Nombre: Marcelo Andrs Espinosa Alvarado

Nivel: Cuarto Paralelo: A Tema: Transistores MOSFET Fecha: 09 07 2013 Periodo: Marzo Agosto 2013

OBJETIVOS: Objetivo general: Conocer que son los transistores MOSFET

Objetivos especficos: Analizar el funcionamiento de los transistores MOSFET Determinar las diferentes configuraciones de los transistores MOSFET

DESARROLLO Transistores Mosfet El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (Metal-oxidesemiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET. El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente est conectado internamente a la terminal del surtidor.

Existen dos tipos de MOSFET: Aquellos en los que existe canal en ausencia de polarizacin se les denomina MOSFET de deflexin (decremental). Aquellos en los que no existe el canal si no se polariza, se les llama MOSFET de acumulacin. (Incrementales).

Modo de empobrecimiento: El transistor MOSFET efecta el proceso anterior; VDD conduce los electrones del surtidor al drenador a la izquierda del sustrato tipo P. La tensin del graduador puede regular la corriente que pasa por el canal.

Polarizacin de mosfet del tipo de empobrecimiento: Se establece un punto Q en Vgs=0, por lo tanto, una seal de CA que entra por el graduador produce variaciones arriba y abajo del punto Q. Es una ventaja cuando Vgs=0 porque as se puede polarizar y se puede utilizar este circuito en donde el graduador y el surtidor no necesitan voltaje. Ventajas y aplicaciones: Amplificar seales pequeas casi igual como los transistores JFET. Un transistor MOSFET es un amplificador separador casi ideal porque el graduador aislado significa que la resistencia de entrada se aproxima a infinito. Si la impedancia de entrada de un JFET no es suficientemente alta se puede utilizar un MOSFET. Excelentes propiedades de bajo ruido.

Mosfet de enriquecimiento Este tipo de MOSFET se usa en microprocesadores y memorias de computadores (funciona como interruptor). Para obtener corriente de drenado, se tiene que aplicar un voltaje positivo en el graduador compuerta.

Polarizacin de mosfet del tipo de enriquecimiento:

Con un MOSFET del tipo de enriquecimiento, VGS tiene que ser mayor que VGS (th) para obtener corriente. Esto elimina la auto polarizacin, la polarizacin por corriente de surtidor y, la polarizacin cero, ya que todas ellas operan en el modo de empobrecimiento. Los MOSFET del tipo de enriquecimiento trabajan con las siguientes polarizaciones: Polarizacin con graduador. Polarizacin por divisor de voltaje (tensin).

Retroalimentacin de drenador: compensa cambios en las caractersticas de los FET.

Si ID(enc) trata de incrementarse por alguna razn, VD (enc) decrece.

CONFIGURACIONES DE LOS MOSFET. MOSFET De tipo decremental, polarizacin

Fija.

VGSQ = + VGG VDS = VDD - IDRS

MOSFET De tipo decremental polarizacin mediante divisor de voltaje.

VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - ISRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

MOSFET De tipo incremental Configuracin por retroalimentacin. VGSQ = VDS

VDS = VDD - IDRS

MOSFET De tipo incremental Polarizacin mediante divisor de voltaje.

VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - IDRS

Ejercicios: Para la siguiente red tipo incremental, determine: a) b) c) d) IDQ VGSQ y VDSQ VD y vS VDS

( ( VGS (v) 3 4 5 6 7 ID(mA) 0 0.556 2.22 5 8.9

) )

Determinar lo siguiente para la red de la figura mostrada a continuacin: a) IDQ y VGSQ b) VD

Datos

IDSS = 8 mA VP = - 8 V IDQ = IDSS / 4 VGSQ = VP / 2 IDQ = 8 mA / 4 = 2 mA VGSQ = -8 v / 2 = - 4 v VD = VDD - IDRD = 20 V - (2 mA)(6.2 k!) = 20 V - 12.4 V VD = 7.6 V IDSS = 12mA VP = -5 V

CONCLUSIONES Se ha llegado a conocer los transistores MOSFET Se ha analizado el funcionamiento de los transistores MOSFET Se ha determinado las diferentes configuraciones de los transistores MOSFET BIBLIOGRAFIA Teora de Componentes y Circuitos Electrnicos Boylestad. 8va edit.