Anda di halaman 1dari 31

Bahan Semikonduktor 1. Sifat bahan semikonduktor 2. Jenis-jenis bahan semikonduktor (bahan semikonduktor intrinsic, bahan semikonduktor elementer) 3.

Fungsi bahan semikonduktor . !embentukan bahan semikonduktor ti"e ! dan bahan semikonduktor ti"e # (bahan semikonduktor ekstrinsik) $. Jenis-jenis%sifat arus dalam bahan semikonduktor Dioda Semikonduktor 1. !roses "embentukan diode !-# 2. !rinsi" kerja dioda 3. !embiasan dioda . &arakteristik dioda $. !engaruh tem"erature terhada" karakteristik%kinerja diode '. (ioda )ener

*. (ioda "emancar caha+a (,igt -mitting (iode, ,-() .. &a"asitansi "ersambungan (Junction /a"acitance) 0. 1angkaian-rangkaian a"likasi dioda

BAHAN SEMIKONDUKTOR 2erdasarkan kemam"uan menghantarkan arus

listrik, material%bahan dibedakan atas 3 1. !enghantar (/onductor) 2. 2ahan dielektrik % isolasi 3. 2ahan semikonduktor (itinjau dari nilai resistansi listrik,

"enghantar%&onduktor mem"un+ai resistansi +ang "aling kecil, bahan dielektrik%isolasi mem"un+ai resistansi +ang "aling besar, bahan semikonduktor mem"un+ai resistansi antara resistansi konduktor dan resistansi bahan dielektrik.

RBD RSK RK
(itinjau dari segi celah energi ( energi gap), maka konduktor mem"un+ai energi ga" +ang sangat kecil, bahan isolasi mem"un+ai energi ga" "aling besar dan bahan semikonduktor mem"un+ai energi ga" antara

energi ga" konduktor dan energi ga" bahan dielektrik. -nergi ga" ketiga bahan tersebut di"erlihatkan "ada gambar 1. -nergi ga" untuk Silikon (Si) "ada 344 o & adalah 1,1 e5 dan untuk germanium (6e) 4,*2 e5.

6ambar 1 -nergi ga" konduktor, semikonduktor, bahan dielektrik &eistime7aan kondukti8itasn+a menambahkan unsur bahan da"at semikonduktor ditingkatkan ( adalah dengan impurity

ketidak-murnian

element ) melalui suatu "roses +ang dikenal dengan proses Doping. 9nsur ketidak-murnian +ang digunakan biasan+a disebut unsur dopan.

Sifat-sifat bahan semikonduktor Sifat-sifat utama bahan semikonduktor tan"a do"ing antara lain 3 1. 1esistansin+a lebih besar dari resistansi konduktor logam, teta"i lebih kecil dari resisitansi bahan dielektrik. 2. :em"un+ai 1esistansin+a koefisien berkurang tem"eratur terhada" negati". kenaikan

tem"eratur (sifat sangat "enting). 3. :em"un+ai elektron 8alensi elektron +ang dibutuhkan . ;rtin+a "ada kulit untuk kondisi stabil. terluar terda"at em"at elektron , setengah dari . -lektron "ada kulit terluar digunakan bersama oleh atom +ang saling berdekatan sehingga tidak ada elektron bebas. <katan kimia +ang terbentuk dengan "rinsi" "enggunaan bersama elektron "ada kulis terluar disebut Ikatan Kovalen. -lektron "ada kulit terluar digunakan bersama oleh atom-atom +ang berdekatan, sehingga tidak ada elektron bebas. (alam keadaan demikian bahan semikonduktor mem"un+ai resistansi +ang lebih besar dari konduktor atau lebih bersifat bahan isolasi. Sebagai "erbandingan,

nilai tahanan jenis (=) dalam satuan >.cm 3 2 ? 14 untuk siikon (Si), 2 ? 1412 untuk mika.

-'

untuk

tembaga (/o""er,/u), $4 untuk germanium (6e), $4 ? 14 3 2ahan semikonduktor dida"ati "ada kolom <5 dari daftar "eriodic unsur@ unsur kimia. Semikonduktor Silikon (Si) dan 6ermanium (6e) disebut Semikonduktor -lementer, karena struktur atomn+a han+a terdiri dari satu jenis atom. (isam"ing S& elementer ada "ula S& "aduan (Compound Semiconductor) se"erti "aduan antara unsurunsur golongan <<< dan 5 serta golongan << dan <5. S& "aduan antara lain 6a;s (<<< dan 5), 6a;s! (<<< dan 5), 6a! ( <<< dan 5 ). Semikonduktor "aduan umumn+a digunakan untuk membuat kom"onen +ang da"at memancarkan caha+a (,-(, ,ight -mitting (ioda) atau kom"onen +ang da"at men+era" caha+a se"erti "hoto transistor. S& elementer umumn+a digunakan untuk membuat kom"onen elektronik se"erti 3 (ioda, Aransistor, &om"onen 1angkaian Aer"adu B <ntegrated /ircuit (</) dan bahan semikonduktor elementer +ang "aling umum digunakan adalah Silikon (Si) 9ntuk meningkatkan kondukti8itas bahan S& murni (S& intrinsik), maka ditambahkan unsur ketidakmurnian (Impurity element) +ang biasa disebut unsur do"an.

!roses "enambahan unsur do"an disebut "roses do"ing. !emberian ekstrinsik. (alam keadaan murni, atom silicon dan germanium terikat dalam ikatan ko8alen +aitu "enggunaan bersama elektron "ada kulit terluar untuk memenuhi kebutuhan . elektron. (engan demikian tidak terda"at elektron bebas, sehingga "raktis semikonduktor murni lebih bersifat sebagai bahan isolasi. <katan ko8alen untuk Si di"erlihatkan "ada gambar 2. unsur do"an menghasilkan bahan semikonduktor +ang tidak murni atau semikonduktor

6ambar 2 <katan ko8alen Si dalam keadaan murni

(engan

menambahkan

unsur

do"an

8alensi

se"erti !os"hor (!), maka kristal silicon akan kelebihan satu elektron +ang tidak terikat atau meru"akan elektron bebas. &arena terda"at kelebihan elektron +ang bermuatan negatif maka atom silicon +ang diberikan do"ing 8alensi $ menjadi semikonduktor ekstrinsik ti e N, se"erti "ada gambar 3.

6ambar 3 ;tom silicon dengan do"ing 8alensi $ (S& ti"e #) (engan memberikan do"ing unsur 8alensi 3 se"erti ;luminium (;l), maka dalam struktur tersebut akan kekurangan satu elektron. &ondisi tersebut eki8alen

dengan lobang (hole) +ang bermuatan "ositif. &arena itu semikonduktor +ang dihasilkan disebut semikonduktor ekstrinsik ti e ! se"erti "ada gambar .

6ambar

;tom silicon dengan do"ing 8alensi 3 (S& ti"e !)

DA"TAR E#EMEN UNSUR DO!AN dan BAHAN SEMIKONDUKTOR -lemen Simbol #o. ;to m ;ntimon+ ;rsenic !hos"horu s 6e 6ermaniu m Silikon ;l 13 3 Si 32 1 -lemen semikonduktor murni Sb ;s ! $1 33 1$ $ $ $ -lemen donor ketidak murnian. :emberikan electron untuk membentuk S& ti"e #. ;s dan Sb digunakan untuk 6e dan ! untuk Si -lektron 8alensi !emakaian

2 ;luminium 2oron 6allium <ndium 6a <n

$ 31 0

3 3 3 -lemen ketidak murnian akse"tor. :engambil elektron untuk membentuk S& ti"e !. 6a dan <n digunakan untuk 6e. ;l dan 2 digunakan untuk Si

Da$tar Material untuk #ED dan Karakteristikn%a :aterial 6a;s 6a;l;s 6a;s! % 6a;s 6a! 1ed % Drange 1,0 Carna <nfrared <nfra-redred 1ed 5f (5olt) 1,2 @ 1,3 1, 1,' @ 1,*$ <ti"ikal (m;) $4 $4 Sedikit buram 24 -fisiensi sangat rendah 34 &arakteristik tidak linier &eterangan Ai"e original Aahun 10.4an

6a;l;s! 1,. @ 1,0 6a;s!%6 a! <n6a;l! 6a;s! 1ed 1,0 1ed%Drang e 1ed%Drang e% Jello7%6ree n Eello7 1,0 @ 2,3

24 Aerang%cerah $ @ 24 -fisiensi tinggi 24 Aerang%cerah 24 2 24 Ai"e kuning "ertama +ang dikembangka n Ai"e hijauh "ertama -fisiensi sedang di"erbaiki sekarang Sensitif terhada" tegangan dan arus beban lebih -fiiensi rendah

6a! <n6a#

2,1 24 3,'

6reen 24 6a# 2lue%6reen 3,' 34 Si/ 6a#%Si/ 6a# 2lue 2lue%5iolet 9ltra8iolet 2lue%Chite 3,$ 24 3,. @ $ 14 3,0

Sedikit buram

DIODA !ERSAMBUN&AN ! ' N (DIODA SEMIKONDUKTOR) !roses !em*entukan !ersam*un+an !,N Secara 8isualisasi +ang di"erbesar, struktur S& ti"e ! dan ti"e # di"erlihatkan "ada gambar 1. !roses "embentukan "ersambungan ! @ # di"erlihatkan se"erti "ada gambar 2, dimana S& ti"e ! dan S& ti"e # didekatkan satu sama lain dengan teknik tertentu.

Gambar 1

Gambar 2

2ebera"a elektron dalam sisi ti"e # ditarik ke ti"e ! dan "ada saat +ang sama hole dalam jumlah +ang sama ditarik ke sisi #. :uatan-muatan tersebut menghasilkan

"asangan elektron @ hole +ang netral. #amun demikian, efek ini tidak mencaku" ion-ion unsur do"an . <on-ion tersebut menimbulkan potensial barrier internal VB "ada kedua sisi "ersambungan. 52 mem"un+ai "olaritas +ang mencegah lebih ban+ak elektron bebas atau hole bebas +ang bebas men+eberangi dalam ti"e !, "ersambungan. untuk ;kibatn+a kedua 52 sisi mem"ertahankan elektron bebas dalam ti"e # dan hole mencegah semikonduktor saling menetralisir. :eski"un Potensial Barrier tidak dapat diukur secara langsung, teta"i efekn+a da"at diatasi dengan 0 ! Volt untuk persambungan Ge dan 0" Volt untuk persambungan Si. !otensial barrier untuk Si lebih besar dari 6e karena nomor atom +ang lebih rendah sehingga lebih stabil dalam ikatan ko8alen. !otensial barrier da"at diatur dengan memberikan tegangan dari luar. !emberian tegangan (re8erse maju bias) (for7ard) tidak akan da"at menghilangkan 5 2. 52 52 sebagian atau seluaruhn+a. !emberian tegangan balik menghilangkan di"engaruhi oleh tem"erature. 2aik Si mau"un 6e, 52 akan turun sebesar 2,$ m5 untuk setia" kenaikan tem"erature 1 o/ &arena "asangan elekron @ hole +ang netral, daerah "ersambungan meru"akan daerah "engosongan

(de"letion la+er) artin+a tidak ada "emba7a muatan +ang bebas. !roses terbentukn+a struktur "ersambungan ! # di"erlihatkan "ada gambar 3 dan kondisi akhir di"erlihatkan "ada gambar .

Gambar ! Proses pembentukan persambungan P # $

Gambar % &ondisi ak'ir terbentuknya persambungan P-$(

(alam keadaan demikian "ersambungan !# sudah membentuk dioda !# atau dioda semikonduktor +ang disimbolkan secara umum "ada gambar $.

a( dioda penyeara'

b( Dioda )ener c( *ig't +mitting

Diode ,*+DGambar . simbol-simbol dioda

!em*iasan dioda !embiasan dioda adalah "emberian energi dari luar untuk membuat dioda konduksi atau tidak konduksi se"erti +ang di"elihatkan "ada gambar '. !embiasan dioda ada dua macam +aitu 1. "embiasan maju (for7ard bias) 2. "embiasan balik (re8erse bias)

6ambar 'a. For7ard bias "ada dioda

6ambar 'b. 1e8erse bias "ada dioda Karakteristik Dioda. &arakteristik "embiasan. dioda di"eroleh for7ard dari dua macam dari

&arakteristik

di"eroleh

"embiasan for7ard dan karakteristik re8erse di"eroleh

dari "embiasan re8erse. &edua karakteristik tersebut di"erlihatkan "ada gambar *.

For7ard bias

1e8erse bias

(ata "engukuran for7ard bias 5F <F 4,1 4.2 4.3 4, 4,$ 4,' 4,* 4,. 4,0

(ata "engukuran re8erse bias 51 <1 1 2 3 $ ' * . FF ..

&am*ar - Karaktersitik dioda !en+aruh Tem eratur !engaruh dioda. Aem"eratur terhada" karakteristik for7ard

Gambar /a

Gambar /b

Dari gambar /a dapat disimpulkan ba'0a pada le1el I 2 yang konstan bila temperature dinaikkan maka tegangan 3or0ard V2 akan turun Dari gambar /b dapat disimpulkan ba'0a pada le1el V 2 yang konstan bila temperature dinaikkan maka arus I 2 akan meningkat

!en+aruh

tem erature

terhada

kaeraktersitik

reverse dioda.

Gambar / c Setiap kenaikan temperature sebesar 10


o

C akan

menyebabkan kenaikan arus balik sebesar 2 kali lipat

Ka asitansi !ersam*un+an (Junction Capacitance)

(aerah atau la"isan "engosongan ( depletion layer) "ada "ersambungan !-# meru"akan daerah tan"a muatan dan da"at diangga" sebagai bahan isolasi atau dilelektrik. ,a"isan "engosongan tersebut da"at berubahubah berdasarkan ,e8el%nilai tegangan "embias balik. 2ila S& ti"e ! dan S& ti"e # +ang menga"it la"isan de"lesi tersebut di"andang sebagai konduktor, maka "ada "ersambungan !-# akan terda"at efek % sifat ka"asitansi.

Gal

tersebut

da"at

dibandingan

dengan

rumus

ka"asitansi
C = A d

Jika

tegangan

"embias

balik

di"erbesar,

maka

la"isan "engosongan akan melebar +ang eki8alen dengan d +ang makin besar, sehingga / menjadi kecil. Sebalikn+a jika tegangan "embias balik di"erkecil, maka la"isan "engosongan mengecil atau d menjadi kecil sehingga / menjadi besar.

Ran+kaian,Ran+kaian A likasi Dioda 1. 1angkaian !en+earah (4ecti3ier) a. 2erdasarkan ti"e keluaran - !en+earah H gelombang ('al3 0a1e recti3ier) - !en+earah gelombang "enuh (3ull 0a1e recti3ier), jenis jembatan dan "embalik fasa 2. 1angkaian Stabilisator Aegangan 3. 1angkaian "engganda dan "eli"at ganda tegangan . 1angkaian /lam"er $. 1angkaian /li""er '. 1angkaian (etektor !uncak Ran+kaian !en%earah seten+ah +elom*an+ (Hal$ .ave re/ti$ier)

Ran+kaian !en%earah +elom*an+ re/ti$ier)

enuh ("ull .ave

0enis !em*alik $asa (!hase inversion t% e)

!en%earah &elom*an+

enuh 0enis 1em*atan

(Bridge Rectifier)

Tu+as 1. Sebutkan tiga jenis bahan berdasarkan sifat kelistrikan (da+a hantar listrik). 2. 2agaimana membedakan ketiga bahan tersebut dari segi resistansi listrik dan energi ga". 3. Auliskan sifat-sifat bahan semikonduktor (ada tiga). . 2agaimana cara "embuatan S& ti"e ! dan S& ti"e #. $. ;"a "erbedaan arus dalam S& dengan arus dalam konduktor. '. Jelaskan dua macam arus dalam S&. *. Jelaskan "roses "embentukan dioda "n

.. Jelaskan cara "embiasan dioda 0. 6ambarkan karakteristik dioda 14. Jelaskan cara kerja "en+earah setengah

gelombang, "en+earah gelombang "enuh 11.