KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON BASIS

LAPORAN KE-9

AGAM GILANG ABDUL HAKIM RIZKY DWI PUTRA SARTIKA RATNASARI TT3D

Jurusan Teknik Elektro Program Studi Teknik Telekomunikasi

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA 2012

PERCOBAAN 9 KARAKTERISTIKTRANSISTOR COMMON BASIS

1. TUJUAN Mempelajari karakteristik input transistor dalam konfigurasi common basis. Mempelajari karakteristik output transistor dalam konfigurasi common basis. Mempelajari ciri-ciri harga dan resistansi input, resistansi output, dan penguatan arus transistor dalam konfigurasi common basis. 2. DASAR TEORI Pada konfigurasi common base, basis dari transistor terhibung dengan ground dari input dan output. Umumnya, pada transistor npn, input berada pada emitter, sedangkan outputnya pada kolektor. Untuk lebih jelasnya dapat dilihat pada gambar berikut.

Gambar 1. Konfigurasi Common Base Transistor NPN

Karakteristik input yang menggambarkan hubungan antara arus input (IE) dengan tegangan input (VBE) untuk tegangan output (VCB) yang bervariasi dapat digambarkan sebagai berikut.

Gambar 2. Karakteristik Input Amplifier dengan Konfigurasi CB Sementara karakteristik output yang menjelaskan hubungan antara arus output (IC) dengan tegangan output (VCB) terhadap arus input (IE) yang bervariasi. Bagian output memiliki tiga daerah yang dikenal sebagai daerah kerja, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cutoff. Berikut penggambarannya.

Gambar 3. Karakteristik Output Amplifier dengan Konfigurasi CB

Agar bekerja pada daerah aktif, kolektor-basis dibias reverse, sedang basisemitter dibias forward. Pada daerah cutoff, kolektor-basis dan basis-emitter dibias reverse, sementara pada daerah saturasi junction tadi dibias forward. Jika transistor ON, maka diasumsikan tegangan antara basis dan emitter (VBE) adalah sekitar 0,7 V.

Active Region Di dalam daerah ini, junction kolektor mendapat bias mundur dan junction emitor mendapat bias maju. Misalkan arus emitor bernilai nol. Dalam keadaan ini, arus kolektor kecil dan sama dengan arus saturasi balik IC0 (microampere untuk germanium dan nanoampere untuk silicon) dan junction ini berlaku untuk diode. Di dalam daerah aktif (active region), arus kolektor independen terhadap tegangan kolektor dan hanya tergantung pada arus emitor. Namun demikian, karena efek Early, terdapat pengaruh VCB berupa kenaikan IC walaupun hanya 0,5 persen. Karena lebih kecil dari satu (tetapi mendekati satu), arus kolektor sedikit lebih kecil dari arus emitor. Daerah Saturasi (Saturation Region) Daerah dimana junction emitor maupun kolektor mendapat bias maju (forward biased) dinamakan daerah saturasi. Daerah ini terdapat di bagian kiri ordinat, dinamakan VCB = 0 dan diatas karakteristik IE = 0. Disini dapat dikatakan terjadi proses bottoming karena tegangan akan merosot drastic hingga mendekati dasar, pada saat VCB 0. Sebenarnya VCB bernilai positif (untuk pnp, walau nilainya kecil), dan bias maju pada kolektor ini menimbulkan perubahan arus kolektor yang besar melalui perubahan tegangan kolektor yang kecil. Dalam keadaan terbias maju, IC naik secara eksponensial terhadap tegangan mengikuti hubungan diode.

Daerah Cutoff Karakteristik untuk kondisi dimana IE = 0 melewati titik origin, namun dalam hal lain sama seperti karakteristik-karakteristik lain. Karakteristik ini sebenarnya tidak berhimpitan dengan sumbu tegangan, namun hal ini sulit untuk diperlihatkan mengingat IC0 bernilai hanya beberapa nano- atau microampere. Daerah di bawah IE = 0, dimana junction emitor dan kolektor samasama terbias mundur dinamakan cutoff region.

3.

ALAT-ALAT YANG DIPERGUNAKAN No. 1 2 3 4 5 Alat-alat dan komponen DC Power Supply Resistor 1 k Transistor NPN BC 107 Multimeter Kabel-kabel penghubung Jumlah 2 2 1 3 seculupnya

4.

CARA MELAKUKAN PERCOBAAN 1. Karakteristik Input

IE

A
1 k RE VEB VEE RC 1 k

VCB

V + VCC

Gambar 4. Rangkaian Karakteristik Input Common Basis 1. Hubungkan rangkaian seperti gambar 4. 2. Aturlah Vcc sehingga VCB = 0 V. Kemudian atur pula VEE = 0 V. Ukurlah IE dan VEB, catat hasilnya pada tabel 1.

3. Ubah Vcc sehingga VCB = 2 V. Kemudian ukur ulang IE dan VEB. 4. Ulangi pengukuran ini untuk harga VCB dan VEE yang lain. Tabel 1. Karakteristik Input
VEE (V) 0 -2 -4 -6 -8 VCB = 0 V IE VEB (mA) (V) 0 0 1,4 0,6 3,00 0,6 5,00 0,6 6,5 0,6 VCB = 2 V IE VEB (mA) (V) 0 0 1,3 0,6 3,00 0,6 5,00 0,6 6,5 0,6 VCB = 4 V IE VEB (mA) (V) 0 0 1,35 0,6 3,00 0,6 4,9 0,6 6,52 0,6 VCB = 6 V IE VEB (mA) (V) 0 0 1,35 0,6 3,00 0,6 5,00 0,6 6,5 0.6 VCB = 8 V IE VEB (mA) (V) 0 0 1,2 0,6 3,00 0,6 5,00 0,6 6,5 0,6

2. Karakterisitik Output
IE IC

A
1 k RE VEB VEE

A
RC 1 k

V + VCC

Gambar 5. Rangkaian Karakteristik Output Common Basis 5. Hubungkan rangkaian seperti gambar 5. 6. Aturlah Vcc sehingga VCB = 0 V. Kemudian atur pula VEE sehingga IE = 0. Ukurlah IC dan catat hasilnya pada tabel 2. 7. Ubah Vcc sehingga VCB = 2 V. Kemudian atur pula VEE sehingga IE = 0. Ukurlah IC. 8. Ulangi pengukuran ini untuk harga VCB dan IE yang lain.

Tabel 2. Karakteristik Output

VCB = 0 V IE IC (mA) (mA) 0 0 1 0,55 2 0,6 3 0,6 4 0,65 VCB = 2 V IE IC (mA) (mA) 0 0 1 1,05 2 2,05 3 3,00 4 4,0 VCB = 4 V IE IC (mA) (mA) 0 0 1 1 2 2,05 3 3,00 4 4 VCB = 6 V IE IC (mA) (mA) 0 0 1 1,05 2 2,1 3 3 4 4,25 VCB = 8 V IE IC (mA) (mA) 0 0 1 1,05 2 2,1 3 3,00 4 4,0

5.

ANALISA DATA 1. Gambarkan pada kertas grafik kurva karakteristik input transistor konfigurasi common basis dari tabel 1. 2. Gambarkan pada kertas grafik kurva karakteristik output transistor konfigurasi common basis dari tabel 2. 3. Hitunglah harga resistansi input dari data tabel 1. 4. Hitunglah harga resistansi output dan penguatan arus dari data tabel 2.

Jawab :

1.

Dari grafik di atas dapat diketahui bahwa semakin besar nilai VCB maka semakin besar pula arus input (IE). Tegangan pada VBE berkisar antara 0,6 V 0,8 V.

2. Dari grafik di atas dapat diketahui bahwa saat IE berada di atas 0, arus collector IC meningkat dengan cepat mendekati nilai IE. Pada daerah aktif, kenaikan VCB tidak memberi pengaruh terhadap arus collector.

6.

KESIMPULAN Dari percobaan yang telah kami lakukan, dapat disimpulkan bahwa:
1. Pada karakteristik input terdapat tegangan cutin, offset, atau threshold, V,

dimana untuk tegangan dibawah V, arus emitor IE menjadi sangat kecil. Pada umumnya V, bernilai sekitar 0,1 V untuk transistor germanium dan 0,5 V untuk silicon. Bentuk karakteristik input dapat dipahami dengan adanya peningkatan nilai tegangan kolektor akan menimbulkan peningkatan arus emitor, sementara nilai VEB tidak berubah. 2. Pada karakteristik output menjelaskan hubungan antara arus output (IC) dengan tegangan output (VCB) terhadap arus input (IE) yang bervariasi. Bagian output memiliki tiga daerah yang dikenal sebagai daerah kerja, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cutoff.