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UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS Eletrnica de Potncia ENGENHARIA ELTRICA PROF. Marcelo Suetake

PRTICA - PR01

Diodos e MOSFETs (REALIZADA EM 11 / 09 / 2013)

Aluno: Fernando Endrigo Belezia Poletto Jorge Jesus Maria Carbullanca Lovera Leandro Bortolim Frasson Lucas Lis Gonalves

RA: 384062 574554 383910 384054

% de participao: 25% 25% 25% 25%

RELATRIO ENTREGUE EM: 20 / 09 / 2013

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Sumrio

Introduo..................................................................................................................................... 2 Objetivos ....................................................................................................................................... 8 Material Utilizado ......................................................................................................................... 8 Procedimento Experimental ....................................................................................................... 8 Resultados .................................................................................................................................... 9 Concluso ...................................................................................................................................18 Referncias Bibliogrficas ........................................................................................................18

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1. Introduo

Diodo de Potncia Um diodo semicondutor uma estrutura P-N, que dentro de seus limites de tenso e corrente, permite o fluxo de corrente em uma direo. Detalhes de funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal podem ser significativos para componentes de maior potncia, caracterizados por uma maior rea (para permitir maiores corrente) e mais longos (para suportar maiores tenses reversas). A Figura. 1.1 mostra a estrutura interna de um diodo de potncia.

Figura. 1.1:Estrutura interna de um diodo de potncia.

Como se pode ver na figura anterior, o diodo formado por uma nica juno PN, embora a estrutura de um diodo de potncia, um pouco diferente daquela de um diodo de sinal, uma vez que neste caso existe uma zona N intermdia de baixa dopagem. O papel desta regio o de permitir que o componente resista a tenses inversas mais elevadas. Esta regio de pequena densidade de dopagem do diodo dar uma caracterstica significativa, o vis resistivo, que se torna mais significativo quanto maior a tenso suportada pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos so altamente dopadas para obter caractersticas hmicas e semicondutoras. A Figura. 1.2 mostra o smbolo e a caracterstica de corrente e tenso esttica de um diodo de potncia.

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Figura. 1.2: Smbolo e a caracterstica de corrente e tenso esttica de um diodo de potncia

A VF tenso indicada na curva de corrente-tenso esttica refere-se Queda de tenso quando o diodo est conduzindo (Polarizao Direta). Para diodos de potncia, esta queda de tenso na conduo para a frente varia aproximadamente entre 1 e 2 Volts. Alm disso, esta queda depende do fluxo de corrente, tendo uma caracterstica comum - rea de conduo bastante linear da tenso. Esta relao conhecida como a resistncia conduo do diodo, e abreviada por Ron obtida como o inverso da inclinao da assntota da curva na zona de polarizao esttica. A Tenso VR representa a tenso de ruptura do dispositivo ("Breakdown Voltage) isto , a tenso mxima inversa que pode suportar o diodo quando este est bloqueado (polarizado inversamente). Um diodo de potncia pode suportar tenses inversas elevadas. Se voc exceder o valor tenso de ruptura especificada pelo fabricante, o diodo pode chegar a queimar pela excessiva circulao de corrente inversa, ou seja, devido dissipao de potncia excessiva. Diodos de potncia podem suportar tenses de ruptura da ordem de quilovolts (kV), e correntes de at kiloamperes (kA). Obviamente, a dimenso do diodo determina suas caractersticas eltricas, atingindo tamanhos da ordem de vrios cm2. Como j mencionado, os diodos so interruptores unidirecionais em que nenhuma corrente pode fluir na direo oposta de conduo. O nico procedimento de controle consiste em inverter a tenso de nodo e catodo, sem possuir nenhum terminal de controle. Em regime transitrio cabe destacar dois fenmenos:

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1) Corrente de recuperao reversa: O processo de bloqueio da conduo no executada imediatamente. Quando o diodo conduz uma corrente I na polarizao direta, a centro da unio dos portadores majoritrios est saturado, e mesmo que uma circuito externo force o cancelamento da corrente pela aplicao de uma tenso reversa, quando a corrente passa atravs de zero ainda existe uma srie de portadores para mudar a sua direo de movimento e permitindo a conduo da corrente inversa para um tempo, chamado de tempo de recuperao inversa (trr), como mostrado na Figura 1.3. Os parmetros definidos no processo de bloqueio depende da corrente direta, a derivada da corrente (di / dt) e da tenso reversa aplicada. O tempo de recuperao de um diodo normal de cerca de 10ms, j os diodos rpidos esse tempo da ordem de poucos nanosegundos.

Figura. 1.3: Funcionamento diodo.

2) Corrente de Recuperao direta: Outro fenmeno de atraso de menor relevncia que o anterior, quando o diodo passa de bloqueio a conduo, e cujo efeito mostrado tambm na Figura 3. No processo de conduo, a resposta de diodo inicialmente bloqueando o fluxo. Sendo esta resposta que provoca uma tenso em Vfp, provocada pela modulao da condutividade do diodo durante a injeo de portadores minoritrios. Assim, o diodo semelhante a uma resistncia onde o seu valor diminui com o tempo. Esta resistncia equivalente est relacionada com a

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concentrao de portadores minoritrios injetados. Por tanto a tenso Vfp depende, da largura e da resistividade da regio central do diodo.

Transistores MOSFETs Os transistores MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors) so transistores controlados por tenso. Isso se deve ao isolamento do GATE com respeito ao resto do dispositivo. Existem dois tipos bsicos de MOSFET, os de canal n e os de canal p, se bem que na Eletrnica de Potncia os mais comuns so os primeiros, pelo fato de apresentar menos perdas e maior velocidade de comutao, devido maior mobilidade de eltrons em relao as lacunas. Segue na Figura 1.4 a simbologia para esses dispositivos:

Figura 1.4. Simbologia MOSFET.

Princpio de funcionamento e estrutura: O terminal de porta G (Gate) est isolado do semicondutor pelo xido de silcio (SiO2). A unio PN define um diodo entre a fonte S (Source) e o dreno D (Drain), o Qual conduz quando VDS < 0. O funcionamento como transistor ocorre quando VDS > 0. A Figura 1.5 mostra a estrutura bsica do transistor.

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Figura 1.5. Estrutura bsica do transistor.

Quando uma tenso VGS > 0 aplicada, o potencial positivo no GATE repele as lacunas na regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso alcana um certo valor nominal (VT), eltrons livres (gerados principalmente pelo efeito trmico) presentes na regio P so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual se torna possvel a circulao da corrente entre D e S. Aumentando VGS, mais portadores so atrados, ampliando o canal, reduzindo sua resistncia (RDS) e permitindo o aumento de ID. Este comportamento caracteriza pela cham ada regio hmica. O fluxo de ID pelo canal gera uma queda de tenso que produz um efeito avalanche, ou seja, quando o canal mais largo na fronteira da regio N+ a regio N- e isso provoca um aumento de ID o que leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior efeito avalanche, o que conduziria a um futuro colapso e extino da corrente. Obviamente o fenmeno tende a um ponto de equilbrio, no qual a corrente ID se mantm constante para qualquer VDS, caracterizando una regio ativa ou de saturao do MOSFET. A figura 1.6 mostra a caracterstica esttica do MOSFET de potncia.

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Figura 1.6: Caracterstica esttica do MOSFET.

Uma pequena corrente de porta necessria apenas para carregar e descarregar as capacitncias de entrada do transistor. A resistncia de entrada da ordem de 1012 Ohms. De forma anloga aos bipolares, temos fundamentalmente trs zonas de trabalho bem diferenciadas: - Corte: Quando a tenso entre a porta e a fonte e menor que uma determinada tenso nominal (VT), com a qual o dispositivo se comporta como um interruptor aberto. - hmica: Quando a tenso entre a porta e a fonte suficientemente grande e a tenso entre o dreno e a fonte pequena, o transistor se comporta como um interruptor normal fechado, modelado por uma resistncia, denominada RON. - Saturao: Se o transistor est bloqueado mas suporta uma tenso dreno-fonte elevada, este se comporta como uma fonte de corrente constante, controlada pela tenso entre o gate e a fonte. A dissipao de potncia neste caso pode ser elevada dado que o produto tenso-corrente alto.

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2. Objetivos

O objetivo da prtica foi verificar experimentalmente a corrente de recuperao reversa de diodos, alm do chaveamento de MOSFETs.

3. Material Utilizado

1x Gerador de funes, osciloscpio, fontes de alimentao CC. 1x IRF630 (MOSFET - npn) 1x Diodo 1N4001 1x Resistor de 10W (10)

4. Procedimento Experimental

Corrente de recuperao reversa de diodos: Montou-se um circuito retificador de meia onda utilizando o diodo 1N4001, com um sinal de entrada senoidal (Vpp=10V e f=60Hz). Em seguida registrou-se a forma de onda de sada. Repetiu-se os procedimentos acima variando a frequncia em 1kHz, 5kHz, 10kHz, 50kHz e 100kHz. O mesmo foi feito com uma onda quadrada. Por fim analisou-se o que acontecia com a tenso de pico de recuperao reversa quando se aumentava a frequncia.

Chaveamento de MOSFETs: Montou-se um circuito de polarizao utilizando o IRF630, com RD=560, RG=22 e tenso de carga de 10V. Aciono-se o gate com uma onda quadrada de 1kHz, 5V de amplitude e 2,5V de offset. Posteriormente alterou-se a resistncia de gate pra 3k e, em seguida, para 100k. Retornou-se a resistncia de gate para 22 e alterou-se a resistncia de carga para 3k . Por ltimo, alterou-se a resistncia de carga para 10 de 10W.

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Em todas as configuraes acima, mediram-se e analisaram-se as seguintes formas de onda: Tenso Gate-Source e Tenso Dreno-Source (Geral); Tenso Gate-Source e Tenso Dreno-Source (Detalhes na entrada de conduo); Tenso Gate-Source e Tenso Dreno-Source (Detalhes no corte).

5. Resultados

Os resultados deste experimento foi dividido em duas sees, devido a montagem de dois circuitos distintos. Segue portanto, os resultados obtidos pelo circuito retificador de meia onda.

Corrente de recuperao reversa de diodos: Para verificao da corrente de recuperao reversa registrou-se primeiramente a forma de onda obtida pelo circuito retificador de meia onda nas seguintes condies: Onda senoidal com Ve= 5V e f =60Hz. Como mostra a figura 2.1:

Figura 2.1: Forma de onda obtida para entrada senoidal, Ve=5V e f =60Hz.

60 Hz no foi possvel observar a presena da corrente de recuperao reversa. Sendo assim foi necessrio aumentar a frequncia da onda para que fosse possvel observ-la. Desta forma foram obtidas as formas de onda em 10 kHz e em 100kHz. A figura 2.2 e 2.3 a seguir demonstra claramente a presena deste fenmeno:

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Figura 2.2: Forma de onda obtida para entrada senoidal, Ve=5V e f =10kHz.

Figura 2.3: Forma de onda obtida para entrada senoidal, Ve=5V e f =100kHz.

Desta forma, com base nas formas de ondas obtidas no experimento foi possvel verificar a presena da corrente de recuperao reversa do diodo e compreender que conforme aumentase a frequncia do sinal de entrada a corrente de recuperao rever vai aumentando. Isso se deve ao menor tempo que os eltrons tm para deixar a banda de conduo aps a inverso do sinal de entrada, ocasionando uma alterao na forma de onda do sinal de sada. Da mesma forma, foi obtida as formas de ondas nas frequncias de 60Hz, 10kHz e 100kHz, porm com sinal de entrada com onda quadrada, observada nas figuras 2.4, 2.5 e 2.6 respectivamente.

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Figura 2.4: Forma de onda obtida para entrada quadrada, Ve=5V e f =60Hz.

Figura 2.5: Forma de onda obtida para entrada quadrada, Ve=5V e f =10kHz.

Figura 2.6: Forma de onda obtida para entrada quadrada, Ve=5V e f =100kHz.

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Observou-se o mesmo comportamento para entrada em onda quadrada, ou seja, conforme aumenta-se a frequncia maior a presena da corrente reversa.

Chaveamento de MOSFETs: Primeiramente foi montado o circuito de polarizao do MOSFET. Para compreender melhor os resultados foi necessria a consulta do datasheet do MOSFET utilizado, o qual para essa prtica foi o IRF630. Aps a montagem do circuito observou-se que 5 V de Vgs foram o suficientes para acionar o transistor, o que condiz com o dado consultado no datasheet que determina que o Vgs de acionamento est entre 2 e 4 V. Obteve-se tambm a regio de operao do mesmo: Vds(mx) = 200V e Id(max) = 9. Se o MOSFET IRF630 fosse utilizado para chavear uma carga de 5 de corrente 25 C o Vgs para garantir a regio hmica seria de 5V. J 150C, Vgs seria de aproximadamente 4.8V, segundo o datasheet. Com a resistncia de gate de 22 e resistncia de dreno de 560 fois obtida a seguinte forma de onda e as seguinte medidas, figuras 2.7, 2.8 e 2.9:

Figura 2.7: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=22 e Rd=560 (Geral).

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Figura 2.8: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=22 e Rd=560 (Detalhe Entrada de Conduo).

Figura 2.9: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=22 e Rd=560 (Detalhe no corte).

Alterando o resistor Rg para 3k obteve as seguintes formas de onda expostas nas Figuras 2.10, 2.11 e 2.11, a seguir:

Figura 2.10: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=3k e Rd=560 (Geral).

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Figura 2.11: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=3k e Rd=560 (Detalhe Entrada de Conduo).

Figura 2.12: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=3k e Rd=560 (Detalhe no corte).

Alterando novamente Rg para Rg=100k foi realizado o mesmo procedimento anterior. As formas foram expostas nas figuras 2.13, 2.14 e 2.15 a seguir:

Figura 2.13: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=100k e Rd=560 (Geral).

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Figura 2.14: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=100k e Rd=560 (Detalhe Entrada de Conduo).

Figura 2.15: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=3k e Rd=560 (Detalhe no corte).

Retornando a resistncia de gate para Rg= 22 e alterando a resistncia de carga para Rl= 3k. Foram obtidas as seguintes formas de ondas expostas nas figuras 2.16, 2.17 e 2.18 abaixo:

Figura 2.16: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=22 e Rl= 3k(Geral).

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Figura 2.17: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=22 e Rl=3k (Detalhe Entrada de Conduo).

Figura 2.18: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=22 e Rd=3k (Detalhe no corte).

Por fim alterou-se a resistncia de carga para Rl=10 - 10 W e mediu-se as seguintes formas de onda, observadas nas figuras 2.19, 2.20 e 2.21 a seguir:

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Figura 2.19: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=22 e Rl= 10(Geral).

Figura 2.20: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=22 e Rl=10 (Detalhe Entrada de Conduo).

Figura 2.21: Tenso Vgs(vermelho) e Vds(azul) para Rg=22 e Rd=10 (Detalhe no corte).

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6. Concluso

Percebe-se que o tempo de recuperao reversa uma caracterstica que limita a operao do diodo de sinal em frequncias elevadas e em circuitos de chaveamento de alta velocidade, pois os diodos de uso geral, como o 1N4001 apresentam um tempo de recuperao reversa, relativamente alto, dessa forma, so utilizados em aplicaes de baixa velocidade, onde o tempo de recuperao do componente no crtico, como por exemplo, retificadores e conversores de baixa frequncia at no mximo 1 KHz. Estes diodos trabalham dentro de uma faixa que varia de 1A at milhares de ampres e no caso do 1N4001 possui tenso de pico reversa de 50 [V]. Tambm pde-se observar o funcionamento do mosfet como uma chave de atuao rpida em nveis de potncia, pois a velocidade de chaveamento muito alta (nanosegundos ), esses mosfets de potncia so utilizados em conversores de baixa potncia e alta frequncia. Para se ativar o IRF630 necessrio que a tenso entre a fonte e o gate (V GS) seja maior que a tenso de Threshold (VGS(TH)) informada no datasheet, para uma determinada temperatura, dessa maneira dizemos que o mosfet est trabalhando na regio hmica, e no caso 5 [v] foi suficiente para acionar o IRF630.

7. Referncias

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO. Departamento de Ingeniera de la Informacin y Comunicaciones. Universidad de Murcia. <http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemaselectronicos/material-de-clase-1/tema-4.-transistores-de-efecto-campo.pdf>. 17/09/2013. Acessado em:

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