

Configuracin de los filtros

Bolt style EMI filter (10 MHz-26 GHz)

Configuracin de los filtros

Filtros de red elctrica

Incluyen componentes para eliminar las interferencias en modo comn y diferencial El choke L acta en modo comn. El flujo creado por las corrientes diferenciales se anula lo que evita la saturacin del ncleo. La inductancia de dispersin si acta sobre las corrientes en modo diferencial

Ncleos de ferrita
i/2
Alimentacin

i/2

Receptor

Capacidad parsita

Capacidad parsita

Filtrado Filtrado pasivo pasivo en en modo modo comn comn

En modo diferencial las dos inductancias se anulan porque estn bobinadas en sentido inverso sobre el mismo ncleo

Filtros de red elctrica

A id A

Cx1
N T

CY2 Cx2
ic

CY2

A+N

A+N

Cx1
N

LLKG

Cx2+0.5CY2
N T

2CY2
T

Circ. Equivalente Modo Diferencial CX (0.1-0.47F) L (1-10 mH)

Circ. Equivalente Modo Comn

El conjunto puede presentar atenuaciones de 40-50 dB hasta 30 MHz Por debajo de 1MHz la atenuacin disminuye notablemente

Filtros de red elctrica

Mejora de la eficacia: - Chokes adicionales en lneas diferenciales - Choke en la lnea de tierra - Supresores de transitorios (VDR)

RED
N T

Cx1

CY2 Cx2 CY2

N T

EQUIPO

Ensayos realizados en la cmara anecoica del rea de Tecnologa Electrnica

SAI de 10kW Chloride

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SAI de 10kW Chloride

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SAI de 10kW Chloride

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SAI de 10kW Chloride